「second layer」を含む例文一覧(21455)
＜前へ 1 2 .... 396 397 398 399 400 401 402 403 404 .... 429 430 次へ＞- The floor slab includes at least three precast concrete boards disposed in a first direction adjacently to each other, a concrete layer formed on the precast concrete boards, and a plurality of sound insulating boards disposed at intervals in a second direction orthogonal to the first direction between the two adjacent precast concrete boards and within the concrete layer.
床スラブは、第１方向に互いに隣接して配置された少なくとも３つのプレキャストコンクリート板と、該プレキャストコンクリート板の上に形成されたコンクリート層と、互いに隣接する２つのプレキャストコンクリート板の間及び前記コンクリート層の内部に前記第１方向と直交する第２方向に間隔を置いて配置された、それぞれが前記第１方向に垂直である複数の遮音板とを含む。 - 特許庁 - A TN liquid crystal 305 is inserted into a collimator lens 143, no voltages are applied to the TN liquid crystal 305 when a laser beam is focused on a first recording layer 101, a specified voltage is applied to the TN liquid crystal 305 when a laser beam is focused on a second recording layer 102, and thus the focal distance of the collimator lens 143 is changed.
コリメータレンズ１４３中にＴＮ型液晶３０５を挿入し、第１の記録層１０１上にレーザビームを合焦する場合はＴＮ型液晶３０５に電圧を印加せず、第２の記録層１０２上にレーザビームを合焦する場合はＴＮ型液晶３０５に所定電圧を印加し、これによりコリメータレンズ１４３の焦点距離を変更するようにした。 - 特許庁 - The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3.
圧電単結晶基板５と、この圧電単結晶基板５上に設けられた第１導電型半導体層３と、この第１導電型半導体層３の圧電単結晶基板５に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第２導電型半導体領域４ａ、４ｃとを具備することを特徴とする弾性波素子。 - 特許庁 - The manufacturing method of an electrode for the electrochemical element includes a first process of continuously installing active material layers for storing and releasing lithium on a conductive current collector, and forming a precursor of the electrode in a hoop state; a second process of forming a plurality of grooves in the active material layer; and a third process of membrane forming lithium on the active material layer.
本発明の電気化学素子用電極の製造方法は、導電性を有する集電体の上にリチウムを吸蔵放出する活物質層を連続して設け、電極の前駆体をフープ状に形成する第１の工程と、活物質層に複数の溝を形成する第２の工程と、活物質層の上にリチウムを成膜する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - This pressure vessel 1 comprises container structures 2 having cylindrical liners 3 and reinforcement fibers circumferentially wound on the outer peripheral wall surfaces of the liners 3 and formed of a first fiber-reinforced resin layer 4 covering the outer peripheral wall surfaces of the liners 3 and a second fiber-reinforced layer 20 having reinforcement fibers wound in the longitudinal direction of all container structures 2.
筒状ライナ３およびライナ３の周壁外周面にその周方向に巻き付けられた補強繊維を有しかつライナ３の周壁外周面を覆う第１の繊維強化樹脂層４よりなる容器構成体２と、すべての容器構成体２の長さ方向に巻き付けられた補強繊維を有する第２の繊維強化樹脂層20とを備えた圧力容器１である。 - 特許庁 - The light emitting element having a structure of laminating a first light emitting mixture layer 4 composed of a hole transporting material, an electron transporting material, and a dopant for determining an emitting color; and a second light emitting mixture layer 5 composed of the hole transporting material, the electron transporting material, and the dopant for determining the emitting color, and a picture display device using the light emitting element is used.
正孔輸送性材料，電子輸送性材料、及び発光色を決定するドーパントからなる第１の発光混合層４と正孔輸送性材料，電子輸送性材料、及び発光色を決定するドーパントからなる第２の発光混合層５を積層させた構造をとる、有機発光素子及びこの発光素子を用いた画像表示装置を用いる。 - 特許庁 - In addition, the presented printed wiring board production method includes: an inactive conductor film formation process for forming an inactive conductor film on the surface of the first circuit conductor; and a surface treatment process for roughening the surface of the second insulator layer formed at the first circuit conductor formation side of the first insulator layer with the first circuit conductor formed on the surface.
