「refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • When a mode is switched externally to a self-refresh mode, an external address immediately before switching to a self-refresh mode is latched to a latch circuit 3.
    外部からセルフリフレッシュモードに切り換わる際、セルフリフレッシュモードに切り換わる直前の外部アドレスをラッチ回路３にラッチする。 - 特許庁
  • The counter 53 counts pulse signals PHYO by the prescribed numbers, and generates the refresh signal PHYS for executing refresh operation.
    カウンタ５３は、パルス信号ＰＨＹ０を所定数カウントし、リフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュ信号ＰＨＹＳを発生する。 - 特許庁
  • A refresh control circuit periodically executes the refresh operation of the memory blocks excluding a memory block corresponding to the inhibiting block information.
    リフレッシュ制御回路は、禁止ブロック情報に対応するメモリブロックを除くメモリブロックのリフレッシュ動作を周期的に実行する。 - 特許庁
  • To secure stability of refresh operation in a semiconductor memory device in which refresh operation is performed without being instructed from the outside.
    外部から命令されることなくリフレッシュ動作を行う半導体記憶装置において、リフレッシュ動作の安定性を確保する。 - 特許庁
  • Data specifying a refresh-mode performed in of a self-refresh mode are stored in a register circuit (24) in a mode register (2).
    モードレジスタ（２）内のレジスタ回路（２４）に、セルフリフレッシュモード時において実行されるリフレッシュ態様を特定するデータを格納する。 - 特許庁
  • To provide an SDRAM with low power consumption and few control signals, an SDRAM refresh issuing system, and an SDRAM refresh issuing method.
    消費電力が低く、かつコントロール信号の少ないSDRAM、SDRAMのリフレッシュ発行システム、及びSDRAMのリフレッシュ発行方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a refresh circuit having a restoration time variable by an operation mode of a semiconductor memory device and its refresh circuit.
    半導体メモリ装置の動作モードにより可変なリストア時間を有するリフレッシュ回路及びそのリフレッシュ方法を提供する。 - 特許庁
  • The memory controller 11 generates a refresh request signal corresponding to timing for executing refresh in such a manner that timing for executing refresh of the number of times corresponding to a most significant row address 44 of a use area of the memory cell array 13 is scattered within a predetermined refresh period.
    メモリコントローラ１１は、メモリセルアレイ１３の使用領域の最上位ロウアドレス４４に応じた回数のリフレッシュを実施するタイミングが所定のリフレッシュ期間内において分散するように、リフレッシュを実施するタイミングに応じたリフレッシュ要求信号を生成する。 - 特許庁
  • At the same time, an SDRAM controller 202 which has received a refresh trigger from a refresh counter 201 outputs a refresh command to the SDRAM 310 through an SDRAM control line 501 and an SDRAM exclusive address signal line 502.
    同時にリフレッシュカウンタ２０１からリフレッシュトリガを受信したＳＤＲＡＭコントローラ２０２は、ＳＤＲＡＭ制御線５０１、ＳＤＲＡＭ専用アドレス信号線５０２にてＳＤＲＡＭ３１０にリフレッシュコマンドを出力する。 - 特許庁
  • To provide a refresh circuit capable of varying the refresh frequency in a refresh request interval and in a single performance in an area outside an effective range of a TV screen, moreover according to a DMA transfer mount.
    テレビ画面の有効範囲外の領域で、しかもＤＭＡ転送量に応じてリフレッシュ要求間隔と１回に実施するリフレッシュ回数を可変することが出来るリフレッシュ回路を提供する。 - 特許庁
  • To widen a margin of an address setup in self-refresh operation and to increase burst access speed in an external refresh operation, in a pseudo SRAM having a self-refresh function.
    本発明は、セルフ・リフレッシュ機能を備える擬似ＳＲＡＭにおいて、セルフ・リフレッシュ動作時のアドレス・セットアップのマージンを拡げ、かつ、外部・リフレッシュ動作におけるバースト・アクセスを高速化できるようにする。 - 特許庁
  • This apparatus is provided with a pair of memory sub-array, and a control signal generating circuit outputting first and second refresh start signals in order within an operation time of an external refresh command responding to an internal refresh command.
    １対のメモリサブアレイと、内部リフレッシュコマンドに応答して、外部リフレッシュコマンドの動作時間内に第１と第２のリフレッシュ起動信号を順番に出力する制御信号生成回路とを具備する。 - 特許庁
  • A refresh-array activation signal (RFACT) is activated conforming to refresh-request (PHY) and a specific address bit (QAD<11> or QAD<11:10>) of a refresh-address (QAD<11:0>).
    リフレッシュ要求（ＰＨＹ）とリフレッシュアドレス（ＱＡＤ＜１１：０＞）の特定のアドレスビット（ＱＡＤ＜１１＞またはＱＡＤ＜１１：１０＞）とに従ってリフレッシュアレイ活性化信号（ＲＦＡＣＴ）を活性化する。 - 特許庁
  • A refresh address control section 70 controls the creation of a refresh address in a refresh address creation section 50 in accordance with the command inputted from the outside and the temperature information from the plurality of temperature sensors 20.
