「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The second metallic layer 28 can be thereby formed closer to the slider 20 side than the upper shielding layer 27.
    これによって前記第２金属層２８を上部シールド層２７よりも、よりスライダ２０側に近づけることができる。 - 特許庁
  • In the second step, a gate insulating film 140, a semiconductor layer and an ohmic contact layer are formed on the gate lines.
    第２段階では、ゲート線上にゲート絶縁膜１４０、半導体層及び抵抗性接触層が形成される。 - 特許庁
  • The polymer actuator is disposed with a first layer A and a pair of second layers B disposed in the both sides of the first layer.
    高分子アクチュエータは、第１層Ａとこの第１層の両側に配される一対の第２層Ｂが配置される。 - 特許庁
  • The formation of the first doped layer 540a and its coating with the second semiconductor layer 550a are conducted in a series of processes.
    第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 - 特許庁
  • The pointer 14 is composed to include a body 30, a second light guide layer 31, and a first light guide layer 32.
    指針１４は、本体部３０、第２の導光層３１、および第１の導光層３２を含んで構成される。 - 特許庁
  • A second buried layer 112 is of the first conductivity type, and connects the first buried layer 114 to the gate electrode 106.
    第２埋込層１１２は第１導電型であり、第１埋込層１１４とゲート電極１０６とを接続している。 - 特許庁
  • The radiator layer is disposed over a feed circuit layer which has a second ground plane disposed thereon.
    放射層は、フィード（給電）回路層上に配置されており、フィード回路層上には、第２接地面が配置されている。 - 特許庁
  • The first resin layer 21 and the second resin layer 22 are structured with a resin material 2, the compositions of which are the same or different.
    第１樹脂層２１と第２樹脂層２２とは組成が同一または異なる樹脂材料２で構成されている。 - 特許庁
  • The second electrode is provided on a side surface of a part between a light-emitting layer and a first main surface in the semiconductor layer.
    第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。 - 特許庁
  • The insulating layer is arranged on the insulating substrate, and the insulating layer includes a through-hole, a first end part, and a second end part.
    前記絶縁層は、前記絶縁基板に配置され、前記絶縁層は、スルーホールと、第一端部と、第二端部と、を含む。 - 特許庁
  • The in-layer lens has a diameter equal to that of a circle substantially circumscribing the aperture 16a of the second wiring layer 16.
    そして、層内レンズ径は、第２の配線層１６の開口領域１６ａに略外接する円の直径と等しい。 - 特許庁
  • A laminated nonwoven fabric for drain material is formed of an integrated laminate of a first fiber layer and a second fiber layer.
    本発明に係るドレーン材用積層不織布は、第１及び第２の繊維層の積層体を一体化したものである。 - 特許庁
  • Both of the second nanofiber layer 30 and the third nanofiber layer 40 have a thicknesses in a range of 1-5 μm, respectively.
    第２ナノ繊維層３０及び第３ナノ繊維層４０は、ともに１μｍ〜５μｍの範囲内にある厚さを有する。 - 特許庁
  • The thin-film coil has first and second layer parts 31 and 34 disposed through the recording gap layer 12.
    薄膜コイルは、記録ギャップ層１２を介して配置された第１層部分３１と第２層部分３４とを有している。 - 特許庁
  • The base metal, the first layer, and the second layer each have predetermined thermal expansion coefficients, yield strengths, and elongations.
    基材金属、第１の層、及び第２の層は各々が所定の熱膨張率、降伏強度、及び伸び率を有する。 - 特許庁
  • The first resin layer 14 and the second resin layer 16 are extended along the irregular shape on the surface of the substrate.
    第１樹脂層１４および第２樹脂層１６は、基材の表面の凹凸形状に沿うようにして延びている。 - 特許庁
  • Furthermore, the thickness of the first p-type contact layer 16a and that of the second p-type contact layer 16b is totally 20 to 300 nm.
    また、第１ｐ型コンタクト層１６ａと第２ｐ型コンタクト層１６ｂの厚さの合計は、２０〜３００ｎｍである。 - 特許庁
  • The second layer 16 is a distributed mass layer which has a constant thickness and is comprised of a thin sheet of lead.
