「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 88 89 90 91 92 93 94 95 96 .... 429 430 次へ＞- In an IEGT 1 having a dummy cell region DC, a narrow second emitter layer 32 is selectively formed on the surface layer of a dummy base layer 18, and the base layer 18 is connected to an emitter electrode 28 through this second emitter layer 32 and a via contact 30, and the resistance value of a floating resistor 34 is adjusted by shapes of the second emitter layer 32 and the via contact 30.
ダミーセル領域ＤＣを有するＩＥＧＴ１において、ダミーのベース層１８の表面層に狭小な第２のエミッタ層３２を選択的に形成し、この第２のエミッタ層３２とビアコンタクト３０を介してベース層１８をエミッタ電極２８に接続し、かつ、第２のエミッタ層３２とビアコンタクト３０の形状でフローティング抵抗３４の抵抗値を調整する。 - 特許庁 - The flexible printed wiring board relating to the present invention has: a bendable first insulating layer; first conductor wiring which is stacked on one face or both faces of the first insulating layer; a second insulating layer which is stacked on the first insulating layer, covers the first conductor wiring, and is formed of a single layer; and second conductor wiring which is stacked on the second insulating layer.
本発明に係るフレキシブルプリント配線板は、屈曲可能な第一の絶縁層と、この第一の絶縁層の片面上又は両面上に積層され第一の導体配線と、前記第一の絶縁層に積層され前記第一の導体配線を覆う、単一の層からなる第二の絶縁層と、この第二の絶縁層上に積層されている第二の導体配線とを備える。 - 特許庁 - The memory cell MC has a triple well structure of: a first conductive type upper layer well PWEL formed on a second conductive type depth layer well DNWL; a second conductive type annular upper layer well NWEL1 surrounding it; and a first conductive type upper layer well and uppermost layer impurity regions (P, N) formed on the second conductive type annular upper layer well.
メモリセルＭＣは、第２導電型の深層ウェルＤＮＷＬ上に形成された第１導電型の表層ウェルＰＷＥＬ及びそれを囲む第２導電型の環状表層ウェルＮＷＥＬ１と、第１導電型の表層ウェル及び第２導電型の環状表層ウェルに形成された最表層不純物領域（Ｐ，Ｎ）とのトリプルウェル構造を有する。 - 特許庁 - In the back sheet 5, a first rubber layer 7 and a second rubber layer 8 are laminated, and a surface of the second rubber layer 8 opposite to an interface 9 with the first rubber layer 7 is a sticking surface 8a to a rear surface of the solar cell, and the first rubber layer 7 is made of fluororubber, and the second rubber layer 8 is made of acrylic rubber.
本実施形態におけるバックシート５は、第１のゴム層７と第２のゴム層８とが積層され、前記第２のゴム層８の前記第１のゴム層７との界面９と反対面が、太陽電池裏面への貼着面８ａであり、前記第１のゴム層７がフッ素ゴムで形成され、前記第２のゴム層８がアクリルゴムで形成されることを特徴とするものである。 - 特許庁 - The photoelectric conversion device comprises a first electrode, second electrode located opposite to the first electrode, electron transfer layer (substrate) 40 located between the first and second electrodes, photoelectric conversion layer D in contact with the electron transfer layer 40, and hole transfer layer which is located between the electron transfer layer 40 and the second electrode and is in contact with the photoelectric conversion layer D.
本発明の光電変換素子は、第１の電極と、第１の電極と対向して設置された第２の電極と、これらの間に位置する電子輸送層（基体）４０と、電子輸送層４０と接触する光電変換層Ｄと、電子輸送層４０と第２の電極との間に位置し、光電変換層Ｄに接触する正孔輸送層とを有している。 - 特許庁 - Preferably the optical retardation plate is characterized by containing a first layer 16 consisting of the material with the positive intrinsic birefringence value and a second layer 18 consisting of the material with the negative intrinsic birefringence value, by making the first layer 16 and the second layer 18 be birefringent and by making the first layer 16 and the second layer 18 be laminated with their slow axes perpendicular to each other.
