「refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • A phase comparing means 8 outputs a refresh execution request signal when the refresh information signal corresponds to the reference signal.
    位相比較手段８は、リフレッシュ情報信号と基準信号とが互いに対応するときにリフレッシュ実行要求信号を出力する。 - 特許庁
  • To provide a refresh-mode driving method for a semiconductor memory and a cell data protecting circuit which can protect safely cell data at the time of refresh-operation.
    リフレッシュ動作時、セルデータを安全に保護できる、半導体メモリ装置のリフレッシュモード駆動方法及びセルデータ保護回路を提供する。 - 特許庁
  • To reduce the standby current of a semiconductor memory by reducing power consumption of a generation circuit of a refresh signal for executing a refresh operation.
    リフレッシュ動作を実行させるリフレッシュ信号の生成回路の消費電力を削減し、半導体メモリのスタンバイ電流を削減する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor storage device which eliminates unnecessary refresh operation and suppress operating current in the refresh.
    不要なリフレッシュ動作を除くことができ、しかもリフレッシュにおける動作電流を抑えることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • The value of n is variable based on a refresh mode designation signal RM supplied from the outside in synchronization with the refresh command REF.
    ｎの値はリフレッシュコマンドＲＥＦに同期して外部から供給されるリフレッシュモード指定信号ＲＭに基づいて可変である。 - 特許庁
  • This semiconductor memory device is provided with a refresh control part for performing a refresh operation of a memory cell array having dynamic memory cells.
    半導体メモリ装置は、ダイナミック型のメモリセルを有するメモリセルアレイのリフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュ制御部を備える。 - 特許庁
  • A control circuit 16 in the tag 1 reads out data from the memory 11 in accordance with the refresh command to refresh the memory 11.
    ＲＦタグ１の制御回路１６は、このリフレッシュコマンドに応じてメモリ１１に対する読出しを行うことでメモリ１１をリフレッシュする。 - 特許庁
  • To timely refresh PF, according to increase in the amount of accumulated PM and frequently refresh PF.
    ＰＭ堆積量の増大に応じて適時ＰＦ再生処理を行うとともに、ＰＦ再生処理が頻繁に行われることを防止する。 - 特許庁
  • To provide a refresh timer and adjusting method for its refresh cycle which can surely compensate refresh cycles with respect to variation at ambient temperature, improves the stability of the refresh cycles, suppresses increase in current consumption, due to the shortening of the refresh cycles and reduces area of a circuit as a whole.
    リフレッシュ周期を周囲温度の変化に対して確実に補償することができ、リフレッシュ周期の安定性を向上するとともに、リフレッシュ周期の短縮による消費電流の増大化を抑えることができ、かつ全体として回路面積を縮小化することができるリフレッシュタイマー及びそのリフレッシュ周期の調整方法を提供する。 - 特許庁
  • The refresh request signal generating part is provided with a 1st counter for counting a generation frequency of the refresh timing signal, and a 2nd counter for counting a generation frequency of the refresh implementation signal, and when the difference between the two generation frequencies is one or more, the device generates the refresh request signal.
    リフレッシュ要求信号発生部は、リフレッシュタイミング信号の発生回数をカウントする第１のカウンタと、リフレッシュ実施信号の発生回数をカウントする第２のカウンタと、を備え、２つの発生回数の差分が１以上である場合に、リフレッシュ要求信号を発生させる。 - 特許庁
  • In the SDRAM refresh control device for interrupting burst read or burst write processing by a command and executing refresh processing a predetermined number of times in all predetermined refresh periods, the refresh processing is executed during an idle period in which the burst read or burst write processing is not executed.
    コマンドによるバーストリードまたはバーストライト処理に対して割り込んで、所定の全リフレッシュ期間内に所定回数のリフレッシュ処理を実行するＳＤＲＡＭリフレッシュ制御装置において、 前記バーストリードまたはバーストライト処理が実行されていないアイドル期間に、前記リフレッシュ処理を実行する。 - 特許庁
  • Address conversion sections corresponding to each of the memory blocks generate each of second refresh address signals having different values for each memory block based on the first refresh address signal, and change combination patterns of the values of the second refresh address signals for each of a predetermined number of refresh operations.
