「reference memory」を含む例文一覧(1980)

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  • The feature amount analysis section 206 compares the feature amount of the operating states extracted in the feature extracting section 202 and the reference feature amounts stored in the reference feature memory 204 to make troubleshooting.
    特徴量解析部２０６は、特徴量抽出部２０２で抽出された実働状態の特徴量と基準特徴量記憶部２０４に格納してある基準特徴量とを比較して、故障診断を行なう。 - 特許庁
  • Thus, when a P picture and an I picture which are reference frames are also input, a decoding operation is made to store data in the frame memory, so that an extremely high speed decoding of a plurality of reference frames in a certain one frame can be made unwanted.
    このように、リファレンスフレームであるＰピクチャ、Ｉピクチャ入力時にも復号動作を行ってフレームメモリに格納することで、ある１フレーム内での複数のリファレンスフレームの極めて高速な復号を不要にできる。 - 特許庁
  • A torque calculation part 61 compares the reference tension read from a memory part 60 with the inputted measured tension to calculate the torque of the suction drum 39 necessary for equalizing the measured tension and the reference tension.
    トルク算出部６１は、記憶部６０から読み出した基準テンションと入力された測定テンションとを比較し、測定テンションを基準テンションと等しくするために必要なサクションドラム３９のトルクを算出する。 - 特許庁
  • Besides, the stereo matching circuit 8 specifies the correlation destination of the reference pixel area by stereo matching on the basis of the image data within the search range and the image data inside the reference pixel area read out of the line memory.
    また、ステレオマッチング回路８は、ラインメモリ７から読み出された探索範囲内の画像データと基準画素領域の画像データとに基づいて、ステレオマッチングにより基準画素領域の相関先を特定する。 - 特許庁
  • The reference count is important because today's computers have a finite (and often severely limited) memory size; it counts how many different places there are that have a reference to an object.
    今日の計算機は有限の (しばしば非常に限られた) メモリサイズしか持たないので、参照カウントは重要な概念です; 参照カウントは、あるオブジェクトに対して参照を行っている場所が何箇所あるかを数える値です。 - Python
  • The device is provided with a means for determining the period between two successive milking runs of the dairy animal and the memory stores various reference values for the variable, the reference values depending on the measured period.
    上記装置に該酪農動物の２回の連続する搾乳回の間の期間を確定する手段を設け、上記メモリが上記変数に対する種々の基準値を記憶し、該基準値は測定期間に基づく。 - 特許庁
  • A reference memory 16 stores reference data indicating a relationship between a distance from the objective lens 2 in the direction of an optical axis and the intensity of the light directed from a distant position to the objective lens 2 detected by the photodetector 7.
    リファレンスメモリ１６には、対物レンズ２からの光軸方向の距離と該距離の位置より対物レンズ２へ向かう光の光検出器７により検出される輝度との関係を示す基準データが格納される。 - 特許庁
  • A memory 102 stores the initial reference location of a transfer arm, a first correlation between the processing recipe and the sidewall temperature of a processing chamber, and a second correlation between the sidewall temperature of the processing chamber and the corrected value of a reference location.
    記憶部１０２は、搬送アームの初期基準位置と、処理レシピと処理チャンバの側壁温度との第１の相関と、処理チャンバの側壁温度と基準位置の補正値との第２の相関とが記憶されている。 - 特許庁
  • The reference voltage detecting circuit 1 comprises a reference voltage generating circuit 11 having little power supply voltage dependence and temperature dependence, an ADC 12 having little temperature dependence on outputting an ADC output voltage that depends on the reference voltage, a nonvolatile memory 13, and a comparison and computation circuit 14.
    基準電圧検知回路１は電源電圧依存性及び温度依存性が小さい基準電圧発生回路１１、電源電圧に依存するＡＤＣ出力電圧を出力し、温度依存性が小さいＡＤＣ１２、不揮発性メモリ１３、及び比較演算回路１４から構成されている。 - 特許庁
  • In this nonvolatile semiconductor memory device, a program control circuit 1 sets the threshold of a first reference cell RFCO depending on the results obtained when a trimming sense amplifier 8 compares the thresholds of the first reference cell RFCO and the second reference cell SRC.
