「second layer」を含む例文一覧(21455)
＜前へ 1 2 .... 400 401 402 403 404 405 406 407 408 .... 429 430 次へ＞- For solving the problems, by adding a small amount of one or more selected from Hf and Zr to the second layer, the peeling can be remarkably suppressed, and thus the heat resistant member having excellent oxidation resistance in addition to heat resistance in a superhigh temperature range can be obtained.
この解決のため、Ｈｆ、Ｚｒのうちの１種以上を第二層に少量添加することにより、はく離を著しく抑制することが可能になり、超高温域での耐熱性に加えて耐酸化性も優れた耐熱部材を得ることができる。 - 特許庁 - This image sensor is provided with the first face 15 including a scintillator 1 provided with a substrate 3 coated with a layer of a luminescent substance 4 contacting with the substrate 3, and the second face 16 with a surface having an unevenness 5, and separated by a clearance 7.
画像センサは、発光物質４の層で覆われた基板３を備えるシンチレータ１を含み、該発光物質４の層は基板３と接触している第一の面１５と、表面が凹凸５を有し隙間７により分離された第二の面１６とを備える。 - 特許庁 - A peripheral sacrifice layer 105 of a contact electrode 106 is removed by dry etching through a first opening part 108 with a second opening part 109 stopped up with resist pattern, thereby forming a space 110 partly on a lower electrode 103.
レジストパターンにより第２開口部１０９がふさがれた状態とし、第１開口部１０８を介したドライエッチングにより、接点電極１０６周辺の犠牲層１０５を除去し、下部電極１０３上の一部に空間１１０が形成された状態とする。 - 特許庁 - Light, emitted by injecting current to the active layer 43 by applying voltage between the first and second electrodes 471, 472, allows intensity distribution to be annular in the two-dimensional photonic crystal 45, since the first electrode 471 is annular.
第１電極４７１と第２電極４７２との間に電圧を印加して活性層４３に電流を注入することにより発光した光は、第１電極４７１が環状であることにより、２次元フォトニック結晶４５内において強度分布が環状になる。 - 特許庁 - The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.
分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁 - The optical recording medium D is provided with an information layer D2 formed by layering at least a first protective film 8, a second protective film 9, a third protective film 10 and a recording film 11 in this order on a first substrate 1 having an incidence surface 1A in which laser light L is made incident as a bottom surface.
光記録媒体Ｄは、レーザ光Ｌが入射する入射面１Ａを底面とした第１基板１上に、少なくとも第１保護膜８、第２保護膜９、第３保護膜１０、記録膜１１をこの順に積層した情報層Ｄ２を備えている。 - 特許庁 - The body-contacting region 30 is provided in the field region 20B on the side of the second portion 24B2 of the L-shaped gate 25 opposite to the first portion 24B12, and a low-resistance layer 29 is formed on the surfaces of the source region 28A and body-contacting region 30.
Ｌ型ゲート２５の第２部分２４Ｂ２を挟んで第１部分２４Ｂ１２とは反対側のフィールド領域２０Ｂにボディコンタクト領域３０が設けられ、ソース領域２８Ａとボディコンタクト領域３０との表面に低抵抗層２９が形成されている。 - 特許庁 - When the TN element for a polarization switch is turned off, the laser light passes through the PBS surface 5c of the PBS prism 5, and led to the objective lens actuator 6 via a first reflection surface (curved surface), and then condensed on the second recording layer 101 of the disk 100.
一方、偏光スイッチ用ＴＮ素子がＯＦＦされているとき、レーザ光は、ＰＢＳプリズム５のＰＢＳ面５ｃを通過し、その後、第１の反射面（曲面）を経由して対物レンズアクチュエータ６に導かれ、ディスク１００の第２の記録層１０１上に集光される。 - 特許庁 - Thus, a three- layer structure (triplate structure) can be formed of the ground plate 11, the strip conductor constituted of the power supplying strip line 13 and the radiating antenna elements 14a-14j, and the conductive plate 19 having the 10 pieces of slots 18a-18j with the first dielectric substrate 12 and the second dielectric substrate 17 interposed between them.