    第２の層１６は分布式マス層であり、一定の厚さを備え薄い鉛板で構成可能なマス層で構成する。 - 特許庁
  • A ground layer GL is formed on the second insulating layer 42 so as to cover the wiring patterns W1, W2.
    配線パターンＷ１，Ｗ２の上方を覆うように第２の絶縁層４２上にグランド層ＧＬが形成される。 - 特許庁
  • An upper surface of the semiconductor layer 13 in the second region is lower than an upper surface of the semiconductor layer 13 in the first region.
    第２の領域の半導体層１３の上面は、第１の領域の半導体層１３の上面より低い。 - 特許庁
  • One of the first layer 103 and the second layer 105 includes a resin and the other includes a curing agent for the resin.
    第一の層１０３および第二の層１０５のうち一方が樹脂を含み、他方が当該樹脂の硬化剤を含む。 - 特許庁
  • Then, the inter-layer insulating film 140 is ground till the waveform upper end 320 Pu of the second ion layer 320 appears.
    その後、層間絶縁膜１４０を、第２イオン層３２０の波形上端部３２０Ｐｕが表出するまで研磨する。 - 特許庁
  • The semiconductor layer includes a first principal surface, a second principal surface formed opposite to the first principal surface, and a light-emitting layer.
    前記半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。 - 特許庁
  • An electrode 40 is provided in the first liquid layer 32, and an electrode 42 is provided in the second liquid layer 34.
    第１の液体層３２には、電極４０が設けられ、第２の液体層３４には電極４２が設けられている。 - 特許庁
  • In the first semiconductor layer 13a, a band gap becomes smaller, the closer it comes to the second semiconductor layer 13b.
    第１の半導体層１３ａは、第２の半導体層１３ｂに近づくにつれてバンドギャップが小さくなっている。 - 特許庁
  • The second reinforcing layer 20 is located on the outer side of the first reinforcing layer 18 on the inner side of the apex 26.
    この第二補強層２０は、このエイペックス２６の内側において、この第一補強層１８の外側に位置している。 - 特許庁
  • In the first layer, aluminum is spread in the base material, and the second layer is formed of aluminum.
    前記第１層においては、アルミニウムが前記母材中に拡散していて、前記第２層はアルミニウムにより形成されている。 - 特許庁
  • The second electrode layer and the integrated circuit are connected by an electrically connected wiring layer through the contact hole.
    該第２電極層と該集積回路は該コンタクトホールを介して電気的に接続する配線層によって接続されている。 - 特許庁
  • The supporting substrate is detached by irradiating the first resin layer with laser light, and the second resin layer is removed.
    第１の樹脂層にレーザ光を照射して支持基板を剥離し、第２の樹脂層を除去することを特徴とする。 - 特許庁
  • The jet impingement heat exchanger includes an inlet jet, a target layer, a second layer, a transition channel, and a fluid outlet.
    ジェット衝突熱交換器が、入口噴射口と、ターゲット層と、第２層と、移行チャネルと、流体出口とを含んでいる。 - 特許庁
  • The sum of thicknesses of the first upper clad layer 108 and second upper clad layer 109 is 0.3-1.5 μm.
    第一上クラッド層１０８と第二上クラッド層１０９の層厚の総和が０.３μｍ以上１.５μｍ以下である。 - 特許庁
  • In such a case, the second adhesive layer 6 comprises one having larger storage elastic modulus than that of the third adhesive layer 7.
    この際、第二の粘着層６は、第三の粘着層７よりも貯蔵弾性率が大きいもので構成する。 - 特許庁
  • The first mask structure and the second mask structure are formed so as to include a dual mask layer and an etching mask layer, respectively.
    各々デュアルマスク層とエッチングマスク層とを含むように第１マスク構造物及び第２マスク構造物を形成する。 - 特許庁
  • A first bias layer 10 and a second bias layer 11 are disposed on both sides along a direction X of a first element part 9A.
