「reference memory」を含む例文一覧(1980)

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  • To easily eliminate trouble, in image formation, caused by dirt or the like and to eliminate a necessity to provide a memory for holding reference data for dirt detection.
    汚れ等を原因とする画像形成時の不具合を簡単に解消し、汚れ検出用の基準データを保有するためのメモリを備える必要をなくす。 - 特許庁
  • This counted value Px is compared with the number of reference discharge pulses Ps memorized in a memory device 8 to find out a percentage Px/Ps by a comparison judgment device 9.
    この計数値Ｐｘと基準放電パルス数記憶装置８に記憶するパルス数Ｐｓを比較し、比率Ｐｘ／Ｐｓを比較判断装置９で求める。 - 特許庁
  • A correlation distribution memory 15 and a secondary matching section 17 calculate a degree of correlation between the correlation distribution and a reference correlation distribution to obtain a second vector.
    相関値分布メモリ１５及び２次マッチング部１７にて、上記相関度分布と参照用相関度分布との相関度を演算し、第２ベクトルを求める。 - 特許庁
  • When the number of retry times is discriminated to exceed the reference value, the address indicating the sector where the unreadable data is recorded is stored in a defective address memory section 21.
    リトライ回数が基準値を超えたと判別すると、不良アドレス記憶部２１に、読出不能なデータが記録されているセクタを示すアドレスを記憶させる。 - 特許庁
  • The values of the writing current can be updated with the data from the reference memory cell 160 or the data from writing current values stored in a lookup table.
    書き込み電流の値は、基準メモリセル(160)からのデータ、または、ルックアップテーブルに格納されている書き込み電流値からのデータで更新することができる。 - 特許庁
  • The memory 130 memorizes a reference image with mask in which the masked imaged is set in a region of a hand 330 of a workpiece 40 or the robot 30.
    記憶部１３０は、ワーク４０又はロボット３０のハンド３３０の領域にマスク画像が設定されたマスク有り参照画像を、参照画像として記憶する。 - 特許庁
  • A nonvolatile memory 19 of a microcomputer 18 stores a reproduction signal level at reproduction of no signal (a reproduction signal level on the occurrence of head clog) as a reference level.
    マイコン１８の不揮発性メモリ１９に、無信号再生時の再生信号レベル（ヘッドクロッグ発生時の再生信号レベル）を基準値として記憶しておく。 - 特許庁
  • The SOAP-SIP adapter 2 transfers media streams received from the terminals 5b, 5c to destinations of corresponding IP addresses and port numbers by reference to the memory.
    ＳＯＡＰ−ＳＩＰアダプタ２は、端末５ｂ、５ｃから受信したメディアストリームを、メモリを参照して、対応するＩＰアドレスとポート番号の宛先に転送する。 - 特許庁
  • The word line voltage generating circuit 2 changes a word line voltage Vw1 output to the memory cell array 4 in accordance with fluctuations of the reference voltage Vref.
    ワード線電圧生成回路２は、メモリセルアレイ４へ出力されるワード線電圧Ｖｗｌを、リファレンス電圧Ｖｒｅｆの変動に応じて、変化させる。 - 特許庁
  • To provide a computer for improving a high-speed operation by executing a load operation before a store operation, while preventing vague memory reference, and to provide a method for controlling the computer.
    曖昧なメモリ参照を回避しつつストア操作の前にロード操作を実行し動作の高速化が図られた計算機とその制御方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a magnetic memory device utilizing resistance change based on the magnetization direction of a magnetic layer which can reduce an area proportion of a reference cell.
    磁性層の磁化方向に基づく抵抗変化を利用した磁気メモリ装置に関し、リファレンスセルの面積割合を小さくできる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • A value of the discharge voltage measured by the discharge voltage-detecting device 8 and the reference data stored in the memory part 9 are inputted to a comparison part 10.
