「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 82 83 84 85 86 87 88 89 90 .... 429 430 次へ＞- The magnetoresistive element has a fixed layer arranged on a semiconductor substrate, a tunnel insulating film arranged on the fixed layer, a first free layer containing Fe arranged on the tunnel insulating film, a second free layer containing Fe and Ta arranged on the first free layer, a stopper layer containing Ru arranged on the second free layer, and a hard mask arranged on the stopper layer.
磁気抵抗素子は、半導体基板上に配置される固定層と、固定層上に配置されるトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に配置され、Ｆｅを含む第１自由層と、第１自由層上に配置され、ＦｅおよびＴａを含む第２自由層と、第２自由層上に配置され、Ｒｕを含むストッパー層とストッパー層上に配置されるハードマスクとを有している。 - 特許庁 - The flexible printed circuit board includes a first insulating layer, a conductive layer having a signal line and a ground line, a second insulating layer laminated on the conductive layer and having an opening opened on the ground line, a ground layer laminated on the second insulating layer so as to cover the signal line and electrically connected to the ground line, and a third insulating layer covering the ground layer.
フレキシブルプリント配線板は、第１の絶縁層と、信号ラインおよびグランドラインを有する導体層と、導体層に積層され、グランドラインの上に開口された開口部を有する第２の絶縁層と、信号ラインを覆うように第２の絶縁層に積層されるとともにグランドラインに電気的に接続されたグランド層と、グランド層を覆う第３の絶縁層と、を含む。 - 特許庁 - In a decorative sheet in which a design layer is formed on one side of a base material, and a surface protection layer is formed on the design layer, the surface protection layer has structure in which a first surface protection layer and a second surface protection layer are laminated peelably in turn on the design layer, and at least the second surface protection layer is made of a transparent synthetic resin sheet.
基材の一方の面に意匠層を設け、該意匠層上に表面保護層を形成した化粧シートにおいて、前記表面保護層は前記意匠層側から第１表面保護層と第２表面保護層とを剥離可能に順に積層した構成からなると共に、少なくとも前記第２表面保護層が合成樹脂製透明シートからなることを特徴とする化粧シート。 - 特許庁 - This non-volatile memory device comprises a first oxide layer 22 formed on a lower electrode 20, a second oxide layer 24 having variable resistance property formed on the first oxide layer, a buffer layer 26 formed on the second oxide layer, and an upper electrode 28 formed on the buffer layer.
下部電極２０と、下部電極上に形成された第１酸化層２２と、第１酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第２酸化層２４と、第２酸化層上に形成されたバッファ層２６と、バッファ層上に形成された上部電極２８と、を備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁 - In the multi-layered structure keeping a first layer, a second layer and a third layer these layers piled up in the order, the first layer is composed of a thermoplastic resin, the second layer is composed of a composition A containing a fluorine-containing compound, and the third layer is composed of a composition B containing an inorganic layered compound.
第１の層、第２の層および第３の層がこの順に積層された多層構造体であって、該第１の層が熱可塑性樹脂からなる層であり、該第２の層がフッ素含有化合物を含む組成物Ａからなる層であり、該第３の層が無機層状化合物を含む組成物Ｂからなる層である多層構造体。 - 特許庁 - The light emitting element includes a conductive support member, a second conductivity type semiconductor layer formed on the conductive support member, an active layer formed on the second conductivity type semiconductor layer, a first conductivity type semiconductor layer formed on the active layer, and a protection element formed on the first conductivity type semiconductor layer.
本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第２導電型半導体層と、上記第２導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。 - 特許庁 - The manufacturing method provides for a magnetoresistance effect element which includes a first magnetic layer containing a ferromagnetic material, a second magnetic layer containing a ferromagnetic material, and an intermediate layer 16 provided between the first and second magnetic layers and including an insulating layer 161 and a conductive layer 162 penetrating through the insulating layer.