こうして、接地板11、給電ストリップ線路13と放射アンテナ素子14a〜14jとからなるストリップ導体、及び１０個のスロット18a〜18jを有する導体板19が、間に第１の誘電体基板12、第２の誘電体基板17を挟んで３層構造（トリプレート構造）を形成する。 - 特許庁 - At this time, the diffusion width of the protective layer forming material is narrowest at the first jet gun tips 44a and successively made large in the order of the first-third interposed jet gun tips 44c, 44d and 44e and the second jet gun tips 44b.
この際、保護層形成材の拡散幅は、第１噴出ガンチップ４４ａで最も狭く、第１介在噴出ガンチップ４４ｃ、第２介在噴出ガンチップ４４ｄ、第３介在噴出ガンチップ４４ｅおよび第２噴出ガンチップ４４ｂの順に大きくなる。 - 特許庁 - Depth y (mm) of hardened layer of Vickers hardness Hv653 or higher formed on a second inner raceway surface 20b included in the inner ring 3, the maximum outer diameter D_1 (mm) and inner diameter D_3 (mm) of the inner ring 3 satisfies inequality y/{(D_1-D_3)/2}≥0.015.
また、内輪３が有する第二内側軌道面２０ｂに形成されたビッカース硬さＨｖ６５３以上の硬化層の深さｙ（ｍｍ）と、内輪３の最大外径Ｄ_1 （ｍｍ）及び内径Ｄ_3 （ｍｍ）とが、ｙ／｛（Ｄ_1 −Ｄ_3 ）／２｝≧０．０１５なる数式を満足する。 - 特許庁 - The radiation conductor plate 20 is formed of a substantially C-shaped metal flat plate of which both ends 20d, 20e face each other with an opened portion 4 interposed therebetween, and is mounted on the circuit board 3 in a position where the first and the second support metal pieces 21, 22 come close to the ground conductor layer 33.
放射導体板２０は開放部４を介して両端部２０ｄ，２０ｅが対向する略Ｃ字状に形成されており、第１および第２の支持金属片２１，２２が接地導体層３３と近接する位置で回路基板３上に搭載されている。 - 特許庁 - A lot of cracks are thus generated on a convex part P of the second nitriding compound semiconductor layer 2, that is, in a high defective region of a nitriding compound semiconductor 3, and a crack occurrence of the nitriding compound semiconductor 3 on a recess part D1 which is a low defective region, is controlled thereby.
よって、第２の窒化化合物半導体層２の凸部Ｐ上、すなわち窒化化合物半導体３の高欠陥領域にクラックが多数生じ、低欠陥領域である凹部Ｄ１上の窒化化合物半導体３のクラック発生を抑制できる。 - 特許庁 - The body 2 has a plurality of first terminals 4 which are arranged on a top face of a principal part 2M including a plurality of layer parts and are connected to the wiring 3, and a plurality of second terminals 5 which are arranged on a bottom face of the principal part 2M and are connected to the wiring 3.
本体２は、複数の階層部分を含む主要部分２Ｍの上面に配置されて配線３に接続された複数の第１の端子４と、主要部分２Ｍの下面に配置されて配線３に接続された複数の第２の端子５を有している。 - 特許庁 - This conductor 12 for the electric wire is provided with a compressed conductor part 14 shaped by compressing a plurality of first strands so as to form an almost circular cross-section, and an outer layer conductor part 18 formed by disposing a plurality of second strands 19 on the outer periphery of the compressed conductor part 14.
電線用導体１２は、複数の第１素線が断面略円形状に圧縮整形された圧縮導体部１４と、この圧縮導体部１４の外周囲に複数の第２素線１９が配設されてなる外層導体部１８と、を備えている。 - 特許庁 - The first and second porous structures 12 and 22 are same in structure, and anodic oxidation treatment and oxidation treatment are applied to the non-doped polycrystalline silicon layer formed on one surface side of the element forming substrate 1.