    比較部１０には、放電電圧検出装置８により測定された放電電圧値と記憶部９に格納されたリファレンスデータとが入力される。 - 特許庁
  • A 3rd reference voltage (1.25 V) is applied to a ch5 of the A/D converter 11 and the A/D converted value is stored in a memory as a correction value.
    同Ａ／Ｄ変換器１１のｃｈ５には第３の基準電圧（1.25Ｖ）が入力され、そのＡ／Ｄ変換値が補正値としてメモリに記憶される。 - 特許庁
  • To improve a sensing margin in a dynamic type semiconductor memory device of a lower voltage side power supply voltage sensing and a voltage direct reference cell writing system.
    低圧側電源電圧センス及び電圧ダイレクト参照セル書き込み方式のダイナミック型半導体記憶装置におけるセンスマージンを向上させる。 - 特許庁
  • In product development, the type of a memory semiconductor device which can be first mounted is assumed to determine the reference electrode array (pin array) or a package size.
    製品開発においては、最初に搭載可能とするメモリ半導体装置の種類を想定して、基準電極配列（ピン配列）やパッケージサイズを決める。 - 特許庁
  • An object referring mechanism 3 judges a request for referencing the elements of the memory object applied to a byte code executing mechanism 1 by referencing the object reference table 2.
    オブジェクト参照機構３は、オブジェクト参照テーブル２を参照してバイトコード実行機構１に与えられるメモリオブジェクトの要素参照要求を判別する。 - 特許庁
  • When an angular velocity sensor does not detect camera shake, a CPU applies voltage corresponding to the focal length of the photographic lens to the VCM with reference to the flash memory.
    角速度センサが手振れを検出しない場合、ＣＰＵは、フラッシュメモリを参照して撮影レンズの焦点距離に対応した電圧をＶＣＭに印加する。 - 特許庁
  • The control of various lamps 111 is implemented based on the control signals from the CPU in reference to the patterns and data stored in the lamp control memory 203.
    ＣＰＵからの制御信号に基づき、ランプ制御メモリ２０３に格納した各パターン及びデータを参照しながら各種ランプ１１１の制御を実行する。 - 特許庁
  • A CPU 12 executes, when a cluster with invalid data is present in reference to status information stored in a main memory 13, zero clear of the cluster concerned.
    ＣＰＵ１２は、メインメモリ１４に記憶されているステータス情報を参照し、データが無効になったクラスタがある場合は、そのクラスタのゼロクリアを実行する。 - 特許庁
  • The intensity of a reference spectrum is fetched out of a memory means 54 in a comparing/judging means 55 and compared with the measured intensity of the spectrum.
    比較・判断手段５５において、記憶手段５４から基準スペクトル強度が取り出され、これら基準スペクトル強度と測定スペクトル強度とが比較される。 - 特許庁
  • A drawing unit 141 draws in an image memory 300, one (reference image) of a plurality of images representing respective contents for respective contents in a storage unit 200.
    描画部１４１は、記憶部２００における各コンテンツについて、各コンテンツを表す画像のうちの１つの画像（基準画像）を画像メモリ３００に描画する。 - 特許庁
  • A coordinate matching processing unit 36 calculates coordinate conversion in order to perform positioning between volume data (the three-dimensional echo data) stored in a memory 18 and a reference model.
    座標整合処理部３６は、メモリ１８に記憶されたボリュームデータ（三次元エコーデータ）と、参照メモリとを位置合わせするための座標変換を計算する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device as a flash memory device, including a resistor constituting a circuit adjusting a reference voltage, and to provide a method of fabricating the same.
    基準電圧を調整する回路を構成する抵抗素子を有するフラッシュ記憶素子である半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The control part 10 reads the remaining data from the memory 3 in reference to the pointer information P_B in the following data transfer period, and transfers the read data to the communication bus 4.
    制御部１０は、次のデータ転送周期で、ポインタ情報Ｐ＿Ｂを参照して前記残りのデータをメモリ３から読み出し、通信バス４へ転送する。 - 特許庁
  • To provide a moving image encoding apparatus in which capacity of a memory storing reference images is smaller than the conventional one and inter-screen prediction is accurately performed.