    この発明の不揮発性半導体メモリ装置では、トリム用センスアンプ８が第１のリファレンスセルＲＦＣ０のしきい値と第２のリファレンスセルＳＲＣのしきい値とを比較した結果に基いて、プログラム制御回路１は、書込回路ＷＣにより第１のリファレンスセルＲＦＣ０のしきい値を設定する。 - 特許庁
  • In a memory area accessible by an active program, data generated in a certain area are inspected to determine whether data corresponding to a set abnormal condition are included.When such data are included, reference relationships to the data are classified into allowed reference relations and prohibited reference relations.
    実行中のプログラムが利用可能なメモリ領域中の、ある領域に生成されたデータを検査し、設定された異常状態に該当するデータがあるかをチェックし、ある場合はそのデータに対する参照関係を許可された参照関係と許可されない参照関係に分類する。 - 特許庁
  • A reference time is inputted to the memory 11 of a microcomputer 4, the end time of a received wave signal received simultaneously with transmission of an ultrasonic wave is compared with the reference time in a discriminating circuit 12, and when the end time exceeds the reference time, short range obstacle present is determined.
    マイクロコンピュータ４のメモリ１１には、基準時間が入力されており、判別回路１２で、超音波送信と同時に受信する受信波信号の終了時間とこの基準時間とを比較し、この終了時間が基準時間を超過した場合に近距離障害物有りと判定する。 - 特許庁
  • To always hold a reference level at a predetermined constant level during data reading from a normal cell in a ferroelectric memory device for comparing the potential of data read from the normal cell with the reference level of the reference cell to determine whether the read data is "H" data or "L" data.
    ノーマルセルから読み出したデータの電位をリファレンスセルのリファレンスレベルと比較して、その読み出しデータが”Ｈ”データか”Ｌ”データかを判別する強誘電体記憶装置において、ノーマルセルからのデータの読み出し時には、前記リファレンスレベルを常に所定の一定レベルに保持する。 - 特許庁
  • A CPU 212, receiving an instruction by user's operation, calculates a gray scale ratio as gray scale adjustment data of a reference white board on the basis of gray scale data of a reference original and the reference white board read under the same conditions acquired by a shading data detection section 211, and stores the data to a nonvolatile memory 213.
    ユーザ操作の指示により、ＣＰＵ２１２はシェーディングデータ検出部２１１で獲得した同一条件で読み取った基準原稿と基準白板の濃度データから濃度比を基準白板の濃度調整データとして算出し、不揮発メモリ２１３に保存する。 - 特許庁
  • The electric charge storing packet 25 storing the reference electric charges and an empty packet 25 other than that are transferred in a horizontal direction to output a reference signal corresponding to the reference electric charges and a transfer residual signal corresponding to the electric charges remaining in the empty packet, and the outputted signals are stored in a memory 142 so that the signals are correlated.
    基準電荷が蓄積された電荷蓄積パケット２５とそれ以外の空パケット２５を水平方向に転送して、基準電荷に応じた基準信号と、空パケットに存在する電荷に応じた転送残り信号とを出力させ、これらを対応付けてメモリ１４２に記憶する。 - 特許庁
  • The measuring signal S1-0 and the reference signal S2-0 related to an analyte solution YA are acquired from two sample corresponding relations having a reference signal 2 most approximate to the reference signal S2-0 are selected from the sample corresponding relations SA1-SA5 stored in a memory 90D to be read.
    アナライト溶液ＹＡについての測定信号Ｓ１−０、参照信号Ｓ２−０、を取得し、メモリ９０Ｄに記憶されているサンプル対応関係ＳＡ１〜ＳＡ５の中から、参照信号Ｓ２−０に最も近似する参照信号Ｓ２を有するものを２つ選択して読み出す。 - 特許庁
  • A reference line decision means 8 which has cells arranged in matrix is placed over image information IP expanded in an image memory and then rotated to estimate a row ny where more than a specific number of black cells are successive on the reference line decision means 8 as an X- axial reference line.
    画像メモリに展開した画像情報ＩＰに、複数のセルが行列に配置されたリファレンスライン判別手段８を重ね合わせた後、これを回転させ、リファレンスライン判別手段８に黒セルが所定数以上連続する行ｎｙをＸ軸リファレンスラインと推定する。 - 特許庁
  • A motion compensation predict unit corrects a high-frequency component of a reference image 15 stored to a motion compensation predict frame memory, has an interpolation image generation unit 43 that generates a reference image 207 of virtual pixel precision, and generates a prediction image by using either the reference image 15 or the reference image of the virtual pixel precision depending on a motion vector.
