「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • Such a calibrated reflectance signal is analyzed for determining a characteristic of the second layer.
    その較正された反射信号は第２層の特性を決定するために分析される。 - 特許庁
  • The interlayer insulating film has higher strength than the first and second wiring layer insulating films.
    層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 - 特許庁
  • Photodiodes PD1, PD2 are disposed at the upper side of the second interlayer insulating layer 140.
    第２層間絶縁層１４０の上部に、フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２が配置される。 - 特許庁
  • The second signal electrode layer 10 is provided with a land 11 for mounting an IC.
    第２の信号電極層１０にはＩＣ実装用ランド１１が設けられている。 - 特許庁
  • Also, the peeled nitride semiconductor layer is bonded to the surface of a second substrate 130.
    また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 - 特許庁
  • The liquid crystal display panel comprises an array substrate, a counter substrate and a second liquid crystal layer.
    液晶表示パネルは、アレイ基板と、対向基板と、第２液晶層と、を含んでいる。 - 特許庁
  • A second layer wiring is not formed in a region under the bonding pad BP.
    また、ボンディングパッドＢＰの下部領域には第２層目の配線が形成されていない。 - 特許庁
  • A second dielectric layer is formed to substantially fill at least one spacing.
    第２の誘電層が形成されて、該少なくとも１つの空間を実質的に充填する。 - 特許庁
  • Accordingly, the surface of the second transparent resin layer 9 can be smooth and can have uniform conductivity.
    従って、第２の透明樹脂層９の表面が平滑で導電性が均一となる。 - 特許庁
  • A common contact 220 connects the gate wiring 124 with the second diffusion layer 126.
    共通コンタクト２２０は、ゲート配線１２４と第２拡散層１２６を接続している。 - 特許庁
  • The control electrode layer faces the second impurity region with an insulating film, disposed therebetween.
    制御電極層は第２不純物領域に絶縁膜を介在して対向している。 - 特許庁
  • The body and the second layer metallic plate are formed of aluminum with excellent thermal expansion.
    また、本体と２層目の金属板は熱膨張に優れたアルミニウムで構成している。 - 特許庁
  • The first and second external layers and the intermediate layer are impregnated with a thermosetting resin.
    第１の外層、中間層および第２の外層は熱硬化性樹脂で含浸されている。 - 特許庁
  • The metal heat sink 122 is deposited on the second surface of the metal thin layer 114.
    金属製ヒートシンク１２２は、金属薄層１１４の第２の表面に接合される。 - 特許庁
  • A light shielding layer 12 is formed on the second surface 11b of the substrate 11 by a sputtering method.
    基板１１の第２面１１ｂには、スパッタ法で遮光層１２が形成されている。 - 特許庁
  • A second insulating layer is formed on the substrate and between the through electrodes and the substrate.
    第二絶縁層は、基板上に及び貫通電極と基板の間に形成されている。 - 特許庁
  • The seed layer has first and second seed layers 21 and 22 having respective prescribed film thicknesses.
    シード層２は、夫々所定膜厚の第１シード層２１および第２シード層２２を有する。 - 特許庁
  • A second transparent substrate 24 is stuck to the parallax barrier layer 21 side of the first transparent substrate 15.
    第１透明基板15の視差バリア層21側に第２透明基板24を貼り合わせる。 - 特許庁
  • The electronic ink display device is provided with a first substrate 100, a second substrate 500 and an electronic ink layer 600.
    第１の基板１００、第２の基板５００及び電子インク層６００を備える。 - 特許庁
  • A second buffer layer formed of a crystalline insulating material is formed on it.
    その上に、結晶性の絶縁材料からなる第２のバッファ層が形成されている。 - 特許庁
  • A second insulation film 118 is provided above the first wiring layer and the first insulation film.
    第２絶縁膜１１８は、第１配線層および第１絶縁膜上方に配設される。 - 特許庁
  • A predetermined masking exposure 13 is executed to a photoresist layer 9 in a second processing step.
    第２処理ステップにて、予め定められたマスキング露光１３をフォトレジスト層９に施す。 - 特許庁
  • The second protective carbon layer promotes improved cooperation between the disk and the lubricant.
    第２保護炭素層はディスクと潤滑剤と間の改良された協働を促進する。 - 特許庁
  • The stack includes a spacer layer positioned between first and second ferromagnetic free layers.
    スタックは、第１および第２の強磁性フリー層間に位置付けられたスペーサ層を含む。 - 特許庁
  • A first electrode 21 is provided on the second gallium nitride-based semiconductor layer 19.
    第１の電極２１は第２の窒化ガリウム系半導体層１９上に設けられる。 - 特許庁
  • Or, the second electrode may have a constitution containing an antireflection layer composed of copper.
