「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • Next, the IC card laminate body 12 is cooled and pressurized to harden the first hot-melt layer 4 and the second hot-melt layer 7.
    次に、ＩＣカード積層体１２が冷却加圧され、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を硬化する。 - 特許庁
  • The plurality of the pads are connected to the first diffusion layer and the second diffusion layer through contact holes.
    上記複数のパッドと上記第１拡散層、上記第２拡散層との接続は、コンタクトホールを介して行われる。 - 特許庁
  • The front surface of the second information recording pit layer 14-1 is covered by a light transparent low reflection film layer.
    この第２の情報記録ピット層１４−１の表面は光透過性の低反射膜層により被覆されている。 - 特許庁
  • The thickness n1 of the first elastic layer 58a and the thickness n2 of the second elastic layer 58b are substantially the same.
    第１の弾性体層５８ａの層厚ｎ１と第２の弾性体層５８ｂの層厚ｎ２とは略同一である。 - 特許庁
  • The first soft magnetic layer 13 and the second soft magnetic layer 15 are magnetically coupled and magnetized in the same direction.
    前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。 - 特許庁
  • The glass transition temperature of one of the first alignment layer 14 and the second alignment layer 15 is higher than that of the other.
    第１配向１４膜、第２配向膜１５のうちの一方のガラス転移温度が他方よりも高くなっている。 - 特許庁
  • The perpendicular magnetic recording medium includes a first intermediate layer 106, a second intermediate layer 107, and magnetic recording layers 108 and 109 on a substrate 100.
    基板１００上に第一中間層１０６、第二中間層１０７、磁気記録層１０８，１０９を備える。 - 特許庁
  • Preferably, the structure further comprises a second layer of the dielectric 10 formed on the surface of the first layer of the dielectric 20.
    好ましくは、第１層の誘電体２０の表面に配置された第２層の誘電体１０をさらに備える。 - 特許庁
  • An arbitrary material suitable for the composition material of the storage layer 16 is selected as the second vertical connection layer 15B.
    第２縦接続層１５Ｂとして、記憶層１６の構成材料に適した任意の材料を選択することができる。 - 特許庁
  • A second ferromagnetic layer 15 containing at least one of Fe and Co is formed on the insulation layer 14.
    Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方を含有する第２の強磁性層１５は、絶縁層１４上に形成される。 - 特許庁
  • The element wire of the second shield layer is preferably wound spirally in the direction opposite to that of the element wire of the first shield layer.
    第２シールド層の素線は、第１シールド層の素線と反対の螺旋状に巻回されていることが好ましい。 - 特許庁
  • Etching is carried out as far as the etching stop layer 104 so as to form the second upper clad layer 106 into a ridge 105.
    第２上クラッド層１０６をリッジ１０５状に残すように、エッチングストップ層１０４に達するまでエッチングする。 - 特許庁
  • A first signal wire 1 includes a portion that is distributed in a first layer and a portion that is distributed in a second layer.
    第１の信号配線１は、第１の層に配された部分と第２の層に配された部分とを含んでいる。 - 特許庁
  • A second layer is formed in a similar manner as the first layer, except it is wound in an opposite rotational direction.
    第２層は、それが反対の回転方向に巻回されることを除いて第１層と同様な方法で形成される。 - 特許庁
  • On the first insulating layer 41, a second insulating layer 42 is formed covering the wiring pattern W1 for writing.
    書込用配線パターンＷ１を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成されている。 - 特許庁
  • Next, a second sheet 15 is stuck on the coating layer while the coating layer is in a wet state in a sticking part 24.
    次いで、貼合部２４で塗工層上に、該塗工層が湿潤状態にあるうちに、第二のシート１５を貼り合わせる。 - 特許庁
  • The second constrain layer 42 is formed by using ceramics hard to be sintered compared with the non-sintered dielectric ceramic layer 22 as a base material.
    第２拘束層４２は、未焼結誘電体セラミック層２２に比べて焼結しにくいセラミックを母材とする。 - 特許庁
  • At least one protruding part 22 is provided on the surface of the second material layer opposed to the first material layer.
