「reference memory」を含む例文一覧(1980)
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これにより、 動き補償予測に使用する画像メモリに参照画面のデータを蓄える際に、画像データが圧縮され、動き補償予測に使用する画像メモリのメモリ容量が削減でき、回路規模の削減や、コストの削減が図れる。 - 特許庁 - Idle areas used for a signal delay buffer among idle areas dotted in a memory space are used for a memory block, and a start address table 120 is produced, which stores a start address of each memory block in cross- reference with a value indicated by the index section 111.
メモリ空間に散在する空き領域のうち信号遅延バッファとして使用する空き領域をメモリブロックとし、各メモリブロックの開始アドレスをインデックス部１１１の示す値と関連付けて記憶する開始アドレステーブル１２０を作成する。 - 特許庁 - The reference correction data for correcting the luminance unevenness of the projected image based on the reference light source section is stored in a rewritable LUT memory 9 and the correction data based on the light source section 1k mounted on a liquid crystal projector 100 is superposed on the reference correction data to rewrite the contents of the LUT memory 9 to the superposed correction data.
基準光源部に基づく投写画像の輝度ムラを補正する基準補正データを書き換え可能なＬＵＴメモリ９に記憶し、この基準補正データに対して液晶プロジェクタ１００に搭載される光源部１ｋに基づく補正データを重ね合わせ、ＬＵＴメモリ９の内容を当該重ね合わせた補正データに書き換える。 - 特許庁 - This circuit is a read-out circuit for a magnetic memory device reading out information recorded in a memory cell having a magneto-resistance element, and has a reference cell connected in series to the magneto-resistance element, and a comparator comparing a potential at a connection point of the magneto-resistance element and the reference cell with the reference potential.
磁気抵抗素子を有するメモリセルに記録された情報を読み出す磁気メモリ装置の読み出し回路であって、前記磁気抵抗素子に対して直列に接続される参照セルと、前記磁気抵抗素子と前記参照セルとの接続点の電位と基準電位とを比較する比較器と、を有する磁気メモリ装置の読み出し回路。 - 特許庁 - Also, when data verification is performed in data rewriting processing, reference voltage generated by a reference voltage generating section 15 is compared with voltage of bit lines BL1-BLn and a read-out reference line RL, data of the memory cell and the dummy cell are read out.
また、データ書き換え処理においてデータ照合を行なう場合には、参照電圧生成部１５が生成する参照電圧と、ビット線ＢＬ１〜ビット線ＢＬｎおよび読み出し参照線ＲＬの電圧が比較されて、メモリセルおよびダミーセルのデータが読み出される。 - 特許庁 - First/second initial quantities of input electricity V_10, V_20 are stored as reference values in reference value memory parts 7, 8, change ratios V_1/V_10, V_2/V_20 relating to the reference values of the first/second quantities of input electricity are calculated in a ratio calculating parts 9, 10.
第１および第２の初期入力電気量Ｖ_１０，Ｖ_２０を基準値として基準値記憶部7、8に記憶し、第１および第２の入力電気量の基準値に対する変動比率Ｖ_１／Ｖ_１０，Ｖ_２／Ｖ_２０を比率算出部9、10で算出する。 - 特許庁 - The memory cells have data storage resistance elements that are variable resistance elements, and the reference resistance circuit has first reference resistance elements Rr1 and second reference resistance elements Rr2 that are variable resistance elements each having the same structure as the data storage resistance elements.
メモリセルは可変抵抗素子であるデータ記憶抵抗素子を有し、参照抵抗回路は、それぞれがデータ記憶抵抗素子と同じ構造を有する可変抵抗素子である第１の参照抵抗素子Ｒｒ１及び第２の参照抵抗素子Ｒｒ２を有している。 - 特許庁 - A reference number addition part 111 searches pages to be referred to from a process A wherein a fault has occurred, in a memory management information storage part 102, and one is added to reference numbers stored in a reference number storage part 103 with respect to searched pages P101 and 102.
参照数加算部１１１は、障害が発生したプロセスＡより参照されるページをメモリ管理情報記憶部１０２で検索し、検索されたページＰ１０１、Ｐ１０２について、参照数記憶部１０３に記憶された参照数に１を加算する。 - 特許庁 - A reference image object picture type StrPTYPE is a picture type when the image stored in a frame memory Mem 3 is encoded, and when the StrPTYPE for encoding a block prediction type MBtype is a picture type impossible for reference, no correction reference image number RIdx is assigned to the StrPTYPE.
