「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The first auxiliary grounding layer 6 and the second auxiliary grounding layer 14 are electrically and physically connected together with a conductive adhesive agent layer 17.
    第１の補助グランド層６と第２の補助グランド層１４とは導電性の接着剤層１７によって電気的かつ物理的に接続している。 - 特許庁
  • A capacity detecting part 1 is configured of a laminated structure constituted of a first conductive layer 12, an insulating layer 14 and a mesh-shaped second conductive layer 15.
    容量検出部１を、第１導電層１２、絶縁層１４および網目状の第２導電層１５からなる積層構造により構成する。 - 特許庁
  • The component of the middle layer 8 is so prepared that it is apt to adhere to the first adhesive layer 6 and the second adhesive layer 7 rather than the vinyl base material 4.
    中間層８は、ビニル基材４よりも、第一粘着層６及び第二粘着層７が粘着し易くなる部材により形成されている。 - 特許庁
  • The first deflecting layer 22 or the second deflecting layer 24 is thermally expanded by heating, and the cantilever beam element 20 is deflected on the opposite side of the expanded deflecting layer.
    第１の偏向層２２または第２の変更層２４は加熱によって熱膨張し、片持ち梁要素２０は膨張した偏向層の反対側で撓む。 - 特許庁
  • In the multilayer disk, the second recording layer L1 and succeeding recording layers are formed closer to the cover layer surface CVLs than the first layer L0.
    また複数層ディスクにおいては、第２層Ｌ１以降の記録層は、第１層Ｌ０よりもカバー層表面ＣＶＬｓに近づく位置に形成されるようにする。 - 特許庁
  • The surface of the first hard coat layer 2 is provided with a second hard coat layer 3 having a refractive index higher than that of the first hard coat layer 2 and having a haze of 0.1 to 1%.
    この第１ハードコート層２の表面に屈折率が第１ハードコート層２よりも大きく、ヘイズが０．１〜１％の第２ハードコート層３を設ける。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises: a first insulating layer; a substrate including the first insulating layer and stacked second insulating layers; a semiconductor element provided on the opposite side to the side of the first insulating layer on which the second insulating layers are provided; circuit patterns provided between the first insulating layer and the second insulating layer; and potential parts provided between the first insulating layer and the second insulating layer.
    実施形態によれば、半導体装置は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層と積層された第２の絶縁層と、を有する基板と、前記第１の絶縁層の前記第２の絶縁層が設けられた側とは反対側に設けられた半導体素子と、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、の間に設けられた回路パターンと、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、の間に設けられた電位部と、を備える。 - 特許庁
  • A first active layer containing first conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate, a first electrode is provided on the first active layer, a second active layer containing second conductivity type impurities is formed on a partial region of the first active layer, a third active layer containing first conductivity type impurities is formed on the second active layer, and a second electrode is formed on the third active layer.
    半導体基板上に、第１の導電型不純物を含有する第１の能動層を形成し、この第１の能動層に第１の電極を設ける一方、前記第１の能動層の一部領域上に、第２の導電型不純物を含有する第２の能動層を形成するとともに、この第２の能動層上に第１の導電型不純物を含有する第３の能動層を形成し、この第３の能動層に第２の電極を形成する。 - 特許庁
  • The thermal stress canceller member may include a second cavity 14, a second resin layer 32 filled into the second cavity 14, and a semiconductor chip 22.
    熱応力相殺部材は、例えば第２の凹部１４と、第２の凹部１４に充填された第２の樹脂層３２と、半導体チップ２２とを備える。 - 特許庁
  • Alternatively, the second pad PD 2 is arranged on an upper layer of the second electrostatic discharge protection element ESD-M so as to overlap one part or the entire of the second electrostatic discharge protection element ESD-M.
    或いは第２の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｍの一部又は全部と重なるようにその上層に第２のパッドＰＤ２が配置される。 - 特許庁
  • A part of the second via conductor 140b is similarly provided with a second coating layer on the second mounted terminal 150b formed by making a part of the conductor 140b project.
    第２のビア導体１４０ｂも同様に、その一部を突出させて形成する第２の実装端子１５０ｂ上に、第２の被覆層を備える。 - 特許庁
  • The method also includes at least the process of performing second electroforming so as to form a second metal layer 9 so that the second resin mold 7 is embedded.
