As one embodiment, the SDRAM circuit receives a bank address for an automatic refresh operation, and executes the automatic refresh operation to a specific bank and a present refresh row. 一実施例としてSDRAM回路は、自動リフレッシュ動作のためにバンクアドレスを受信し、特定バンクと現在のリフレッシュロウに対して自動リフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁
A self-refresh oscillator generates a clock signal at a prescribed cycle and a refresh signal generation section receives the clock signal and generates first and second refresh signals. 本発明のセルフリフレッシュオシレータは所定周期のクロック信号を発生し、リフレッシュ信号発生部はクロック信号を受信して第1及び第2リフレッシュ信号を発生する。 - 特許庁
To reduce current consumption during a refresh operation. リフレッシュ動作時の消費電流を減少させること。 - 特許庁
Refresh operation is performed by operation during the described operation. この間の作動によりリフレッシュ作動が行なわれる。 - 特許庁
MAGNETIC DISK DEVICE AND REFRESH METHOD IN SAME DEVICE 磁気ディスク装置及び同装置におけるリフレッシュ方法 - 特許庁
To change refresh rate without requiring user recognition. ユーザが認識することなくリフレッシュレートを変更できる。 - 特許庁
A self-refresh cycle is adjusted by a method reducing consumption of a current during partial array self-refresh operation. セルフリフレッシュサイクルは、部分アレーセルフリフレッシュ動作中の電流の消耗を減少させる方法で調整される。 - 特許庁
SELF-REFRESH CIRCUIT WITH OPTIMIZED POWER CONSUMPTION 電力消費量が最適化されているリフレッシュ回路 - 特許庁
The logic circuit section 1 adjusts automatically a occurrence period of a refresh-command in accordance with the decided refresh-period. ロジック回路部1は、判定されたリフレッシュ周期に応じて、リフレッシュコマンドの発生周期を自動調整する。 - 特許庁
A power voltage Vcc1 is supplied to a circuit 300, which is required for a self refresh, and a refresh is executed. セルフリフレッシュに必要な回路300には、電源電圧Vcc1が供給されリフレッシュが行われる。 - 特許庁
Video data compression is used in condition refresh of tile base. タイルベースの条件リフレッシュビデオデータ圧縮を用いる。 - 特許庁
To effectively prevent an unnecessary refresh process. 不要なリフレッシュが発生するのを効果的に防止する。 - 特許庁
MEMORY SYSTEM, SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT, AND ITS REFRESH METHOD メモリシステム、半導体メモリ装置及びそのリフレッシュ方法 - 特許庁
The test refresh requisition signal is formed according to the level of the refresh mask signal, or the formation is inhibited according thereto. テストリフレッシュ要求信号は、リフレッシュマスク信号のレベルに応じて生成され、あるいは生成が禁止される。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND REFRESH CONTROL METHOD OF THE SAME 半導体メモリ装置及びそのリフレッシュ制御方法 - 特許庁
To change refresh rate without requiring user recognition. ユーザが認識することなくリフレッシュレートを変更できる。 - 特許庁
A refresh request signal is output periodically in accordance with a memory block in which refresh operation is permitted. リフレッシュ要求信号は、リフレッシュ動作が許可されているメモリブロックに対応して周期的に出力される。 - 特許庁
To prevent system performance deterioration caused by a refresh operation. リフレッシュ動作によるシステム性能の低下を防止する。 - 特許庁
REFRESH METHOD FOR MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY AND DEVICE THEREFOR マルチレベル不揮発性メモリのリフレッシュ方法及び装置 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit in which a refresh-life is improved and a self-refresh current is reduced. リフレッシュ寿命の向上を図り、セルフリフレッシュ電流を低減した半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
n can be:0 - disabled1 - uncachable2 - write-back3 - write-combining4 - write-throughmode(uvesafb only)Set up the resolution, color depth and refresh rate.
nには、0 - disabled 1 - uncachable 2 - write-back 3 - write-combining 4 - write-through が設定できます。 - Gentoo Linux
REFRESH CIRCUIT HAVING RESTORATION TIME VARIABLE BY OPERATION MODE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS REFRESH METHOD 半導体メモリ装置の動作モードにより可変なリストア時間を有するリフレッシュ回路及びそのリフレッシュ方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS SELF-REFRESH CONTROL METHOD 半導体記憶装置及びそのセルフリフレッシュ制御方法 - 特許庁
To accurately measure a refresh charging time for a battery when charging is interrupted during refresh charging. リフレッシュ充電中に充電の中断が発生する場合に、バッテリのリフレッシュ充電時間を正確に計測する。 - 特許庁
SYNCHRONIZING DRAM HAVING TEST MODE WHICH CAN PERFORM AUTOMATIC REFRESH OPERATION BY EXTERNAL ADDRESS, AND AUTOMATIC REFRESH METHOD 外部アドレスにより自動リフレッシュ動作が行えるテストモードを有する同期式DRAM及び自動リフレッシュ方法 - 特許庁
When an interval of refresh processing of the SDRAM is longer than the frame interval, the refresh processing of the SDRAM is not required. SDRAMのリフレッシュ処理の間隔がフレーム間隔よりも長ければ、SDRAMのリフレッシュ処理が不要となる。 - 特許庁
It might refresh his memory if he sees our faces. 私たちの顔 見たら 思い直すかもしれないじゃん。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
to refresh the contents of real storage from disk storage
実記憶装置の内容をディスク装置から復元する - コンピューター用語辞典
To provide a self-refresh control method capable of extending a refresh period and reducing current consumption. リフレッシュ周期の長期化を図り、消費電流を低減可能なセルフリフレッシュ制御方法等を提供する。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR SETTING MEMORY TO SELF-REFRESH STATE メモリをセルフリフレッシュ状態にする装置および方法 - 特許庁
