「reference memory」を含む例文一覧(1980)
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 39 40 次へ＞- At the time of storing in the first memory, the image data of the decoded pixel is overwritten on the image data of the pixel which is already stored and not used as the reference pixel.
第１のメモリに格納する際、復号化された対象画素の画像データを、既に格納され且つ参照画素として用いられない画素の画像データに上書きする。 - 特許庁 - A movement compensating means 121 generates a decoded image by adding the output of the block noise removing means 116 to a reference image stored in a frame memory 115.
動き補償手段１２１はブロックノイズ除去手段１１６の出力とフレームメモリ１１５に蓄積された参照画像とを加算することにより復号化画像を生成する。 - 特許庁 - In the memory operation mode, an output of a booster circuit 200 arranged in a panel is used as a reference voltage of the holding circuit 110, and also a selection circuit is changed over.
メモリ動作モード時にパネル内に設けられた昇圧回路２００の出力を用いて保持回路１１０の参照電圧とするとともに、選択回路を切り換える。 - 特許庁 - A correction K2 is computed by multiplying the ratio of the average resistance value R_m to a reference average resistance value R_0m stored in the flash memory 46 by a correction coefficient K1.
平均抵抗値Ｒ_m とフラッシュメモリ４６に記憶されている基準平均抵抗値Ｒ_0mとの比に補正係数Ｋ１を乗算して、補正量Ｋ２を算出する。 - 特許庁 - A motion estimate unit 19 estimates a motion vector on the basis of the reference frame data stored in the selected frame memory and the frame data of the coding object.
選択されたフレームメモリに格納されている参照フレームデータと前記符号化対象のフレームデータに基づいて、動き推定器１９は、動きベクトルを推定する。 - 特許庁 - The mobile communication terminal reads from a memory an SAR value proportional to a current transmit power during a call and when the SAR value exceeds a reference value, the angle of the antenna is adjusted.
移動通信端末機は、通話状態で現在の送信電力に比例するＳＡＲ値をメモリから読み取り、基準値を超えると、アンテナの角度を調節する。 - 特許庁 - A reference signal S2 is superimposed on a video signal S1 to generate setting data to correct the white balance of the video signal S1 and a color temperature data memory 13 stores the generated data.
映像信号Ｓ１に基準信号Ｓ２を重畳し、映像信号Ｓ１の白バランスを補正するための設定データを生成し、色温度データメモリ１３に記憶させる。 - 特許庁 - A factor causing that the reference relation of memory address cannot be determined by the execution is omitted by executing the substitution during in-line expansion to facilitate the optimization processing by the compiler.
インライン展開時に置き換えを実施することで、実行時までメモリアドレスの参照関係が確定しなくなる要素を省き、コンパイラの最適化処理を受けやすくする。 - 特許庁 - The motion vector memory 13 has a region storing a reference block portion deciding the prediction motion vector with respect to four brightness components of an 8X8 macro-block in accordance with standards.
動きベクトルメモリ１３は、８×８のマクロブロックの４つの輝度成分に対する予測動作ベクトルを、規格に応じて決まる参照ブロック分を記憶する領域を有している。 - 特許庁 - To properly reproduce information from a holographic memory even when a tilt error occurs in a direction vertical to a surface including optical axes of signal light and reference light.
信号光と参照光の光軸を含む面に垂直な方向のチルトエラーが生じた場合にも、ホログラフィックメモリから情報を適正に再生できるようにする。 - 特許庁 - An information processor 300 of a clinic 30 starts the reference software in the USB flash memory 400 to a display the medical information on a display 304.
診療所３０の情報処理装置３００は、ＵＳＢフラッシュメモリ４００内の参照用ソフトウェアを起動させ、医療情報をディスプレイ３０４に表示させる。 - 特許庁 - To make the reference temperature for a temperature sensor rewritable in a memory; and to enable temperature detection adapted to an environment where an encoder is used.
本発明は、温度センサーに対する基準温度をメモリに対して書き換え自在とし、エンコーダが使用される環境に合わせた温度検出を可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - Reception beam intensity is corrected in an antenna gain difference corrector 18 with the data of gain difference of the reception antennas 5a and 5b inputted by a reception reference signal memory 17.
