「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 87 88 89 90 91 92 93 94 95 .... 429 430 次へ＞- The optical recording medium 10 comprises a supporting substrate 11, a light transmission layer 12, a first dielectric layer 3 arranged between the light transmission layer 12 and the supporting substrate 11, a noble metal nitride layer 23, a second dielectric layer 32, a light absorption layer 22, a third dielectric layer 33, and a reflective layer 21.
本発明の光記録媒体１０は、支持基板１１と、光透過層１２と、光透過層１２と支持基板１１との間に配置された第１の誘電体層３１、貴金属窒化物層２３、第２の誘電体層３２、光吸収層２２、第３の誘電体層３３及び反射層２１とを備える。 - 特許庁 - A second substrate layer 6 having thermal deformation temp. higher than that of the first substrate layer 4 is formed on the rear surface of the first substrate layer 4 through a self-adhesive layer 5 and a surface layer 1 containing photocatalyst particles is formed on the surface of the first substrate layer 4 through a primer layer 3 and an intermediate layer 2 and shows hydrophilicity corresponding to light excitation.
第１の基体層と第２の基体層を有する多層フィルムであって、前記第１の基体層の表面には、光触媒粒子を含有する表面層を備えてなり、該表面が前記光触媒の光励起に応じて親水性を呈することを特徴とする光触媒性親水性フィルム - 特許庁 - In the optical information recording medium 10a, a first thin film layer 40a including a recording film 42a, a second thin film layer 60a including a first resin layer 50a and a recording film 62a, and a second resin layer 70a are included in turn on a board 20a.
光情報記録媒体１０ａは、基板２０ａ上に、記録膜４２ａを含む第１薄膜層４０ａ、第１樹脂層５０ａ、記録膜６２ａを含む第２薄膜層６０ａ、第２樹脂層７０ａを順に備えている。 - 特許庁 - After a metallic junction layer 31' is formed on the second principal surface of the compound semiconductor layer 50 from which the substrate 1 is removed, an element substrate 7 is stuck to the second principal surface of the compound semiconductor layer 50 through a metallic layer 10.
成長用基板１が除去された化合物半導体層５０の第二主表面に接合金属層３１’を形成した後、該化合物半導体層５０の第二主表面に金属層１０を介して素子基板７を貼り合せる。 - 特許庁 - As a result of this structure of the Bragg reflection region, a first diffraction grating 23 is formed in the boundary between the first clad layer and the optical waveguide layer and a second diffraction grating 29 is formed in the boundary between the second clad layer and the optical waveguide layer in the Bragg reflection region.
これによって、ブラッグ反射領域では、第１クラッド層と光導波路層との間の境界に第１回析格子２３、及び第２クラッド層と光導波路層との間の境界に第２回析格子２９が、それぞれ設けられている。 - 特許庁 - On a recording medium M that has light transmission properties, two or more projections that have a given shape are formed on a surface to touch a second image layer of an intermediate layer formed between a first image layer 1stIMG that expresses front and rear images and the second image layer 2ndIMG.
光透過性を有する記録媒体Mにおいて、表裏画像を表現する第１画像層1stIMGと第２画像層2ndIMGとの間に形成された中間層の第２画像層と接する面に所定の形状を有する複数の凸部を形成する。 - 特許庁 - The first intermediate conductive layer 541 is conducted to the first switching element Q1 through a conductive hole HB1 of a first insulating layer L1, and the second intermediate conductive layer 542 is conducted to the second switching element Q2 through a conductive hole HB2 of the first insulating layer L1.
第１中間導電層５４１は、第１絶縁層Ｌ1の導通孔ＨB1を介して第１スイッチング素子Ｑ1に導通し、第２中間導電層５４２は、第１絶縁層Ｌ2の導通孔ＨB2を介して第２スイッチング素子Ｑ2に導通する。 - 特許庁 - When an electromagnetic wave having a frequency close to the low-frequency end (a long-wavelength end) of the photonic band gap of the first layer 10 is made incident, the electromagnetic wave can not be transmitted from the third layer 30 to the second layer 20 and is, namely, reflected, so that the electromagnetic wave is not projected from the second layer.
