「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • A dielectric layer is provided between a first conductive plate and a second conductive plate of the capacitor, and the dielectric layer contains a group-17 element.
    キャパシタの第１の導電板と第２の導電板の間に誘電層を設け、その誘電層は１７族元素を含む。 - 特許庁
  • A second thermal insulation layer 12 formed of a hard urethane material is laminated on the first thermal insulation layer via the adhesive 5.
    第１断熱層の上には接着剤（５）を介して硬質ウレタン材で形成される第２断熱層（１２）が積層されている。 - 特許庁
  • A life-time improving layer 16e has the host material and a second dopant between the first electrode and the light-emitting layer 16c.
    寿命改善層１６ｅは、第一電極と発光層１６ｃの間に、前記ホスト材料及び第二のドーパントを有する。 - 特許庁
  • The second III-V compound semiconductor layer 9 is placed on the first III-V compound semiconductor layer 7.
    第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層９は、第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層７上に設けられている。 - 特許庁
  • The second photocatalyst layer 11b should have crystallinity lower than the crystallinity of the first photocatalyst layer 11a.
    ここで、第２の光触媒層１１ｂは、第１の光触媒層１１ａの結晶度に比べて結晶度の低いものとする。 - 特許庁
  • Short fibers are mixed into the first rubber layer 21, and the second rubber layer 22 is made from rubber not containing short fibers.
    第１ゴム層２１には短繊維が混入される一方、第２ゴム層２２は短繊維を含まないゴムによって形成されている。 - 特許庁
  • The second layer 306 overlies the first layer 304 and is oleophilic and substantially transparent to imaging radiation.
    第２の層３０６は第１の層３０４の上に横たわり且つ親油性で且つイメージング放射線に対し実質上透明である。 - 特許庁
  • This electric wire includes a conductor 10, and a first covering layer and a second covering layer arranged adjacently to each other in the outside of the conductor 10.
    導体10と、導体10の外方に互いに隣接して配される第一被覆層と第二被覆層とを有する電線である。 - 特許庁
  • The window is formed with a third semiconductor layer formed on the second semiconductor layer with a third carrier concentration.
    窓部にはさらに、第２の半導体層の上方に、第３のキャリア濃度で形成された第３の半導体層が設けられている。 - 特許庁
  • On the basis of the first and second dependence relationships, a deposition time for the layer is dynamically determined during deposition of the layer.
    層を堆積させている間、第１および第２の依存関係に基づいて、層の堆積時間が動的に決定される。 - 特許庁
  • The same common potential is input to the first surface layer common electrode 11 and the second surface layer common electrode 23.
    第１の表層共通電極１１と第２の表層共通電極２３には同一の共通電位が入力されている。 - 特許庁
  • A variable resistance layer 15 is formed on a first electrode film 14, and a second electrode 16 is formed on the variable resistance layer 15.
    第１電極膜１４上に可変抵抗層１５を設け、可変抵抗層１５上に第２電極１６が形成する。 - 特許庁
  • The first layer 12 is made of a nickel chrome alloy, and a second layer 11 is made of either of a nickel magnesium alloy, nickel magnesium silicon alloy, nickel magnesium tungsten alloy, and nickel magnesium silicon tungsten alloy.
    またニッケル・クロム合金は熱伝導率が低いためヒーター４３の温度が若干高めになる（約１０００℃）。 - 特許庁
  • The second ferromagnetic layer 23 has a single-layer structure made of CoFe or NiFe or a multilayer structure made of CoFe/NiFe/CoFe.
    第２の強磁性層２３は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。 - 特許庁
  • A first metal layer M1 and a second metal layer M2 are laminated on a substrate of pixels 101 with exposure processing from the bottom.
    画素１０１の基板には、露光処理により第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とが下から積層されている。 - 特許庁
  • For the growth of the second embedded semiconductor layer 37, an atmosphere containing halogen is used unlike the first embedded semiconductor layer 35.
    第２の埋込半導体層３７の成長は、第１の埋込半導体層３５と異なり、ハロゲンを含む雰囲気を用いる。 - 特許庁
  • Its first layer is built by Shoin-zukuri architecture (the shoin style of traditional Japanese residential architecture) in a style of housing and the second layer is built in the style of a Zen temple building of a Buddhist image (Karayo (Chinese style)).