好ましくは、固有複屈折値が正の材料からなる第一の層１６と、固有複屈折値が負の材料からなる第二の層１８とを有し、前記第一の層１６及び前記第二の層１８は複屈折を有し、且つ前記第一の層１６及び前記第二の層１８の遅相軸を互いに直交させて積層してなることを特徴とする位相差板である。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a first wiring layer having first wiring, a second wiring layer having second wiring formed on the first wiring layer via a first insulating layer, and minute projections whose circumscribed circles having a diameter not larger than 40 nm as seen in a plan view or in a cross-sectional view on the second wiring layer or on the upper layer thereof.
本発明の半導体装置は、第１配線を有する第１配線層と、第１配線層上に第１絶縁層を介して形成された第２配線を有する第２配線層とを備え、平面的又は断面的に見たときの外接円の直径が４０ｎｍ以下である微小突起を第２配線層又はその上層に備えることを特徴とする。 - 特許庁 - In an OCB mode liquid crystal display device, a height of a first pedestal including a light shielding layer, a first color filter layer and an overcoat layer directly formed on a first columnar spacer is substantially the same as a height of a second pedestal including the light shielding layer, a second color filter layer and the overcoat layer directly formed on a second columnar spacer.
ＯＣＢモードの液晶表示装置であって、遮光層、第１カラーフィルタ層、及び、オーバーコート層を含み、第１柱状スペーサの直上に形成された第１台座の高さと、遮光層、第２カラーフィルタ層、及び、オーバーコート層を含み、第２柱状スペーサの直上に形成された第２台座の高さとは略同等であることを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁 - The catalyst is manufactured by laminating on a carrier three layers of the first layer which is formed as the lowest layer, does not contain the noble metal substantially but contains a first refractory inorganic oxide, the second layer which is formed on the first layer and contains a first noble metal and a rare-earth metal oxide and the third layer which is formed on the second layer and contains a second noble metal.
担体に積層した触媒であって、最下層に実質的に貴金属を含まない第１の耐火性無機酸化物を含有する第一層、該第一層の上層に第１の貴金属及び希土類酸化物を含む第二層、さらに該第二層の上層に第２の貴金属を含む第三層を有することを特徴とする排気ガス浄化用触媒及びその製造方法。 - 特許庁 - The electroluminescent display device includes a substrate having a display area which has a first electrode layer, a second electrode layer, and an electroluminescent part arranged between the first electrode layer and the second electrode layer; a sealing member for sealing at least the display area; and a cut-off layer superposed with at least the display area between the sealing member and the second electrode layer.
第１電極層、第２電極層、及びそれらの間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域が形成された基板と、少なくとも前記ディスプレイ領域を密封する密封部材と、密封部材と第２電極層との間に、少なくとも前記ディスプレイ領域と重畳される遮断層と、を備えることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。 - 特許庁 - The multilayer tube comprises: the first layer containing a first melt-processible thermoplastic resin such as a polyamide, thermoplastic elastomer, and a mixture of them; the second layer formed with a second-processible thermoplastic resin which is chemically different from the first melt-processible thermoplastic resin which is used in the first layer; and an intermediate layer located between the first layer and the second layer.
ポリアミド、熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物のような第１の溶融加工可能な熱可塑性樹脂を含有する第１の層と、第１の層で使用される溶融加工可能な熱可塑性樹脂と化学的に異なる第２の溶融加工可能な熱可塑性樹脂で形成された第２の層と、第１の層と第２の層との間に配置される中間層とを有している。 - 特許庁 - In irradiation of a flash lamp for flash lamp annealing after implantation of ions into a second conductivity-type separation layer and a second conductivity-type collector layer to form the second conductivity-type collector layer and the second conductivity-type separation layer, the strongest portion of radiation energy is focused on a depth position from the upper portion to the central portion of a tapered side edge surface.
第２導電型コレクタ層と第２導電型分離層を形成するために、前記第２導電型分離層と第２導電型コレクタ層へイオン注入後、フラッシュランプアニールのためのフラッシュランプの照射の際に、前記テーパー状の側辺面の上部から中央部にかけての深さ位置に照射エネルギーの最強部を合わせる。 - 特許庁 - This organic light emitting diode includes a first transparent positive electrode and a second transparent positive electrode, a first organic light emitting layer and a second organic light emitting layer formed between the first transparent positive electrode and the second transparent positive electrode, and a first electrode formed between the first organic light emitting layer and the second organic light emitting layer.