    参照画像を格納するメモリの容量が従来よりも小さく、かつ、精度よく画面間予測を行う動画像符号化装置を提供すること。 - 特許庁
  • The edit information recording section records the position information denoted by the depression of the take button to the video cassette tape and records the information to the memory in cross-reference with the video cassette.
    編集情報記録部は前記テイクボタンが押された位置情報をビデオカセットテープに記録し、且つメモリに前記ビデオカセットテープ対応で記録する。 - 特許庁
  • The data coincident with the reference value is not stored in the cache memory and information indicating no storage of the data is registered in a management table 25.
    参照値と一致するデータについてはキャッシュメモリ１４に格納せず、そのデータが格納されていないことを示す情報を管理テーブル２５に登録する。 - 特許庁
  • The discrimination/recognition in a picture processor is based on picture data stored in a picture memory with a reference to an area recognition threshold.
    画像処理部における区別・認定は、領域認識閾値を基準として画像メモリに格納された画像データに基づいて行われることを特徴とする。 - 特許庁
  • A central operating unit specifies the reference addresses, comparison data and control functions through memory map registers by a configuration interface controller.
    コンフィギュレーション・インターフェース・コントローラにより、中央演算装置は、メモリ・マップ・レジスタを通じて、基準アドレス、比較データおよび制御機能を指定することができる。 - 特許庁
  • When data of the reference cell 3 for read-verify is erased, as the non-volatile memory cannot accomplisch its role, consequently, alternation of data can be prevented.
    リード／ベリファイ用リファレンスセル３を消去するとその不揮発性メモリはメモリとしての役割を果たせなくなるため、結果としてデータの改竄を防ぐ。 - 特許庁
  • To provide means for miniaturizing a holographic memory in the polytopic system excellent in recording volume in which the wave fronts of a signal light beam and a reference light beam are axially symmetric.
    信号光と参照光の波面が軸対照で、記録容量に優れたポリト方式におけるホログラフィックメモリを小型化する手段を提供する。 - 特許庁
  • A MAX extracting part 7, a selector 8 and a reference memory 9 compress the data to supply the one search data to one picture element of the search image data.
    ＭＡＸ抽出部７、セレクタ８、リファレンスメモリ９は、探知画像データの１画素に対して１つの探知データが与えられるようにデータを圧縮する。 - 特許庁
  • To obtain such a reference layer as withstanding a fabrication process and exhibiting high coercivity and heat resistance with thin film thickness in a magnetic memory element using vertical magnetization.
    垂直磁化を用いた磁気メモリ素子において、作製プロセスに耐え、薄い膜厚で大きな保磁力と高い耐熱性を有する参照層を実現する。 - 特許庁
  • Sum of absolute values of difference between reference data and input data can be obtained accurately and at high speed with simple constitution accurately by using such an analog associative memory.
    このようなアナログ連想メモリを用いると、構成が簡単で、精度良く、高速に、リファレンスデータと入力データとの差分の絶対値和を求めることができる。 - 特許庁
  • An adjustable current mode differential sense amplifier 70 is arranged so as to contact a selected memory cell R_M and a reference cell R_R having a prescribed value.
    調整可能な電流モード差動センスアンプ70は、選択されたメモリセルＲ_Ｍ及び所定値を有する基準セルＲ_Ｒに連絡するように配置される。 - 特許庁
  • This allows the assembler to emit one word memory reference instructions based on the global pointer ( gp or $28 ), instead of the normal two words used.
    これによりアセンブラは、通常では 2 ワードの参照を行うところを、グローバルポインタ( gpまたは$28 )を基準とした 1 ワードのメモリ参照命令を生成可能となります。 - JM
  • Key and data byte strings may reference strings of essentially unlimited length although any two of them must fit into available memory at the same time.