第一回路導体の表面に不活性導体皮膜を形成する不活性導体皮膜形成工程と、さらに表面に第一回路導体が形成された第一絶縁体層の第一回路導体形成面側に形成された第二絶縁体層の表面を粗化する表面処理工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a plurality of first wiring layers 12 formed on an optional level layer on a substrate and formed of patterns having wiring widths and pitches smaller than those of a solution limit of an exposure technology; and second wiring layers 14 formed between the plurality of first wiring layers 13 in the same level layer and having a wiring width larger than that of each of the first wiring layers 13.
半導体装置は、基板上の任意のレベル層に設けられ、かつ露光技術の解像限界より小さい配線幅及び間隔を有するパターンで形成された複数の第１の配線層１２と、同一レベル層内で複数の第１の配線層１３の間に設けられ、かつ第１の配線層１３より大きい配線幅を有する第２の配線層１４とを含む。 - 特許庁 - To prevent generation of cracks or micro-cracks in a thin dielectric layer formed on a dielectric layer by using an epoxy type material or a polyvinyl butyrate(PVB) type material as a seal, and treating the seal at specified temperature, after first and second substrates are positioned.
構造的要素又はガラス基板上に形成される部品の層、特に例えばＡＣプラズマパネルの場合に厚い誘電体層上に形成されるマグネシアの薄い誘電体層の中のき裂又は微視き裂を形成する危険性を防止するような、シールによって相互に封止される第１及び第２のガラス基板を含むタイプの部品の製造のための方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The adhesive sheet comprises first release paper, an adhesive layer and second release paper that are laminated in this order, wherein the adhesive layer contains an adhesive; the adhesive contains at least an acrylic resin, an epoxy resin, a curing agent, and a curing catalyst; the curing agent is a dicyandiamide-based compound; and the curing catalyst is an imidazole-based catalyst.
第１離型紙と、粘接着層と、第２離型紙とを、この順で積層してなる粘接着シートであって、前記粘接着層が、粘接着剤を含んでなり、前記粘接着剤が、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、硬化剤、および硬化触媒を少なくとも含み、前記硬化剤がジシアンジアミド系の化合物であり、前記硬化触媒が、イミダゾール系触媒であることを特徴とする。 - 特許庁 - The electrode layer and the wiring layer are given with more wettability in the second region than in the first region.
薄膜トランジスタが有する配線や電極パターンは、第１の領域及び第２の領域を有する絶縁表面上に設けられた配線層と、配線層に接する電極層とを有し、前記配線層は前記第２の領域に設けられ、電極層は第１の領域に設けられ、電極層及び配線層に対するぬれ性は、前記第１の領域より前記第２の領域が高い領域に設けられる。 - 特許庁 - The photo sensitive and heat sensitive recording material is provided on a substrate with a photo sensitive and heat sensitive recording layer containing at least a diazonium salt, a coupler for developing color through a reaction with the diazonium salt and a base while the photo sensitive and heat sensitive recording layer contains at least one kind of compound having nitrogen atom substituted through second class or third class substitution.
支持体上に、ジアゾニウム塩と、該ジアゾニウム塩と反応して発色させるカプラーと、塩基とを少なくとも含む感光感熱記録層を有する感光感熱記録材料であって、前記感光感熱記録層が、２級若しくは３級置換された窒素原子を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする感光感熱記録材料である。 - 特許庁 - The method of subjecting the acoustic resonator to batch processing includes a process step of depositing a first electrode on the surface of a substrate, a process step of depositing a layer of a dielectric material on the first electrode and depositing a second electrode on the layer of the piezoelectric material and a process step of reducing the thickness of the substrate (200) by removing the material from the base surface of the substrate (200).
本発明による音響共振器をバッチ処理するための方法は、基板の表面上に第１の電極を堆積させる工程と、第１の電極上に圧電材料の層を堆積させ、圧電材料の層上に第２の電極を堆積させる工程と、基板（２００）の底面から材料を除去して基板（２００）の厚さを少なくする工程を含む。 - 特許庁 - The antistatic transparent laminate is constituted of a first layer which has an antistatic function with a capability of adjusting a refractive index so as to match with the refractive index of the transparent support and further, has microprotrusions with an average surface roughness (Rz) of not less than 100 nm formed of added particles and a second layer with hard coating properties, laminated on the transparent support.