    リフレッシュアドレス制御部７０は、外部からのコマンド入力および複数の温度センサー２０からの温度情報に従って、リフレッシュアドレス生成部５０におけるリフレッシュアドレスの生成を制御する。 - 特許庁
  • To drastically reduce the data holding current by efficiently relieving bits with a low error rate in a pause refresh drop distribution and making a refresh period longer than the ability of a pause refresh.
    ポーズリフレッシュ落ちこぼれ分布においてエラー率の低いビットを効率良く救済して、ポーズリフレッシュ実力以上にリフレッシュ周期を長周期化して、データ保持電流の大幅な低減を実現する。 - 特許庁
  • To provide a refresh discharge device for an electric vehicle, capable of preventing deterioration due to the rise in temperature of a drive motor, etc., for conducting refresh discharging, and shortening the time for refresh energization.
    リフレッシュ放電を行なう場合の駆動モータ等の温度上昇による劣化を防止できるとともに、リフレッシュ通電時間を短縮できる電動車両のリフレッシュ放電装置を提供する。 - 特許庁
  • A refresh counter 211 generates a refresh count signal COUNT for denoting a result of the count of a basic clock CLK, and stops the count when the refresh count stop signal RCSTOP is active.
    リフレッシュカウンタ２１１は、基本クロックＣＬＫの計数結果を示すリフレッシュカウント信号ＣＯＵＮＴを生成し、上記リフレッシュカウント停止信号ＲＣＳＴＯＰのアクティブ期間中は計数を停止する。 - 特許庁
  • When the semiconductor memory device is not operated, a refresh address generation circuit 10 generates and outputs a self-refresh operation address signal according to a clock signal output from a refresh timer 12.
    半導体記憶装置が非動作時には、リフレッシュアドレス生成回路１０は、リフレッシュタイマ１２から出力されるクロック信号に応じてセルフリフレッシュ動作用アドレス信号を生成し出力する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory in which a self-refresh current is reduced by automatically executing partial self-refresh operations without performing setting for the partial self-refresh operations with a mode resister, etc., from the outside.
    外部からモードレジスタ等で設定をする必要はなく、自動的に部分的なセルフリフレッシュ動作を実行することによりセルフリフレッシュ電流を低減した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • A holding circuit holds a control signal switching full self-refresh (FSR) performing the whole cell fresh of a memory cell array or partial array self refresh (PASR) performing the partial refresh of the memory cell array.
    保持回路は、メモリセルアレイの全体的なセルフレッシュを行うフルセルフリフレッシュ（ＦＳＲ）と、メモリセルアレイの部分的なリフレッシュを行うパーシャルアレイセルフリフレッシュ（ＰＡＳＲ）とを切替える制御信号を保持する。 - 特許庁
  • Therefore, the refresh word line selecting circuit 15 activates periodically a plurality of refresh word lines RWL selecting autonomously, synchronizing with the refresh clock signal RCLK from the counter 16.
    従って、リフレッシュワード線選択回路１５は、カウンタ１６からのリフレッシュクロック信号ＲＣＬＫに同期して、複数のリフレッシュワード線ＲＷＬを自律的に選択しながら周期的に活性化する。 - 特許庁
  • Since a refresh control circuit 212 refreshes a DRAM 11 when the refresh count signal COUNT indicates a prescribed value, overlapping between the timing signal SYNC and refresh operations can be avoided.
    リフレッシュ制御回路２１２は、リフレッシュカウント信号ＣＯＵＮＴが所定値を示すときにＤＲＡＭ１１をリフレッシュするので、タイミング信号ＨＳＹＮＣとリフレッシュ動作とのオーバーラップを避けることができる。 - 特許庁
  • INCORPORATED EQUIPMENT, AND AUTOMATIC REFRESH METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY AND PROGRAM
    組み込み機器、不揮発性メモリの自動リフレッシュ方法およびプログラム - 特許庁
  • A display refresh system, method and computer program product are provided.
    ディスプレイリフレッシュシステム、方法、及びコンピュータプログラム製品を提供する。 - 特許庁
  • To provide a charging apparatus for conducting refresh charging in a short time.
    短時間でリフレッシュ充電を行なう充電装置を提供する。 - 特許庁
  • An oscillation circuit periodically generates a refresh request signal.
    発振回路は、一定の周期でリフレッシュ要求信号を生成する。 - 特許庁
  • To prevent power consumption due to leakage current during refresh operation.
    リフレッシュ動作時のリーク電流による電力消費を防止する。 - 特許庁
  • The power-down information or refresh information is set in the mode register.