第１の多孔質構造部１２と第２の多孔質構造部２２とは同一構造であって、素子形成基板１の一表面側に成膜したノンドープの多結晶シリコン層に対して陽極酸化処理および酸化処理を行うことにより形成されている。 - 特許庁 - On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2b formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, so that the lower region of the anode electrode is surrounded.
第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２ｂ表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲するように第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁 - A gas dispersing layer 12 of this fuel cell electrode 10 is structured of a woven fabric which is woven to cross each other with a first fiber bundle 14 composed of hydrophilic carbon fibers as a weft yarn and a second fiber bundle 16 composed of water-repellent carbon fibers as a warp yarn.
燃料電池用電極１０のガス拡散層１２を、親水性炭素繊維からなる第１の繊維束１４を経糸とし、撥水性炭素繊維からなる第２の繊維束１６を緯糸として互いに交差するように織り込まれた織布から構成する。 - 特許庁 - Also, the ultrasonic probe comprises the vibrator array including the composite piezoelectric material, an acoustic matching layer and/or an acoustic lens arranged on the first surface of the vibrator array, and a backing material arranged on a second surface opposing the first surface of the vibrator array.
また、超音波探触子は、複合圧電材料を含む振動子アレイと、振動子アレイの第１の面に配置された音響整合層及び／又は音響レンズと、振動子アレイの第１の面に対向する第２の面に配置されたバッキング材とを具備する。 - 特許庁 - A thin-film capacitor wherein a metal oxide of perovskite crystal structure is used as a dielectric layer is formed on a first substrate, which is then transferred on a second substrate where an electronic circuit is formed, for patterning and electric connection of the thin-film capacitor.
ペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物を誘電体層とする薄膜コンデンサを第１の基板上に形成し、その後、電子回路が形成された第２の基板上に転写した後、上記薄膜コンデンサのパターニング、電気的な接続を行う。 - 特許庁 - An organic EL element has at least one organic compound layer 30 interposed between a first electrode 12 and a second electrode 18, thus forming an element region, the element region being covered with the protective film 20 composed of at least amorphous carbon nitrite.
有機ＥＬ素子は、第１電極１２、第２電極１８との間に少なくとも一層の有機化合物層３０を備えて素子領域が構成されており、この素子領域を覆うようにアモルファス窒化炭素を少なくとも含む保護膜２０を形成する。 - 特許庁 - In the dye sensitized solar battery, first and second electrodes 10, 20 are disposed opposite to each other, a buffer layer 30 and a porous film 40 are formed on one surface of the first electrode, and dye 50 is absorbed to the film 40.
本発明の一実施例による染料感応太陽電池は、第１電極１０と第２電極２０が互いに対向配置され、第１電極の一面にバッファー層３０、多孔質膜４０が形成され、前記多孔質膜には染料５０が吸着される。 - 特許庁 - The CWDM filter is composed of a first part containing at least two Fabry-Perot cavity structures and a second part containing a plurality of non-quarter wavelength film layer structures for which high and low refractive index film layers are alternately laminated on the first part.
少なくとも２つのファブリ・ペロットキャビティー構造を含む第１部分と、該第１部分上に高、低屈折率のフィルム層を交互に積層した複数層の非４分の１波長フィルム層構造を含む第２部分とによってＣＷＤＭフィルタを構成する。 - 特許庁 - The compound semiconductor portion 3 has a cutting groove 21, formed in a region between the source electrode 4 and auxiliary electrode 7 that cuts the two-dimensional gas layer 12a to divide the compound semiconductor portion 3 into a first portion 51A and a second portion 51B.
化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。 - 特許庁 - A metal wire 13 comprising a barrier layer 13a and a copper film 13b is buried in the carbon- containing silicon oxide film 12 and a second insulation film 14 composed of a silicon nitride film is formed on the metal wire 13 and the carbon-containing silicon oxide film 12.