透明な支持体の上に、帯電防止機能を持たせ、かつ前記透明な支持体の屈折率と同じくなるように屈折率を調整し、さらにその表面が、添加した粒子により、平均表面粗さ（Ｒｚ）が１００ｎｍ以上の微小な凸部を設けた第１層と、ハードコート性を有する第２層を積層した構成とすることにより解決した。 - 特許庁 - The organic EL element 10 is manufactured by forming organic thin films having dipole moment at either or both of the base plate 1 on which the first electrode 2 is formed and the base plate 7 on which the second electrode 6 is formed, and by arranging the both base plates so that the electrodes face to each other, and by forming the luminescent layer 4 by injecting the liquid crystalline organic material for the luminescent layer between the electrodes.
この有機ＥＬ素子１０は、第１電極２が形成された基板１と第２電極６が形成された基板７の一方又は両方に双極子モーメントを有する有機薄膜を形成し、その両基板を電極が向き合うように対向させ、電極間に発光層用の液晶性有機材料を注入して発光層４を形成することにより製造する。 - 特許庁 - A first insulation layer 2 formed of a thermoplastic elastomer having clay mineral or synthetic mica distributed therein and a second insulation layer 3 formed of a thermosetting resin containing inorganic particulate filler or fiber filler are provided on the outer peripheral surfaces of a vacuum valve body 1 formed by sealing air-tight both end opening parts of a ceramic container by a fixed electrode 4 and a movable electrode 5.
セラミック容器の両端開口部を固定電極４と可動電極５により気密に封止して形成された真空バルブ本体１の外側沿面に、粘土鉱物または合成マイカを分散させた熱可塑性エラストマーからなる第１の絶縁層２と、無機粒子状充填材または繊維状充填材を含有した熱硬化性樹脂からなる第２の絶縁層３とを設ける。 - 特許庁 - By forming the first ohmic contact layers 116 and 117 lower in an impurity concentration than the second ohmic contact layers 118 and 119 between the semiconductor layer 114 and the drain electrode 120 and the source electrode 121, a depletion layer is favorably spread into the first ohmic contact layers 116 and 117, and the leakage current of the thin film transistor 100 is favorably suppressed.
半導体層１１４と、ドレイン電極１２０及びソース電極１２１との間に、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９の不純物濃度より低い第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７を形成することにより、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７内に空乏層が良好に広がり、薄膜トランジスタ１００のリーク電流を良好に抑制することができる。 - 特許庁 - The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106.
本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。 - 特許庁 - In a reverse conducting type semiconductor device B1 having IGBT element regions J1 and diode element regions J2 mixed with each other in a single semiconductor substrate 2, a length whereby each second trench gate electrode TG2 of each diode element region J2 protrudes from its anode layer 50 is longer than a length whereby each first trench gate electrode TG1 of each IGBT element region J1 protrudes from its body layer 30.
同一半導体基板２にＩＧＢＴ素子領域Ｊ１とダイオード素子領域Ｊ２が混在している逆導通型の半導体装置Ｂ１において、ダイオード素子領域Ｊ２の第２トレンチゲート電極ＴＧ２がアノード層５０から突出している長さが、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１の第１トレンチゲート電極ＴＧ１がボディ層３０から突出している長さよりも長い。 - 特許庁 - The photovoltaic device is constituted by (a) a plurality of elongated semiconductor nanostructures (nanowire is one of these), having first type doping, in which a plurality of the elongated semiconductor nanostructures are arranged on a substrate, and (b) a single amorphous layer of a semiconductor material, having second type doping, in which the layer is provided on the elongated semiconductor nanostructures in a conformal manner.
光起電力デバイスを、（ａ）基板上に配設された複数の細長い半導体ナノ構造であって、第１のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造（ナノワイヤーはその１種である）と、ｂ）細長い半導体ナノ構造上にコンフォーマルに設けられ、第２のタイプのドーピングを有する半導体材料の単一の非晶質層、により構成する。 - 特許庁 - A seizure resistance improving method comprises a first step of carburizing a sliding surface of a steel base, a second step of performing chromium plating on the carburized sliding surface, and a third step of forming an oil sump recess comprising very small recesses in a chromium-plated layer and a relatively large recess formed by a peeled chromium-plated layer on the sliding surface by giving shocks to the chromium-plated sliding surface.