    メモリブロックにそれぞれ対応するアドレス変換部は、第１リフレッシュアドレス信号に基づいてメモリブロック毎に値が異なる第２リフレッシュアドレス信号をそれぞれ生成するとともに、第２リフレッシュアドレス信号の値の組み合わせパターンを所定数のリフレッシュ動作毎に変更する。 - 特許庁
  • The refresh request signal generation portion is equipped with a 1st counter which counts the frequency of generation of the refresh timing signal and a 2nd counter which counts the frequency of generation of a refresh implementation signal, and generates a refresh request signal when the difference between the two generation frequencies is ≥1.
    リフレッシュ要求信号発生部は、リフレッシュタイミング信号の発生回数をカウントする第１のカウンタと、リフレッシュ実施信号の発生回数をカウントする第２のカウンタと、を備え、２つの発生回数の差分が１以上である場合に、リフレッシュ要求信号を発生させる。 - 特許庁
  • A refresh control circuit outputs, when changing the low power consumption mode to a normal operation mode, refresh control signals at the same interval as that in the normal operation mode, and executes a refresh operation only for a memory cell for which a predetermined time has passed since the last refresh operation.
    リフレッシュ制御回路は、低消費電力モードから通常動作モードに移行するときに、リフレッシュ制御信号を通常動作モード時と同じ間隔で出力するとともに、前回のリフレッシュ動作から所定時間が経過したメモリセルのみにリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁
  • Even when a refresh-time is lengthened and electric charges of a memory cell are reduced, as sensitivity of the sense amplifier is improved, refresh-operation can be performed.
    リフレッシュ時間を長くしてメモリセルの電荷が減少した場合においても、センスアンプの感度が上がるので、リフレッシュ動作が可能となる。 - 特許庁
  • Next, a refresh address for a first test is stored in a data store circuit 51.
    次に、データストア回路５１内にテスト用リフレッシュアドレスを記憶させる。 - 特許庁
  • To prohibit needless operations of a column repair circuit during a refresh operation.
    リフレッシュ動作時における無駄なカラム救済回路の動作を禁止する。 - 特許庁
  • The refresh request part 20 comprises a mask part 40 and a request part 60.
    リフレッシュ要求部２０は、マスク部４０と要求部６０とを備える。 - 特許庁
  • MEMORY SYSTEM, MEMORY CONTROLLER AND METHOD FOR CONTROLLING REFRESH OPERATION OF MEMORY CONTROLLER
    メモリシステム、メモリコントローラ及びメモリコントローラのリフレッシュ動作制御方法 - 特許庁
  • A refresh-generating circuit generates refreshing request with the prescribed interval.
    リフレッシュ発生回路は、リフレッシュ要求を所定の間隔で発生する。 - 特許庁
  • The processor 32 releases a self-refresh mode of the SDRAM 34 based on the initial operation program, and performs a changeover to external refresh by the processor 32.
    プロセッサ３２は、初期動作プログラムに基づいて、ＳＤＲＡＭ３４のセルフリフレッシュモードを解除し、プロセッサ３２による外部リフレッシュに切り替える。 - 特許庁
  • To comparatively simply realize refresh operation for a nonvolatile memory.
    不揮発性メモリに対するリフレッシュ動作を比較的簡単に実現する。 - 特許庁
  • REFRESH OPERATION START METHOD AND SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    半導体不揮発性メモリ装置のリフレッシュ操作開始方法およびシステム - 特許庁
  • The MRS section generates the first control signal controlling a refresh pulse generating time of the refresh timer and the second control signal resetting the refresh time responding to an address signal and an external command .