参照画像候補ピクチャタイプStrPTYPEはフレームメモリMem3に格納されている画像が符号化された際のピクチャタイプであり、ブロック予測タイプMBtypeでの符号化の際にStrPTYPEが参照不可能なピクチャタイプの場合は、そのStrPTYPEに対する修正参照画像番号RIdxは割り当てない。 - 特許庁 - The image processing apparatus comprises: a frame memory 32 for reading a white reference image at a white reference reading portion and storing it as a white reference data based on an output data from a line sensor; and a shading compensation processing portion 22 for using the stored white reference data as a references data during reading an image of a manuscript to detect a remarkable level variation region in a read white reference data.
白基準読み取り部位の白基準画像を読み取り、ラインセンサからの出力データに基づいて白基準データとして記憶するためのフレームメモリ３２を備え、さらに、そこで記憶された白基準データを原稿の画像を読み取る際に、基準データとして使用し、取り込んだ白基準データ中の著しいレベル変動領域を検知するシェーディング補正処理部２２を備えた。 - 特許庁 - This method includes steps for: locating a first reference frame portion from a first frame in a first pass, storing the first reference frame portion in a memory; locating a second reference frame portion from a second frame in a second pass, and combining the first reference frame portion and the second reference frame portion to form a bi-directionally predicted portion.
１巡目において第１のフレームから第１の参照フレーム部分の位置を見つけること、メモリ中に第１の参照フレーム部分を記憶すること、２巡目において第２のフレームから第２の参照フレーム部分の位置を見つけること、そして２方向に予測された部分を形成するために第１の参照フレーム部分及び第２の参照フレーム部分を統合すること、を含む。 - 特許庁 - A semiconductor storage device comprises a plurality of memory cells storing data according to a change in a resistance state and a plurality of reference cells referred to so as to detect data stored in the memory cells.
半導体記憶装置は、抵抗状態の変化によってデータを記憶する複数のメモリセルと、メモリセルに記憶されたデータを検出するために参照される複数の参照セルとを備えている。 - 特許庁 - To provide a memory circuit wherein both ports of a memory cell reference separate values until an optional point of time and the value of the one port is referenced by the other port at a point of time when prescribed processing is finished.
任意の時点までは両ポートから別々の値が参照され、所定の処理が終了するとその時点での一方のポートにおける値が他方のポートから参照されるメモリ回路を提供する。 - 特許庁 - The microprocessor 100 copes with a flag reset instruction, a flag setting-equipped memory read instruction, a flag setting-equipped memory write instruction, a flag setting-equipped register setting instruction, and a flag reference-equipped branch instruction.
このマイクロプロセッサ１００は、フラグリセット命令と、フラグ設定付きメモリリード命令と、フラグ設定付きメモリライト命令と、フラグ設定付きレジスタ設定命令と、フラグ参照付き分岐命令とに対応する。 - 特許庁 - The HDD 4 reads FAT on the disk 11 to a memory 19 in the HDD in accordance with a mode switching instruction from the host device 2, and performs defragmentation in reference to the FAT read in the memory.
ＨＤＤ４は、ホスト装置２からのモード切替命令に応じてＨＤＤ内のメモリ１９にディスク１１上のＦＡＴを読み込み、このメモリに読み込まれたＦＡＴを参照してデフラグを行う。 - 特許庁 - In this computer system for constructing a kernel, a symbol constituting a kernel module is arranged in a cache line of a cache memory 30 on the basis of the memory reference frequency to a main storage device 40 of the symbol.
カーネルの構築を実行するコンピュータシステムにおいて、カーネルモジュールを構成するシンボルを、シンボルの主記憶装置４０へのメモリ参照頻度に基づいて、キャッシュメモリ３０のキャッシュライン内に配置する。 - 特許庁 - A reference potential is written in a memory circuit in the timing of selecting a first output terminal of a sequential selecting circuit, and a signal is written in the memory circuit in the timing of selecting a second output terminal.
順次選択回路の第１出力端子が選択されたタイミングでメモリ回路内に基準電位を書き込み、第２出力端子が選択されたタイミングで信号をメモリ回路に書き込む。 - 特許庁 - Since data held on a cash memory unit 76 can be utilized with being near in relation to time, random access to the memory 14 can be lessened by raising the localization of reference.