第１の層１０のフォトニックバンドギャップの低周波数端（長波長端）近くの周波数の電磁波を入射すると、第３の層３０から第２の層２０には透過できず、即ち反射され、第２の層から出射されない。 - 特許庁 - A plurality of pixels on a substrate 31 have first electrodes 41, a first organic light-emitting layer 431, a second organic light-emitting layer 433, a third organic light-emitting layer 435, a fourth organic light-emitting layer 437 and second electrodes 45, respectively.
基板３１上にある複数の画素が、それぞれ第１の電極４１、第１の有機発光層４３１、第２の有機発光層４３３、第３の有機発光層４３５、第４の有機発光層４３７及び第２の電極４５を備える。 - 特許庁 - Then, the second adhesive layer 32 with a weaker adhesive force to the metal than the first adhesive layer 31 but with a stronger adhesive force with the rubber is formed on the surface of the first adhesive layer 31 (the second adhesive layer forming process).
次に、第１の接着剤層３１の表面に、この第１の接着剤層３１より金属に対する接着力は弱いが、ゴムとの接着力の強い第２の接着剤層３２を形成する（第２の接着剤層形成工程）。 - 特許庁 - The sensor has a second silicon nitride layer having the thickness of about 2 to 5 nm on a rear edge of the sensor and on the region of the bottom shielding layer adjacent to the rear edge of the sensor and a metal oxide layer being substantially thicker on the second silicon nitride layer.
センサは、センサの後縁上で、およびセンサ後縁に隣接する下遮蔽層の領域上で、約２〜５ｎｍの厚さを有する第２の窒化ケイ素層と、第２の窒化ケイ素層上の実質的により厚い金属酸化物層とを有する。 - 特許庁 - Information displayed on an object on a first layer in an image 11 comprising a first layer L1 and a second layer L2 is formed at an object position on the second layer L2 as dot information or image information.
第１レイヤーＬ１，第２レイヤーＬ２からなる画像１１中の、第１レイヤー上のオブジェクトにかかる情報が、第２レイヤーＬ２上の前記オブジェクト位置にドット情報またはドット情報または画情報として形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - The first resin layer 21 and the second resin layer 22 are constituted by a resin material 2 having the same or different composition, the thickness of the first resin layer 21 is smaller than that of the second resin layer 22, and the entire thickness T0 of the prepreg 10 is 40 μm or less.
第１樹脂層２１と第２樹脂層２２とは組成が同一または異なる樹脂材料２で構成され、第１樹脂層２１の厚さは、第２樹脂層２２の厚さより厚く、プリプレグ１０全体の厚さＴ０は４０μｍ以下である。 - 特許庁 - The multilayered section is also equipped with an injection section 150 injecting water 151 to moisturize the soft cells layered on the first layer, and forms the second layer on the first layer by layering the second layer while moistening the soft cells with water.
積層部はさらに、第１の層の上に積層する柔細胞を湿らせる水１５１を噴射する噴射部１５０を備え、第２の層を、第１の層の上に、柔細胞を水によって湿らせながら積層することによって形成する。 - 特許庁 - To provide a composition for polishing a substrate that includes a first metal layer and a second layer, in which the flattening effect, uniformity and removal speed of the first metal layer are maximized, and the flattening of the second layer is minimized.
第１の金属層の平坦化効果、均一性及び除去速度を最大化し、且つ第２の層の平坦化を最少化する最少化する様式で、第１の金属層及び第２の層を有する基体を研磨する組成物を提供する。 - 特許庁 - A first conductive semiconductor layer 1 and a second conductive semiconductor layer 2 are laminated, and at least one of the first conductive semiconductor layer 1, and the second conductive semiconductor layer 2 has a refractive index distribution structure.
第１導電型の半導体層１と第２導電型の半導体層２とが積層され、前記第１導電型の半導体層１および前記第２導電型の半導体層２の少なくとも一方の半導体層が屈折率分布構造を有する。 - 特許庁 - The electrolyte 13 is formed by laminating a first layer 1 and a second layer 2 each containing a complex of a polymer compound and electrolytic salt, and the first layer 1 is located at the negative electrode 11 side and the second layer 2 is located at the positive electrode 12 side.
