「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 85 86 87 88 89 90 91 92 93 .... 429 430 次へ＞- The second insulating layer 9 where a second via conductor 33 is formed is laminated on the through hole substrate 3, and the third conductor layer 35 is formed on it.
このスルーホール基板３上には、第２ビア導体３３が形成された第２絶縁層９が積層され、その上には、第３導体層３５が形成されている。 - 特許庁 - The liquid crystal panel comprises a first polarizer, a first optical compensation layer, a liquid crystal cell, a second optical compensation layer, and a second polarizer, in this order.
本発明の液晶パネルは、第１の偏光子と、第１の光学補償層と、液晶セルと、第２の光学補償層と、第２の偏光子とをこの順に有する。 - 特許庁 - In this method, the second insulating film 4 and the barrier metal layer 5 are formed so that the barrier metal layer 5 is discontinuous on the electrode terminal 2 and the second insulating film 4.
本発明では、電極端子２上と第２絶縁膜４上とで、バリアメタル層５が不連続になるように第２絶縁膜４およびバリアメタル層５を形成している。 - 特許庁 - An additional PZ layer (25) is fabricated on the first part, and a first surface electrode (26) is fabricated on the additional PZ layer (25) and a second surface electrode (36) is fabricated on the second part respectively.
第１の部分の上に追加のＰＺ層（２５）を作り、その上に第１の表面電極（２６）と第２の部分の上に第２の表面電極（３６）をそれぞれ作る。 - 特許庁 - Accordingly, different interfacial adhesion and bulk rheology are generated at the interface of the first portion/first lamination layer and at the interface of the second portion/second lamination layer.
これにより、第一部分と第二部分は第一張り合わせレイヤーと第二張り合わせレイヤーにそれぞれ異なる介面接着性（interfacial adhesion）と異なる体積レオロジー性（bulk rheology）を形成させる。 - 特許庁 - A first substrate SUB1 and a second substrate SUB2 comprising glass substrates are prepared, on which a first etching stopper layer and a second etching stopper layer HFFS2 are formed in this order.
第一の基板ＳＵＢ１と弟２の基板ＳＵＢ２をガラス基板とし、その上に第一のエッチングストッパ層と第二のエッチングストッパ層ＨＦＦＳ２をこの順で形成する。 - 特許庁 - Moreover, the thickness of the second clad layer is set to become λ/2n or more wherein a luminescence wavelength in vacuum is λ and the refractive index of the second clad layer is set to n.
また、第２クラッド層の厚さは、真空中での発光波長をλ、第２クラッド層の屈折率をｎとしたときに、λ／２ｎ以上となるように設定する。 - 特許庁 - It is desirable that the film thickness of the second layer is ≥0.1 μm and <2 μm.
第２層の膜厚が０．１μｍ以上、２μｍ未満であることが望ましい。 - 特許庁 - In addition, a second reactant containing O and H is supplied onto the chemical adsorption layer to cause a chemical reaction of the chemical adsorption layer with the second reactant.
また、Ｏ及びＨを含有する第２反応物を前記化学吸着層上に供給し、前記化学吸着層と前記第２反応物とを化学反応させる。 - 特許庁 - A second electrode 17 is electrically connected to the third semiconductor layer 3 and the fourth semiconductor layer 4 through the first opening 14 and the second opening 15.
第１の開口部１４と第２の開口部１５を介して、第２の電極１７が第３の半導体３層及び第４の半導体層４に電気的に接続される。 - 特許庁 - Then a frame 123 having an opening 123A is formed on the second layer 22.
次に、第２層２２の上に、開口部１２３Ａを有するフレーム１２３を形成する。 - 特許庁 - This structure is formed by laminating a first ion conductor layer 27 and a second ion conductor layer 28 between a first electrode 25 and a second electrode 26.
第一の電極２５と第二の電極２６に挟まれて、第一のイオン伝導体層２７と第二のイオン伝導体層２８が積層された構造となっている。 - 特許庁 - The second cushion layer is formed from a polypropylene-based resin or a polyester-based resin.
第二クッション層はポリプロピレン系樹脂もしくはポリエステル系樹脂から形成される。 - 特許庁 - The negative electrode layer 2b has first and second negative electrode layers 2ba, 2bb.
マイナス電極層２ｂは第１及び第２マイナス電極層２ｂａ，２ｂｂを有する。 - 特許庁 - The covering layer contains a second composite oxide mainly comprising lithium and titanium.
