「second layer」を含む例文一覧(21455)

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  • A gate electrode 11 is arranged on the second semiconductor layer.
    第２半導体層上にゲート電極１１が配設される。 - 特許庁
  • The second insulation layer 14 is formed by sintering ceramic paste.
    第２の絶縁層１４は、セラミックペーストが焼結してなる。 - 特許庁
  • An upper electrode is provided on the second magnetic layer.
    前記第２の磁性層上に上部電極が設けられる。 - 特許庁
  • The web includes at least a first layer (14) of material having a first side and a second side and a second layer (16) of material.
    ウエブは、第１面および第２面を有する材料の第１層（１４）と、材料の第２層（１６）とを有する。 - 特許庁
  • A first sheet 2 and a second sheet 3 are connected through connecting members 4 so that the first sheet 2 is laid as the upper layer on the second layer 3.
    第１シート２及び第２シート３が上下２層となるように両シートを連結部４により連結した。 - 特許庁
  • The electronic components 8 are mounted on the second insulating layer 6.
    第２絶縁層６上に電子部品８を搭載する。 - 特許庁
  • A second electrically insulating layer is arranged on the fuse element.
    第2の電気絶縁層がヒューズエレメント上に配置される。 - 特許庁
  • In the second place, an undoped diamond layer 5 is formed in a channel region.
    次に、チェネル領域にアンドープダイヤモンド層５を形成する。 - 特許庁
  • The second layer has a second projection part projecting from the other side part of the first layer opposite to the first projection part.
    第二層は、第一張り出し部とは反対側の第一層の他側部から突出した第二張り出し部を有している。 - 特許庁
  • The light-emitting layer is provided between the region opposite to the irregular portions of the second surface and the second semiconductor layer.
    発光層は、第２面のうちの、凹凸部分の反対側の領域と、第２半導体層と、の間に設けられる。 - 特許庁
  • The gate electrode, the insulating layer, and the second cathode have respective openings through which the gate electrode, insulating layer, and second cathode communicate with each other.
    ゲート電極、絶縁層、及び、第２のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。 - 特許庁
  • The second member consists of an elastic body, and has a second surface layer facing the first surface layer while spaced apart therefrom.
    第２の部材は、弾性体からなり、第１の表層と間隔をおいて対向している第２の表層を有する。 - 特許庁
  • The channel layer 14 is made from a second gallium nitride-based semiconductor.
    チャネル層１４は、第２の窒化ガリウム系半導体からなる。 - 特許庁
  • A second insulating layer is formed on the conductive nanotube.
    導電性ナノチューブの上に第２の絶縁層を形成する。 - 特許庁
  • The second electrode layer 42 mainly comprises a precious metal.
    第２の電極層４２は貴金属を主成分として含む。 - 特許庁
  • The second layer 11-2 contains LaCrO_3 group oxide.
    第２層１１−２はＬａＣｒＯ_３系酸化物を含む。 - 特許庁
  • The method also includes subjecting the second layer to an aqueous solution of a base to mechanically pattern the second layer.
    また、本方法は第２の層を塩基の水性溶液に曝し、第２層を機械的にパターン形成することも含む。 - 特許庁
  • The second semiconductor layer is Schottky coupled to the metal portion.
    第２半導体層は、金属部とショットキー接合している。 - 特許庁
  • A first field plate on the first spacer layer and a second field plate on the second spacer layer are connected to the gate.
    第１のスペーサ層上の第１のフィールドプレート、及び第２のスペーサ層上の第２のフィールドプレートが、ゲートに接続される。 - 特許庁
  • The second upper clad layer 109 has a mesa structure MS.
    第２上部クラッド層１０９は、メサ構造ＭＳを有する。 - 特許庁
  • The conductive first ground layer 14 and the second ground layer 16 are connected through a second through hole 106.
    導電性の第１のグランド層１４と第２のグランド層１６とは第２のスルーホール１０６を介して接続される。 - 特許庁
  • The seed layer has a first material and a second material.
    シード層は第１の材料と第２の材料とを有する。 - 特許庁
  • Further, a third module layer is movably connected relative to the second module layer and movable in a second direction.
    さらに、第３のモジュール層は、第２のモジュール層に対して移動可能に接続され、第２の方向に移動可能である。 - 特許庁
  • In a second range W2, the second coating layer 14 is removed and the first coating layer 13 covers the glass fiber 10.
    第２範囲Ｗ２において、第２被覆層１４が除去されて、第１被覆層１３がガラスファイバ１０を覆っている。 - 特許庁
  • Then, a step (S60) of removing the second mask layer is performed.
    第２のマスク層を除去する工程（Ｓ６０）を実施する。 - 特許庁
  • The anisotropic conductive film is constituted of a 3-layer structure of an ACF layer 11 which is a conductive particle containing layer, an NCF layer 12 which is a first insulating resin layer, and a pressurized flow layer 13 which is a second insulating resin layer.
    導電粒子含有層であるＡＣＦ層１１、第１の絶縁性樹脂層であるＮＣＦ層１２、及び第２の絶縁性樹脂層である押流し層１３の３層構造で構成する。 - 特許庁
  • In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.
    基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁
  • This inorganic EL light emitting device comprises a transparent electrode as a first layer supported to a substrate, a luminescent layer containing an inorganic fluorescent material as a second layer, a dielectric layer as a third layer, and an electrode layer as a fourth layer.
    無機ＥＬ電極として従来ＩＴＯ（インジウム酸化錫）が使用されていたが、この電極は透明性は高いが、高価であると同時にフレキシビリティーがないなど問題が多かった。 - 特許庁
  • The intermediate layer 300 has a five-layer structure, provided with a first intermediate layer 301, a second intermediate layer 302, a third intermediate layer 303, a fourth intermediate layer 304, and a fifth intermediate layer 305.
