「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 81 82 83 84 85 86 87 88 89 .... 429 430 次へ＞- Lattice constants of the base layer 3 and second semiconductor layer 5 in the second direction in the absence of strain are larger than that of the substrate 2 in the second direction in the absence of strain, and lattice constants of the base layer 3 and second semiconductor layer 5 in the second direction while they are formed on the principal surfaces of the substrate 2 are larger than that of the substrate 2 in the second direction, respectively.
そして、下地層３および第２半導体層５の無歪みの状態における第２方向の格子定数は、それぞれ、基板２の無歪みの状態における第２方向の格子定数よりも大きく、下地層３および第２半導体層５の基板２の主表面上に形成された状態における第２方向の格子定数は、それぞれ、基板２の第２方向の格子定数よりも大きい。 - 特許庁 - The first substrate and the second substrate may be joined by heating via a first joint layer, a second joint layer, and a third joint layer stacked in this order between the first substrate and the second substrate.
第１の基板と第２の基板の間に、第１接合層と第２接合層と第３接合層と順に積層し、第１接合層と第２接合層と第３接合層とを介して、第１の基板と第２の基板を加熱して接合してもよい。 - 特許庁 - In the second organic optical response element, the surface of the electrode base material is covered with a first layer made of a p-type organic semiconductor and a second layer made of an n-type organic semiconductor, and further a transition metal catalyst is carried on the second layer.
該第２の有機光応答素子は、電極基材の表面に、ｐ型有機半導体からなる第１層及びｎ型有機半導体からなる第２層が被覆されてなり、該第２層の上にさらに遷移金属触媒が担持されていてもよい。 - 特許庁 - Then, a second laminate ST2 in which at least a first conductive type third cladding layer 49, a second active layer 50, and a second conductive type fourth cladding layer 51 are laminated is formed on the first laminate ST1 by the epitaxial growth method.
次に、第１積層体ＳＴ１上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第３クラッド層４９、第２活性層５０および第２導電型第４クラッド層５１を積層させた第２積層体ＳＴ２を形成する。 - 特許庁 - There are provided a first wiring (1) extending in a first direction X, a second wiring (1) extending in a second direction Y intersecting the first direction X, and a magnetic resistance effect element (3) containing at least a first magnetic layer, a nonmagnetic layer, and a second magnetic layer.
第１方向Ｘに延びる第１の配線（１）と、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに延びる第２の配線（２）と、少なくとも第１の磁性層、非磁性層、第２の磁性層を含む磁気抵抗効果素子（３）とを具備する。 - 特許庁 - The second dielectric layer 34 has second board wires 32a and 32g whose one portion is exposed to the opening, and is in contact with the back of the first dielectric layer 33 so that the other portion of the second layer board wires 32a and 32g is buried.
第２誘電体層３４は、開口部に一部が露出する第２層ボード配線３２ａ，，３２ｇを表面に有し、第２層ボード配線３２ａ，３２ｇの他の一部を埋め込むように、第１誘電体層３３の裏面に接している。 - 特許庁 - The surface on the alignment layer 23b side of the second overcoat film 43b is higher than the surface of the second light transmissive substrate 12a and the surfaces on the alignment layer 23b side of the protrusions 49 are higher than the surface on the alignment layer 23b side of the second overcoat film 43b.
第２オーバーコート膜４３ｂの配向膜２３ｂ側の表面は第２透光性基板１２ａの表面より高く、突起４９の配向膜２３ｂ側の表面は第２オーバーコート膜４３ｂの配向膜２３ｂ側の表面より高い。 - 特許庁 - After the second barrier layer (TiN) 19 is formed, it is subjected to a heat treatment to remove the not-yet-reacting nitrogen from the second barrier layer 19 and then the aluminum alloy film 20 is formed on the second barrier layer 19 subjected to the nitrogen removing treatment.
そこで、第２のバリヤ層（ＴｉＮ）１８を形成した後、加熱処理をして第２のバリヤ層１８から未反応窒素を除去し、この窒素除去処理を行った第２のバリヤ層１９上にアルミニウム合金膜２０を形成するようにする。 - 特許庁 - This photovoltaic cell comprises: a first electrode; a second electrode; a photoactive layer disposed between the first and second electrodes; and a polar organic layer disposed between the photoactive layer and at least one of the first and second electrodes.
本発明の光電池は、第１の電極、第２の電極、第１および第２の電極の間に配される光活性層、ならびに、光活性層と第１および第２の電極の少なくとも一つの電極の間に配される極性有機層を含む。 - 特許庁 - The second conductive type low concentration impurity layer 160 expands the second conductive type high concentration impurity layer 170 in depth direction and channel length direction so that it has an impurity concentration lower than the second conductive type high concentration impurity layer 170.