強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層１６１と、絶縁層を貫通する導電部１６２と、を含む中間層１６と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 - 特許庁 - As for the display, a pixel 1 containing an organic light-emitting element 10 in which a first electrode layer, an organic layer including a luminous layer, and a second electrode layer are laminated in order is formed in a pixel region 17R demarcated by an auxiliary wiring layer 17 connected to the second electrode layer.
この表示装置は、基体上に、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が順に積層されてなる有機発光素子１０を含む画素１が、第２電極層と接続された補助配線層１７によって区画された画素領域１７Ｒに形成されたものである。 - 特許庁 - This invention relates to the electronic element having a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, and the method of manufacturing the electronic element, wherein the first semiconductor layer is a polycrystalline semiconductor layer formed of the rare earth iron oxide, and the second semiconductor layer is an organic semiconductor layer formed of an organic material.
第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子及びその製造方法において、第１の半導体層を希土類鉄酸化物で形成した多結晶半導体層とし、第２の半導体層を有機材料で形成した有機半導体層とする。 - 特許庁 - The adhesive layer 14 interposed between the heater 13 and the base member 11 has a structure where a first adhesive layer 15 and a second adhesive layer 16 are stacked, wherein the first adhesive layer is formed by curing an adhesive having high thermal conductivity and the second adhesive layer is formed as gel by curing an adhesive having lower viscosity than that of the adhesive of the first adhesive layer.
ヒータ１３とベース部材１１の間に介在する接着層１４は、熱伝導率の高い接着剤を硬化させてなる第１の接着剤層１５と、該接着剤よりも粘度の低い接着剤を硬化させてゲル状にした第２の接着剤層１６とが積層された構造を有している。 - 特許庁 - A first carrier confinement layer 12 and a second carrier confinement layer 14 which have a bandgap larger than that of an active layer 13 are disposed on both sides of the active layer 13, and a first light guiding layer 11 and a second light guiding layer 15 are disposed on both sides of the layers 12 and 14.
活性層１３の両側に、活性層１３よりも大きなバンドギャップを有する第１キャリア閉じ込め層１２および第２キャリア閉じ込め層１４、更にこれら第１キャリア閉じ込め層１２および第２キャリア閉じ込め層１４の両側に第１光ガイド層１１および第２光ガイド層１５が配置されている。 - 特許庁 - A first dielectric layer 8 formed on the wall of the trench, a charge accumulation layer 9 formed on the first dielectric layer 8, a second dielectric layer 10 formed on the surface of the charge accumulation layer 9, and control layers 11, 11' formed on the surface of the second dielectric layer 10 are provided.
さらにこのトレンチの壁部に形成された第１の誘電層８と、この第１の誘電層８に形成された電荷蓄積層９と、この電荷蓄積層９の表面に形成された第２の誘電層１０と、この第２の誘電層１０の表面に形成されたコントロール層１１，１１′が設けられている。 - 特許庁 - The upper magnetic layers 15 of the recording head includes a first layer 15a whose one pole surface contacts the gap layer 9, a second layer 15b whose one end contacts the other surface of the first layer 15a, and a third layer 15c whose one end contacts the other surface of the second layer 15b.
記録ヘッドにおける上部磁極層１５は、磁極部分において一方の面が記録ギャップ層９に隣接する第１の層１５ａと、一方の面が第１の層１５ａの他方の面に隣接する第２の層１５ｂと、一方の面が第２の層１５ｂの他方の面に隣接する第３の層１５ｃとを含んでいる。 - 特許庁 - After irradiated with the active energy rays for pattering, the second resin layer 2 is developed with a solvent, and thereby an optical waveguide is formed with the second resin layer 2 remaining after development as a core layer 26 and the first resin layer 1 as a cladding layer 27; after that, electric wiring 24 is formed by printed wiring processing of the metal layer 13.
第二樹脂層２に活性エネルギー線をパターン照射した後に溶剤で現像することによって、現像後に残る第二樹脂層２がコア層２６、第一樹脂層１がクラッド層２７となった光導波路を形成し、この後、金属層１３をプリント配線加工して電気配線２４を形成する。 - 特許庁 - The flexible printed wiring board is composed of a substrate which is composed of at least a first electrical insulation layer, a first adhesive layer formed on it and a conductor layer formed on it and a cover lay which is composed of at least a second adhesive layer and a second electrical insulation layer formed on it and arranged on the conductor layer.