鉄鋼基材の摺動面を浸炭処理する第１の工程と、浸炭処理された上記摺動面にクロムメッキを施す第２の工程と、クロムメッキが施された上記摺動面に衝撃を与えて該摺動面にクロムメッキ層の微小凹部と該クロムメッキ層の剥落による比較的大きな凹部とからなる油溜り凹部を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The print head comprises an insulating board 2, a plurality of through holes 3 penetrating the board 2, a plurality of control electrodes 4 provided on outer peripheries of the holes 3 of one surface of the board 2, a first insulating layer 6 covering a surface of the board 2 at the electrode 4 side, and a second insulating layer 7 covering inner walls of the holes 3 of the board 2.
絶縁性基板２と、絶縁性基板２を貫通する複数の貫通孔３と、絶縁性基板２片面の貫通孔３外周りに設けられた複数の制御電極４と、絶縁性基板２の制御電極４側表面を被覆する第１絶縁層６と、絶縁性基板２の貫通孔３内壁を被覆する第２絶縁層７とを備えている。 - 特許庁 - This substrate is equipped with a color filter part comprising plural colored layers 9 formed on a display region 5a of a substrate 3, first spacers 12 formed on the colored layers 9 of the color filter part, a shielding layer 10 formed on a non-display region 5b of the substrate 3, and a second spacer 14 higher than the first spacers 12, formed on the shielding layer 10.
基板３の表示領域５ａ上に形成された複数の着色層９からなるカラーフィルタ部１と、カラーフィルタ部の着色層上に形成された第１のスペーサ１２と、基板の非表示領域５ｂ上に形成された遮光層１０と、この遮光層上に形成され、第１のスペーサよりも高さの高い第２のスペーサ１４と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - The present invention is manufacturing of a magnetic circuit, where, in an apparatus including the magnetic circuit with a permanent magnet adhered to a yoke while designed so as to be supplied with a coolant 21, on at least a part contacting to the coolant 21 of the magnetic circuit, a first layer made of at least epoxy resin is spray-coated and then a second layer made of fluoro-resin is spray-coated.
ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにした磁気回路を持つ装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層を吹き付け塗布し、フッ素樹脂の第2層を吹き付け塗布することを特徴とする磁気回路の製造方法。 - 特許庁 - The supplementary firing body 9 has a movable layer 21 consisting of a number of first heat resistant spheres arranged horizontally in parallel and vertically in tandem in closely contacting relation adaptable for vertical relative motion and a fixed layer 22 consisting of a number of second heat resistant spheres arranged thereunder horizontally in parallel and vertically in tandem in closely contacting relation unadaptable for relative motion.
助燃体９は、多数の第１耐熱性球体を上下方向に相対運動可動な密接状態で水平方向に並列させると共に上下方向に縦列させてなる可動層２１とその下位において多数の第２耐熱性球体を相対運動不能な密接状態で水平方向に並列させると共に上下方向に縦列させてなる固定層２２とからなる。 - 特許庁 - The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.
半導体メモリは、（Ａ）選択用トランジスタＴＲ_Aと、（Ｂ）第１の電極２１とキャパシタ層２２と第２の電極２３とから成るメモリセルＭＣ_AMから構成され、第１の電極２１は選択用トランジスタＴＲ_Aを介してビット線ＢＬ_Aに接続され、メモリセルＭＣ_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層２５が形成されている。 - 特許庁 - The white thermal transfer sheet comprises a first white layer containing a white pigment, a binder containing a wax as a main component, and polyolefin particles having a melting point of 100°C or higher, and a second white layer containing a white pigment, a binder containing a wax as a main component and a binder containing a petroleum resin having a softening point of 120 to 160°C, sequentially laminated on a base.
基材の上に、白色顔料と、ワックスを主成分とするバインダーと、融点が１００℃以上のポリオレフィン系粒子とからなる第１白色層、および、白色顔料と、ワックスを主成分とし、軟化点が１２０〜１６０℃の石油樹脂を含有するバインダーとからなる第２白色層を順次積層したことを特徴とする白色熱転写シート。 - 特許庁 - In the laminated body 1 for IC wristbands, an information recording base material 10 in which an IC inlet 12 is stuck on a surface base material 11 via a first adhesive layer 13, is integrated with a back surface base material 20 via a second adhesive layer 30, and a notch 41 is formed, which outlines an IC inlet 12-provided wristband 40 having a prescribed form.
