「resolution pattern」を含む例文一覧(1444)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 28 29 次へ＞- By employing the blanket at the formation of the minute electrode pattern by the offset printing, the poor resolution of the lines normal to the printing direction is solved.
微細電極パターンのオフセット印刷による形成時に、前記ブランケットを用いることにより印刷方向に対して垂直なラインの解像度不良が解消される。 - 特許庁 - As the edge portion of the image is basically excluded for thinning in the thinning pattern, enhancing the edge portion is maintained to prevent decrease in the resolution.
この間引きパターンでは、基本的に画像のエッジ部分を間引き対象から外しているため、エッジ部分の強調が維持され、解像度の低下を防止することができる。 - 特許庁 - To provide a positive resist material which exhibits high resolution and forms a resist film having minimal edge roughness, a good pattern profile after exposure, and improved etching resistance.
高解像度でラインエッジラフネスが小さく、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すレジスト膜を与えるポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive photosensitive resin composition capable of forming a pattern having high resolution and high normalized remaining film thickness even when the film thickness increases and obtaining a high sensitivity.
膜厚が厚くなっても高解像度で高残膜率のパターンを得ることができ、かつ高感度が得られるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a device which cancels problems such as oscillation failure, etc., due to heat generation or oscillations of an ultraviolet laser light source and detects a fine circuit pattern with high resolution.
紫外レーザ光源の発熱や振動による発振不良などの課題を解消し、微細な回路パターンを高分解能で検出する装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition having small PEB temperature dependency and good balance of sensitivity, exposure latitude, resolution and profile, and to provide a pattern forming method using the same.
ＰＥＢ温度依存性が小さく、感度、露光ラチチュード、解像力、プロファイルのバランスが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To ensure a high resolution for a resist layer having a predetermined composition while suppressing the necessary amount of irradiation of energy (necessary exposure intensity) so as to form a resist pattern.
レジストパターンを形成するために、必要なエネルギーの照射量（必要露光量）を抑えつつも、所定の組成を有するレジスト層に対して高い解像度をもたらす。 - 特許庁 - To improve resist sensitivity while maintaining excellent resolution of HSQ (hydrosilsesquioxane) in the case of forming a pattern on the resist formed of HSQ by irradiation of charged particle beams.
荷電粒子線の照射によりＨＳＱからなるレジストにパターンを形成する場合において、ＨＳＱの優れた解像性を維持したまま、レジストを感度させること。 - 特許庁 - To provide an economical and thin fingerprint picture inputting device capable obtaining a picture of rugged pattern such as a finger print of a comparatively large range with a high resolution and contrast.
比較的広い範囲の指紋などの凹凸パターンの画像を高い分解能とコントラストを有する経済的な薄型の指紋画像入力装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a pattern which can prevent delta CD(critical dimension) or CD reversal phenomenon generated in an alternating phase inversion mask and improve the resolution and focus margin.
交番位相反転マスクで発生するΔＣＤ現象やＣＤ逆転現象を防止し、解像度およびフォーカスマージンが向上したパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a pattern by which the size of a contact hole becomes uniform regardless of position on a wafer, when the contact hole is formed beyond resolution limit of an exposure equipment.
露光装備の解像限界を超えてコンタクトホールを形成する際に、ウェハ上の位置に関係なくコンタクトホールの大きさが均一になるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem of an increase in the cost when an exposure apparatus with a shorter wavelength is used to form a finer pattern than the resolution limit in a process of manufacturing a semiconductor element.
半導体素子の製造において、解像限界よりも微細なパターンを形成するために、波長の短い露光装置を用いると加工コストが増加する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition having excellent sensitivity and resolution and little dependence on pattern density (iso-dense bias) and capable of stably forming various fine patterns with high accuracy.
感度および解像度に優れ、粗密依存性が小さく、多様な微細パターンを高精度にかつ安定して形成できる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - Since the ink density distribution is prepared based on the test pattern image data read in a low reading resolution, it is coarse, not the ink density distribution for every discharge nozzle.
当該インク濃度分布は、低い読取解像度で読み取ったテストパターン画像データに基づいて作成されているため、吐出ノズル毎のインク濃度分布ではなく、疎らである。 - 特許庁 - To provide a lamp unit capable of forming a pattern with high resolution and irradiating light with a uniform illumination intensity distribution, and a light irradiation device having the lamp unit.
解像度の高いパタ一ンを形成することができ、均一な照度分布を有する光を照射することができるランプユニットおよび光照射装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition and a photoresist film very excellent in sensitivity, resolution, thin line adhesion and pattern forming property even under a low exposure condition.