    ＭＲＳ部はアドレス信号及び外部命令に応答して、リフレッシュタイマのリフレッシュパルス発生時間を制御する前記第１制御信号及び前記リフレッシュタイマをリセットさせる前記第２制御信号を発生する。 - 特許庁
  • A refresh period 6 is calculated using compared result of the delay element number of stages comparator 12 during DLL lock, to update the refresh period 6.
    ＤＬＬロック時の遅延素子段数比較器１２の比較結果を用いてリフレッシュ周期６を算出しリフレッシュ周期６の更新を行う。 - 特許庁
  • A storage circuit varies a stored value by a prescribed value in response to the refresh request signal and decreases the stored value by one in response to the refresh operation.
    蓄積回路は、リフレッシュ要求信号に応答して蓄積値を所定値変化させ、リフレッシュ動作に応答して蓄積値を一つ戻す。 - 特許庁
  • To properly manage the refresh operation of a semiconductor nonvolatile memory device.
    半導体不揮発性メモリ装置のリフレッシュ操作を適切に管理する。 - 特許庁
  • To prevent malfunction of a semiconductor memory by surely executing refresh operation.
    リフレッシュ動作を確実に実行し、半導体メモリの誤動作を防止する。 - 特許庁
  • To prevent a data storage characteristic from being deteriorated in a refresh operation of a memory requiring the refresh operation by being affected by heat emitted by a memory requiring no refresh operation in a memory system provided with a plurality of memories.
    複数のメモリを備えるメモリシステムにおいて、リフレッシュ動作が不要なメモリが放出する熱の影響を受けてリフレッシュ動作が必要なメモリのリフレッシュ動作におけるデータ保持特性の悪化を防止する。 - 特許庁
  • Therefore, errors at the every time of read-out and refresh.
    従って、データ読み出し及びリフレッシュ時の都度エラーが訂正されてゆく。 - 特許庁
  • This will affect all new connections, so just refresh the website you're having problems with in order to test.
    ですから、テストするために問題のWebサイトを更新してください。 - Gentoo Linux
  • With an argument, refresh the current line without clearing the screen.
    引き数を付けると、画面をクリアせずに現在の行を再描画します。 - JM
  • A refresh request-generating circuit generates the refresh request signal for refreshing the dynamic memory cell per predetermined count of clocks of a clock signal.
    リフレッシュ要求生成回路は、ダイナミックメモリセルをリフレッシュするためのリフレッシュ要求信号を、クロック信号の所定のクロック数毎に生成する。 - 特許庁
  • Partial refresh information indicating permission/prohibition of refresh operation is set in accordance with external input and is output as a partial setting signal.
    リフレッシュ動作の許可／禁止を示すパーシャルリフレッシュ情報が、外部入力に応じて設定され、パーシャル設定信号として出力される。 - 特許庁
  • REFRESH-MODE DRIVING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CELL DATA PROTECTING CIRCUIT
    半導体メモリ装置のリフレッシュモード駆動方法及びセルデータ保護回路 - 特許庁
  • The refresh circuit 40 includes a command signal activating circuit 50 activating the refresh command signal/ REFE and a determination circuit 60 determining whether an activated refresh command signal/REFE is to be outputted or not.
    リフレッシュ回路４０は、リフレッシュ指令信号／ＲＥＦＥを活性化させる指令信号活性化回路５０と活性化されたリフレッシュ指令信号／ＲＥＦＥを出力するか否かを判定する判定回路６０とを含む。 - 特許庁
  • A semiconductor memory device includes a refresh synchronous circuit 120 provided between a refresh request circuit 140 and a command decoder 110 and deactivating refresh request if an external access request is output from the command decoder 110.
    半導体記憶装置は、リフレッシュ要求回路140とコマンドデコーダ110との間に設けられ、コマンドデコーダ110から外部アクセス要求が出力されている際にはリフレッシュ要求を非活性にするリフレッシュ同期回路120を備える。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND REFRESH CONTROL METHOD
    半導体メモリ装置、半導体装置、メモリシステム及びリフレッシュ制御方法 - 特許庁
  • The refresh timer generates a refresh pulse responding to the prescribed first and second control signals, the oscillator output signal, and an external clock signal.