キャッシュ記憶部７６上に保有されているデータを時間的に近接して利用することが可能となるので、参照の局所性を高めて、メモリ１４へのランダムアクセスを少なくすることができる。 - 特許庁 - A restored image obtained by motion compensating predictive decoding processing through an inverse conversion processing section 121 and a motion compensation section 122 is written for a reference image to a memory 200 by a memory control section 140.
逆変換処理部１２１及び動き補償部１２２によって、動き補償予測復号化処理された復元画像は、メモリ制御部１４０によってメモリ２００に参照画像用に書き込まれる。 - 特許庁 - The memory controller receives an interrogation wave including user identification information from a tag reader, and restricts an access right in reference to access authority information stored in any memory.
メモリコントローラは、タグリーダからユーザ識別情報を含む質問波を受信し、いずれかのメモリに格納されたアクセス権限情報を参照してアクセス権の制限を行うことを特徴とする無線ＩＣタグ。 - 特許庁 - The transcoding device 100 then searches for motion vectors for re-search by using the decoded images stored in the frame memory 10f as reference images and by using the motion vectors stored by the frame memory 10f.
そして、トランスコード装置１００は、フレームメモリ１０ｆに格納された復号化画像を参照画像とし、フレームメモリ１０ｆによって格納された動きベクトルを用いて、再探索動きベクトルの探索を行う。 - 特許庁 - The memory image storage control part 300 compresses the memory image while switching a CPU compression part 322 and the print image compression part 326 in reference to the compression method table and stores it in an HDD 54.
メモリイメージ保存制御部３００ は、圧縮方法テーブルを参照し、ＣＰＵ圧縮部３２２ と印刷イメージ圧縮部３２６ とを切り替えながら、メモリイメージを圧縮してＨＤＤ５４に保存する。 - 特許庁 - To provide a read-out circuit of a semiconductor memory apparatus in which read-out operation speed can be increased and the number of reference cells for read-out operation can be decreased, in a multi-level type semiconductor memory apparatus.
多値型の半導体記憶装置において、読み出し動作の高速化を図ること及び読み出し用のリファレンスセルの数を削減することが可能な半導体記憶装置の読み出し回路を提供する。 - 特許庁 - A shifting determination section 132 determines whether it is in the state that the virtual memory media should be shifted from the execution state of the execution program in reference to the shifting determination condition of the virtual memory media.
入替判定部１３２は、仮想記憶媒体の入替判定条件を参照して、実行プログラムの実行状況から、仮想記憶媒体を入れ替えるべき状態にあることを判定する。 - 特許庁 - In a memory means possessed by an operation part 16, a relationship of a car speed and deterioration of the rope or the sheave is stored and the deterioration of the rope or the sheave is determined with reference to the memory means.
演算部１６の有する記憶手段には、乗りかご速度とロープまたはシーブの劣化の関係が記憶されており、この記憶手段を参照してロープまたはシーブの劣化を判断する。 - 特許庁 - After compressing a page of image, the compressed image in the spool memory area 5 or the compressed image in the cache memory area 6 referred by the reference information is decompressed at a decompressing section 7.
１ページ分の圧縮後、スプール記憶領域５内の圧縮画像あるいは参照情報で参照されるキャッシュ記憶領域６内の圧縮画像を伸張部７で伸張し、出力する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory, having a function with which read-out speed can be increased by equalizing input impedance of a main cell side seen from IV conversion circuits 2, 3 with input impedance of a reference cell side, in a semiconductor memory having plural cell arrays and one reference cell array.
複数のセルアレイと１つのリファレンスセルアレイとを有する半導体記憶装置において、ＩＶ変換回路２、３から見えるメインセル側の入力インピーダンスとリファレンスセル側の入力インピーダンスを同一にして読み出しスピードの高速化を図る機能を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A reference voltage generation circuit 7 is constituted of a memory part 11 for memorizing digital data for setting the detection voltage Vdet of this voltage detection circuit 1, and a D/A converter 13 for converting the digital data memorized in the memory part 11 into a reference voltage Vref.
基準電圧発生回路７は、電圧検出回路１の検出電圧Ｖdetを設定するためのデジタルデータを記憶するためのメモリ部１１と、メモリ部１１に記憶されたデジタルデータを基準電圧Ｖrefに変換するためのＤ／Ａコンバータ１３により構成されている。 - 特許庁 - A reception weight vector calculation device 12 calculates weight vector by using antennas, whose number is equivalent to a half of the signal length of a known reference signal stored in a memory 15 for a 1st cycle and reproduces part of a succeeding data signal for giving the reproduced signal to the memory 15 as an additional reference signal.