少なくとも第１の電気絶縁層と、その上に形成された第１の接着剤層と、その上に形成された導体層と、からなる基板の導体層上に、少なくとも第２の接着剤層と、その上に形成された第２の電気絶縁層と、からなるカバーレイが、設けられたフレキシブルプリント配線板。 - 特許庁 - The method for manufacturing the coated article comprises: applying an aluminum-containing first layer to a substrate 20; applying a platinum-containing second layer atop the first layer; causing diffusion of aluminum from the first layer into the second layer so as to produce a PtAl_2 alloy 24, and applying a thermal barrier layer 22 atop the PtAl_2 alloy 24.
方法は、アルミニウム含有の第一の層を基体２０に付与し、白金含有の第二の層を第一の層の上に付与し、ＰｔＡｌ_2合金２４を生成するように第一の層から第二の層中へのアルミニウムの拡散を生じさせ、熱障壁層２２をＰｔＡｌ_2合金２４上に付与する、ことを含む。 - 特許庁 - The package comprises two metal layer bump circuits, a first adhesive layer having some thickness on the first surface of the bump circuit, a first outer conductive layer having some thickness and being bonded to the first adhesive layer, and a second adhesive layer having a thickness substantially equal to that of the first adhesive layer on the second surface of the bump circuit.
このパッケージは、２つの金属層のバンプ回路と、バンプ回路の第１面上である厚さを有する第１粘着層と、ある厚さを有し、第１粘着層に接合する第１外部導電層と、バンプ回路の第２面上で第１粘着層の厚さとほぼ同じ厚さを有する第２粘着層とを含む。 - 特許庁 - The hermetically sealed package of the optical semiconductor is characterized by having a first electrode layer installed at the ceramic terminal member, a second electrode layer perpendicularly connected to the first electrode layer directed to the top of the first electrode layer, and one or more of layers of a third electrode layer perpendicularly connected to the second electrode layer.
セラミックス端子部材に設けられた第１の電極層と、第１の電極層の上方に向かって第１の電極層と垂直に接続される第２の電極層と、第２の電極層と垂直に接続される１層以上の第３の電極層とを備えたことを特徴とする光半導体用気密封止容器。 - 特許庁 - The ceramic electronic component includes: a first dielectric layer containing a second dielectric layer containing a composition different from the first dielectric layer as major components BaO, Nd_2O_3 and TiO_2; and a boundary layer containing Zn and Ti which is formed between the first dielectric layer and the second dielectric layer.
本発明によるセラミック電子部品は、ＢａＯ、Ｎｄ_2Ｏ_3、及びＴｉＯ_2を主成分として含む第１の誘電体層と、第１の誘電体層と異なる材質である第２の誘電体層と、第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成された、Ｚｎ及びＴｉを含む境界層と、を含むものである。 - 特許庁 - This thin film laminate is formed by laminating a laminate unit consisting of at least a first thin film layer and a second thin film layer at least twice wherein the laminated area of at least one of the first thin film layer and the second thin film layer is gradually decreased from the lower layer toward the upper layer.
少なくとも第１薄膜層と第２薄膜層とからなる積層単位を少なくとも２回以上繰り返して積層してなる薄膜積層体であって、前記第１薄膜層及び前記第２薄膜層のうちの少なくとも一方の積層面積を、下層から上層に向かって逓減させる。 - 特許庁 - This method comprises a process of forming a first silicon layer, a process of imparting a second silicon layer superposed on the first silicon layer, a process of oxidizing the second silicon layer at a temperature of <400°C, by using an inductively coupled plasma source, and a process of forming an oxide layer superposed on the first silicon layer.