そして、アンテナゲイン差補正部１８で、受信リファレンス信号メモリ部１７から入力した受信アンテナ５ａ，５ｂのゲイン差のデータで受信ビーム強度を補正する。 - 特許庁 - Also by comparing number of times of the call signal from the specific channel with a reference count stored in a memory 22, reception of other channels may be stopped.
また、特定チャネルの呼出信号の呼出回数と、メモリ２２に記憶した基準カウンタ値とを比較することによって、他のチャネルの受信動作を停止してもよい。 - 特許庁 - To provide a method for exactly reading data of a memory cell even when a normal read operation (to set one reference cell) is difficult or impossible.
通常の読み出し動作（１つのリファレンスセルを設定すること）が困難若しくは不可能な場合においても、メモリセルのデータを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁 - For example, one of the bit lines 13 laid in a column direction is made a reference bit line RBL in the memory cell array 10 with anti-fuse elements 11 arranged in a grid pattern.
たとえば、アンチヒューズ素子１１が格子状に配置されたメモリセルアレイ１０の、列方向に敷設されたビット線１３のうちの１本を参照ビット線ＲＢＬとする。 - 特許庁 - At first, reference patterns of specified characters stored in a memory and a plurality of character images recognized as the specified characters are read based on the operation by the user.
まず、ユーザによる操作に基づいて、メモリに格納されている特定文字の標準パターン及びこの特定文字として認識された複数の文字イメージを読み込む。 - 特許庁 - A deviation quantity calculation part refers first relation information of a first memory part and acquires reference first inlet pressure from the first differential pressure to calculate first inlet pressure deviation quantity.
偏差量算出部は、第１記憶部の第１関係情報を参照して、第１差圧から基準第１入口圧を取得し、第１入口圧偏差量を算出する。 - 特許庁 - When a call is received (a step S1), a system control part judges whether or not the current remaining memory capacity A is less than the reference capacity B for judging the change of the compression rate (a step S2).
着呼すると（ステップＳ１）、システム制御部は現在のメモリ残容量Ａが圧縮率変更判断基準容量Ｂより少ないか否かを判断する（ステップＳ２）。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which a bit line reference potential VBL can be stably controlled independently of the drive capability of a tester driver at the time of a device evaluation test.
デバイス評価テスト時にテスタドライバの駆動能力に関係なくビット線参照電位ＶＢＬを安定して制御可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The difference between a set value and the average value is calculated as an average value difference at the average value difference calculation unit (A107) and the calculated value is stored in a black reference memory for each black pixel (S108).
平均値差算出部では設定値と平均値との差を平均値差として算出し（Ｓ１０７）、画素ごとに黒基準メモリに格納される（Ｓ１０８）。 - 特許庁 - To solve a problem that the long-term reliability of a conventional semiconductor memory device is reduced due to early deterioration of an FET included in a reference cell therein.
従来の半導体記憶装置においては、リファレンスセルを構成するＦＥＴの劣化が早くなり、当該半導体記憶装置の長期信頼性が低下してしまう。 - 特許庁 - A resistance values of each resistance element of a resistance array 20 connected to a source of a reference cell RMC is set conforming to an equivalent resistance value of source diffusion resistance of a memory cell array.
メモリセルアレイのソース拡散抵抗の等価抵抗値に従って、リファレンスセルＲＭＣのソースに接続される抵抗アレイ２０の各抵抗素子の抵抗値が設定される。 - 特許庁 - To solve the problem that the increase in memory traffic of a reference image becomes a large problem accompanying the enlargement of image size in a moving image coding device for performing inter-frame prediction coding.
フレーム間予測符号化を行う動画像符号化装置において、画像サイズの拡大に伴い参照画像のメモリトラフィック増大が大きな問題となっている。 - 特許庁 - A delay control information calculation section 140 generates delay control information using a reference time stamp used when a transmission frame is written in the delay memory 133a. 133b.
遅延制御情報算出部１４０は、遅延メモリ１３３ａ，１３３ｂに伝送フレームが書き込まれたときの基準タイムスタンプを用いて遅延制御情報を生成する。 - 特許庁 - This uninitialized reference detecting device for stack area is provided with a coverage memory, a stack area movement detection part, and a non write-in/readout detecting part.