第１のサイクルで、メモリ１５に保持されている既知の参照信号の信号長の１／２の本数のアンテナを用いて、受信ウェイトベクトル計算機１２は、ウェイトベクトルを計算し、後続のデータ信号の一部を再生して追加の参照信号としてメモリ１５に与える。 - 特許庁 - To provide a pattern dependent correction method capable of detecting an accurate program verification current for a target memory cell not affected by a leakage current from an adjacent memory cell in a nonvolatile storage device in which an average current for two reference cells is reference current.
２つのリファレンスセルの平均電流をリファレンス電流とする構成の不揮発性半導体記憶装置において、隣接メモリセルのリーク電流に影響されない、対象メモリセルの正確なプログラムベリファイ電流の検出を可能とするパターン依存補正方式を提供する。 - 特許庁 - For example, in a frame having high significance, prediction efficiency is improved to the maximum by using all the prepared prediction methods and reference memory regions, and in a frame having low significance, the limited prediction methods and reference memory regions are used to simplify coding processing so as to reduce processing amount.
たとえば、重要度の高いフレームでは用意されたすべての予測方式と参照メモリ領域を用いて最大限予測効率を向上し、重要度の低いフレームでは予測方式や参照メモリ領域を限定して用い、符号化処理を簡素化して処理量を低減する。 - 特許庁 - The first determination part 70 determines, for each of the plurality of twin cells selected by a selection circuit 13, whether a first condition that a threshold voltage of one memory cell is higher than a commonly set reference value and a threshold voltage of the other memory cell is lower than the reference value is established.
第１の判定部７０は、選択回路１３によって選択された複数のツインセルの各々について、一方のメモリセルの閾値電圧が共通に設定された基準値より高く、他方のメモリセルの閾値電圧が基準値より低いという第１の条件が成立するか否かを判定する。 - 特許庁 - The second image transmission part sets the image held in the second image memory as a reference image when switching transmission from the first image transmission part to the second image transmission part, and generates a difference image from the image held in the first image memory based on the reference image.
この第２の画像送信部は、第１の画像送信部から第２の画像送信部に送信を切り換える際に、第２の画像メモリに保持された画像を基準画像に設定し、基準画像を基に、第１の画像メモリに保持された画像から差分画像を生成する。 - 特許庁 - An encode section 111 acquires a received frame via a switch SW2 from a first memory 106 for storing a plurality of frames, and acquires one reference frame selected by a switch SW4 from a plurality of reference frames stored in a second memory 113 for storing a plurality of frame.
エンコード部１１１は、第１複数フレーム格納用メモリ１０６からスイッチＳＷ２を介して入力フレームを取得すると共に、第２複数フレーム格納用メモリ１１３に格納されている複数の参照フレームの中からスイッチＳＷ４により選択した一の参照フレームを取得する。 - 特許庁 - The reference information is stored in the external memory when the defining information in the fixed page document is detected, and the XML parser 62 analyzes the defining information read from the external memory when the reference calling of the defining information in the fixed page document is detected.
ＦｉｘｅｄＰａｇｅ文書内の定義情報が検出されると、外部メモリに参照情報を記憶され、ＦｉｘｅｄＰａｇｅ文書内の定義情報の参照呼出を検出すると、ＸＭＬパーサ６２は、外部メモリから読み出された定義情報の解析を行う。 - 特許庁 - This data sorter is used for sorting data existing in a specified area of a memory space in a main memory 104, where a data exchange circuit 103 moves the data in the specified area of the memory space, based on a set reference value read out by a reference data read DMAC 105 and divides the specified area into two group areas.
メインメモリ１０４の指定されたメモリ空間の範囲にあるデータをソートするデータソート装置において、データ交換回路１０３は、指定されたメモリ空間の範囲内のデータを、基準データリードＤＭＡＣ１０５によって読み出された設定された基準値に基づいて移動して、上記指定された範囲を２つのグループ範囲に分ける。 - 特許庁 - This semiconductor memory comprises a memory cell, a comparison unit comparing a first level in accordance with a state stored by the memory cell with a reference level, and a dummy cell supplying a second level discriminating as that it is not set in the prescribed range when the comparison unit is compared with the reference level to the comparison unit.