炭素含有シリコン酸化膜１２には、バリア層１３ａと銅膜１３ｂとからなる金属配線１３が埋め込まれており、金属配線１３及び炭素含有シリコン酸化膜１２の上にはシリコン窒化膜よりなる第２の絶縁膜１４が形成されている。 - 特許庁 - To secure high film flatness by forming a first dielectric thin film and a second dielectric thin film that is provided by applying a dielectric-forming composition onto the first dielectric thin film so that a dense layer is formed on the surface of the first dielectric thin film.
第１の誘電体薄膜と、この誘電体薄膜の上に誘電体形成用組成物を塗布して第２の誘電体薄膜を形成して、第１の誘電体薄膜の表面に緻密な層を形成し、当該膜の高い平坦性を確保する。 - 特許庁 - In a cooling process of the second 3-5 group nitride semiconductor layer 3 after the laminating, a stress resulting from difference of thermal expansion coefficient causes warpage on the base substrate 1 on which the nitride crystal substrate 4 is formed and the nitride crystal substrate 4 peels off from the base substrate 1.
第２の３−５族窒化物半導体層３の積層後の冷却過程で、熱膨張係数差に伴う歪みが窒化物結晶基板４が形成されている下地基板１に反りを生じさせ、窒化物結晶基板４が下地基板１から剥離する。 - 特許庁 - When a virtual machine (5) moves as a virtual machine (B) from a physical machine 1 accommodated in a first subnet in a fixed network to a physical machine 2 accommodated in a second subnet which is different from the first subnet, a layer 2 tunnel extending from the physical machine 1 to the physical machine 2 is constructed.
仮想マシン(5)が、固定網内の第1のサブネットに収容されている物理マシン1から第1のサブネットとは異なる第2のサブネットに収容されている物理マシン2に仮想マシン(B)として移動した場合、物理マシン1から物理マシン2へ至るレイヤ2トンネルを構築する。 - 特許庁 - The light guide plate is equipped with: a soft resin base 10A having a first resin surface 10A1 and a second soft surface 10A2 on the side opposite to the first soft surface; and a first hard resin layer 10B formed on the first soft surface.
導光板は、第１軟質表面１０Ａ１と、前記第１軟質表面と反対側の第２軟質表面１０Ａ２とを有する軟質樹脂基材１０Ａと、第１軟質表面上に形成される第１硬質樹脂層１０Ｂとを備える。 - 特許庁 - The dielectric film 8 has an opening for injecting current into the upper surface of the ridge part 6a, is formed with a first electrode 9 to contact the contact layer 7 exposed to the opening, and is formed with a second electrode 10 on the first electrode 9.
誘電体膜８は、リッジ部６ａの上面に電流を注入するための開口部を有し、当該開口部に露出したコンタクト層７に接するように第一電極９が形成され、第一電極９上に第二電極１０が形成されている。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device including a first substrate, a liquid crystal layer, a second substrate and the circuit member and further having a wire grid polarizer, the wire grid polarizer is grounded or maintained at a fixed voltage.
第一基板、液晶層、第二基板及び回路部材を備えた液晶表示装置であって、上記液晶表示装置は、更に、ワイヤーグリッド偏光子を有し、上記ワイヤーグリッド偏光子は、接地されるか、又は、定電圧に保持されている液晶表示装置である。 - 特許庁 - The display uses a lens array element which can be controlled to turn on/off the lens effect by changing the refractive index distribution in the liquid crystal layer depending on the voltage applied by the first electrode and the second electrode 21Y facing each other.
互いに対向する第１の電極と第２の電極２１Ｙとによって印加される電圧に応じて液晶層内の屈折率分布を変化させることにより、レンズ効果をオン状態とオフ状態とに可変制御することが可能なレンズアレイ素子を用いる。 - 特許庁 - The microcapsule film where microcapsules in which positively charged electrophoretic particles of a first color and negatively charged electrophoretic particles of a second color are enclosed in a liquid dispersion medium are dispersed includes a sufficient amount of a binder since a layer having the microcapsules dispersed therein is formed like a film.