本発明の方法は、第１のシリコン層を形成する工程と、第１のシリコン層の上に重なる第２のシリコン層を付与する工程と、誘導結合プラズマソースを用いて、４００℃未満の温度で、第２のシリコン層を酸化する工程と、第１のシリコン層の上に重なる酸化物層を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - A film for a semiconductor includes a composite metal layer which includes a first metal layer 1 and a second metal layer 2 having a thickness of 0.01 μm or more and 3 μm or less, and at least a resin layer A5; and is laminated so that the resin layer A5 and the second metal layer 2 are in contact.
半導体用フィルムは、第１の金属層１と、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の第２の金属層２との少なくとも二層からなる複合金属層、および少なくとも樹脂層Ａ５からなり、該樹脂層Ａ５と前記第２の金属層２とが接するように積層されて構成されている。 - 特許庁 - The seed layer structure 114 is a trilayer consisting of a first seed layer 114a of tantalum (Ta), a second seed layer 114b of one or both of titanium (Ti) and Ti-oxide on and in contact with the Ta layer 114a, and a third seed layer 114c of tungsten (W) on and in contact with the second seed layer 114b.
シード層構造１１４は、タンタル（Ｔａ）の第１のシード層１１４ａと、Ｔａ層１１４ａ上でそれに接するチタン（Ｔｉ）およびＴｉ酸化物の一方または両方の第２のシード層１１４ｂと、第２のシード層１１４ｂ上でそれに接するタングステン（Ｗ）の第３のシード層１１４ｃと、からなる３層である。 - 特許庁 - The first insulation wall 32 reaches the first embedded insulation layer 18, the conductive wall 34 penetrates the first embedded insulation layer 18 to the conductive layer 16, and the second insulation wall 36 penetrates the first embedded insulation layer 18 and the conductive layer 16 to the second embedded insulation layer 14.
そして、第１絶縁側壁３２は第１埋め込み絶縁層１８に達しており、導電側壁３４は第１埋め込み絶縁層１８を貫通して導電層１６に達しており、第２絶縁側壁３６は第１埋め込み絶縁層１８と導電層１６を貫通して第２埋め込み絶縁層１４に達している。 - 特許庁 - The display panel 1 includes an organic functional layer 5 containing a luminescent layer made of an organic luminescent material having electroluminescent characteristics, a first and a second electrode layers 3, 6 pinching the organic functional layer 5, a resistive layer 4 combined with an edge part of at least either of the first electrode layer 3 and the second electrode layer 6.
表示パネル１は、エレクトロルミネセンス特性を有する有機発光材料からなる発光層を含む有機機能層５と、有機機能層５を挟持する第１電極層３及び第２電極層６と、第１電極層３及び第２電極層６の少なくとも一方の縁部に結合している抵抗層４と、を含む。 - 特許庁 - The multilayer base layer includes a first base layer made of copper and containing (100) plane oriented crystal particles having a face-centered cubic lattice structure, a second base layer formed on the first base layer and consisting of copper and nitrogen, and a third base layer formed in an island shape on the second base layer.
多層下地層は、銅からなり、（１００）面配向した面心立方格子構造をもつ結晶粒子を含有する第１の下地層、第１の下地層上に形成された銅及び窒素からなる第２の下地層、及び第２の下地層上に島状に形成された第３の下地層を含む。 - 特許庁 - The label to be affixed to a drug container or package of medical supplies has a first layer label 12 which exists on a front surface side, a second layer label 14 which is laminated under the first layer label 12, a release sheet 16 which is laminated by having a release layer 36 under the second layer label 14 and a release material, such as another lower layer sheet.
医薬品の薬剤容器あるいは包装に貼着するラベルであって、表面側に位置した第一層ラベル１２と、第一層ラベル１２の下に積層された第二層ラベル１４と、第二層ラベル１４の下に剥離層３６を有して積層された剥離シート１６や他の下層シート等の剥離材を備える。 - 特許庁 - Substantially simultaneously with the first photo alignment, the photo reactive polymer layer is subjected to second photo alignment by radiating second light to a second exposure area of another unit pixel area, the second light being polarized at a second inclination angle with respect to the substrate in a second direction.