本願発明は、第一透明陽極および第二透明陽極と、第一透明陽極と第二透明陽極との間に形成される第一有機発光層および第二有機発光層と第一有機発光層と第二有機発光層との間に形成される第一電極とを含むことを特徴とする有機発光ダイオードとした。 - 特許庁 - The integrated filter includes: a substrate; a first electrode positioned in a predetermined first area on an upper surface of the substrate; a first piezoelectric layer positioned on the first electrode; a second electrode positioned on the first piezoelectric layer; a second piezoelectric layer positioned in a predetermined second area on the upper surface of the substrate; and an inter-digital transducer (IDT) electrode positioned on the second piezoelectric layer.
本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。 - 特許庁 - The substrate 11 also comprises: on the other surface, a second electrode 15a as well as a second terminal 15d; second wiring 15b and 15c connecting the second electrode 15a and the second terminal 15d; a second insulation protection membrane 16 covering the second electrode 15a; and a second corrosion layer 17 arranged on the second insulation protection membrane 16.
また、基板１１の他方の面上には、第２の電極１５ａ及び第２の端子１５ｄと、第２の電極１５ａと第２の端子１５ｄとの間を接続する第２の配線１５ｂ，１５ｃと、第２の電極１５ａを覆う第２の絶縁保護膜１６と、第２の絶縁保護膜１６上に配置された第２の腐食層１７とを有する。 - 特許庁 - In the packing material for lithium ion batteries comprising at least a sealant layer 1, an adhesive layer 2, an aluminum foil layer 3, an adhesive layer 4, and a base material layer 10 stacked, in this order, the base material layer 10 comprises a first base material layer 6, a thermoplastic adhesive resin layer 7, and a second base material layer 8; and the base material layer is formed by coextrusion of the three layers.
少なくともシーラント層１、接着層２、アルミニウム箔層３、接着層４、基材層１０をこの順で積層したリチウムイオン電池用包装材において、該基材層１０が、第一の基材層６、熱可塑性接着樹脂層７および第二の基材層８からなり、該基材層が３層の共押出しで形成されていることを特徴とするリチウムイオン電池用包装材。 - 特許庁 - Wiring 30 is formed so that it passes an area on the second resin layer 22 at the upper portion of the passivation film 16 from an area on the electrode 14 and reaches an area on the second resin layer 22 at the upper portion of the first resin layer 20.
電極１４上から、パッシベーション膜１６の上方であって第２の樹脂層２２上を通って、第１の樹脂層２０の上方であって第２の樹脂層２２上に至るように配線３０を形成する。 - 特許庁 - First, a first recording layer is recognized as a recording area for user data, a second recording layer is recognized as a recording area for backup data, and during disk formatting, copy setting is applied to the second recording layer (step S21).
まず、第１の記録層をユーザデータの記録領域として、第２の記録層をバックアップデータの記録領域として認識し、ディスクのフォーマットの際に、第２の記録層へＣｏｐｙ設定がなされる（ステップＳ２１）。 - 特許庁 - A second fixed magnetic layer 4c is constituted, by sequentially laminating a first magnetic layer 4c1 formed of CoFeB or FeB and a second magnetic layer 4c2 formed of CoFe or Fe, in this order starting from the bottom.
第２固定磁性層４ｃは、下からＣｏＦｅＢあるいはＦｅＢで形成された第１磁性層４ｃ１、及びＣｏＦｅあるいはＦｅで形成された第２磁性層４ｃ２の順に積層されてなる。 - 特許庁 - Then, a first N+-type embedded layer 31 is formed between the substrate 22 and the first epitaxial layer 23, and a second N--type buried layer 33 is formed between the first and second epitaxial layers 23 and 24.