正帯電の第一の色と、負帯電の第二の色の各電気泳動粒子を液体分散媒中に封入したマイクロカプセルが分散されたマイクロカプセルフィルムであり、マイクロカプセルが分散された層自体がフィルム状をなす為に、充分な量のバインダを含む。 - 特許庁 - An ohmic contact layer-forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of a semiconductor film-forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, containing a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal.
窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁 - To provide an electrostatic capacitance-type input device in which a first electrode, a second electrode, an inter-layer insulating film, a relay electrode, and peripheral wiring can be formed by three times in total of patterning formation and a method for manufacturing the capacitance-type input device.
計３回のパターニング形成によって、第１電極、第２電極、層間絶縁膜、中継電極、および周辺配線を形成することのできる静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A first electrode and a second electrode separated from each other are formed on a substrate and after stacking a silicon layer in which amorphous silicon and polycrystalline silicon exist mixedly by the sputtering method or the chemical vapor deposition method, a semiconductor is formed by patterning the silicon film.
基板上に互いに分離されている第１及び第２電極を形成し、非晶質と多結晶シリコンとが混在するシリコン膜をスパッタリング法または化学気相蒸着法で積層した後、前記シリコン膜をパターニングして半導体を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which prevents the disconnection of a wiring layer connecting a first semiconductor device part provided on an insulating substrate and a second semiconductor device part of which the height from the insulating substrate to the upper surface is high, and a method of manufacturing the same.
絶縁性基板上に設けられた第１の半導体デバイス部と、絶縁性基板からその上面までの高さが高い第２の半導体デバイス部とを接続する配線層が断線することを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - After removing the mask 33 for diffraction grating, a group III-V compound semiconductor film 35 as a cover layer is deposited, so as to cover the diffraction grating structure 21b of the first semiconductor laminate 25 and the semiconductor film 29 of the second semiconductor laminate 31.
回折格子用マスク３３を除去した後に、第１の積層構造物２５内の回折格子構造２１ｂおよび第２の積層構造物３１内の半導体膜２９を覆うように、カバー層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３５を堆積する。 - 特許庁 - The display panel 21 has a cathode electrode (first electrode) 22 and an anode electrode (second electrode) 23 disposed facing each other between glass substrates 11, 12, and has a light emitting layer 24 by organic EL held between the cathode electrode 22 and the anode electrode 23.
表示パネル２１は、ガラス基板１１，１２間に、対向して配置されたカソード電極（第１電極）２２およびアノード電極（第２電極）２３と、前記カソード電極２２とアノード電極２３との間に挟持された有機ＥＬ（Electro Luminescence）による発光層２４とを備える。 - 特許庁 - Exposure to imaging radiation causes the first layer and the substrate to irreversibly detach without substantial ablation, thereby facilitating removal, by subjection to the cleaning liquid, of the first and second layers 304, 306 where detachment has taken place.
イメージング放射線に対する露光は第１の層３０４及び基板を実質的融除なしに不可逆的に分離する様にさせ、それにより、洗浄液の下におくことにより、分離が生起した所での第１及び第２の層３０４，３０６の除去を促進する。 - 特許庁 - A second layer STO film 18b becoming the overlying dielectric film 17b of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure in the vicinity of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the STO film 18a.
ＳＴＯ膜１８ａの上に、下部電極１２ａ付近がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜で、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ上層誘電体膜１７ｂとなる第２層目のＳＴＯ膜１８ｂを形成する。 - 特許庁 - The second insulating film 16b consists of a material (silicon oxide (SiO_x), and silicon nitride (SiN_x) etc.) having excellent etching selectivity by same gas or solution to oxide semiconductor constituting the channel layer 15 and the first insulating material respectively.