低露光条件下においても、感度、解像度、細線密着性、パターン形成性に非常に優れた感光性樹脂組成物及びフォトレジストフィルムを提供すること。 - 特許庁 - To form a black matrix pattern with high resolution while having a high optical density without causing stain of a substrate by using a photopolymerizable resin laminate.
光重合性樹脂積層体を用いて、基板の汚れが発生することなく、高い光学濃度を有しながら高解像度でブラックマトリックスパターンを形成すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a damascene structure, which can surely remove reaction inhibiting materials inducing resolution failure of a resist pattern, and to provide a method of manufacturing the same.
レジストパターンの解像不良を引き起こす反応阻害物質を確実に除去することが可能なダマシン構造の半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition excellent in lithographic characteristics such as a resolution and a mask error factor (MEF), and to provide a method for forming a resist pattern using the positive resist composition.
解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a positive radiation-sensitive resin composition excellent particularly in focal depth latitude, while retaining superior basic performances such as sensitivity, resolution, pattern shape and PED stability.
感度、解像度、パターン形状、ＰＥＤ安定性等の優れた基本性能を維持しつつ、特に焦点深度余裕に優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which ensures high resolution, high sensitivity and good line edge roughness, and a pattern forming method using the same.
高解像性、高感度、良好なラインエッジラフネスが得られる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a compound capable of forming patterns having excellent pattern resolution and line edge roughness, and to provide a resist composition using the same.
優れたパターンの解像度及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができる化合物及びそれを用いたレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition, capable of producing a resist film hardly causing liquid blot and pattern failure defect while maintaining excellent resolution and sensitivity.
優れた解像度及び感度を維持しつつ、液痕、及びパターン不良欠陥が発生し難いレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist material for production of a system LCD capable of forming a resist pattern with high resolution even under a low NA condition and preferably having good linearity.
低ＮＡ条件下でも、高い解像度でレジストパターンを形成することができ、好ましくはリニアリティの良好な、システムＬＣＤ製造用のレジスト材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of exposure and an aligner in which arbitrary high-resolution patterns are produced by double exposure which is obtained with a periodic pattern exposure and an ordinary exposure.
周期パターンの露光と通常のパターン露光の２重露光によって任意形状の高解像度のパターンが得られる露光方法及び露光装置を得ること。 - 特許庁 - To provide a photosensitive element which is excellent in side face roughness of a resist pattern, flatness on the upper face, resolution, adhesiveness, developing property, productivity and workability and is less in the number of mouse bites.
レジストパターンの側面ギザ性、上面の平坦性、解像度、密着性、現像性、生産性、作業性に優れ、マウスバイトの数の少ない感光性エレメントを提供すること。 - 特許庁 - To provide a positive chemically amplified photoresist composition, which has high sensitivity and high resolution, whose adhesiveness with a substrate is favorable, and whose edge roughness of a pattern is improved.
高感度、高解像力を有し、基板との密着性が良好で、かつパターンのエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist material for manufacturing an LCD with which a high resolution resist pattern can be formed even under a low NA condition and which is preferably provided with excellent linearity.
低ＮＡ条件下でも、高い解像度でレジストパターンを形成することができ、好ましくはリニアリティの良好な、ＬＣＤ製造用のレジスト材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition for an electron beam or extreme ultraviolet superior in lithography characteristics such as sensitivity and resolution by suppressing defects, and to provide a resist pattern forming method.
ディフェクトを抑制でき、かつ感度、解像性等のリソグラフィー特性にも優れた電子線又はＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem that the shape is complicated and information about a pattern-like feature is not correctly transmitted by reasons why resolution of road data is insufficient, etc. when a map for guidance is displayed.
案内用の地図を表示するとき、道路データの解像度が足りないなどの理由により、形状が複雑になり、パターン状地物の情報が正しく伝わらない。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified photoresist composition or the like from which a pattern having excellent resolution, line edge roughness and a focus margin can be formed.
優れた解像度、ラインエッジラフネス及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition excellent in roughness, etching resistance, sensitivity and resolution and capable of stably forming a fine pattern with a high degree of accuracy.
ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度に、かつ安定して形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for enabling application of TIR (total internal reflection) holography to a large high-resolution pattern whose dimensions are larger than those obtainable in the original chromium mask.
元のクロムマスク内で取得される寸法よりも寸法がより大きい高解像度パターンに対して、ＴＩＲホログラフィを利用できる方法及び装置を提示する。 - 特許庁 - To inspect the electrical conditions of a highly integrated circuit board pattern with high resolution in contactless manner.