    動き補償予測部は、動き補償予測フレームメモリに格納された参照画像１５の高周波成分を補正して、仮想画素精度の参照画像２０７を生成する補間画像生成部４３を有し、動きベクトルに応じて参照画像１５または仮想画素精度の参照画像２０７のいずれか一方を用いて予測画像を生成する。 - 特許庁
  • Arbitrary three of the seven reference bank memories are adaptively allocated for the movement detection of integer precision, the other arbitrary three reference bank memories are adaptively allocated for the movement detection of decimal precision, and the remaining one reference bank memory is adaptively allocated for the preliminary transfer of the image data of the reference microblock used for the movement detection of the next object microblock.
    この７個の参照バンクメモリのうち、任意の３個は整数精度の動き検出用に適応的に割り付けられ、他の任意の３個は小数精度の動き検出用に適応的に割り付けられ、残る１個は次対象マクロブロックについての動き検出に使用する参照マクロブロックの画像データの予備転送用として適応的に割り付けられる。 - 特許庁
  • In the motion vector detection circuit, within reference image data DAT2 read out of a reference image data memory 3 in order to calculate a differential absolute value with present image data DAT1, an image block of 8 pixels×8 lines of an encode target and reference image data DAT3 of 10 pixels×10 lines containing its peripheral one pixel are stored in a neighboring reference image data buffer 10.
    現在画像データＤＡＴ１との差分絶対値を算出するために参照画像データメモリ３から読み出した参照画像データＤＡＴ２の内で、符号化対象の８画素×８ラインの画像ブロックとその周囲１画素を含む１０画素×１０ラインの参照画像データＤＡＴ３を近傍参照画像データバッファ１０に格納しておく。 - 特許庁
  • To substantially improve data retention characteristics of a second cell (a reference cell, a redundancy memory cell, an OTP region, etc.), comprising substantially the same steps and same structure as those of a first cell (memory cell), without increasing the number of steps needlessly.
    徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁
  • To greatly improve data retention characteristics of a second cell (reference cell, redundancy memory cell, OTP area or the like) having a process and a structure almost similar to those of a first cell (memory cell) without unnecessarily increasing the number of steps.
    徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁
  • A read word line RWL and a write word line WWL are arranged, corresponding to the row of an MTJ memory cells and a bit line BL and reference voltage wiring SL are arranged corresponding to the column of the MTJ memory cells.
    ＭＴＪメモリセルの行に対応してリードワード線ＲＷＬおよびライトワード線ＷＷＬが配置され、ＭＴＪメモリセルの列に対応してビット線ＢＬおよび基準電圧配線ＳＬが配置される。 - 特許庁
  • A calculation part 42 calculates the degree of probability of the specific substance as the angle θ formed by the vector of the measured data (L_1, L_2 and L_3) stored in the memory 24 and the vector of the reference data (R_1, R_2 and R_3) preliminarily stored in the memory.
    計算部４２はメモリ２４に記憶された測定データ（Ｌ_1，Ｌ_2，Ｌ_3）のベクトルと、メモリに予め記憶された基準データ（Ｒ_1，Ｒ_2，Ｒ_3）のベクトルのなす角θとして特定物質の確率度を算出する。 - 特許庁
  • A semiconductor memory device 100A is provided with memory cell arrays 10A, 10B, a data bus 40, a reference voltage generating circuit 72, a voltage drop circuit 73, a VPP generating circuit 76, a circuit group 77, and a test circuit 80.
    半導体記憶装置１００Ａは、メモリセルアレイ１０Ａ，１０Ｂと、データバス４０と、基準電圧発生回路７２と、電圧降圧回路７３と、ＶＰＰ発生回路７６と、回路群７７と、テスト回路８０とを備える。 - 特許庁
  • In the processing by the LAO processing 19 and processing for decoding a compressed moving image, a reference frame memory 17 used to refer to the previous frame data is shared, so an unnecessary frame memory is reducible.
    ＬＡＯ処理部１９での前述の処理と圧縮動画像を復号する処理において、前フレームデータを参照する際に用いる参照フレームメモリ１７を共用するので、余分なフレームメモリを削減することができる。 - 特許庁
  • A read word line RWL and a write word line WWL are arranged corresponding to a row of an MTJ memory cell, and a bit line BL and a reference voltage wiring SL are arranged corresponding to a column of the MTJ memory cell.