本発明のＩＣリストバンド用積層体１は、表面基材１１にＩＣインレット１２が第１の貼着剤層１３を介して貼着された情報記録基材１０と、裏面基材２０とが、第２の貼着剤層３０を介して一体化され、ＩＣインレット１２を備えた所定形状のリストバンド４０を輪郭付ける切り込み４１が形成されている。 - 特許庁 - By sequentially forming, on a back substrate 2, data electrodes 10, a first dielectric layer 17 covering them, priming electrodes 15, and a second dielectric layer 18 covering them, and by forming a bored part 10a in a part of each data electrode 10, deformation of the data electrodes 10 in manufacturing is prevented, and the withstand voltage of the data electrodes 10 and the priming electrode 15 is improved.
背面基板２上に、データ電極１０、これを覆う第１誘電体層１７、プライミング電極１５、これを覆う第２誘電体層１８を順に形成するとともに、データ電極１０の一部にくり抜き部１０ａを設けることで、製造時におけるデータ電極１０の変形を防ぎ、データ電極１０とプライミング電極１５の絶縁耐圧を向上させる。 - 特許庁 - By using a semiconductor material, that has silicon as a main constituent and contains germanium by 0.1-10 atom.% for a first layer, and an amorphous silicon film for a second layer, and then applying laser beams to the lamination or an amorphous semiconductor film made by laminating at least three layers for crystallization, an appropriate semiconductor film is obtained, and a TFT is manufactured by using the semiconductor film.
シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを０．１〜１０原子％含有する半導体材料を第１層目、非晶質シリコン膜を第２層目に用い、これらの積層、または３層以上の積層からなる非晶質半導体膜にレーザー光を照射して結晶化を行うことで、良好な半導体膜が得られ、その半導体膜を利用してＴＦＴを作製する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of color filter using a dry etching method, the dry etching is performed by a first etching step of forming a colored layer removing part 6 by using a gaseous mixture containing fluorine type gas and oxygen gas and a second etching step of removing the colored layer removing part 6 and forming a support exposure part by using a gaseous mixture containing nitrogen gas and oxygen gas.
ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 - 特許庁 - In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.
１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with either one or both of the island type semiconductor layer formed on a partial region of the semiconductor substrate, first elements formed on the side wall of the island type semiconductor layer, more than one of second elements formed on the surface of the other regions than the semiconductor substrate, and the non-circuit patterns formed on the surface of other regions.
半導体基板上の一部の領域に形成された島状半導体層と、前記島状半導体層の側壁上に形成された第１素子と、前記半導体基板上の他の領域の表面に形成された１以上の第２素子と前記他の領域の表面に形成された非回路パターンとのいずれか一方あるいは両方を備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁 - This film is produced by laminating a first layer A made of a polyester having a major repeating unit of an ethylene terephthalate and a second layer B made of a composition of 1-40 wt.% of an acrylic resin consisting of a repeating unit represented with the formula and 60-99 wt.% of a polyester having a major repeating unit of an ethylene terephthalate to each other.
エチレンテレフタレートを主たる繰り返し単位とするポリエステルからなる第１層（Ａ）と、下記一般式で表わされる繰り返し単位からなるアクリル樹脂１〜４０重量％とエチレンテレフタレートを主たる繰り返し単位とするポリエステル６０〜９９重量％からなる組成物で形成される第２層（Ｂ）とを積層してなることを特徴とする金属板ラミネート用積層フィルム。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the multilayer board, a conductive wiring layer 14 formed by patterning a conductive film 13 is laminated via an insulating film 12, a circular confirmation hole 14 is provided in the conductive film 13 laminated first, the position of the confirmation section 14 is recognized, and the second wiring layer 18 or thereafter is patterned.
本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に円形の確認孔１４を設け、この確認部１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。 - 特許庁 - This panel has a plurality of main discharge cells 15 formed by scanning electrodes 6, maintenance electrode 7, and data electrode 10, and has barrier ribs 13 formed so as to section a plurality of priming discharge cells 16 formed by the scanning electrodes 6 and the priming electrodes 12, and a second dielectric layer 20 and fluorescent material layer 41 for insulation are installed in the priming discharge cell 16.