高集積化された回路パターンの電気的状態を非接触で、且つ高分解能に検出できる回路基板の検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified positive resist composition excellent in resolution, capable of increasing the focal depth range of an isolated resist pattern and capable of suppressing a proximity effect.
解像性に優れ、しかも孤立レジストパターンの焦点深度幅の向上、及び近接効果の抑制を可能にした、化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - Since the image pickup element 1 uses this color coding pattern, the element 1 can add the four pixels Ye, Cy, Mg, and G to each other in the horizontal and oblique directions and can generate high-resolution signals from the addition results.
この色コーティングパターンを使うことにより、水平、斜め方向で４画素Ｙｅ，Ｃｙ，Ｍｇ，Ｇの加算ができ、この結果から解像度の高い輝度信号を作れる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a resin for resists having a resolution permitting processing of sub-quarter-micrometer patterns and high adhesion between a substrate and a pattern and a radiation-sensitive composition.
サブクォーターミクロンのパターン加工が可能な解像度を持ち、基板とパターンとの密着性が高いレジスト用樹脂の製造方法、および感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a laser beam machining equipment which suppresses the generation of thermal lens effect due to a homogenizer, and avoids the deformation of an imaging pattern on an object to be machined or the reduction of resolution.
ホモジナイザに起因する熱レンズ効果の発生を抑えて、加工対象上の結像パターンの歪みや解像度の低下を回避することのできるレーザ加工装置。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition ensuring good resolution and a good section shape of a pattern and suitable for use as a positive type resist having a good margin for exposure.
良好な解像度、パターン断面形状が得られるとともに、露光マージンが良好なポジ型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a pattern formation method by which lowering of contrast is solubility can be prevented and lowering of resolution can be suppressed even when the thickness of a resist film is made smaller than 250 nm.
レジスト膜の厚さを２５０ｎｍよりも薄くしても、溶解性のコントラストが低下しないようにして、解像度の低下を抑制できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an exposure method which is suitably used to form a fine pattern constituting an electronic device, the exposure method having high resolution and being inexpensive.
電子デバイスを構成する微細パターンの形成に使用して好適な露光方法であって高解像度かつ安価な露光方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a mask for exposure which exceeds resolution limits of a conventional transfer device and is capable of faithfully carrying out pattern transfer at a specified light amount.
本発明は、転写装置の解像限界を向上せしめると共に、一定の光量で忠実なパターン転写を行うことのできる露光マスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently manufacturing a resist resin without deteriorating resist performance, a resin manufactured by the manufacturing method, and furthermore a resist composition containing the resin which is improved in the resolution and the exposure latitude, and a pattern-forming method using the same.
レジスト性能を悪化させることなく、レジスト用樹脂を効率よく製造する方法及び該製造方法によって製造された樹脂を提供する。 - 特許庁 - To provide a technology for improving the measuring resolution of three-dimensional shape measurement using pattern light for space coding with a simple structure in consideration of the actual condition.
上述した実情に鑑み、簡単な構成で、空間コード化用パターン光を用いた三次元形状測定の測定分解能を向上させる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition for a display element from which a hardened resin pattern with high resolution and high transparency can be formed and sensitivity to radiation can be improved.
高解像で透明性の高い硬化樹脂パターンを形成し得て、また放射線に対する感度が高い表示素子用感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a chemical amplification type resist material capable of enhancing resolution and to produce a semiconductor device while precisely obtaining a fine pattern.
解像度の向上を図ることができる化学増幅型レジスト材料及び微細なパターンを精度良く得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thereby, a high-definition barrier rib pattern suitable for a high resolution display is provided with high form accuracy, and entire panel manufacturing processes can be simplified.
これにより、高解像度ディスプレイに適した高精細の隔壁パターンが高い形状精度で提供されるとともに全体的なパネル製作工程が単純化される。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition excellent in adhesion and resolution; a photosensitive element using the same; a method for producing a resist pattern; and a method for producing a printed wiring board.
密着性及び解像度に優れる感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供すること。 - 特許庁 - To enhance the vertical resolution by increasing the number of signal output lines of each image pattern without increasing a drive frequency in the case of high speed shot including smear detection.
スミア検出を含む高速度撮影に際して、駆動周波数の高速化を伴うことなく、各画面の信号出力ライン数を増加させ垂直解像度を高める。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition excellent particularly in pattern shape as a chemical amplification type resist and excellent also in balance of characteristics including sensitivity and resolution.
化学増幅型レジストとして、特にパターン形状に優れ、かつ感度、解像度等を含めた特性バランスにも優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
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