    キーとデータのバイト文字列は、基本的には無制限の長さの文字列を参照できるが、しかしいずれも使用可能なメモリに収まっていなくてはならない。 - JM
  • To provide a ferroelectric memory and its data readout method in which stable reference voltage can be obtained, and accurate readout of stored data can be performed.
    安定したリファレンス電圧を得ることができ、正確な記憶データの読み出しが可能な強誘電体メモリ及びそのデータ読み出し方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a ferroelectric memory of an 1T1C constitution in which the operation margin of a reference circuit can be expanded and which demonstrates a high yield and high reliability.
    １Ｔ１Ｃ構成の強誘電体メモリにおいてリファレンス回路の動作マージンが拡大でき、高歩留まり、高信頼性の強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁
  • A square wave transforming circuit 7 transforms the change into a square wave and a CPU 1 discriminates the coin C by comparing the output of the circuit 7 with reference data stored in a memory 2.
    ＣＰＵ１は、方形波変換回路７の出力と、メモリ２に保持している基準データとを比較することにより硬貨Ｃの判別を行う。 - 特許庁
  • To stably supply a constant current to a ring oscillator without reference to the state of an external power source of a flash memory module for a microcomputer with two-external-power-supply specifications.
    外部２電源仕様のマイクロコンピュータ用フラッシュメモリモジュールの外部電源の状態に係らず、リングオシレータに安定に、定電流を供給する。 - 特許庁
  • In an advertisement registration server 6, a registration acceptance part 63 accepts it, refers to a device information storage part 64 and gains a device ID in reference to a device information memory part 54.
    広告登録サーバ６では、登録受付部６３がこれを受け付けて、デバイス情報記憶部６４を参照して、デバイスＩＤを取得する。 - 特許庁
  • Decision section 44-46 decide whether or not the input data are coincidence with the coincidence detection condition based on the reference data from the pattern memory 43.
    判定部４４〜４６は、入力データが一致検出条件に一致するか否かをパターンメモリ４３からの参照データに基づいて判定する。 - 特許庁
  • A shading correction value is generated, on the basis of read data along the main scanning direction at a first position of a lightness reference board and stored in a line memory 502.
    明度基準板の第１の位置における主走査方向に沿った読み取りデータに基づきシェーディング補正値を作成し、ラインメモリ５０２に格納する。 - 特許庁
  • A memory 21 preliminarily stores an image for one picture which is obtained by picking up the image of an object model or its edge image as a reference image.
    メモリ２１には、あらかじめ対象物のモデルを撮像して得られた１枚分の画像またはそのエッジ画像が、基準画像として格納されている。 - 特許庁
  • To provide a coding decoding system capable of reducing memory capacity for storing a reference image on the decoder side.
    この発明は、復号化器側で、参照画像を保存するためのメモリ容量の低減化が図れる符号化復号化システムを提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To obtain a facsimile machine, having a function which can automatically set and optimally map reference pixels corresponding to detected memory capacities, addition of image memories, and the added amount of the image memories.
    メモリ容量の検出、画像メモリの追加、追加量に応じた参照画素の自動設定とマッピングの最適化機能を有するファクシミリ装置。 - 特許庁
  • A nonvolatile memory 11 is divided into a first area 12 and a second area 13, and reference voltage compensation data is stored in the second area 13.
    不揮発性メモリ１１を第１の領域１２と第２の領域１３に分割し、第２の領域１３に基準電圧補正データを記憶させる。 - 特許庁
  • Thus, the reference point to be the position of the equipment main body 100 is automatically determined and the memory which stores the map information can be effectively used.
    これによって、機器本体１００の位置となる基準点が自動的に定まり、マップ情報を保存するメモリを効率的に利用することができる。 - 特許庁
  • A plurality of reference words based on a second distance index capable of processing coding of a first distance index are preliminarily registered in an associated memory core 13.
    予め第１の距離指標の符号化を処理可能な第２の距離指標に基づく複数の参照ワードを連想メモリコア１３に登録しておく。 - 特許庁
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