走査電極６および維持電極７とデータ電極１０とで形成される複数の主放電セル１５と、走査電極６とプライミング電極１２とで形成される複数のプライミング放電セル１６とを区画するように形成した隔壁１３とを有し、プライミング放電セル１６内に第２誘電体層２０と絶縁用蛍光体層４１とを設ける。 - 特許庁 - This printed wiring board with a built-in electronic circuit having base metal 1 made on its surface, a first electronic circuit 3 formed on the base material 1 and connected to a first wiring, a first insulating resin layer 2 formed on the first electronic circuit 3 and the base material 1, and a second wiring made on the first insulating resin layer 2, and its manufacturing method.
表面に第１の配線が形成された基材１と、基材１上に形成され、第１の配線に接続する第１の電子回路３と、第１の電子回路３および基材１上に形成された第１の絶縁性樹脂層２と、第１の絶縁性樹脂層２上に形成された第２の配線とを有する電子回路内蔵プリント配線板およびその製造方法。 - 特許庁 - In the contents reception and distribution system that uses an IT home electric device incorporating an HDD, contents encrypted not to be changed or erased are recorded on the second layer of a two-layer recording medium, the contents are decoded by using a secret key provided from a contents manager when a user makes contents use contact with the manager, and a contents use right is provided.
ＨＤＤを内蔵するＩＴ家電を使ったコンテンツ受配信システムにおいて、２層記録媒体の第２層には変更や消去が出来ない暗号化されたコンテンツが記録されており、ユーザーがコンテンツ管理者とコンテンツ利用契約を結んだ際に支給されるコンテンツ管理者から供給の秘密鍵を用いて、コンテンツを復号化して、コンテンツの利用権利を与える。 - 特許庁 - The antenna unit 20 is mounted on a mobile terminal having a metal hinge part 24 for connecting a first housing and a second housing, and comprises a ground layer 21 arranged inside the first housing, a power supply part 22 formed in the ground layer 21, and a power supply element 23 electrically connected to the power supply part 22 and the hinge part 24.
本発明のアンテナ装置２０は、第１筐体と第２筐体とを連結する金属製のヒンジ部２４を備えた携帯端末に搭載するアンテナ装置であって、第１筐体内部に配置されたグランド層２１と、グランド層２１に形成された給電部２２と、給電部２２に接続されると共にヒンジ部２４に電気的に接続された給電素子２３とを備える。 - 特許庁 - The reflection sheet 10 is constituted as follow; a silver deposition film 14 as a positive reflection layer is formed on the surface 13a of a resin material sheet 13 and a translucent resin layer 15 excellent in light transmissivity which includes first filler 16 having a relatively small particle size and second filler 17 having a relatively large particle size is formed on the surface 14a of the silver deposition film 14.
反射シート１０は、樹脂材料製シート１３の表面１３ａに正反射層としての銀蒸着膜１４が形成され、この銀蒸着膜１４の表面１４ａに相対的に粒径の小さな第１のフィラー１６と相対的に粒径の大きな第２のフィラー１７を含む光透過性に優れた透光性樹脂層１５が形成されてなるものである。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 includes a semiconductor layer 2, an emitter electrode 6 formed on the surface of the semiconductor layer 2, a first convex part 4 with the insulation property at least on the surface, formed around and on the inner side of the outer periphery of the surface of the semiconductor device 100, and a second convex part 8 formed in the inner side range of the first convex part 4.
半導体装置１００は、半導体層２と、半導体層２の表面に形成されているエミッタ電極６と、半導体装置１００の表面の外周に沿って外周の内側を一巡しているとともに、少なくとも表面が絶縁性である第１凸部４と、第１凸部４の内側範囲に形成されている第２凸部８を備えている。 - 特許庁 - To obtain a low-cost and high-performance semiconductor integrated circuit and its manufacturing method by preventing production of drum shapes in a second insulating layer which insulates conductive layers, by etching in lateral direction in a multilayer wiring construction in which layers including conductive layers as wiring are formed in multilayer, by interposing a first insulating layer made mainly of organic polymer film.
配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - When laminating a plurality of material layers by discharging ink from a droplet discharge head to a substrate P, a non-discharging region H is preset on a drain electrode 544, ink is discharged on a part other than non-discharging region of the drain electrode 544, and a second interlayer insulating layer 584 is formed on the drain electrode 544 and a first interlayer insulating layer 583.