    一層は住宅風の書院造、二層は禅宗様（唐様）の仏殿という構成になっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • By this method, the end surfaces of the first light shielding layer 21 and the second light shielding layer 22 are formed to a staircase shape of a small difference in level.
    この方法により、第１遮光層２１と第２遮光層２２の端面は、段差の小さい階段状に形成される。 - 特許庁
  • Among the pads, the pad which is connected to a first voltage is connected to the first diffusion layer and the second diffusion layer.
    上記パッドのうち第１電圧に接続されるパッドは上記第１拡散層と上記第２拡散層に接続される。 - 特許庁
  • At least one step 12 is formed continuously around the periphery of the second resin layer 11 in the first resin layer.
    第１の樹脂層における第２の樹脂層１１の周縁に連続して少なくとも一つの段差部１２が形成されている。 - 特許庁
  • An inter layer dielectric layer 31, 32 are located on a side of first main surface 13 and side of second main surface 14 of the core substrate 12.
    層間絶縁層３１，３２は、コア基板１２の第１主面１３側及び第２主面１４側に配置されている。 - 特許庁
  • To carry out full-cut and half-cut for a laminating member formed of a first layer and a second layer by a cutter blade and a cutting mechanism used in common.
    第１層と第２層とからなる積層部材を共通のカッタ刃及び切断機構にてフルカット及びハーフカットする。 - 特許庁
  • The inductor of the first layer is connected via a contact 76, passing through the first interlayer insulating film to the inductor of the second layer.
    １層目のインダクタは、第１の層間絶縁膜を貫通するコンタクト７６を介して２層目のインダクタに接続されている。 - 特許庁
  • Subsequently, a second wiring layer 105 being connected electrically with the first conductive layer 108 is formed while being bonded to the exposed surface.
    そして、上記露出面と接合し上記第１導電層と電気的に接続する第２配線層１０５を形成する。 - 特許庁
  • Later, the second fine particle-containing solution is dried to make a second fine particle aggregate layer with a number of polymer particles embedded.
    その後、第２微粒子含有溶液を乾燥して、多数の高分子粒子が埋め込まれた第２微粒子凝集層にする。 - 特許庁
  • The second electrode includes a pad part and a thin line part extending outward from the pad part to above the second contact layer.
    前記第２電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第２コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。 - 特許庁
  • On the top of the second semiconductor layer 22, a plurality of second conductivity type first semiconductor regions 23a, 23b are provided.
    第２半導体層２２における上部に、第２導電型の複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂが設けられる。 - 特許庁
  • The second transparent conductive layer has a resistivity ρ1 in a first direction, which is greater than a resistivity ρ2 in a second direction.
    前記第二透明導電層において、第一方向に沿う抵抗率ρ１は、第二方向に沿う抵抗率ρ２より大きい。 - 特許庁
  • The solar cell includes a first-conductivity silicon substrate 2, a first electrode 7, a second-conductivity diffusion layer 3, and a second electrode 6.
    第１導電型のシリコン基板２と第１電極７と第２導電型拡散層３と第２電極６とを備えている。 - 特許庁
  • After finishing application of the first voltage, a second voltage is applied to make the second liquid crystal layer in H-orientation state.
    第１の電圧の印加が終了した後で、第２の液晶層をＨ配向状態にする第２の電圧を印加する。 - 特許庁
  • To prevent a second insulating film from being abnormally etched in the vicinities of the edges of a second metal wiring layer at the time of a processing using an ion milling in the manufacturing method of a semiconductor device.
    イオンミリングによる加工時に、金属配線のエッジ近傍で絶縁膜が異常にエッチングされることを防止する。 - 特許庁
  • The common electrode layer has a second main slit, and a part near the scan lines of the second main slit has a bend part.
    共通電極層は第２の主スリットを有しており、第２の主スリットの走査線に近い部分は屈曲部を有している。 - 特許庁
  • The second conductor layer 12b is formed of the active metal, and is formed on an end part of the through hole 11h on a second surface 11b side.
    第２の導体層１２ｂは、活性金属からなり、スルーホール１１ｈの第２の面１１ｂ側の端部に形成されている。 - 特許庁
  • The MEMS sensor includes: a first substrate 1; the second substrate 2; and an insulating layer 3 interposed between the first substrate 1 and the second substrate 2.