電解質１３は、高分子化合物と電解質塩との複合体をそれぞれ含む第１層１と第２層２とを積層して有しており、第１層１が負極１２側に位置し、第２層２が正極１２側に位置している。 - 特許庁 - A second layer B including a thermoplastic resin is formed on one surface of a first layer A including the thermoplastic resin, and a void content of the second layer B is characteristically made larger than that of the first layer A.
熱可塑性樹脂を含有する第１層（Ａ）の片面に、熱可塑性樹脂を含有する第２層（Ｂ）が形成されており、前記第１層（Ａ）の空孔率よりも前記第２層（Ｂ）の空孔率が大きいことを特徴とする偽造防止用フィルム。 - 特許庁 - The buried oxide layer and the semiconductor layer are removed from a first region of the SeOI wafer while maintaining the buried oxide layer and the semiconductor layer in a second region of the SeOI wafer to form an upper transistor in the second region.
ＳｅＯＩウェーハの第２の領域の埋め込み酸化物層および半導体層を維持しながらＳｅＯＩウェーハの第１の領域から埋め込み酸化物層および半導体層を除去し、第２の領域に上部トランジスタを形成する。 - 特許庁 - The first fuel electrode layer 14a and the second fuel electrode layer 15a are opposed to each other with the fuel space 12 interposed, and the first oxidant electrode layer 13b and the second oxidant electrode layer 15b are opposed to each other with the oxidant space 13 interposed.
第１燃料極層１４ａと第２燃料極層１５ａとは燃料空間１２を挟んで対向しており、第１酸化剤極層１３ｂと第２酸化剤極層１５ｂとは酸化剤空間１３を挟んで対向している。 - 特許庁 - On a substrate 11, a first p-type semiconductor layer 12 having a high dopant concentration, a second p-type semiconductor layer 13 having a low dopant concentration, and an n-type semiconductor layer 14 having a concentration higher than that of the second p-type semiconductor layer 13 are formed in order.
基板１１上には、高不純物濃度の第１のｐ型半導体層１２と、低不純物濃度の第２のｐ型半導体層１３と、第２のｐ型半導体層１３よりも高濃度のｎ型半導体層１４とが形成されている。 - 特許庁 - In the optical recording medium having an information recording layer and an image recording layer on a first substrate in this order and a second substrate on the image recording layer, the surface on the image recording layer side of the second substrate is roughened.
第１の基板上に、情報記録層と画像記録層とをこの順に有し、前記情報記録層上に第２の基板を有する光記録媒体であって、第２の基板の前記画像記録層側の面が粗面化されている光記録媒体である。 - 特許庁 - Thus, the transition propagating through the first nitride semiconductor layer is shielded by the second protective film 18 so that the transition density of a second nitride semiconductor layer 20 is lower than the first nitride semiconductor layer 26 by a single layer.
これにより、第１窒化物半導体層２６内を貫通して進行する転位を第２保護膜１８によって遮断して、第２窒化物半導体層２０の転位密度を、第１窒化物半導体層２６よりも一層低くすることができる。 - 特許庁 - Using a first etching agent having an etching speed to the second semiconductor layer 25 higher than an etching speed to an insulating layer 23, a portion of the second semiconductor layer 25 positioned on the insulating layer 23 is removed by etching.
第２の半導体層２５に対するエッチング速度が絶縁層２３に対するエッチング速度よりも大きな第１のエッチング剤を用いて、第２の半導体層２５の絶縁層２３の上に位置している部分の一部分をエッチングすることにより除去する。 - 特許庁 - A first conductivity third semiconductor layer 14 is provided at the surface layer of the second semiconductor layer 13, and the trench 15 is provided while passing through the third and second semiconductor layers 14 and 13 for reaching the first semiconductor layer.
第２の半導体層１３の表層部に第１導電型の第３の半導体層１４が設けられ、第３の半導体層１４及び第２の半導体層１３を貫いて第１の半導体層に達するようにトレンチ１５が設けられている。 - 特許庁 - Consequently, the anti-reflection layer 23A will not be exposed in the opening 24, and dissolution of the second wiring layer 22 due to the battery reaction of the second wiring layer 22 with the reflection preventing layer 23A will be suppressed, which has occurred in the conventional methods.