第１光配向させることと実質的に同時に他の単位画素領域の第２露光領域に基板と第２方向に第２傾斜角をなして偏光された第２光を照射して光反応性高分子膜を第２光配向させる。 - 特許庁 - A protection layer 7 obstructing the contact of the forming material of the second electrode 3 with the first electrode 1 and the semiconductor layer 5 in the forming of the second electrode 3 is formed in the porous layer 2 before the second electrode 3 is formed by the deposition of the forming material of the second electrode 3 on the porous layer 2 after the porous layer 2 is formed on the first electrode 1 by lamination.
第一電極１に多孔質層２を積層して形成した後、この多孔質層２に第二電極３の形成材料を成膜して第二電極３を形成する前に、第二電極３形成時の第二電極３の形成材料と第一電極１及び半導体層５との接触を阻止する保護層７を前記多孔質層２に形成する。 - 特許庁 - A method of manufacturing the semiconductor device comprises: a first step of growing a layer constituting the second semiconductor layer on the first semiconductor layer; a second step of ion-injecting a first-conductivity-type impurity into the entire surface of the layer; and a third step of selectively ion-injecting a second-conductivity-type impurity into portions to be the second semiconductor regions of the layer.
そして、その製造方法は、前記第１半導体層の上に前記第２半導体層を構成する層を成長する第１の工程と、前記層の全面に第１導電形の不純物をイオン注入する第２の工程と、前記層の前記第２半導体領域となる部分に第２導電形の不純物を選択的にイオン注入する第３の工程と、を備える。 - 特許庁 - A first conductivity clad layer, an active layer, a second conductivity first clad layer, and a second conductivity second clad layer are sequentially grown on a semiconductor substrate as crystal, and the second conductivity clad layer is processed to form a plurality of stripe-like ridge structure parts 5, and cleaved in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the ridge structure part 5 to form a laser bar 1.
半導体基板上に、第１導電型のクラッド層、活性層、第２導電型の第１クラッド層、および第２導電型の第２クラッド層を順次結晶成長させ、第２導電型の第２クラッド層を加工して、ストライブ状の複数のリッジ構造部５を形成し、リッジ構造部５の長手方向に対し直交する方向にへき開させて、レーザバー１を形成する。 - 特許庁 - The first sealing layer has a first structure with a first fibrous substance impregnated with first organic resin, the second sealing layer has a second structure with a second fibrous substance impregnated with second organic resin, and the periphery of the group of photoelectric conversion elements has a region where the first sealing layer and the second sealing layer that are provided to face each other are directly bonded to each other.
第１の封止層は、第１の繊維体に第１の有機樹脂が含浸された第１の構造体を有し、第２の封止層は、第２の繊維体に第２の有機樹脂が含浸された第２の構造体を有し、光電変換素子群の周囲において、対向して設けられた第１の封止層と第２の封止層とが直接接着する領域を有する - 特許庁 - The anti-reflection layer forming mechanism 20 has a second annular body 211 disposed opposite to the base material sheet 1, a second supplying part 22 supplying an anti-reflection layer forming resin to a peripheral surface of the second annular body 211, a second baking part 23 baking the anti-reflection layer forming resin and a second cooling part 24 cooling the anti-reflection layer forming resin.
反射防止層形成機構２０は、基材シート１に対向配置される第２環状体２１１と、第２環状体２１１の周面に反射防止層形成用樹脂を供給する第２供給部２２と、反射防止層形成用樹脂を焼成する第２焼成部２３と、反射防止層形成用樹脂を冷却する第２冷却部２４とを有する。 - 特許庁 - The drain of an MOS transistor formed on a first conductivity type semiconductor substrate 1 comprises a second conductivity type first lightly doped diffusion layer 14, a second conductivity type first heavily doped diffusion layer 19, a second conductivity type first lightly doped diffusion layer 21, and second conductivity type second heavily doped diffusion layer 18 formed sequentially from the side close to a gate electrode 12.