    第１素子部９ＡのＸ方向の両側に第１バイアス層１０及び第２バイアス層１１が配置される。 - 特許庁
  • (B) A second layer 20U that contains glass as a component and whose lateral width is narrower than that of the first layer 20D is prepared.
    （Ｂ）ガラスを構成要素として含み、第一の層２０Ｄよりも横幅の狭い、第二の層２０Ｕを用意する。 - 特許庁
  • The first quantum well layer 221 generates ultraviolet region light, and the second quantum well layer 222 generates blue light.
    第１量子井戸層２２１は紫外領域光を発生し、第２量子井戸層２２２は青色光を発生する。 - 特許庁
  • A second layer 12 covering the first layer 8 and the electrodes consists of a third material having a high dielectric strength.
    第１の層８および電極を被覆する第２の層１２は高い誘電強度を有する第３の材料から成る。 - 特許庁
  • The upper layer 58 is equipped with a first catalyst and a second catalyst and the lower layer 57 is equipped with the first catalyst.
    上記上層５８は、第１触媒、及び第２触媒を備え、上記下層５７は、第１触媒を備える。 - 特許庁
  • The UV laser is selectively radiated to the active layer (semiconductor layer) 40a or the like of the second TFT 40 of the pixel.
    画素の第２ＴＦＴ４０の能動層（半導体層）４０ａ等に対し、ＵＶレーザを選択的に照射する。 - 特許庁
  • The value of magnetostriction constant λ of the second enhance layer 36b is smaller than the magnetostriction constant λ of the first enhance layer 36a.
    第２エンハンス層３６ｂの磁歪定数λの値は第１エンハンス層３６ａの磁歪定数λの値よりも小さい。 - 特許庁
  • The second electrodes sandwiches the light-emitting layer and is formed on the compound semiconductor layer opposite to the first electrode.
    第２の電極は発光層を挟んで第１の電極とは反対側の化合物半導体層上に形成されている。 - 特許庁
  • The trench has a first area narrower than the semiconductor layer and a second area in the same depth in the semiconductor layer.
    前記トレンチは、半導体層よりも浅い第１領域及び半導体層に同じ深さの第２領域を有する。 - 特許庁
  • The first lubricating layer 3A can be formed of pure copper and the second lubricating layer 3B can be formed of the Cu-Ni alloy.
    第１潤滑層３Ａを純銅で、第２潤滑層３Ｂを前記Ｃｕ−Ｎｉ合金で形成することができる。 - 特許庁
  • A semiconductor material constituting the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is anatase-type TiO_2.
    そして、第一の半導体層及び前記第二の半導体層を構成する半導体材料はアナタース型のＴｉＯ_2である。 - 特許庁
  • The thin film pattern 102-2 of the second layer is arranged at a position not to be laid on top of the stamp region 105-1 of the first layer.
    ２層目の薄膜パターン１０２−２は１層目のスタンプ領域１０５−１に重ならない位置に配置される。 - 特許庁
  • The semiconductor layer is provided with an emitting layer, a first surface, and a second surface formed on an opposite side of the first surface.
    半導体層は、発光層と、第１の面と、第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する。 - 特許庁
  • Finally, both TMG and TMA are turned on, and a second growth process of growing the barrier layer (AlGaN layer) is performed.
    次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 - 特許庁
  • Printing is made on the side of the first thermal shrinkage layer opposite the side in contact with the second thermal shrinkage layer.
    そして、第一熱収縮層における第二熱収縮層と接する面の反対側の面に印字がなされる。 - 特許庁
  • The second conductor layer 29 has a first electroplated layer 35 on its lower side, an upper surface 36 of which is etched.
    第２導体層２９のうち下方の第１電解メッキ層３５は、その上面３６がエッチングにより形成されている。 - 特許庁
  • Using the second mask 9, an n+ diffused layer 11 and n+ diffused layer 14 are formed for determining the threshold of the transistor.
    第２のマスク９を用いて、トランジスタのしきい値を決定するＮ^+ 拡散層１１とＮ^+ 拡散層１４を形成する。 - 特許庁
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