そして、基板２２と第１のエピタキシャル層２３との間に第１のＮ＋型の埋め込み層３１を形成し、第１および第２のエピタキシャル層２３、２４との間にＮ−型の第２の埋め込み層３３形成している。 - 特許庁 - The gate electrodes (139,140) of the peripheral circuit transistor consists of a laminated layer, laminated with the first gate electrode and a first conductive film of the same layer, and the second gate electrode and a second conductive film of the same layer.
前記周辺回路トランジスタのゲート電極（１３９，１４０)は、前記第１ゲート電極と同層の第１導電膜と、前記第２ゲート電極と同層の第２導電膜とを積層した積層膜で構成される。 - 特許庁 - The second conductive layer to function as the gate electrode G is divided by each pixel, and each divided second conductive layer is electrically connected to the first conductive layer used for the gate line in each pixel.
ゲート電極Ｇになる第二の導電層は各画素毎に分断されており、分断された個々の第二の導電層の部分は各画素内でゲート配線に使用される第一の導電層と電気的に接続されている。 - 特許庁 - On both sides of the second semiconductor layer 13, oxidized regions 13a which are oxidized portions of the second semiconductor layer 13 are formed with a spacing between them in the direction parallel to the plane of the light emitting layer 12.
第２半導体層１３における両側部には、発光層１２が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおいた酸化領域１３ａが、該第２半導体層１３自体が酸化されて形成されている。 - 特許庁 - The color filter layer 12 contains the first color layer having the plural first color filter parts and the second color layer having the second color filter parts.
カラーフィルタ層は、複数の第１の色フィルタ部を有する第１の色層と、第２の色フィルタ部を有する第２の色層とを含んでおり、第１の色フィルタ部と第２の色フィルタ部とは互いに重なる積層色フィルタ部を形成する。 - 特許庁 - A second layer sheet 52 is laminated and formed on an upper surface of a first layer sheet 51, and a third sheet 53 having a lower frame and a fourth sheet having an upper frame are laminated and formed on the second layer sheet 52 in said order.
第１層シート５１上面には第２層シート５２が積層形成され、第２層シート５２上に下枠体を有する第３シート５３、上枠体を有する第４シートの順で積層形成される。 - 特許庁 - Light of high luminous efficiency, emitted from the first active layer 12, is absorbed by the second active layer 13 and light excitation is caused to emit light again by the second active layer 13 with high efficiency.
しかしながら、第１活性層１２から放射された発光効率の高い光が第２活性層１３で吸収され、光励起が生じることにより、第２活性層１３で光が高効率で再発光される。 - 特許庁 - To provide a resin multilayer substrate such that sufficient adhesion between a first resin layer and a second resin layer is secured and the thickness of the second resin layer is made thin, and a method of manufacturing the resin multilayer substrate.
本発明は、第１樹脂層と第２樹脂層との密着性を十分に確保し、第２樹脂層の厚みを薄くすることが可能な樹脂多層基板及び該樹脂多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The region 200 for testing accuracy of landing is placed in a region other than the pixel region 100 and contains a second light shielding layer 122 and a layer 26 for testing accuracy of landing disposed so as to cover at least the second light shielding layer 122.
着弾精度試験用領域２００は、画素領域２０以外に位置し、第２の遮光層１２２と、少なくとも第２の遮光層１２２を覆うように設けられる着弾精度試験用層２６とを含む。 - 特許庁 - A core material comprising a first core material and a second core material is used to form a thick layer part comprising the first core material and second core material, and a thin layer part comprising the first core material and thinner in thickness than the thick layer part.
第１の芯材と第２の芯材とを含む芯材を用いて、第１の芯材と第２の芯材とを含む厚層部と、第１の芯材を含みかつ厚層部よりも厚さが薄い薄層部とを形成する。 - 特許庁 - When attaching the article to the attaching object, the second adhesive layer 22 is separated from the separate agent layer 24 by spreading the base material 18, and sticking the adhesive face 22a of the second adhesive layer 22 to the attaching object.
物品を取付対象物に取り付ける際は、基材１８を広げて剥離剤層２４から第２接着剤層２２を剥離し、第２接着剤層２２の接着面２２ａを取付対象物に接着する。 - 特許庁 - The fixed magnetization layer group 40 has a first fixed magnetization layer group 40a magnetically coupled to the first fixed magnetization region 11a and a second fixed magnetization layer group 40b magnetically coupled to the second fixed magnetization region 11b.