第２絶縁膜１６ｂはチャネル層１５を構成する酸化物半導体および第１絶縁材料それぞれに対して同一ガス（あるいは溶液）によるエッチング選択性の良好な材料（酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）等）により構成されている。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a first n-type MOS transistor having a channel region formed on the element region A1; and a second n channel MOS transistor, and a p channel MOS transistor having a channel region formed on the epitaxial layer.
この半導体装置は、素子領域Ａ１に形成されたチャネル領域を有する第１のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、エピタキシャル層に形成されたチャネル領域を有する第２のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタおよびＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁 - The semiconductor apparatus has a gate electrode formed through a gate insulating film, and a second conductive type source area and a drain area, in an area segmented by an element separation insulating film formed in a first conductive type semiconductor layer.
本発明に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層に形成された素子分離絶縁膜により区分された領域に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第２導電型のソース領域及びドレイン領域とを有する。 - 特許庁 - The outer layer section 15 is more projecting than the surface 111 of the primary center section 11, has smaller impact resilience than urethane foam composing the primary center section 11 and the second center section 12, and consists of the urethane foam having a greater hysterisis loss and return time.
表層部１５は，第１中央部１１の表面１１１よりも突出しており，第１中央部１１及び第２中央部１２を構成する発泡ウレタンよりも反発弾性が小さいと共にヒステリシスロス及び戻り時間が大きい発泡ウレタンよりなる。 - 特許庁 - The active material, the electron-conducting material and the conduction assistant are included in the active material layer of this battery equipped with first and second electrodes and a separator, hydrophobicity is imparted to one of the the electron-conducting material and the conduction assistant, and hydrophilicity is imparted to the other.
第１および第２の電極と、セパレータとを備えた電池の活物質層内に、活物質と、電子導電材と、導電助剤を含有し、上記電子導電材および上記導電助剤の一方に疎水性を持たせ、他方に親水性を備える。 - 特許庁 - The disk-type MEMS resonator 10 is composed such that a nitride film 11, first/second/third sacrifice layers 12, 13, and 14, and a wiring layer 15 are laminated on a semiconductor substrate 1 and an opening part C1 being a cylindrical recessed part is formed almost at the center.
ディスク型ＭＥＭＳ振動子１０は、半導体基板１上に、窒化膜１１、第一の犠牲層１２、第二の犠牲層１３、第三の犠牲層１４、及び配線層１５が積層され、略中央に、円筒形状の凹部である開口部Ｃ１が形成されている。 - 特許庁 - This organic EL element is provided with at least an organic compound layer 30 between a first electrode 12 and a second electrode 16 to form an element region, and a protective film 20 including a polymerized film of a hetero-cyclic compound is formed to cover the element region.
有機ＥＬ素子は、第１電極１２、第２電極１６との間に少なくとも一層の有機化合物層３０を備えて素子領域が構成されており、この素子領域を覆うようにヘテロ環式化合物の重合膜を含む保護膜２０を形成する。 - 特許庁 - When first and second stress films 4 and 5 are dividedly applied on the upper layer of a gate electrode 1 and then a contact hole leading to the gate electrode 1 is formed to form a contact electrode, a contact hole formation region 9 is laid out on the side of the first stress film 4.
ゲート電極１の上層に第１，第２の応力膜４，５を張り分けてからそのゲート電極１に通じるコンタクトホールを形成してコンタクト電極を形成する際、そのコンタクトホール形成領域９を第１の応力膜４側にレイアウトする。 - 特許庁 - The inter-layer insulating film 10 comprises a first silicon oxide film 10a provided by HDP(high density plasma)-CVD substantially comprising no impurities and a second silicon oxide film 10b whose main material is PSG (phospho silicate glass) deposited on the first silicon oxide film 10a.
層間絶縁膜１０は、実質的に不純物を含まないＨＤＰ−ＣＶＤによる第１のシリコン酸化物膜１０ａと、この第１のシリコン酸化物膜１０ａ上に堆積されたＰＳＧを主体とする第２のシリコン酸化物膜１０ｂとを有する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