これにより、開口部２４内で反射防止層２３Ａが露出しなくなり、従来例にみられたような第２の配線層２２と反射防止層２３Ａとの電池反応による第２の配線層２２の溶出を抑止することができる。 - 特許庁 - The resistance change rate and the resistance change amount can be increased and further the stability of characteristics can be enhanced by providing the second non-magnetic layer 27 and the high resistance layer 28 on the side opposite to the first non-magnetic layer of the second soft magnetic layer 26.
第２軟磁性層２６の第１非磁性層と反対の側に第２非磁性層２７および高抵抗層２８を設けることにより、抵抗変化率および抵抗変化量を大きくでき、さらに特性の安定性を向上させることができる。 - 特許庁 - An n-type first clad layer 12A has higher n-type carrier density than an n-type second clad layer 12B, and is also made thicker than the n-type second clad layer 12B to thereby secure the carrier conductivity of the whole n-type clad layer 12.
ｎ型第１クラッド層１２Ａにおいて、ｎ型キャリア密度をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも高くし、かつ層厚をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも厚くすることにより、ｎ型クラッド層１２全体のキャリア伝導性を確保する。 - 特許庁 - The thickness of the first layer is at least 1.0 mm and an air layer is formed along one surface of the second layer 20 not only to ensure air permeability but also to guide moisture such as sweat to the second layer 20 through twisted yarns to efficiently evaporate the same.
第１の層１０の層厚は少なくとも１．０ｍｍを有し、第２の層２０の一面に空気層を形成して通気性を確保すると共に、撚糸を通じて汗等の水分を第２の層２０に導水、効率良く蒸発させる。 - 特許庁 - Furthermore, the refractive index of the second optical interference layer 13b is lower than that of the first optical interference layer 13a, and the ratio of the film thickness of the film thickness of the first optical interference layer 13a to the second optical interference layer 13b is set to 1.6 to 1.8.
さらに、第２光学干渉層１３ｂの屈折率は第１光学干渉層１３ａの屈折率より低く、第１光学干渉層１３ａの膜厚／第２光学干渉層１３ｂの膜厚の比率が１．６〜１．８に設定される。 - 特許庁 - The optical sheet comprises: a first layer 161 close to an emission surface 163 formed of prism shapes; and a second layer 162 close to an incident surface 164, wherein the coefficient of water absorption of the first layer 161 is less than the coefficient of water absorption of the second layer 162.
プリズム形状が形成された出射面１６３に近い第１の層１６１と、入射面１６４に近い第２の層１６２とを形成し、第１の層１６１の吸水率は、第２の層１６２の吸水率よりも小さくする。 - 特許庁 - The second layer 122 and the fourth layer 124 are the high refractive index layers consisting of trisilicon tetranitride (Si_3N_4) and the second layer 122 is formed more thickly than the fourth layer 124 and has thickness in a range between 2.5λ and 3.0λ to a designed wavelength λ.
第２層１２２および第４層１２４が四窒化三珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）からなる高屈折率層で、第２層１２２は第４層１２４よりも厚く形成され、設計波長λに対して２．５λ〜３．０λの範囲内の厚みを有している。 - 特許庁 - In the semiconductor light-emitting device, a first conductive type clad layer, an active layer and a second conductive type clad layer are formed by turns from below on a substrate, and the semiconductor light-emitting device includes a ridge-shaped stripe structure containing at least the second conductive type clad layer.
半導体発光素子は、基板上に、下から順に第１導電型のクラッド層、活性層、及び第２導電型のクラッド層が形成され、第２導電型のクラッド層を少なくとも含む層にリッジ形状のストライプ構造を備える。 - 特許庁 - This suppresses a difference in the shape change between the first liquid crystal layer 7a and the second liquid crystal layer 7b in a step of filling the sealing material 8, and thereby, desired optical characteristics can be obtained in the first liquid crystal layer 7a and in the second liquid crystal layer 7b.
これにより、封止材８を充填する工程における第１液晶層７ａと第２液晶層７ｂとの形状変化の差を抑え、第１液晶層７ａと第２液晶層７ｂとで所望の光学特性を得ることができる。 - 特許庁 - The organic light-emitting display device comprises a capacitor including: first electrode layers (21, 22) and a second electrode layer (26) facing each other; and a first insulating layer (25) interposed as a single layer between the first electrode layers and the second electrode layer.