被覆層は、リチウム及びチタンを主成分とする第２の複合酸化物を含有する。 - 特許庁 - A reflective electrode 149 is formed on the second insulating layer in the reflection region D.
反射部Ｄの第２絶縁層上に反射電極１４９が形成される。 - 特許庁 - Moreover, the second p-type AlGaN layer 607 covers a part of an SiN film 606.
また、第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７はＳｉＮ膜６０６の一部を覆う。 - 特許庁 - The second medium 14b is made of a material composing the organic light-emission layer 16.
第２の媒質層１４ｂは有機発光層１６を構成する物質からなる。 - 特許庁 - The first part 29 is positioned between the second part 31 and the active layer 17.
第１の部分２９は、第２の部分３１と活性層１７との間に位置する。 - 特許庁 - A third yield strength of a laminated composite body consisting of the first layer and the second layer exceeds the first yield strength and the second yield strength due to the Hall-Petch phenomenon.
第１の層および第２の層からなる積層複合体の第３の降伏強度は、ホールペッチ現象のため、第１の降伏強度および第２の降伏強度を上回る。 - 特許庁 - A first face of the phosphor layer comes into contact with the first member and a second face of the phosphor layer opposite to the first face comes into contact with the second member.
蛍光体層の第１の面が第１の部材に当接するとともに、第１の面に対向する蛍光体層の第２の面が第２の部材に当接している。 - 特許庁 - The contact conductive layer 232 is connected with the first and second control gates 20 and 30.
コンタクト導電層２３２は、第１および第２コントロールゲート２０，３０と連続する。 - 特許庁 - The first part 152 of the aperture extends from the second side 164 to the mask layer 167.
第１の部分１５２は、第２の側１６４からマスク層１６７へと延びている。 - 特許庁 - The second current constriction layer 107 includes a second opening 112 connected to the first opening 111 and spreading with the distance from the active layer 104.
第２電流狭窄層１０７は、第１開口部１１１と接続し且つ活性層１０４から離れるに従って拡がっていく第２開口部１１２を有する。 - 特許庁 - The non-transfer pattern printing region 23 is provided with a second ink printing layer 15.
非転写パターン印刷領域２３は、第２のインク印刷層１５を備えている。 - 特許庁 - An emission is monitored by an emission monitor 19 during the etching of a second metallic layer 3.
第２の金属層３のエッチング中に発光モニタ19にて発光をモニタリングする。 - 特許庁 - Then, an image 22 is formed on the layer 20 transferred to the second object 24 and the layer 20 with the image 22 formed thereon is transferred to a recording body 23 from the second object 24.
そして、第２物体２４上に転写された層２０に画像２２を形成し、画像２２が形成された層２０を、第２物体２４から記録体２３に転写する。 - 特許庁 - The second p-type layer contacts the light-emitting part, between the first p-type layer and the light-emitting part, contains Al, and contains the p-type impurity at a second concentration lower than the first concentration.
第２ｐ形層は第１ｐ形層と発光部との間において発光部に接し、Ａｌを含み第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁 - The first fiber layer 2 comprises an elastically stretchable first fiber 6 and the second fiber assembly layer 3 comprises a second fiber 11 which is nonelastically extendable continuous fiber.
第１繊維層２は弾性伸縮性の第１繊維６からなり、第２繊維集合層３は非弾性的に伸長可能な連続繊維である第２繊維１１からなる。 - 特許庁 - Further, graphite as a lubricant is packed into the pores of the second layer 18.
また、第２層１８の気孔内には、潤滑材としての黒鉛が充填される。 - 特許庁 - Graphite as a lubricant is packed into the pores of the second layer 18.
この第２層１８の気孔内には、潤滑材としての黒鉛が充填される。 - 特許庁 - A second insulating layer 6 is coated on the entire region of the surface of the semiconductor chip 2.
半導体チップ２の表面の全領域を第２絶縁層６で被覆する。 - 特許庁 - Resultantly, projection parts 37a, 37b, 37c are formed on the second insulating layer 30.
その結果、第２の絶縁層３０に凸部３７ａ，３７ｂ，３７ｃが形成される。 - 特許庁 - The gasket includes a first bag-shaped section forming a first air layer, and a second bag-shaped section forming a second air layer inside of the first bag-shaped section.