    第２の樹脂型７を埋め込むように第２の金属層９を形成するために第２の電鋳を行う工程とを少なくとも備えている。 - 特許庁
  • A second packing unit 35 is positioned between the second electrode board 33 and the circuit board 31 and is installed in a ring-like form around the second active material layer 332.
    第二パッキングユニット３５は第二電極基板３３と回路基板３１の間に位置し、第二活性材料層３３２の周囲にリング状に設置される。 - 特許庁
  • Before the second semiconductor substrate is subjected to a second dividing process, a support member is provided on a layer to be peeled of the second semiconductor substrate.
    また、第２の半導体基板に対して第２の分断処理を施す前に、第２の半導体基板の被剥離層上に支持材料を設ける。 - 特許庁
  • A wiring gap formed on a second inter-layer insulating film 106 is filled with a second metal film, and a second metal wiring 112A is formed.
    第２の層間絶縁膜１０６に形成された配線間隙１１１に第２の金属膜を充填して、第２の金属配線１１２Ａを形成する。 - 特許庁
  • The glass substrate is irradiated with a second laser beam, to form a second degradation layer, and then a second groove part is formed in the surface of the glass substrate.
    また、ガラス基体に第２レーザ光線を照射してガラス基体内部に第２変質層を形成した後に、ガラス基体表面に第２溝部を形成する。 - 特許庁
  • The second intermediate power wiring of the intermediate power wiring layer includes connection wiring connecting the second intermediate connection vias to the second auxiliary connection vias.
    中間電源配線層の第２の中間電源配線には、第２の中間接続ビアと第２の副接続ビアとを接続する接続配線が含まれる。 - 特許庁
  • The second wiring is formed on an upper wiring layer of the semiconductor substrate, and connects the second terminal of the transistor with the second power source line.
    第２の配線は、前記半導体基板の上方の配線層に形成され、前記トランジスタの第２の端子と前記第２の電源線とを接続する。 - 特許庁
  • An etch stop layer (23) is provided between the first part (28) of the second mirror structure (19) and the second part (29) of the second mirror structure (19).
    エッチストップ層（２３）は、第２のミラー構造（１９）の第１の部分（２８）と、第２のミラー構造（１９）の第２の部分（２９）との間に設けられる。 - 特許庁
  • The second conductive module has a second conductive layer having at least a second resistive touching area corresponding to the first resistive touching area respectively.
    該第２導電モジュールは第２導電層を具え、それは該第１抵抗式タッチエリアに対応する少なくとも一つの第２抵抗式タッチエリアを包含する。 - 特許庁
  • The thread storage function of a second layer stores a second number of thread states, the second number being larger than the limited number of executable storage register states.
    第２の層のスレッド・ストレージ機能は、限定された数の実行可能なスレッド・レジスタ状態よりも大きな第２の数のスレッド状態を格納する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.
    リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁
  • Then an n-type absorption reducing layer 4 is provided on an under surface of the n-type clad layer 5, and a p-type absorption reducing layer 12 is provided on an upper surface of the p-type second clad layer 11.
    そして、ｎ型クラッド層５の下面にｎ型吸収低減層４が備えられるとともに、ｐ型第２クラッド層１１の上面にｐ型吸収低減層１２が備えられる。 - 特許庁
  • In the process (d), the second conductive layer 18 and the ferroelectric layer 14 are formed in regions where the first conductive layer 12 and the third conductive layer 16 cross each other.
    前記工程（ｄ）において、前記第２導電層１８および前記強誘電体層１４は、前記第１導電層１２と、前記第３導電層１６との交差領域に形成される。 - 特許庁
  • The micro machine device includes a substrate 10, a first material layer 12 provided on the surface of the substrate and a second material layer 16 supported by a sacrifice layer 14 through the space from the first material layer 12.
    基板１０と、該基板の表面に設置された第一材料層１２と、前記第一材料層との間に隙間があり、犠牲層１４に支持された第二材料層１６とを含む。 - 特許庁
  • Data of dynamic images have a hierarchical structure made of a zero layer 30, a first layer 32, a second layer 34, and a third layer 36 in the z-axis direction from the top to the bottom of the illustration.
    動画像のデータは、図の上から下へ向かうｚ軸方向に、第０階層３０、第１階層３２、第２階層３４および第３階層３６からなる階層構造とする。 - 特許庁
  • The first buried layer 12 is formed by an N+ type first impurity layer 12A and an N type second impurity layer 12B dispersed in a region larger than that of the first impurity layer.