第１導電型の半導体基板１上に形成されたＭＯＳ型トランジスタのドレインが、ゲート電極１２に近い側から順に、第２導電型の第１の低濃度拡散層１４と、第２導電型の第１の高濃度拡散層１９と、第２導電型の第１の低濃度拡散層２１と、第２導電型の第２の高濃度拡散層１８とを備える。 - 特許庁 - On a surface of a workpiece 1, plural layers including a first layer 2 to directly get in contact with the surface, and a second layer 3 thicker than the first layer are laminated in such a way that the first layer is more excellent than the second layer in adhesion to the workpiece.
該被加工物（１）の表面に、該表面と直接接触する第１の層（２）と該第1の層より厚い前記第２の層（３）とを含む複数の層を積層し、該被加工物に対する密着性において前記第１の層が前記第２の層より優れているように積層せしめる。 - 特許庁 - After a silicon-rich insulating layer is formed on the object, by feeding a second gas containing oxygen onto the silicon-rich chemical adsorption layer, a nanocrystal layer is formed on the silicon-rich insulating layer, by feeding a third gas containing a second silicon compound onto the silicon-rich insulating layer.
シリコンリッチ化学吸着層上へ酸素を含む第２ガスを提供して対象体上にシリコンリッチ絶縁層を形成した後、シリコンリッチ絶縁層上に第２シリコン化合物を含む第３ガスを提供して前記シリコンリッチ絶縁層上にナノクリスタル層を形成する。 - 特許庁 - The positive electrode layer 18 is separated into two layers of a first layer 18a at the side separated from the ion exchange membrane 19, and a second layer 18b at the side contacting with the ion exchange membrane 19, and with a porosity of the second layer 18b set smaller than that of the first layer 18a.
この燃料電池用電極は、正極層１８を、イオン交換膜１９から離れた面側の第１層１８ａと、イオン交換膜１９に接触する面側の第２層１８ｂとの二層に分け、且つ第２層１８ｂを第１層１８ａより小さな気孔率に設定したものである。 - 特許庁 - The organic electroluminescent element is characterized in that the medium in the fine particle layer includes a first particle coat layer 3 and a second particle coat layer 4 having reflectivity values different from each other; and the second particle coat layer has reflectivity greater than that of the first particle coat layer and is formed on the luminescent part side.
前記微粒子層における媒質は、屈折率の異なる第１の粒子コート層（３）および第２の粒子コート層（４）を含み、前記第２の粒子コート層は前記第１の粒子コート層より屈折率が大きく、前記発光部側に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁 - Then, a second organic layer containing an organic material of small molecules is deposited on the first organic layer, while contacting physically with the first organic layer, by using the solution processing so that the first organic layer is insoluble in the solution which is used for depositing the second organic layer.
次いで小さな分子の有機材料を含む第２有機層が、第１有機層と物理的に接触した第１有機層上の溶液処理を用いて堆積され、その結果、第１有機層は第２有機層を堆積するために用いられる溶液に溶解しない。 - 特許庁 - The capacitor having a laminated metal-insulator-metal structure in a semiconductor device has a first insulating layer between a first metal layer and a second metal layer, and has a third metal layer between the substrate and the second metal layer.
半導体において、金属−絶縁体−金属のサンドイッチ構造によって構成する容量（Ｍｅｔａｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ容量）が、第１の金属層と第２の金属層の間に第１の絶縁層を備え、基板と第２の金属層の間に第３の金属層を備える。 - 特許庁 - At least one of the first cladding layer 103 and the second cladding layer 105 has compressive strain to the semiconductor substrate 101, and further, at least one of the first cladding layer 103 and the second cladding layer 105 comprises a semiconductor layer 106 having tensile strain to the semiconductor substrate 101.
第１のクラッド層(103)及び第２のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して圧縮性の歪を有し、且つ、第１のクラッド層(103)及び第２のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して引張性の歪を有する半導体層(106)を含んでいる。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device also comprises a transparent electrode layer provided on a surface of the second semiconductor layer and transmitting an emitted light radiated from the light emitting layer, a first electrode electrically connected to the transparent electrode layer, and a second electrode electrically connected to the first semiconductor layer.