    モードレジスタは、パワーダウン情報またはリフレッシュ情報が設定される。 - 特許庁
  • Receiving a request signal, the circuit 5 generates a refresh pulse.
    回路５では、リクエスト信号を受け取るとリフレッシュパルスを発生させる。 - 特許庁
  • METHOD FOR REFRESHING MEMORY DEVICE, REFRESH ADDRESS GENERATOR AND MEMORY DEVICE
    メモリ装置のリフレッシュ方法、リフレッシュアドレス生成器及びメモリ装置 - 特許庁
  • The semiconductor memory has a refresh mode in which a partial memory cell region is refreshed.
    メモリセルの位置の領域をリフレッシュするリフレッシュモードを備える。 - 特許庁
  • LAMINATED MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND ITS REFRESH OPERATION CONTROL METHOD
    積層型メモリ装置、メモリシステム、及びそのリフレッシュ動作制御方法 - 特許庁
  • In the first browser, click Refresh Results from the results page.
    最初のブラウザで、結果ページから「結果を再表示」をクリックします。 - NetBeans
  • In the Design view of the CustomerRecordsView class, delete the Refresh and Save buttons.
    CustomerRecordsView クラスのデザインビューで、「再表示」ボタンと「保存」ボタンを削除します。 - NetBeans
  • DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND REFRESH CONTROL METHOD THEREOF
    ダイナミック型半導体記憶装置およびそのリフレッシュ制御方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR STORAGE CAUSING STANDBY CURRENT REDUCTION IN REFRESH MODE
    リフレッシュモ—ドでの待機電流を減少させる半導体メモリ装置 - 特許庁
  • Thus, the cell refresh circuit is operated even at the time of the power down mode.
    従って、パワーダウンモード時でもセルフリフレッシュ回路は動作している。 - 特許庁
  • WATER VAPOR EXCHANGE MEMBRANE REFRESH SYSTEM, HUMIDIFIER, AND FUEL CELL SYSTEM
    水蒸気交換膜リフレッシュシステム、加湿器、及び燃料電池システム - 特許庁
  • METHOD AND SYSTEM FOR DYNAMICALLY REGULATING DRAM REFRESH RATE
    ＤＲＡＭリフレッシュレートを動的に調整するための方法及びシステム - 特許庁
  • The design freedom of a refresh section 25 can be therefore enhanced.
    そのため、リフレッシュ部２５の設計自由度を高めることができる。 - 特許庁
  • A refresh control circuit 113 decides a macro block to be refreshed.
    リフレッシュ制御回路113は、リフレッシュを行うマクロブロックを決定する。 - 特許庁
  • You can use the Refresh Recursively command on the filesystem's subnodes.
    ファイルシステムのサブノードでは「再帰的に再表示」コマンドを使用できます。 - NetBeans
  • To reduce power consumption during auto-refresh of a DRAM.
    ＤＲＡＭの自動リフレッシュの間における消費電力を削減する。 - 特許庁
  • To provide a refresh-control device of a memory device in which internal-refresh can be performed after power-up sequence is finished and its control method.
    パワーアップシーケンスが終了した後で内部リフレッシュを行えるメモリ装置のリフレッシュ制御装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁
  • To improve a data transfer efficiency while performing necessary refresh operation in a memory system equipped with DRM which requires the refresh operation.
    リフレッシュ動作が必要なＤＲＡＭを備えたメモリシステムにおいて、必要なリフレッシュ動作を行いながらもデータ転送効率を向上させる。 - 特許庁
  • When the write count reaches a first threshold, the HDD registers a refresh write area in a refresh write processing list at idling.
    書き込み回数が第１の閾値に達すると、ＨＤＤは、リフレッシュ・ライト領域をアイドル時のリフレッシュ・ライト処理のリストに登録する。 - 特許庁
  • To decrease power consumption of electronic circuits having a refresh load device alternately used between an operation mode and a state refresh mode.
    動作モードと状態リフレッシュ・モードとの間で交互に使用されるリフレッシュ負荷装置を備えた電子回路の電力消費を減少する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device capable of reducing the time required for exiting from a self-refresh operation by reducing a peak current value during the self-refresh operation.
    セルフリフレッシュのピーク電流値を低減し、セルリフレッシュからのＥｘｉｔ時間を短縮する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a programmable controller capable of quickly executing refresh processing by reducing the number of times of data transfer accompanied with I/O refresh.
    Ｉ／Ｏリフレッシュに伴うデータ転送回数を少なくし、高速にリフレッシュ処理をすることのできるプログラマブルコントローラを提供すること - 特許庁
  • In a second mode that the operation of the PLL circuit 120 stops, the second refresh controller 150 makes the refresh request by bypassing the DRAM controller 160.
    ＰＬＬ回路の動作が停止する第２のモードでは、第２のリフレッシュコントローラがＤＲＡＭコントローラをバイパスしてリフレッシュ要求を行う。 - 特許庁
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