    前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に少なくとも一つの凸部２２を設置する。 - 特許庁
  • The back light device includes a transparent substrate, a plurality of protrusions, a first transparent layer, a second transparent layer and a light source.
    本発明のバックライト装置は、透明基板、複数の凸部、第１透明層、第２透明層及び光源からなる。 - 特許庁
  • The supporting substrate is provided at the side of the second semiconductor layer opposite to the side at which the light-emitting layer is provided, and is electrically connected to the first electrodes.
    支持基板は、第２半導体層の発光層とは反対側に設けられ第１電極と導通する。 - 特許庁
  • Furthermore, when applying the second step of etching to the silicon active layer 2a, the intermediate layer 2b is removed in advance.
    更に、シリコン活性層２ａに２段階目のエッチングを施す際には、その前に中間層２ｂを先に除去しておく。 - 特許庁
  • The plastic optical fiber cord 16 is manufactured by covering a first protection layer 62 and a second protection layer 63 on a POF14.
    ＰＯＦ１４に第１保護層６２及び第２保護層６３を被覆してプラスチック光ファイバコード１６を製造する。 - 特許庁
  • On the first insulating layer 41, a second insulating layer 42 is formed covering the wiring patterns W1 and R1.
    第１の絶縁層４１上において配線パターンＷ１，Ｒ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成される。 - 特許庁
  • A memory cell layer 12 is formed on the first wiring 11 in a cell array, and a second wiring 13 is formed on the memory cell layer.
    セルアレイ内の第１配線の上にメモリセル層１２を形成し、メモリセル層の上に第２配線１３を形成する。 - 特許庁
  • The depth of the base portion of the second impurity diffusion layer 206-12 is coincident with the depth of the base portion of the first impurity diffusion layer 206-10.
    第２不純物拡散層206-12は、その底部の深さが第１不純物拡散層206-10の底部の深さに一致する。 - 特許庁
  • A second signal is impressed to the protecting plane layer so that capacitive coupling between the signal layer and common electrode is lowered.
    第２の信号が保護プレーン層に印加され、それにより信号層と共通電極間の容量結合を低下させる。 - 特許庁
  • In the second drain member 30, the liquefaction layer embedded part 31 embedded in the liquefaction layer G1 has a water permeability.
    第２ドレーン材３０は、液状化層Ｇ１に埋設された液状化層埋設部３１が透水性を有している。 - 特許庁
  • On the etching stop layer 5, an upper part second clad layer 7 of a ridge type is formed along the element length direction.
    エッチングストップ層５の上には、リッジ形状の上部第２クラッド層７が素子の長さ方向に沿って形成されている。 - 特許庁
  • Then, a second single crystal silicon layer 105 is formed on the layer 103a to obtain a first substrate 110.
    次いで、単結晶シリコン層１０３ａ上に第２単結晶シリコン層１０５を形成し、第１基板１１０ｂを得る。 - 特許庁
  • On the second insulating layer 42, a third insulating layer 43 is formed covering the wiring patterns W2 and R2.
    第２の絶縁層４２上において配線パターンＷ２，Ｒ２を覆うように第３の絶縁層４３が形成される。 - 特許庁
  • The plurality of carbon nano tube structures in the first alignment layer/the second alignment layer are arranged to be parallel to each other.
    前記第一配向層／第二配向層における複数のカーボンナノチューブ構造体は、平行に並列されている。 - 特許庁
  • First and second crystal control layers and an intermediate layer are formed between a substrate 1 and a Co alloy magnetic recording layer 9.
    基板１とＣｏ合金磁性記録層９との間に第一〜第二結晶制御層と中間層を設ける。 - 特許庁
  • The paint film 8 is formed by applying electrodeposition painting onto a first plating layer 4 or second plating layer 6.
    塗装膜８は、第１のメッキ層４の上又は第２のメッキ層６の上に電着塗装を施すことにより形成される。 - 特許庁
  • The etching rate of material of the second insulating layer 72 is set more than the etching rate of material of the first insulating layer 71.