    第１の基板１と、第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２の間に介在する絶縁層３と、を有する。 - 特許庁
  • The second metal layer 1b is based on a second metal showing a smaller ionization tendency than that of the first metal.
    第２の金属層１ｂは、第１の金属のイオン化傾向よりも小さいイオン化傾向を示す第２の金属を主成分とする。 - 特許庁
  • However, the shear force does not transmit and does not fracture the second plastic film 11 since the second adhesive layer 10 is broken.
    しかし、第二の接着剤層１０が破壊されるため、第二のプラスチックフィルム１１にはせん断力が伝わらず破断しない。 - 特許庁
  • The substrate layer contains a first region with a first set of substrate properties and a second region with a second set of substrate properties.
    基板層は、第1の基板特性群を有する第1領域と、第２の基板特性群を有する第２領域とを包含する。 - 特許庁
  • A second face 36 opposite to the first face 34 of the second adhesive layer 32 adheres to the frame 24 and the optical sheet 20.
    第２粘着層３２の第１面３４とは反対の第２面３６は、フレーム２４及び光学シート２０に粘着している。 - 特許庁
  • The diffusion resistance layer 400 is a second conductivity type, and is located adjacently to any of the plurality of second diffusion layers 300.
    拡散抵抗層４００は、第２導電型であり、複数の第２の拡散層３００のいずれかの隣に位置している。 - 特許庁
  • In the second film 16 or in the second adhesive layer 17, transmittance of visible light is 50% or more, and 80% or less.
    第２のフィルム１６または第２の粘着剤層１７において、可視光の透過率を５０％以上８０％以下とした。 - 特許庁
  • Finally, a second metal interconnection 7 is formed on the second P-TEOS film 6 to complete a multi-layer interconnection structure body.
    最後に第２のＰ−ＴＥＯＳ膜６上に第２の金属配線７を形成して、多層配線構造体が完成する。 - 特許庁
  • The patterned dielectric layer has second recesses and a second through hole that exposes a portion of the active device.
    パターンニングした誘電体層は第二凹部と第二貫通孔を備え、前記第二貫通孔は能動素子の一部を露出させる。 - 特許庁
  • A second retardation plate 5 is also a 1/4 wavelength plate and is arranged between the second polarizing plate 6 and the compensation layer 4.
    第２位相差板５も１／４波長板であり、背面側の第２偏光板６と補償層４との間に配置される。 - 特許庁
  • Subsequently, ion injection is performed by a second acceleration voltage higher than the first acceleration voltage, thereby to form a second ion layer 320.
    続いて第１の加速電圧より高い第２の加速電圧でイオン注入を行い第２イオン層３２０を形成する。 - 特許庁
  • An organic EL device comprises a substrate, a first insulation film, a second insulation film, a first electrode, a second electrode, and a light-emitting layer.
    有機ＥＬ装置は、基板と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第１電極と、第２電極と、発光層とを備える。 - 特許庁
  • Subsequently, a light emitting layer and a second electrode are formed in this order, and the auxiliary wiring 16 and the second electrode are electrically connected to each other.
    そののち、発光層および第２電極を順に形成し、補助配線１６と第２電極とを電気的に接続する。 - 特許庁
  • Preferably, a second secondary electron emitting layer ion-exchanged with ions of the second electron emitting materials is formed under the substrate surface.
    好ましくは、基板表面下に二次電子放出物質のイオンでイオン交換された第２二次電子放出層が形成される。 - 特許庁
  • The ceramic layer 8A is provided with second bulkheads 8a, 8b forming a plurality of second spaces 9A separated from each other.
    セラミック層８Ａが、複数の互いに分離された第二の空間９Ａを形成する第二の隔壁８ａ、８ｂを備えている。 - 特許庁
  • The method also includes performing a second implant process to implant additional dopant of the second type in the silicon layer.
    本方法はまた、第２の注入工程を実施して第２の種類の追加のドーパントをシリコン層内に注入することを含む。 - 特許庁
  • Schottky junctions are formed between the second main electrode and the first semiconductor layer on the side surfaces of the second trench.
    第２のトレンチの側壁において、第２の主電極と、第１の半導体層と、によるショットキー接合が形成されている。 - 特許庁
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