磁化固定層群４０は、第１磁化固定領域１１ａと磁気的に結合した第１磁化固定層群４０ａと、第２磁化固定領域１１ｂと磁気的に結合した第２磁化固定層群４０ｂとを備える。 - 特許庁 - Furthermore, when the first semiconductor layer 11 is selectively etched with nitrohydrofluoric acid in this state, a cavity is formed under the second semiconductor layer 12, in a form with the second semiconductor layer 12 hung downward from the support medium 41.
そして、この状態で第１半導体層１１をフッ硝酸で選択的にエッチングすると、支持体４１に第２半導体層１２がぶらさがった形で第２半導体層１２下に空洞部が形成される。 - 特許庁 - The thin film device 100 includes a base electrode 2 made of metal, a first dielectric layer 4, a first inner electrode 10, a second dielectric layer 6, a second inner electrode 12, and a third dielectric layer 8.
薄膜デバイス１００は、金属からなる下地電極２と、第１の誘電体層４、第１の内部電極１０、第２の誘電体層６、第２の内部電極１２、第３の誘電体層８と、を備える。 - 特許庁 - Since a semiconductor photo absorption layer 3 is formed on the second semiconductor layer 2d, it succeeds the crystallinity of the second semiconductor layer 2d, the crystallinity is improved and quantum efficiency is enhanced.
半導体光吸収層３は第２半導体層２ｄ上に設けられるので、第２半導体層２ｄの結晶性を継承することにより、結晶性が改善され、量子効率が増加することとなる。 - 特許庁 - The fourth semiconductor layer 4 is selectively provided on a surface of the third semiconductor layer 3 and has a higher concentration of a second-conductivity-type impurity than that of the second conductivity-type impurity of the third semiconductor layer 3.
第４の半導体層４は、第３の半導体層３の表面に選択的に設けられ、第３の半導体層３の第２導電形不純物の濃度よりも高い第２導電形不純物の濃度を有する。 - 特許庁 - The channel region 110 comprises a first semiconductor layer 103b doped with impurities of a second conductivity which is different from the first conductivity and a second semiconductor layer 104b located between the first semiconductor layer 103b and the gate insulating film 106.
チャネル領域110は、第１導電型とは異なる第２導電型の不純物がドープされた第１半導体層103b、および、第１半導体層103bおよびゲート絶縁膜106との間に位置する第２半導体層104bを含む。 - 特許庁 - The bottom of the resistance element layer 13 is covered uniformly with a first conductive layer 15 biased by the potential on the first electrode 11 and a second conductive layer 16 biased by the potential on the second electrode 12.
第１の電極１１の電位によってバイアスされた第１の導電層１５と、第２の電極１２の電位によってバイアスされた第２の導電層１６とで、抵抗素子層１３の下部が均等に覆われている。 - 特許庁 - In addition, a second insulating resin layer for covering the semiconductor device is formed on the board where the semiconductor device is electrically connected to heat the second insulating resin layer, and at the same time the first insulating resin layer is cured.
さらに、半導体装置が電気的接続された基板に半導体装置を覆う第２の絶縁樹脂層を形成し、第２の絶縁樹脂層を加熱するとともに第１の絶縁樹脂層を硬化させる。 - 特許庁 - A preferred example relates to an optical fiber having a first coating layer 2 and a second coating layer 3 and the heterogeneous region 4 defines two or more colored stripes in or on the second coating layer 3.
ある特定の好ましい実施例は、第一被覆層２と第二被覆層３を有する光ファイバに関し、ここで不均質領域４は第二被覆層中あるいは上の一又は二以上の着色された縞を規定する。 - 特許庁 - The generation of a main crack such that the second coating layer 10 is exfoliated is suppressed, and the coated states of the second coating layer 10 and the first coating layer 8 can be maintained by the presence of the cracks between the crystal grains.