前記ガスケットは、第１の空気層を形成する第１の袋状部と、前記第１の袋状部の内部に第２の空気層を形成する第２の袋状部と、を備える。 - 特許庁 - A first structural layer 105 and a second structural layer 118 are arranged confronting each other, and the whole is bent and sealed together with the second seal material in such a way as overlapping partially.
次に第１の構造層１０５と第２の構造層１１８とが向かい合わされ一部が重なるように第２のシート材と共に全体を屈曲させ封止する。 - 特許庁 - Due to this structure, the crystallinity of the semiconductor layer 5 which forms an interface with the second insulation film 4b can be increased, and at the same time, a defective level of an interface between the semiconductor layer and the second insulation film can be reduced.
また、第２絶縁膜を酸化物で構成することで、第２絶縁膜の材料によって半導体層から酸素が奪われることを抑制できる。 - 特許庁 - Current block layers 6 are formed on both sides of the second clad layer 7.
上部第２クラッド層７の両側には、電流ブロック層６が形成されている。 - 特許庁 - After the first electron beam radiation is completed, the second electron beam radiation is followed, and a second alloy layer 3b of the thickness d2 is deposited on the primary alloy layer 3a.
第１の電子ビーム放射を終えたら第２の電子ビーム放射に移行して、第１次合金層３ａ上に厚さｄ２の第２次合金層３ｂを被着させる。 - 特許庁 - The separator 40 has a gas supply port 16 supplying fuel gas to the second gas diffusion layer 10 in a position of distance L_0 from the end surface of the second gas diffusion layer 10.
セパレータ４０は、第二ガス拡散層１０に燃料ガスを供給するガス供給口１６を、第二ガス拡散層１０の端面から距離Ｌ_０の位置に備える。 - 特許庁 - The p-type cladding layer 16 includes p-type impurities at least in the second semiconductor layer 16B of the first and second semiconductor layers 16A, 16B.
ｐ型クラッド層１６は、第１半導体層１６Ａおよび第２半導体層１６Ｂのうち少なくとも第２半導体層１６Ｂにｐ型不純物を含んでいる。 - 特許庁 - A first electrode 5 and a second electrode 7 are connected through a resistant layer 9.
抵抗層９を介して第１電極５と第２電極７とを接続する。 - 特許庁 - A second semiconductor element is adhered on the first semiconductor element 5 via a second adhesive layer (insulating adhesive layer) 9 having a thickness of ≥50 μm.
第１の半導体素子５上には、厚さが50μm以上の第２の接着剤層（絶縁性接着剤層）９を介して第２の半導体素子が接着されている。 - 特許庁 - Next, a second etching-resistant resin layer 24 is formed on the second resist layer 22, and the opening 11 is formed by performing etching from the one surface 20A side of the metal substrate 20.
次に第２のレジスト層２２上に、第２の耐エッチング樹脂層２４を設け、金属基板２０の一面２０Ａ側からエッチングを施して、開孔１１を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a membrane-catalyst layer assembly, by which expansion of a second shape-retaining film 3 can be suppressed in forming a second catalyst layer 4b.
第２触媒層４ｂを形成する際に第２形状保持フィルム３が膨らむことを抑えることができる膜−触媒層接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The second electrode is adjacent to the piezoelectric layer and has an outer periphery.
第２の電極は圧電層に隣接し、第２の電極は外側周辺部を有する。 - 特許庁 - Subsequently, a second photoresist layer 34 is formed so as to cover the alignment mark 33 and, thereafter, the second photoresist layer 34 is patterned on the basis of the alignment mark 33.
次に、アライメントマーク３３を覆うように第２のフォトレジスト層３４を形成した後、アライメントマーク３３を基準として第２のフォトレジスト層３４をパターニングする。 - 特許庁 - The display apparatus includes a first display substrate, a second display substrate and a liquid crystal layer.
表示装置は、第１表示基板、第２表示基板、及び液晶層を含む。 - 特許庁 - A second electrode is disposed opposing to the first electrode through the dielectric layer.
第二電極は、誘電体層を介して第一電極に対向して配置される。 - 特許庁 - The gallium nitride field plate layer 17 has an opening 19 in a second area 13c.
窒化ガリウムフィールドプレート層１７は、第２のエリア１３ｃに開口１９を有する。 - 特許庁 - A first electrode 9a and a second electrode 9b are arranged on the first layer 8.
第１および第２の電極９ａ、９ｂが第１の層８上に配設される。 - 特許庁
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