有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 - 特許庁 - The duct body preferably has a first fibrous layer 7 forming the inner peripheral side of the duct body, a second fibrous layer 8 forming the peripheral side of the duct body, and the adsorbent arranged between the first fibrous layer and the second fibrous layer.
前記ダクト本体が、該ダクト本体の内周側をなす第１繊維層７と、該ダクト本体の外周側をなす第２繊維層８と、該第１繊維層及び該第２繊維層の間に配置される前記吸着剤とを有することが好ましい。 - 特許庁 - The optical information recording medium 10a is provided sequentially with a first thin film layer 40a including a recording film 42a, a first resin layer 50a, a second thin film layer 60a including a recording film 62a, and a second resin layer 70a formed on a substrate 20a.
光情報記録媒体１０ａは、基板２０ａ上に、記録膜４２ａを含む第１薄膜層４０ａ、第１樹脂層５０ａ、記録膜６２ａを含む第２薄膜層６０ａ、第２樹脂層７０ａを順に備えている。 - 特許庁 - At this time, the unjoined first resin layer and the unjoined second resin layer are joined, and at the same time, the dye inside the unjoined first resin layer is moved inside the second resin layer and is colored to the extent so that a color difference value ΔE is changed 0.8 or more.
この時、未接合第１樹脂層と未接合第２樹脂層とは接合されると同時に、未接合第１樹脂層内に存在する染料が第２樹脂層内に移行して色差値ΔＥが０．８以上変化する程度に着色される。 - 特許庁 - The stack layer includes a buried semiconductor layer located nearer the dielectric surface, and a second surface semiconductor layer of a second crystallographic orientation different from the first crystallographic orientation located over and not contacting the buried semiconductor layer.
スタック層は、誘電体表面のより近くに配置された埋め込み半導体層と、埋め込み半導体層の上に、それと接触せずに配置された、第１の結晶方位と異なる第２の結晶方位の第２の表面半導体層とを含む。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element with small distortion occurring at the interface with an organic material layer and a second conductive layer arranged on it, in which thickness of the light-emitting layer is maintained uniformly and loss of conductivity of the second conductive layer can be suppressed.
有機材料層とその上に配される第二導電層との界面に生じる歪みが小さく、発光層の厚みが均一に保持されるとともに、第二導電層が有する導電性の損失も抑制することが可能な発光素子の提供。 - 特許庁 - A first electrically conductive layer 13 is formed on a surface of a first build-up layer 14', and electronic components (semiconductor chips 20) are mounted on the other-side surface, while a second build-up layer 19' is formed covering the electronic components and a second electrically conductive layer 18 is formed thereon.
第１ビルトアップ層１４’の一方の面に第１導電層１３が形成され、他方の面に電子部品（半導体チップ２０）がマウントされ、これを被覆して第２ビルトアップ層１９’と、第２導電層１８が形成されている。 - 特許庁 - In the optical recording medium 100 having a first recording layer 102 and the second recording layer 105, the second recording layer 105 contains a metal-containing azo dye having a light absorbance 1.3 or more times as high as that of the dye contained in the first recording layer 102.
第１の記録層１０２及び第２の記録層１０５を有する光記録媒体１００であって、第２の記録層１０５が、含金属アゾ色素を含み、第１の記録層１０２に含まれる色素の吸光度の１．３倍以上の吸光度を有する。 - 特許庁 - The optical film for head-up display includes a first optical layer for converting the polarizing surface of incident light by 90°, a second optical layer for converting the polarizing surface of incident light by 90° and an intermediate optical layer held between the first optical layer and the second optical layer and having refractive index different from that of both of the first optical layer and the second optical layer.
入射光の偏光面を９０度変換する第１の光学層と、入射光の偏光面を９０度変換する第２の光学層と、前記第１の光学層と前記第２の光学層とに挟持され、前記第１の光学層の屈折率とも前記第２の光学層の屈折率とも異なる屈折率を有する中間光学層と、を備えたことを特徴とするヘッドアップディスプレイ用光学フィルムが提供される。 - 特許庁 - The magnetic anchoring layer 63 in the laminates 11, 31 constituting the first and the third MR elements, however, includes one more the first ferromagnetic layer 631 than the second ferromagnetic layer 632, while the magnetic anchoring layer 63 composing the second and the fourth MR elements includes both the second ferromagnetic layer 632 and the first ferromagnetic layer 631 of the same number in the order beginning from the magnetization free layer 61 side.