    ＭＴＪメモリセルの行に対応してリードワード線ＲＷＬおよびライトワード線ＷＷＬが配置され、ＭＴＪメモリセルの列に対応してビット線ＢＬおよび基準電圧配線ＳＬが配置される。 - 特許庁
  • Reference potential inputted to a shared amplifier 6m is switched by a switching means 19 either when data is read from a two value memory region 22 or when the data is read from a four value memory region 21.
    ２値記憶領域２２からのデータ読み出し時と、４値記憶領域２１からのデータ読み出し時とで、共通のセンスアンプ６ｍに入力される参照電位を、切り替え手段１９によって切り替える。 - 特許庁
  • The sense amplifier 9 reads data from the memory cell based on the voltage of the bit line BL connected to the memory cell 11 to receive a precharge voltage during the reading operation and a reference voltage in response to the control signal.
    センスアンプ９は、制御信号に応答して、メモリセル１１に接続され読み出し動作に際してプリチャージ電圧を印加されたビット線ＢＬの電圧と参照電圧とに基づいて、メモリセルのデータを読み出す。 - 特許庁
  • In reference image data held in a frame memory, pixel data within a synthetic search range 260a that is a sum of two motion vector search ranges for those target macro blocks are simultaneously transferred to a high-speed memory.
    フレームメモリに保持された参照画像データのうち、それらの対象マクロブロックに対する２つの動きベクトル探索範囲の和である合成探索範囲２６０ａの画素データを一度に高速メモリに転送する。 - 特許庁
  • A current flowing in the memory cell is compared with reference current levels 91, 92 in the first and the second current paths, while electric charges corresponding to the current flowing the memory cell are accumulated respectively in first and second accumulation parts.
    第１、第２の電流経路で、メモリセルに流れる電流とリファレンス電流レベル９１，９２とを比較するとともに、メモリセルに流れる電流に応じた電荷をそれぞれ第１、第２の蓄積部に蓄える。 - 特許庁
  • By the second reading operation, the residual polarized value of the ferroelectric capacitor of the reference memory cell reduced by the heat treatment or the like of the manufacturing process is returned to an original value before reading access to the real memory cell.
    第２読み出し動作によって、製造工程の熱処理等により減少するリファレンスメモリセルの強誘電体キャパシタの残留分極値を、リアルメモリセルの読み出しアクセス前に元の値に戻すことができる。 - 特許庁
  • The image decoding reduction rate decision section 107 utilizes the image size displayable in the section 111 and the size of the reference memory and image display memory 109 to decide a decodable reduction rate for the coded image data.
    画像復号縮小率決定部１０７は、画像表示部１１１に表示可能で、かつ、符号化された画像データを参照用メモリ兼画像表示メモリ１０９を利用して復号可能な縮小率を決定する。 - 特許庁
  • To provide a means to jumpingly improve the performance of a semiconductor memory device important in industry, in reference to the constitution of a non-volatile type semiconductor memory device driven at a low voltage by a low power consumption.
    低電圧および低消費電力で駆動する不揮発型半導体記憶装置の構成に関わるものであり、産業上重要な半導体記憶装置の性能を飛躍的に向上させる手段を提供する。 - 特許庁
  • A sense amplifier circuit compares the reference current to a drain current generated by a non-volatile memory bit cell as sweeping gate voltages are applied to the non-volatile memory bit cell until a transitioning gate voltage is identified.
    センスアンプ回路は、遷移ゲート電圧が識別されるまで不揮発性メモリビットセルに掃引ゲート電圧が印加されるとき、前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルによって生成されるドレイン電流と比較する。 - 特許庁
  • Sampling points α of a reference white plate 3002 are read out for 64 lines, subjected to shading correction and averaging before being stored in a sampling memory 104 in order to detect dust of the data stored in a sampling memory 104.
    基準白板３００２のサンプリングポイントαが６４ライン分読み取られ、シェーディング補正され、平均処理された後、サンプリングメモリ１０４に保管され、サンプリングメモリ１０４に保管されたデータのゴミ検知が行われる。 - 特許庁
  • When a data plural-time reference detecting means 7 detects that the data causing the line conflict is accessed again by a processor 1, the processor 1 makes access to another area on the memory by the memory controller 5.