    リフレッシュタイマは所定の第１及び第２制御信号、オシレータ出力信号及び外部クロック信号に応答してリフレッシュパルスを発生する。 - 特許庁
  • To effectively utilize WRITE operation to a test of a self-refresh mode by enabling WRITE operation even during self-refresh of a semiconductor memory device.
    半導体記憶装置のセルフリフレッシュ時にもＷＲＩＴＥ動作を可能にし、これをセルフリフレッシュモードのテストに有効に利用できるようにする。 - 特許庁
  • REFRESH CONTROL OVER SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND GENERATION OF INTERNAL VOLTAGE
    半導体メモリ装置におけるリフレッシュ制御および内部電圧の生成 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING AUTOMATIC REFRESH FUNCTION TO SPECIFIC BANK
    特定バンクに対する自動リフレッシュ機能を有する半導体メモリ装置 - 特許庁
  • After that, when the signal LC becomes an 'L' level, F/Fs 163, 164 and 165 are reset, the output of the NOR gate 167 becomes an 'H' level, the refresh request is inputted into a refresh pulse generating circuit 170 and a refresh enable signal RERF is outputted.
    その後ラッチコントロール信号LCが“L”レベルとなる時点でF/F163,164,165がリセットされ、NORゲート167の出力が“H”レベルとなり、リフレッシュ要求がリフレッシュ用パルス発生回路170に入力されてリフレッシュイネーブル信号RERFが出力される。 - 特許庁
  • A refresh area specifying unit 206 specifies an area to be refreshed as a refresh area among display areas of a display apparatus.
    リフレッシュ領域特定部２０６は、表示装置の表示領域のうち、リフレッシュ対象となる領域をリフレッシュ領域として特定する。 - 特許庁
  • During this operation, internal operation in refresh operation is controlled (11) for refresh operation start request (8), but internal operation is inhibited for refresh operation start request (9), (10) after the second time.
    この間、１回目のリフレッシュ動作開始要求（８）に対してはリフレッシュ動作における内部動作を制御する（１１）が、２回目以降のリフレッシュ動作開始要求（９）、（１０）に対しては内部動作を禁止する。 - 特許庁
  • An approach is provided to refresh a key in a communication system.
    通信システム内でキーをリフレッシュするためのアプローチが提供されている。 - 特許庁
  • LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR ADJUSTING REFRESH RATE THEREOF
    液晶表示装置及びそのリフレッシュ周波数を調整する方法 - 特許庁
  • The refresh control part is provided with a target memory cell group setting part for setting a portion of the target memory cell group in the memory cell array, a refresh address generating part for sequentially generating a plurality of refresh addresses that can designate all memory cells in the memory cell array, and a refresh address determining part for determining whether an attention refresh address designates the target memory cell group.
    リフレッシュ制御部は、メモリセルアレイ内の一部の対象メモリセル群を設定するための対象メモリセル群設定部と、メモリセルアレイ内のすべてのメモリセルを指定可能な複数のリフレッシュアドレスを順次発生させるリフレッシュアドレス発生部と、注目リフレッシュアドレスが対象メモリセル群を指定しているか否かを判定するためのリフレッシュアドレス判定部と、を備える。 - 特許庁
  • To enable memory refresh operation when a power source voltage of a logic circuit is stopped.
    ロジック回路の電源電圧停止時にメモリリフレッシュ動作を可能とする。 - 特許庁
  • A refresh rate is changed in accordance with the changing of the brightness of an LCD(liquid crystal display) panel, and when the brightness of the LCD panel is lowered, the refresh rate is changed.
    ＬＣＤパネルの輝度を変更するに伴ってリフレッシュレートを変更し、ＬＣＤパネルの輝度を低下させるときにはリフレッシュレートも低下させる。 - 特許庁
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