さらに、前記第２半導体層の表面に設けられ、前記発光層から放射される発光を透過させる透明電極層と、前記透明電極層に電気的に接続された第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。 - 特許庁 - A liquid crystal display device including a liquid crystal layer exhibiting a blue phase comprises: a first wall-like structure provided on a first electrode layer (pixel electrode layer); a second wall-like structure provided similarly on a second electrode layer (common electrode layer); and a dielectric film covering these.
ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の壁状構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の壁状構造体を設け、これらを誘電体膜で被覆する構成とする。 - 特許庁 - This is the electroluminescent element equipped with a first electrode, the electroluminescent layer, and a second electrode laminated on a substrate, and in which the electroluminescent layer is constituted by containing a first zinc oxide layer, a zinc sulfide layer, and a second zinc oxide layer in this order.
基板上に、第一電極、エレクトロルミネッセンス層及び第二電極を積層して備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、上記エレクトロルミネッセンス層は、第一の酸化亜鉛層、硫化亜鉛層及び第二の酸化亜鉛層をこの順に含んで構成されるエレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁 - This light emitting element includes: a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer 50, a second conductivity type semiconductor layer 30, and an active layer 40 located between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; and a plurality of polarization induction patterns 80.
発光素子は、第１導電型の半導体層５０、第２導電型の半導体層３０、及び前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する活性層４０を含む発光構造物と、複数の偏光誘導パターン８０を含む。 - 特許庁 - The ear base material is covered by the first covering layer, the first covering layer is covered by the second covering layer, and the melting point of the second covering layer is higher than that of the first covering layer.
耳部を有する鉛蓄電池用負極集電体において、耳部は、耳基材、第一被覆層、及び第二被覆層を備え、耳基材は第一被覆層に被覆され、第一被覆層は第二被覆層に被覆され、第二被覆層の融点が第一被覆層の融点より高いことを特徴とする。 - 特許庁 - This wiring board 101 is provided with a main face side first insulating layer 113, a main face side second insulating layer 114 laminated over this, and a main face side second conductor layer 127 formed between those layers, including a conductor wiring layer 128 and a plate-shaped plane conductor layer 129.
配線基板１０１は、主面側第１絶縁層１１３と、この上に積層された主面側第２絶縁層１１４と、これらの層間に形成され、導体配線層１２８と平板状のプレーン導体層１２９とを含む主面側第２導体層１２７とを備える。 - 特許庁 - An organic negative electrode 10 in accordance with the present invention comprises a first material layer 11 containing a conductive material, a second material layer 12 composed of a polymer solution and disposed on the first material layer 11, and a third material layer 13 containing chlorophyll and disposed on the second material layer 12.
本発明の有機負電極１０は、導電材料を含む第一材料層１１と、ポリマー溶液からなり且つ前記第一材料層１１上に設けられる第二材料層１２と、葉緑素を含むとともに第二材料層１２上に設けられる第三材料層１３と、を備える。 - 特許庁 - When the plating layer is equipped with a first plating layer whose main component is Ni, and a second plating layer which is formed thereon and mainly made of Sn or Au; water-repellent particles are dispersed into the first plating layer, and water-repellent particles are not substantially dispersed into the second plating layer.
めっき層が、Ｎｉを主成分とする第１のめっき層と、その上に形成されたＳｎまたはＡｕを主成分とする第２のめっき層とを備えるとき、第１のめっき層に撥水性粒子を分散させ、第２のめっき層に撥水性粒子を実質的に分散させない。 - 特許庁 - The method further comprises a step for forming a first layer underlying film 71 between the banks B imparted with liquid repellency, a step for forming a second layer conductive film 73 on the first layer, and a step for forming a third layer diffusion prevention film 77 on the second layer.
また、撥液性が付与されたバンクＢ間に、第１層目の下地膜７１を形成する工程と、第１層目の上に、第２層目の導電膜７３を形成する工程と、第２層目の上に、第３層目の拡散防止膜７７を形成する工程とを有している。 - 特許庁
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