    第２絶縁層７２の材料のエッチングレートは第１絶縁層７１の材料のエッチングレートより大きくされている。 - 特許庁
  • The width of the first electrode 101 in one wiring layer is different from that of the second electrode 102 in the other wiring layer.
    一の配線層の第１電極１０１の幅と、他の配線層の第２電極１０２の幅とは異なっている。 - 特許庁
  • A waterproof layer 13 formed by heating and melting asphalt is formed and laminated on the second thermal insulation layer.
    第２断熱層の上にはアスファルトを加熱溶融して形成される防水層（１３）が形成され積層されている。 - 特許庁
  • The core layer 13b extracts the first laser beam and the second laser beam from the core layer 13a and superimposes one laser beam on the other laser beam.
    コア層１３ｂは、第１のレーザ光と第２のレーザ光とをコア層１３ａから引き出して重ね合わせる。 - 特許庁
  • By using the same target for both of the first layer 2B and the second layer 2C, productivity can be improved.
    また、第一層２Ｂ、第二層２Ｃ共に同一のターゲットを用いることで生産性の向上を図ることができる。 - 特許庁
  • Notches 9, 10 are formed on the upside of a second clad layer 6 and on a contact layer 7, and a ridge 8 is formed between them.
    第２のクラッド層６の上部およびコンタクト層７に溝９、１０を形成してその間にリッジ８を形成する。 - 特許庁
  • A belt cord constituting the first belt layer 5A and a belt cord for constituting the second belt layer 5B are across each other.
    また、第１ベルト層５Ａを構成するベルトコードと、第２ベルト層５Ｂを構成するベルトコードとは、互いに交差している。 - 特許庁
  • (2) This nitride compound semiconductor is characterized so that the second layer can be constituted as an n-type impurity dope layer.
    （２）第２の層がｎ型不純物ドープ層であることを特徴とする上記（１）の窒化物系化合物半導体。 - 特許庁
  • The first junction electrode 24 and the second junction electrode 26 are formed from an Al wiring layer and a solder layer.
    第１接合電極２４及び第２接合電極２６は、Ａｌ配線層とはんだ層とから形成されている。 - 特許庁
  • The first recording layer 31 contains organic dye, and the second recording layer 32 contains metal oxides.
    そして、第１の記録層３１は、有機色素を含む層であり、第２の記録層３２は、金属酸化物を含む層である。 - 特許庁
  • The second well layer 23 is positioned between the first well layer 21 and the p-type nitride gallium system semiconductor region 15.
    第２の井戸層２３は、第１の井戸層２１とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置している。 - 特許庁
  • The amorphous silicon layer is formed away from the gate electrode to be a second channel layer, and provides a vertical current path.
    アモルファスシリコン層はゲート電極から離れて形成されて第二チャネル層となり、垂直な電流経路を提供する。 - 特許庁
  • Then the first and second electrodes become as anchors for a plated layer and prevent the peeling of the plated layer.
    メタルグレーズ系の第１電極６及び第２電極７がメッキ層９，１０のアンカーとなりメッキ層の剥離を防止する。 - 特許庁
  • It is preferable that the etching rate of the second layer in the surface direction of the substrate is larger than the etching rate of the first layer.
    基板の面方向における第２の層のエッチングレートは、第１の層のエッチングレートより大きいことが望ましい。 - 特許庁
  • A clad member 3 of a washer state is used where a first layer 31 made of the brass and a second layer 32 made of stainless steel are laminated.
    黄銅製の第１層３１とステンレス製の第２層３２を積層したワッシャ状のクラッド部材３を用いる。 - 特許庁
  • The method comprises a step of forming a second epitaxial layer 106b on an etched first epitaxial layer 106a.
    本方法は、エッチングした第１エピタキシャル層１０６ａ上に第２エピタキシャル層１０６ｂを形成することを含む。 - 特許庁
  • The dopant removal step is performed between the first semiconductor layer growth step and the second semiconductor layer growth step.
    ドーパント除去工程は、第１半導体層成長工程と第２半導体層成長工程の間に実施される。 - 特許庁
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