    そして、ラインコンフリクトを起こすデータがプロセッサ１によって再びアクセスされることをデータ複数回参照検出手段７が検出すると、メモリコントローラ５によってプロセッサ１はメモリ上の別の領域にアクセスする。 - 特許庁
  • When a performance valid time passes from the start of the round involved, a control part determines in reference to a working memory whether the round in transit is the noticed round or not.
    ラウンドの開始から演出有効時間が経過すると、制御部はワーキングメモリを参照して移行中のラウンドが告知ラウンドであるか否かを判定する。 - 特許庁
  • Since this invention starts a line in the horizontal mode in the expansion processing on the way of data, data of reference lines are not required and the capacity of the memory in use can be saved.
    また、途中からの伸長処理であっても水平モードのラインから開始するので参照ラインのデータを必要とせず、メモリ使用量を節約できる。 - 特許庁
  • A real amplification transistor of the real memory cell has a gate, a source, and a drain connected to a connection node, a reference voltage line, and a real read line respectively.
    リアルメモリセルのリアル増幅トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインが、接続ノード、基準電圧線およびリアル読み出し線にそれぞれ接続されている。 - 特許庁
  • In this method (400), a value of an input side of the cell (210) is compared to the reference value the input side of the memory cell provides an indication that writing operation is completed.
    方法(400)は、セル(210)の入力側の値を基準値と比較し、メモリセル(210)の入力側は、書き込み動作が完了したという指示を提供する。 - 特許庁
  • When the count value reaches the prescribed number of times, the first positions of the nose and eyes are made reference positions and written in a face part position memory 40.
    そして、制御部５０は、カウント値が所定回数になると、最初の鼻及び眼の位置を基準位置として、顔部品位置メモリ４０に書き込む。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device in which influence of a sneak current at reading can be excluded, and the area of a reference cell array can be reduced.
    読み出し時におけるまわりこみ電流の影響を排除できるとともに、リファレンスセルアレイの面積を削減できる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide an image encoder the capacity of a memory for storing a reference image of which is reduced without deteriorating a coding efficiency so as to reduce the cost.
    画像符号化装置において、符号化効率を悪化させることなく、参照画像を記憶するメモリの容量を削減して低コスト化を図る。 - 特許庁
  • To provide a read only memory device capable of generating a fixed reference voltage and a fixed sense amplifier enable signal regardless of the variations in processes.
    工程ばらつきとは関係なく一定の基準電圧及びセンス増幅器イネーブル信号を発生することができるリード専用メモリー装置を提供する。 - 特許庁
  • A quantum reference part 109 outputs a weighted average value Q of the output values Out of the peripheries of a noticed pixel stored in a quantum memory 108.
    量子参照部１０９では、量子メモリ１０８に蓄積されている注目画素周辺の出力値Ｏｕｔの重み付き平均値Ｑを出力する。 - 特許庁
  • A memory 9 is stored with a preset reference level Ps as an output level of laser light Lo to be output from a laser oscillator 2.
    メモリ９には、そのレーザ発振器２から出力されるべきレーザ光Ｌｏの出力レベルとして、予め設定された基準レベルＰｓが記憶される。 - 特許庁
  • Further, a correlation discrimination circuit 134 discriminates correlation between each block of the input image data and a reference pattern stored in a pattern memory 133.
    また、相関判定回路１３４で、入力画像データの各ブロックに対して、パターンメモリ１３３に記憶されている参照パターンとの相関を判定する。 - 特許庁
  • The image of the moving object is extracted from the result of subtraction, and the image data and reference coordinate data are calculated and they are written in a 3rd memory 16 in time series.
    この減算結果から、移動体が抽出され、その画像データと基準座標データが算出され、時系列順に、第３のメモリ１６に書き込まれる。 - 特許庁
  • A SSA 30 outputs data of a memory cell and a reference level of 0x/1x on a sub-bit line to main bit lines GBLN0, GBLT0.
    ＳＳＡ３０はメモリセルのデータ，副ビット線ＢＬＴｘ０上の０ｘ／１ｘのリファレンスレベルを主ビット線ＧＢＬＮ０，ＧＢＬＴ０に出力する。 - 特許庁
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