基板Ｐに対して液滴吐出ヘッドからインクを吐出して複数の材料層を積層する際、ドレイン電極５４４上面に非吐出領域Ｈを予め設定しておき、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外の部分にインクを吐出して、ドレイン電極５４４及び第１層間絶縁層５８３上層に第２層間絶縁層５８４を形成する。 - 特許庁 - On at least one face of a polymer thin film 5 made of molecular compound, as principal component, which is obtained by superimposing monomer in this piezoelectric element 1a, a piezoelectric thin film 3, located in between a first electrode layer 2 and a second electrode layer 4 and made of a piezoelectric body as the principal component which generates charges by applying a dynamic force is formed.
本発明に係る圧電素子１ａは、単量体を重合してなる高分子化合物を主成分とする高分子薄膜５の少なくとも一方の面に、第１電極層２と、第２電極層４との間に挟まれた、力学的な力が印加されることにより電荷を生じる圧電体を主成分とする圧電体薄膜３が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁 - Within a scribe line 13, a dummy pattern 14 is formed in the vicinity of an overlap accuracy measuring mark comprising a first layer pattern 11 formed on a semiconductor substrate and a second layer pattern 12 as a resist pattern and, as the result, the resist pattern 10 in the vicinity of the overlap accuracy measuring mark is arranged to be symmetrical to the overlap accuracy measuring mark.
スクライブライン１３内において、半導体基板上に形成された第１層のパターン１１とレジストパターンで形成される第２層のパターン１２とからなる重ね合わせ精度測定マークの周辺にダミーパターン１４を形成することにより、重ね合わせ精度測定マークの周辺のレジストパターン１０を重ね合わせ精度測定マークに対して対称に配置する。 - 特許庁 - This method for producing the organic electroluminescent element comprises steps of forming a first electrode on a substrate; preparing a solution containing a hole carrier organic material, an electron carrier organic material and a light emitting organic material; atomizing the solution on the first electrode by use of a pressurized gas to form the organic thin film layer; and forming a second electrode on the organic thin film layer.
基板上に第１の電極を形成し、正孔輸送性有機材料、電子輸送性有機材料および発光性有機材料を含む溶液を調製し、この溶液を加圧気体を用いて第１の電極上に噴霧して有機薄膜層を形成し、有機薄膜層上に第２の電極を形成する工程を有する有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁 - This semiconductor device 100 is provided with a first conductive semiconductor board 10, a first conductive well 12 formed on the semiconductor board 10, a gate insulating layer 20 formed on the semiconductor substrate 10, a gate electrode 22 formed on the gate insulating layer 20, and second conductive source/drain layers 14a and 14b formed on the semiconductor substrate 10.
半導体装置１００は、第１導電型の半導体基板１０と、半導体基板１０に形成された、第１導電型のウェル１２と、半導体基板１０の上に形成されたゲート絶縁層２０と、ゲート絶縁層２０の上に形成されたゲート電極２２と、半導体基板１０に形成された第２導電型のソース／ドレイン層１４ａ，１４ｂと、を有する。 - 特許庁 - In two small areas (i.e., a first small area and a second small area) provided outside the central part within the emitting area, a transparent layer 111A and a transparent layer 111B that are optically transparent dielectric films to reduce a reflectance of each small area lower than that of the central part of the emitting area are formed at an optical thickness of [oscillation wavelength/4].
また、射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域、第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層１１１Ａ及び透明層１１１Ｂが「発振波長／４」の光学的厚さで設けられている。 - 特許庁 - The first and second deformation parts 41, 42 for fixing and the first extension/contraction deformation part 43 include: electric active polymers 44 having a layer shape to be deformed by energization; and electrodes 45, 46 having the layer shape for performing energization to the electric active polymers 44, respectively, and includes actuators 410, 420, 430 which are operated (deformed) by performing energization between the electrodes 45, 46.
第１固定用変形部４１、第２固定用変形部４２および第１伸縮変形部４３は、それぞれ、通電により変形する層状をなす電気活性ポリマー４４と、電気活性ポリマー４４に通電するための層状をなす電極４５、４６とを有し、電極４５、４６間に通電することにより作動（変形）するアクチュエータ４１０、４２０および４３０を備えている。 - 特許庁 - To provide a method of metallizing at least one photovoltaic cell 100, including a semiconductor based substrate (102), having a first conductive type, a layer (104) fabricated in the substrate by doping impurities having a second conductive type to form a front face of the substrate, and an antireflection layer (106) manufactured on the front face of the substrate and forming the front face (108) of the photovoltaic cell.
第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。 - 特許庁
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