    第１の埋め込み層１２はＮ＋型の第１の不純物層１２Ａと、それより広い範囲に拡散されたＮ型の第２の不純物層１２Ｂとによって形成される。 - 特許庁
  • The base layer 2 is covered with the first layer 3 being the metal foil and the second layer 4 being the metal foil as well both of which make the effect of the base layer 2 further exerted and assume a role of protection.
    基層２の効果をより発揮させると共に、保護の役割を担う金属箔である第１層３及び同じく金属箔である第２層４で基層２上を覆う。 - 特許庁
  • Further, the barrier layer 36 is wave-formed with slight unevenness because the surface of the first resin layer 32 is coarse, so that the barrier layer 36 and the second resin layer 34 are also firmly bonded to each other.
    さらに、第１樹脂層３２の表面が粗いことにより、バリア層３６がわずかな凹凸を有する波状になり、バリア層３６と第２樹脂層３４とも強く結合される。 - 特許庁
  • A ground line to which the grounding voltage GND to be used in the sense amplifier group SAG is supplied, is formed on a metal wiring layer 209 of a second layer of upper layer of a metal wiring layer 202.
    金属配線層２０２の上層の第２層の金属配線層２０９にセンスアンプ帯ＳＡＧで用いる接地電圧ＧＮＤが供給される接地線が形成される。 - 特許庁
  • A removal process for allowing a portion of the first metal layer and the second metal layer 14 to remain on the semiconductor layer 12 and, on the other hand, removing the other portion from the semiconductor layer 12 is carried out.
    そして、第１および第２金属層１４の一部分を半導体層１２上に残存させる一方、他の部分を半導体層１２上から除去する除去工程を実施する。 - 特許庁
  • When the mat 1 is placed on sand 5 with a first layer 2 downwards, any sand that passes upwards through the lower surface of the first layer 2 is retained between the first layer 2 and a second layer 3.
    マット１が第１層２を下側にして砂５の上に置かれると、第１層２の下部表面を上向きに通過するいかなる砂も第１層２と第２層３との間に保持される。 - 特許庁
  • The optical waveguide 120 has a structure, wherein a lower clad layer 130, a core layer 140, a first upper clad layer 150 and a second upper clad layer 160 are laminated in this order.
    光導波路１２０は，下部クラッド層１３０とコア層１４０と第１上部クラッド層１５０と第２上部クラッド層１６０とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁
  • This thin-film solar cell 10 is provided with a substrate 11, a conductive layer 12, a second semiconductor layer 13, a first semiconductor layer 14, a window layer 15 and a transparent conductive film 16.
    本発明の薄膜太陽電池１０は、基板１１、導電層１２、第２の半導体層１３、第１の半導体層１４、窓層１５および透明導電膜１６を備えている。 - 特許庁
  • The intermediate layer 15 has a two-layer structure where a first resin layer 3 and a second resin layer 5 having a Tg of 150°C or higher are sequentially stacked from the light incidence side.
    また、中間層１５は、第１の樹脂層３及び１５０℃以上のＴｇを有する第２の樹脂層５が光入射側から順に積層された２層構造を有している。 - 特許庁
  • This integrated circuit has a stop layer 220 patterned on a metal layer 210, and furthermore has a second layer 230 formed on this patterned stop layer 220.
    本発明の集積回路は、金属層２１０の上にパターン形成されたストップ層２２０を有し、さらにこのパターン形成されたストップ層２２０の上に形成された第２層２３０とを有する。 - 特許庁
  • The light emitting device 100 includes a support part 120, a first clad layer 104, an active layer 106, a second clad layer 108, and a reflective part 140 formed separate from the active layer.
    発光装置１００は、支持部１２０と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、活性層と離間して形成された反射部１４０と、を含む。 - 特許庁
  • A thickness of the lower buried layer is determined so that the lower buried layer contacts the end of the first clad layer but does not contact the end of the second active layer at both the sides of the mesa structure of the optical amplifier.
    光増幅器のメサ構造の両側においては、下部埋込層が第１のクラッド層の端面に接するが第２の活性層の端面には接しない厚さとされている。 - 特許庁
  • This processed food as an unsticky sweet potato processed food 1 has sweet potato 11 as a vegetable material, a honey layer 21 as a first coating layer and a ground sesame layer 31 as a second coating layer.