In this refresh control method of a graphics memory provided with a memory cell array 50 which is separated into a frame buffer area 40 performing a screen refresh operation and a DRAM refresh data storage area 42 performing a DRAM refresh operation, the memory array of the DRAM refresh data storage area 42 other than the frame buffer area 40 is refreshed in accordance with a DRAM refresh control signal REF. スクリーンリフレッシュ動作を行うフレームバッファ領域40とDRAMリフレッシュ動作を行うDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域42に分離されたメモリセルアレイ50を具備したグラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法であって、DRAMリフレッシュ制御信号REFに応じてフレームバッファ領域40を除いたDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域42のメモリセルアレイをリフレッシュする。 - 特許庁
A semiconductor integrated circuit device includes a control circuit for booster circuit that comprises: a refresh command detection circuit for detecting an issue of a refresh command showing the performance of a refresh operation and generating a refresh detection signal; and a circuit number determination circuit for generating a group of control signals for controlling operation of multiple booster circuits driven during the refresh operation based on the refresh detection signal. リフレッシュ動作を行うことを示すリフレッシュコマンドの発行を検出し、リフレッシュ検出信号を生成する、リフレッシュコマンド検出回路と、前記リフレッシュ検出信号に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される複数の昇圧回路の動作を制御するための制御信号群を生成する、台数決定回路とを具備する。 - 特許庁
An operation inhibiting means 30 compares a part RA8 of a refresh address output from a refresh counter 6 with refresh designation signals RB[0], RB[1] output from the latch means 20-1, 20-2 to judge whether or not refresh of a block indicated by the refresh address is needed, and when the refresh is unnecessary, the means 30 inhibits the operation of a RAS system circuit 11. 動作禁止手段30では、リフレッシュカウンタ6から出力されるリフレッシュアドレスの一部RA8と、ラッチ手段20−1,20−2から出力されるリフレッシュブロック指定信号RB[0],RB[1]とを比較し、リフレッシュアドレスが示すブロックのリフレッシュの要、不要を判断し、不要であればRAS系回路11の動作を禁止する。 - 特許庁
To provide a refresh control method for addreviating a CBR refresh cycle for refreshing all memory row addresses immediately before entering a self refresh cycle and immediate after leaving from it in the refresh control method of a DRAM. 本発明は、DRAMのリフレッシュ制御方式において、セルフリフレッシュサイクルに入る直前と、抜けた直後に全メモリロウアドレスをリフレッシュするためのCBRリフレッシュサイクルを省略するリフレッシュ制御方式を提供することを目的とする。 - 特許庁
SELF-REFRESH CONTROLLER AND STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM セルフ・リフレッシュ制御装置及びプログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁
To carry out refresh charging of a battery at a proper time, in relation to a refresh charging control device. 本発明は、リフレッシュ充電制御装置に関し、適当な時期にバッテリのリフレッシュ充電を行うことを目的とする。 - 特許庁
To provide a dynamic semiconductor memory in which a refresh operating current is deceased and a refresh control method. リフレッシュ動作電流を特段に減少させるダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法の提供。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH IMPROVED REFRESH TIME リフレッシュタイムを改善させた半導体素子の製造方法 - 特許庁
MAGNETIC DISK DEVICE AND DATA REFRESH METHOD IN THE SAME 磁気ディスク装置及び同装置におけるデータリフレッシュ方法 - 特許庁
To prevent clogging of a nozzle without performing refresh operation. リフレッシュ動作を行うことなくノズルの目詰まりを防止する。 - 特許庁
Refreshing operation is performed first during the generation period of the one-shot pulse by using a refresh address R_-ADD generated by a refresh control circuit 4. まず、リフレッシュ制御回路4が生成したリフレッシュアドレスR_ADDを用いてワンショットパルスの発生期間中にリフレッシュする。 - 特許庁
DYNAMIC SEMICONDUCTOR MEMORY AND REFRESH CONTROL METHOD ダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法 - 特許庁
The refresh operation is inhibited during performing external access (3). 外部アクセスの実行中(3)はリフレッシュ動作は禁止される。 - 特許庁
When there is a refresh request of the domain group, the domain group is invalidated only when a refresh period has elapsed. ドメイングループのリフレッシュ要求があった場合には、リフレッシュ期間を経過している場合に限りドメイングループが無効にされる。 - 特許庁
MAGNETIC DISK DRIVE AND DATA REFRESH METHOD IN THIS DRIVE 磁気ディスク装置及び同装置におけるデータリフレッシュ方法 - 特許庁
An internal row address signal (refresh-address signal) is generated by a refresh-address counter 17, and inputted to a row decoder 12. 内部ロウアドレス信号(リフレッシュアドレス信号)は、リフレッシュアドレスカウンタ17により生成され、ロウデコーダ12に入力される。 - 特許庁
In a first mode that the PLL circuit 120 operates, the first refresh controller 140 makes the refresh request to a DRAM controller 160. PLL回路が動作する第1のモードでは、第1のリフレッシュコントローラがDRAMコントローラにリフレッシュ要求を行う。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONTROL METHOD FOR ITS REFRESH-OPERATION 半導体メモリ装置及びそのリフレッシュ動作の制御方法 - 特許庁
Right-click the connection node again and choose refresh.
接続ノードをもう一度右クリックし、「再表示」を選択します。 - NetBeans