この結晶粒子間クラックの存在により、第２の被覆層１０が剥離するような大きな主クラックの発生が抑制され、第２の被覆層１０及び第１の被覆層８の被覆状態が維持される。 - 特許庁 - A shield layer SHL made of a conductive material is provided between a first conductive layer 11a of the first gain cell whose potential is varied, based on driving signals and a second conductive layer 8b (and 7b, 3b) of the second gain cell which serves as its storage node.
駆動信号に基づいて電位変動する第１導電層１１ａと、記憶ノードとなる第２導電層８ｂ（および７ｂ，３ｂ）との間に、導電材料からなるシールド層ＳＨＬが配置されている。 - 特許庁 - At least first and second lower clad layers 103 and 133, a quantum well active layer 105 consisting of a well layer and a barrier layer, and first and second clad layers 107 and 109 are formed sequentially on a GaAs substrate 101.
ＧａＡｓ基板１０１上に、少なくとも、第一および第二下クラッド層１０３，１３３、井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層１０５、第一および第二上クラッド層１０７，１０９を積層する。 - 特許庁 - To avoid a resistance value failure (the occurrence of a short circuit) by a short-circuit between first and second layer driving coils that is caused by a pin hole that occurs when an insulating layer is formed that is provided between the first and second layer driving coils.
第１層目駆動コイルと第２層目駆動コイルとの間にある絶縁層部形成時に発生するピンホールによる第１、２層目駆動コイル間のショートによる抵抗値不良（短絡発生）を回避する。 - 特許庁 - The light ray is scattered by the plurality of the protrusions, transmitted through the transparent substrate and the first transparent layer, is incident to the second transparent layer, is scattered by the particles in the second transparent layer, and is emitted from the back light device.
光線は、複数の凸部により散乱して、透明基板と第１透明層とを透過して、第２透明層内に入射し、第２透明層内の粒子により散乱して、バックライト装置から出射する。 - 特許庁 - A trench 31 is formed through a second semiconductor layer 12 and a first semiconductor layer 11 to expose a semiconductor substrate 1, and a support 41 for supporting the second semiconductor layer 12 is formed in the trench 31.
第２半導体層１２及び第１半導体層１１を貫通して半導体基板１を露出させる溝３１を形成し、第２半導体層１２を支持する支持体４１を溝３１内に形成する。 - 特許庁 - The nitride semiconductor crystal has a first layer made of a nitride semiconductor of first kind and a second layer laminated on the first layer and made of a nitride semiconductor of second kind.
前記窒化物半導体結晶は、第１種類の窒化物半導体で構成された第１層と、前記第１層の上方に積層されているとともに第２種類の窒化物半導体で構成された第２層を備えている。 - 特許庁 - A first polymer or first polymer composition layer is formed by coating on a substrate and a second polymer or second polymer composition layer is formed by coating on the first polymer or first polymer composition layer.
基板上に第１のポリマー或いは第１のポリマー組成物層を塗布形成し、該第１のポリマー或いは第１のポリマー組成物層の上に第２のポリマー或いは第２のポリマー組成物層を塗布形成する。 - 特許庁 - The semiconductor crystal is provided with a first layer constituted of a first kind of a nitride semiconductor and a second layer, laminated on the first layer and constituted of a second kind of a nitride semiconductor.
窒化物半導体結晶は、第１種類の窒化物半導体で構成された第１層と、第１層の上方に積層されているとともに第２種類の窒化物半導体で構成された第２層を備えている。 - 特許庁 - Thereafter, an oxide layer 28 and a second polysilicon layer 30 are deposited on the resulting structure to fill the trench 26 and the surface is planarized in flush with the second polysilicon layer 30 in the trench 26.
次に、得られた構造体に酸化物層２８および第２のポリシリコン層３０を堆積してトレンチ２６を埋めてトレンチ２６内に位置する第２のポリシリコン層３０の部分の高さの上側まで平坦化する。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element includes semiconductor layers of first conduction type and second conduction type and an active layer between them, as well as a first electrode layer and second electrode portion electrically connected to each semiconductor layer.
本発明の半導体発光素子は第１導電型及び第２導電型半導体層とその間の活性層を含み、各半導体層を電気的に連結させる第１電極層及び第２電極部を含む。 - 特許庁
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