カバレッジメモリと、スタック領域移動検出部と、書き込みのない読み込み検出部とを具備するスタック領域の未初期化参照検出装置によって解決することができる。 - 特許庁 - The reference rotation frequencies N0, N1 of the rotation frequency of the feeding screw shaft at the stroke end, when the slide table is moved to each stroke end, are stored in advance in memory.
スライドテーブルを各ストローク端に移動させたときの当該ストローク端における送りねじ軸の回転数の基準回転数Ｎ０，Ｎ１は予めメモリに記憶されている。 - 特許庁 - When reproducing a game, with a present camera view position as a reference, a memory control means 800 successively stores only fixed reproducible areas into a RAM 402.
ゲームの再生時に、メモリ制御手段８００により、現在のカメラ視点位置を基準として一定の再生可能領域のみを順次ＲＡＭ４０２に保持する。 - 特許庁 - Since conventional reference cells can be eliminated, the chip size can be reduced, and discrimination errors due to the variations of the memory cells or temporal changes of retained charges are prevented.
従来のリファレンスセルを削除できるのでチップ面積を削減できると共に、メモリセルのばらつきや保持電荷の経時変化に起因する誤判定を防止できる。 - 特許庁 - The current In flowing in the transistor 12 is designed so as to balance with the constant current Ip in a state in which the reference current and the memory cell current are balanced.
トランジスタＱＮ１２を流れる電流Ｉｎは、基準電流とメモリセル電流とが均衡する状態において、一定電流Ｉｐと均衡するように設計される。 - 特許庁 - In order to perform dust detection of a white board first, image data of the white reference board are read (S11), dust detection processing is operated (S12), and the result thereof is stored in a memory (S13).
まず白板のごみ検知を行うために白色基準板の画像データを読み込み（Ｓ１１）、ごみ検知処理が動作して（Ｓ１２）、その結果をメモリに記憶する（Ｓ１３）。 - 特許庁 - In the memory operation mode, an output of a booster circuit 200 arranged in a panel is used as a reference voltage of the holding circuit, and also a selection circuit is changed over.
メモリ動作モード時にパネル内に設けられた昇圧回路２００の出力を用いて保持回路１１０の参照電圧とするとともに、選択回路を切り換える。 - 特許庁 - Thumbnail image data are generated from 2D image data photographed and outputted by a camera section 3 and the both are stored in a storage memory 7 in cross-reference with each other.
カメラ部３で撮影されて出力された２Ｄ画像データは対応のサムネイル画像データが作成されて、両者は保存用メモリ７に対応付けて保存される。 - 特許庁 - The close reference is abolished when document identifiers relating the documents 206 to 210 saved in the cache memory become absent in a document stack 202.
強い参照が廃止されるのは、キャッシュ・メモリに保存されるドキュメント２０６〜２１０に関連するドキュメント識別子がドキュメント・スタック２０２に存在しなくなったときである。 - 特許庁 - A trimming value is calculated inside the chip and stored in a nonvolatile memory, trimming data are taken out as necessary, and the Vt level of a reference cell and the frequency of an oscillator are adjusted.
チップ内部でトリミング値を算出して不揮発性メモリに記憶し、必要に応じてトリミングデータを取り出して、リファレンスセルのＶｔレベルやオシレータの周波数を調整する。 - 特許庁 - In a normal position measuring operation, the calculation unit 4 reads out the correction value K corresponding to the position signal on reference to the memory unit 5, and corrects the position signal.
通常の位置測定動作において、計算ユニット４は、メモリ・ユニット５を参照して、位置信号に対応する補正値Ｋを読み出し、位置信号を補正する。 - 特許庁 - An abnormal condition of data in the memory and a classification rule for reference relationships to certain data are previously set before running the program or may be set while running the program.
メモリ中のデータの異常状態や、或るデータに対する参照関係の分類規則は、プログラム実行前にあらかじめ設定するか、プログラム実行中に設定してもよい。 - 特許庁 - An arithmetic unit 6 integrates input data from the velocity distribution meter 5 to calculate an average velocity and a flow rate, and saves them temporarily in a memory as a reference flow rate.