半導体記憶装置は、メモリセルと、メモリセルが記憶する状態に応じた第１のレベルを参照レベルと比較して第１のレベルが所定範囲に設定されているか否かを検出する比較ユニットと、比較ユニットが参照レベルと比較したときに所定範囲に設定されていないと判断する第２のレベルを比較ユニットに供給するダミーセルを含む。 - 特許庁 - A method of reading a memory system including a flash memory reads a main page of the flash memory, increments the number of read-out cycles, copies data of a memory block including a main page into another block when the number of read-out cycles to the main page exceeds a reference number of cycles.
本発明によるメモリシステムの読み出し方法は、フラッシュメモリを含むメモリシステムの読み出し方法であって、前記フラッシュメモリのメインページを読み出し、前記メインページの読み出し回数を増加させ、前記読み出し回数が基準値より大きい場合、前記メインページを含むブロックのデータを他のブロックにコピーバックする。 - 特許庁 - A skip control unit 24 compares the amount of data written in a first memory 4 with the amount of data read out from the first memory 4, and moves image data equivalent to one frame held by the first memory 4 to a second memory 22 when the amount of write data exceeds the read data beyond a reference value.
スキップ制御部２４は、第１のメモリー４に書き込まれたデーターの量と第１のメモリー４から読み出されたデーターの量とを比較して、書き込みデーター量が読み出しデーター量より基準値を越えて多くなった場合に、第１のメモリー４が保持している１フレーム分の映像データーを第２のメモリー２２に移す。 - 特許庁 - In addition, charge is accumulated in a charge accumulation area of the other reference cell so as to be equivalent to a memory cell characteristic with the maximum current.
また、他方のリファレンスセルの電荷蓄積領域に、最も電流が多いメモリセル特性と等価な状態となるように電荷が蓄積される。 - 特許庁 - The system control device 1 checks the read flag and writes the time data of a reference time device 1-1 in the memory 3-2 every second.
システム管理装置１は読み取りフラグをチェックし１秒毎に基準時計装置１−１の時刻データを記憶装置３−２に書き込む。 - 特許庁 - To provide a packet processor capable of non-necessitating queuing processing when updating a reference memory and, at the same time, reducing a capacity of Queue.
参照用メモリの更新時の待ち合わせ処理を不要にすると共にＱｕｅｕｅの容量を低減できるパケット処理装置を提供する。 - 特許庁 - The random number generating method uses a random number memory table 27 which stores random numbers and numerals to derive the random numbers in cross-reference with each other to generate a random number.
乱数とこの乱数を引き出すための数値とが対応付けられて記憶された乱数テーブル２７を用いて乱数を発生させる。 - 特許庁 - The intensity of the initial output laser light is measured with a laser power monitor 10, and is stored as a reference output value in a laser power memory circuit 22.
初期の出力レーザ光の強さをレーザパワーモニタ１０で測定して、レーザパワー記憶回路２２に出力基準値として記憶しておく。 - 特許庁 - An input port 3 for adjustment is provided and a reference value is acquired by inputting a standard light level from the outside and storing the light level in a memory 53.
調整用入力ポート３を設け、外部より標準的な光レベルを入力してメモリ53に記憶することで基準値を取得する。 - 特許庁 - A memory element (19) temporarily sets (110, 210) the magnetization of the reference layer in a known direction, and can be read by deciding (112, 212) a resistance state of the element.
メモリ素子(10)は、基準層の磁化を既知の向きに一時的に設定し(110,210)、素子の抵抗状態を判定する(112,212)ことにより読み出され得る。 - 特許庁 - A calling user information memory stores a telephone number of a calling terminal and reference information associated with the telephone number of the calling terminal.
発信ユーザ情報記憶部は、発信端末の電話番号と、発信端末の電話番号と関連付けられた参照情報とを記憶する。 - 特許庁 - To collate a reference image such as a fingerprint with an image of an object to be authenticated with high accuracy with a small memory capacity and a small calculation amount.
少ないメモリ容量、少ない演算量でいて、指紋などの参照画像と認証対象画像との照合を高い精度で行う。 - 特許庁 - The sense amplifier compares a voltage of the bitline with a reference voltage by means of the boosted voltage, and reads data from the memory cell.
前記センスアンプは、前記昇圧電圧を用いて前記ビットラインの電圧と基準電圧とを比較し、前記メモリセルに保持されたデータを読み出す。 - 特許庁 - A magnetic memory element 70 includes a free magnetization layer 10, a nonmagnetic layer 20, a reference layer 30, a fixed magnetization layer group 40, and a conductive layer 50.
磁気メモリ素子７０は、磁化自由層１０と非磁性層２０とリファレンス層３０と磁化固定層群４０と導電層５０とを具備する。 - 特許庁
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