    中間層３００は、第１中間層３０１と、第２中間層３０２と、第３中間層３０３と、第４中間層３０４と、第５中間層３０５とを備え、５層構造を有している。 - 特許庁
  • The first layer 31, the third layer 33, the fifth layer 35 and the eighth layer 38 are low refractive index layers, and the second layer 32, the fourth layer 34 and the sixth layer 36 are high refractive index layers.
    このうち、第１層３１、第３層３３、第５層３５および第８層３８が低屈折率層であり、第２層３２、第４層３４および第６層３６が高屈折率層である。 - 特許庁
  • A second pressure-sensitive adhesive layer 251 is formed to one face side of a second base material 252 in the second small-wound tape 213.
    第２小巻テープ２１３は、第２基材２５２の一面側に第２粘着剤層２５１が形成されている。 - 特許庁
  • In the second manufacturing step, a second information recording layer of the multilayer information recording layers is stacked on a second substrate.
    第２作成ステップは、多層の情報記録層のうちの第２の情報記録層を第２の基板に積層する。 - 特許庁
  • The outermost second wiring layer 262 at the second outside has a plurality of second conductive pads.
    上記第2外側部における上記最外側の第2配線層２６２は、複数の第2導電性パッドを有する。 - 特許庁
  • The second release sheet 2 is composed by forming a second release agent layer 22 on a second base material 21.
    第２の剥離シート２は、第２の基材２１上に、第２の剥離剤層２２が形成された構成となっている。 - 特許庁
  • A second heat exchanger 3 moves a second heat of a heat exchange medium gas layer 11 to a second heat exchange medium.
    第２熱交換器３は、熱交換媒体気層１１の第２熱を第２熱交換媒体に移動させる。 - 特許庁
  • A second reflection layer, a second liquid crystal layer, the third substrate and a second polarizing plate are disposed in this order on the second surface of the first substrate and thereby the second reflection type liquid crystal display is formed.
    第一基板の第二面には、第二反射層、第二液晶層、第三基板、および第二偏光板が順序どおりに設置されることによって、第二反射型液晶ディスプレイが形成される。 - 特許庁
  • The N-type structure layer is of sandwich structure composed of a first N layer, a second N layer, and a third N layer which are successively laminated, and the second N layer is wider in optical band gap than the first N layer and third N layer.
    ｎ型構造層は、第一ｎ層、第二ｎ層、第三ｎ層を順次積層して構成されたサンドイッチ構造を有し、第二ｎ層の光学的帯域ギャップの幅は、第一ｎ層及び第三ｎ層の光学的帯域ギャップの幅より広い。 - 特許庁
  • The second-conductive-type layer 150 has a higher impurity concentration than the low-concentration collector layer 102.
    第２導電型層１５０は低濃度コレクタ層１０２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁
  • The thickness of the first thickness adjustment layer 9 and that of the second thickness adjustment layer 13 are different.
    前記第1の厚さ調整層9と前記第2の厚さ調整層13との厚さは異なる。 - 特許庁
  • The charge storage layer CS1 includes a first layer 40t and second layers 30n, 40n.
    電荷蓄積層ＣＳ１は第１の層４０ｔおよび第２の層３０ｎ、４０ｎを有する。 - 特許庁
  • The semiconductor light-emitting element according to an embodiment comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first electrode layer, a luminescent layer, a second semiconductor layer including a first portion of a second conductivity type, and a second electrode layer connected to the first semiconductor layer.
    実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第１部分を含む第２半導体層と、第１半導体層に接続された第２電極層と、を備える。 - 特許庁
  • The second layer is not easily oxidized and made of a different material from the first layer.
    第２の層は、容易に酸化されず、第１の層と異なる材料から構成される。 - 特許庁
  • The second lamination part includes a third ferromagnetic layer having a variable magnetization direction, a fourth ferromagnetic layer laminated on the third ferromagnetic layer and having magnetization fixed in a second direction and a second non-magnetic layer provided between the third ferromagnetic layer and the fourth ferromagnetic layer.
    第２積層部は、磁化の方向が可変である第３強磁性層と、第３強磁性層と積層され、第２方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。 - 特許庁
  • The elongated members or the second layer has a thickness greater than that of the first layer.
    細長い部材又は第２層は、第１層の厚さよりも大きい厚さを有する。 - 特許庁
  • The conductive core substrate 10 includes a first core layer 21 and a second core layer 22.
    導電性コア基板１０は第１のコア層２１及び第２のコア層２２を有する。 - 特許庁
  • Furthermore, the MAC layer data block is transferred to a lower layer through the second channel.
    また、ＭＡＣ階層データブロックは、前記第２チャネルを通じて下位階層に伝送される。 - 特許庁
  • (3) The thickness of the first diffusion layer part is larger than that of the second diffusion layer part.
    （３）第１の拡散層部分の厚みが第２の拡散層部分の厚みより大である。 - 特許庁
  • In the back sheet of the solar cell, a waterproof layer is formed on the second easily adhering layer.
    前記第２の易接着層上に耐水層が形成された太陽電池用バックシート。 - 特許庁
  • The second lens layer 15 has a refractive index different from that of the first lens layer 14.
    第２のレンズ層１５は、第１のレンズ層１４と異なる屈折率を有している。 - 特許庁
  • A second layer 4 is laminated on the first layer 3 in which the groove 6 is formed.
    第１溝６が形成された第１層３の上に第２層４が積層される。 - 特許庁
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