但し、第１および第３のＭＲ素子を構成する積層体１１，３１における磁化固着層６３は、第１の強磁性層６３１を第２の強磁性層６３２よりも１つ多く含み、第２および第４のＭＲ素子を構成する磁化固着層６３は、磁化自由層６１の側から順に第２の強磁性層６３２と第１の強磁性層６３１とを同数ずつ含む。 - 特許庁 - The tourniquet cuff includes: a first thermoplastic layer having a first layer sealing face; a second thermoplastic layer having a second layer sealing face opposite to the first layer sealing face; a perimeter seal forming gas-tight sealing between the first and second layer seal faces, thereby forming an inflatable bladder inside; a bladder sealing flange sealed on the first layer sealing face therearound.
タニケットカフは、第１の層シール面を有する熱可塑性の第１の層と、第１の層シール面に対面する第２の層シール面を有する熱可塑性の第２の層と、第１および第２の層シール面間で気密的な封止を形成し、内側に膨張可能な空気袋を形成する周辺シールと、空気袋シーリングフランジであってその回りで第１の層シール面に密封された空気袋シーリングフランジを有するポートとを含む。 - 特許庁 - Then, a second gel of high viscosity is coated on the plant substrate having the first coating layer to form a comparatively thick coated film of the second gel and irradiating UV to cure the coated film of the second gel, to form the second coating layer.
次に、第１のコーティング層を有する植物基材に、粘性の高い第２のジェルを塗布して、第２のジェルの比較的厚い塗膜を形成し、紫外線照射して第２のジェルの塗膜を硬化させて、第２のコーティング層を形成する。 - 特許庁 - The second free layer includes: a first magnetization fixing region provided on an upper surface of a film of the second free layer, and in which magnetization direction is fixed to a first direction; and a second magnetization fixing region provided on a lower surface of the film, and in which the magnetization direction is fixed to a second direction.
第２のフリー層は、第２のフリー層の膜の上面に設けられ、第１方向に磁化が固定された第１の磁化固定領域と、膜の下面に設けられ、第２方向に磁化方向が固定された第２の磁化固定領域とを含む。 - 特許庁 - The magnetic card comprises a first concealing layer 3 and a second concealing layer 4 to cover a magnetic recording layer 2 on the basic material for the card 1 provided with the magnetic recording layer 2, a solid ink layer 7 not having the same color as that of the concealing layer and a patterning layer 5 onto the first concealing layer 3 disposed partially, and a protective layer 6.
磁気記録層２を設けたカード基材１上に、該磁気記録層２を被覆するように第一隠蔽層３と第二隠蔽層４とを設け、部分的に露出させた第一隠蔽層３上に、隠蔽層とは同一色ではないベタインキ層７と絵柄層５とを施し、さらに保護層６を設けたことを特徴とする磁気カード。 - 特許庁 - On a p-type substrate 100, a p-type anode layer 102 as a first semiconductor layer, an n-type gate layer 104 as a second semiconductor layer, a non-doped semiconductor layer 105, a p-type gate layer 106 as a third semiconductor layer, and an n-type cathode layer 108 as a fourth semiconductor layer are formed in order, and a cathode electrode 110 and a gate electrode 112 are further formed.
ｐ型基板１００上に、順次、第１半導体層としてｐ型アノード層１０２、第２半導体層としてｎ型ゲート層１０４、ノンドープ半導体層１０５、第３半導体層としてｐ型ゲート層１０６、第４半導体層としてｎ型カソード層１０８が形成され、さらにカソード電極１１０とゲート電極１１２が形成される。 - 特許庁 - The magnetoresistive sensor comprises a first antiferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer formed on the first antiferromagnetic layer, a first non-magnetic conductive layer formed on the pinned ferromagnetic layer, a free ferromagnetic layer formed on the first non-magnetic conductive layer, and a second non-magnetic conductive layer formed on the free ferromagnetic layer.
磁気抵抗センサであって、第１反強磁性層と、該第１反強磁性層上に設けられたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に設けられた第１非磁性導電層と、該第１非磁性導電層上に設けられたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に設けられた第２非磁性導電層とを含んでいる。 - 特許庁
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