    或いは第２電極が銅からなる反射防止層を含む構成であっても良い。 - 特許庁
  • The radiation detector 1 has a silicon substrate, a dopant layer, a first electrode and a second electrode.
    放射ディテクタは、シリコン基板、ドーパント層、第１電極、および第２電極を有する。 - 特許庁
  • An epitaxial layer is formed on the second and third surfaces of the semiconductor substrate.
    エピタキシャル層が半導体基板の第２表面及び第３表面上に形成される。 - 特許庁
  • A first anode electrode 6 is formed on the second nitride semiconductor layer 4.
    第２の窒化物半導体層４上には第１のアノード電極６が形成されている。 - 特許庁
  • The fuel cell preferably further comprises a second moisture retention layer 2 on the cathode 12.
    カソード極１２上に配置される第２の保湿層２をさらに備えることが好ましい。 - 特許庁
  • The first 1 and second boards 2 are joined together with a buffer layer 10 interposed.
    第１の基板１と第２の基板２とは緩衝層１０を介して接合される。 - 特許庁
  • The second substrate 21 is joined to the photosensitive resin layer 12, as shown in (e).
    次に、第２の基板２１は、（ｅ）に示すように、感光性樹脂層１２に接合される。 - 特許庁
  • The first dielectric layer includes a first surface and a second surface, which face each other.
    第１誘電層が互いに対向する第１表面および第２表面を有する。 - 特許庁
  • Carrier density in the second GaN layer 18 is 5.0×10^17 cm^-3 or less.
    第２のＧａＮ層１８でのキャリア濃度は、５．０×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁
  • Then, the thick resistor 22 and the second thick conductor layer 24 are baked at the same time.
    その後、厚膜抵抗体２２と２層目の厚膜導体層２４とを同時焼成する。 - 特許庁
  • An insulating layer having an opening internally is formed on the second metal region.
    内部に開口を有する絶縁層が前記第２金属領域上に提供される。 - 特許庁
  • To provide an electrode structure which can assure a width of a second conductive layer and which has high reliability.
    第２の導電層の幅を確保でき、信頼性の高い電極構造を提供する。 - 特許庁
  • The second crystal control layer 5 is formed with an hcp (hexagonal close-packed) alloy or fcc (face-centered cubic) alloy.
    第二結晶制御層５は、ｈｃｐ合金もしくはｆｃｃ合金で形成する。 - 特許庁
  • The intervention layer 14 is located between the first ply 26 and the second ply 28.
    この介在層１４は、この第一プライ２６とこの第二プライ２８との間に位置する。 - 特許庁
  • The middle part of the first and the second long and slender elements is covered with an elastic layer 72.
    第１及び第２の細長い要素の中間部分を弾性層７２で包囲する。 - 特許庁
  • The first region 12a is a region of the silicon layer 12, other than the second region 12b.
    第１領域１２ａは、第２領域１２ｂを除いたシリコン層１２の領域である。 - 特許庁
  • In the second phase transition step, supply of the water vapor to the support layer 10s is stopped.
    第２相転移工程では支持層１０ｓへの水蒸気の供給を停止する。 - 特許庁
  • There are a range where the formation density of the slits 7 is high and a range where it is low in the second layer 5.
    第２層５には、スリット７の形成密度が高い範囲と低い範囲がある。 - 特許庁
  • The first and second patterns produce a desired pattern on the layer of a developable material.
    第１及び第２のパターンが現像可能な材料層に所望のパターンを生成する。 - 特許庁
  • The interconnection layer and the second insulating film are ground until the first insulating film is exposed.
    第１の絶縁膜が露出するまで配線層及び第２の絶縁膜を研磨する。 - 特許庁
  • A second component is a discontinuous abrasive layer affixed to the flexible substrate 106, 706.
    第２の構成要素は可撓性基材１０６、７０６に付けた不連続研磨層である。 - 特許庁
  • The side surface and the upper surface of the fuse 20 are covered with a second insulating layer 19.
    ヒューズ２０の側面および上面は、第２の絶縁層１９で覆われている。 - 特許庁
  • A liquid crystal layer 30 is provided between a first substrate 10 and a second substrate 20.
    第１基板１０と第２基板２０との間に、液晶層３０が設けられている。 - 特許庁
  • The first light emitting unit 3 and the second light emitting unit 5 respectively include a light emitting layer.
    第１の発光ユニット３及び第２の発光ユニット５は、それぞれ発光層を含む。 - 特許庁
  • The first electrode layer includes a metal portion, a plurality of first openings and second openings.
    第１電極層は、金属部と、複数の第１開口部と、第２開口部と、を有する。 - 特許庁
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