    本発明のべたつかないイモ加工食品１は、植物性素材であるサツマイモ１１、第１被覆層としての蜂蜜層２１、第２被覆層としての擂りゴマ層３１を有する。 - 特許庁
  • In a ground layer 16 formed on the second wiring layer, a ground layer opening portion 35 on which a ground layer is not formed on a predetermined shape around each of the signal vias 17 is formed.
    第二配線層に形成されたグランド層１６においては、各信号ビア１７の周囲において所定の形状にグランド層が非形成となるグランド層開口部３５を備える。 - 特許庁
  • Further, in the optical resonator 3, a first auxiliary active layer 7 is provided in the vicinity of the lower reflective layer 4 and a second auxiliary active layer 8 is provided in the vicinity of the upper reflective layer 5.
    また、光共振器３には、下部反射層４の近傍に第１の副活性層７を設けると共に、上部反射層５の近傍に第２の副活性層８を設ける。 - 特許庁
  • The laser module 20 includes a photonic crystal laser element 1 comprising a substrate, a first conductivity type clad layer, a light-emitting layer, a second conductivity type clad layer, and a photonic crystal layer.
    レーザモジュール２０は、基板と、第１導電型のクラッド層と、発光層と、第２導電型のクラッド層と、フォトニック結晶層とを含むフォトニック結晶レーザ素子１を備えている。 - 特許庁
  • The elapsed image is created by using first layer meshes 61x and 61y, second layer meshes 62x and 62y, third layer meshes 63x and 63y and fourth layer meshes 64x and 64y.
    経過画像は、第１層メッシュ６１ｘ、６１ｙと、第２層メッシュ６２ｘ、６２ｙと、第３層メッシュ６３ｘ、６３ｙ、第４層メッシュ６４ｘ、６４ｙを用いて作成する。 - 特許庁
  • Lattice mismatching between the non-magnetic bonding layer 16 and the second magnetic layer 18 formed on the non-magnetic bonding layer 16 is suppressed by controlling the lattice constant of a crystal growing face of the non-magnetic bonding layer 16.
    非磁性結合層１６の結晶成長面の格子定数を制御して、非磁性結合層１６上に形成される第２磁性層１８との格子不整合を抑制する。 - 特許庁
  • According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor light-emitting device comprising a first semiconductor layer, a light-emitting layer, a second semiconductor layer, a low-refractive-index layer, and a transparent electrode.
    本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁
  • A metal is embedded to an air gap formed resulting from removing the second external base layer 8 and silicide processing is applied by heat treatment to a boundary face between the metallic layer and a first base lead-out layer, resulting in that a silicide layer 19 is connected to a base 11a beneath an emitter electrode 17.
    除去された空隙に金属を埋め込み、熱処理によりシリサイド化することにより、シリサイド層１９がエミッタ電極１７直下でベース１１ａと接続される。 - 特許庁
  • A solar battery layer 24 comprising a first electrode layer 11, a semiconductor layer 13, and a second electrode layer 12, is provided with opening domains 25A and 25B with an opening part 17 formable therein.
    第１電極層１１、半導体層１３および第２電極層１２から成る太陽電池層２４に、開口部１７が形成可能な開口領域２５Ａ、２５Ｂを設ける。 - 特許庁
  • The menu has a layered structure including a fist layer through a third layer, and at least each menu of the first layer and second layer is a seamless menu in which a forefront menu and a tail menu are connected.
    また、メニューを第１〜第３の階層構造とし、すくなくとも第１，第２階層の各メニューは、先頭のメニューと後尾のメニューとが接続されたシームレスなメニューとする。 - 特許庁
  • A sealing frame member 11 is constituted of a two-layer silicon elastomer layer composed of a first layer 11a coming into contact with a substrate which mounts a semiconductor chip and a second layer 11b laminated thereon.
    封止枠部材11は半導体チップを実装する基板に接する第１層11ａと、その上に積層された第２層11ｂとの２層のシリコーンエラストマー層により構成されている。 - 特許庁
  • A printed wiring board 101 is configured by laminating a power supply layer 11, a ground layer 12, a first signal wiring layer 13, and a second signal wiring layer 14 with insulation layers interposed therebetween.
    プリント配線板１０１は、電源層１１、グラウンド層１２、第一の信号配線層１３、及び第二の信号配線層１４が絶縁層を介して積層されて構成されている。 - 特許庁
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