演算装置６は速度分布計５からの入力データを積分して平均速度と流量を算出しこれを基準流量としメモリーに一時待避する。 - 特許庁 - A smart electronic control unit (ECU) 20 on the side of a vehicle 3 collates the specific code output from the sub-key 12 with a reference specific code which is stored in a memory 201.
車両３側のスマートＥＣＵ２０は、サブキー１２から出力された特定コードと、メモリ２０１に記憶されている基準特定コードとの照合を行う。 - 特許庁 - In a moving picture encoding apparatus 10, a predicted image generator 16 generates a predicted image with respect to a target image, using a reference image stored in a frame memory 20.
動画像符号化装置１０では、予測画像生成部１６が、フレームメモリ２０に格納された参照画像を用いて、対象画像に対する予測画像を生成する。 - 特許庁 - To prevent decrease in a data read margin which is dependent on address selection, in a storage device that reads data based on an electrical resistance difference between a selected memory cell and a reference cell.
選択メモリセルとリファレンスセルとの電気抵抗差に基づいてデータを読出す記憶装置において、アドレス選択に依存したデータ読出マージンの低下を防止する。 - 特許庁 - Thus, the read rate of the data from the memory 24 can be suppressed to a low level, the pixels are replaced with a margin in the operating speed to extract the required reference image data.
メモリから読出す読出速度を低く抑えることができ、かつ、動作速度に余裕をもって画素入換を行ない必要な参照画像データを取出すことができる。 - 特許庁 - To highly accurately correct dark current irregularities and to reduce the capacity of a memory required for storing the reference data of a dark current used for dark current irregularity correction.
精度の高い暗電流ムラ補正を実現するとともに、暗電流ムラ補正に用いる暗電流の基準データを格納するために必要なメモリの容量を減らすこと。 - 特許庁 - The temperature budget sensor monitors a temperature of the semiconductor device and periodically compares a signal from the temperature budget sensor with a reference signal, then the memory cells are refreshed based on this comparison.
該温度バジェットセンサは該半導体装置の温度をモニタし、該温度バジェットセンサからの信号を、基準信号と周期的に比較し、この比較に基づいて該メモリセルをリフレッシュする。 - 特許庁 - Multiple kinds of data for quality determination including title names, reference waveform data and allowable tolerance are previously stored in a memory of the terminal crimping failure detection device 22.
端子圧着不良検出装置２２のメモリに、タイトル名、基準波形データ、許容公差を含む良否判定用データの多数種類が予め記憶されている。 - 特許庁 - To provide a method for setting a threshold voltage for a reference cell in a core array, for the optimum readout allowance and for performing the best memory operation.
本発明は、最適な読み出しマージン及び最良のメモリ動作を行うための、コアアレイ内の基準セルの電圧閾値を設定する手法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - And it is compared with a reference potential adjusted so that data of the PF cell 21 is made defective earlier than that of the memory cell MC by a PF cell data decision circuit 14.
そして、ＰＦセルデータ判定回路１４で、メモリセルＭＣよりもＰＦセル２１のデータの方が早く不良になるように調整されたリファレンス電位と比較する。 - 特許庁 - In data read-out processing, each of voltage of the bit lines BL1-BLn is compared with the read-out reference line RL, and data of a memory cell is read out.
データ読み出し処理においては、ビット線ＢＬ１〜ビット線ＢＬｎの電圧と読み出し参照線ＲＬの電圧とが比較されて、メモリセルのデータが読み出される。 - 特許庁 - A judgment processor 22 compares a level of the light reception signal with a reference level which is previously stored in a memory 23, and judges as to whether or not a shape and a condition of the end face 8a are good.
判断処理部２２は、予めメモリ２３に記憶されている基準レベルと受光信号レベルとを比較して、端面８ａの形状、状態の良否を判断する。 - 特許庁 - To provide a storage, or the like for further reducing a delay due to queuing in update processing and reference processing in a shared memory for sharing data among a plurality of systems.
複数のシステムでデータを共用する共用メモリにおいて、更新処理と参照処理の待機による遅延をさらに低減した記憶装置等を提供すること。 - 特許庁
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