第２導電型低濃度不純物層１６０は、第２導電型高濃度不純物層１７０を深さ方向及びチャネル長方向に拡張し、第２導電型高濃度不純物層１７０より不純物濃度が低濃度である。 - 特許庁 - An in-plane magnetic recording medium 10 is provided with a first NiAl base layer 2, a second CrMo base layer 4, a CoPt ferromagnetic atom rich layer 6, a Ru magnetic coupling layer 12, a CoCrPtB recording layer 16, and a carbon protective layer 18 on a substrate 20.
面内磁気記録媒体１０は、基板２０上に、ＮｉＡｌ第１下地層２、ＣｒＭｏ第２下地層４、ＣｏＰｔ強磁性原子リッチ層６、Ｒｕ磁気結合層１２、ＣｏＣｒＰｔＢ記録層１６及びカーボン保護層１８を備える。 - 特許庁 - The hologram recording medium comprises a second substrate as a support body, a reflection layer, a gap layer, a protective layer, a filter layer, a recording layer and a light-transmitting first substrate, wherein the gap layer comprises a polycarbonate copolymer expressed by formula [1] and formula [2].
支持体となる第二の基板、反射層、ギャップ層、保護層、フィルタ層、記録層、光透過性の第一の基板より構成されるホログラム記録媒体におけるギャップ層が下記式［１］及び［２］で表されるポリカーボネート共重合体からなる。 - 特許庁 - Magnetic film thickness difference in which reduction of film thickness by alloying which functions as a magnetic layer of a first magnetic layer 3 and a magnetic layer of a second magnetic layer 5 contacting to an anti-ferromagnetic layer 1 of the pinned layer 2 of the laminates ferrimaqgnetic type is considered, is made 0.2 mm or less.
積層フェリ型のピンド層２の反強磁性層１と接する第１の磁性層３の磁性層と第２の磁性層５の磁性層として機能する合金化による膜厚のめべりを考慮した磁気的膜厚差を０．２ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The fixing roller 20 includes at least six layers successively formed from the outer peripheral surface side to the inner part, that are, a mold release layer 20a, the heat generating layer 20b, a first elastic layer 20c, the magnetic flux control layer 20d, a second elastic layer 20e and a core metal layer 20f.
定着ローラ２０は、外周面側から内部に向けて離型層２０ａ、発熱層２０ｂ、第１弾性層２０ｃ、磁束制御層２０ｄ、第２弾性層２０ｅ、芯金層２０ｆの少なくとも６層が順次形成される。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element 1 has a structure in which a reflection layer 3, an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type cladding layer 7, and a p-type window layer 8 are sequentially laminated on a substrate 2 made of n-type GaAs.
半導体発光素子１は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板２上に反射層３と、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型ウインドウ層８とが順に積層されている。 - 特許庁 - The clad layer 4 is formed by sequentially laminating a first clad layer 4A, a second clad layer 4B and a third clad layer 4C on the optical guide layer, and a periodic uneven plane is formed on a surface of the first clad layer 4A to form a diffraction grating.
クラッド層４は、第１クラッド層４Ａ、第２クラッド層４Ｂ、及び第３クラッド層４Ｃを光ガイド層上に順次積層してなり、第１クラッド層４Ａの表面は周期的な凹凸面を有しており、回折格子が形成されている。 - 特許庁 - In the optical recording medium, a transparent substrate 1, a photoabsorption layer 2, a first dielectric layer 3, a recording layer 4, a second dielectric layer 5 and a reflecting layer 6 are laminated to one another by the order named, the recording layer includes Ag, In, Sb, Te and Ge as constituent elements.
透明基板１、光吸収層２、第１誘電体層３、記録層４、第２誘電体層５、及び、反射層６を順次有する光記録媒体において、前記記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ及びＧｅを構成元素に含んでいる。 - 特許庁 - Drain - gate connection layers 41a and 41b are formed on a second-layer interlayer insulation layer 71, and each connects the drain - drain connection layer 31a and the gate-gate connection layer 21b, and the drain - drain connection layer 31b and the gate - gate connection layer 21a.
ドレイン−ゲート接続層４１ａ，４１ｂは、第２層目の層間絶縁層７１上に形成され、其々がドレイン−ドレイン接続層３１ａとゲート−ゲート接続層２１ｂ、ドレイン−ドレイン接続層３１ｂとゲート−ゲート接続層２１ａを接続する。 - 特許庁 - The magnetization fixed layer 63 of the first and second MR elements has synthetic structure that contains a pinned layer 631, a coupling layer 632, and a pinned layer 633 coupled to the pinned layer 631 by antiferromagnetic manner, in the order starting from the intervention layer 62.
第１および第２のＭＲ素子における磁化固着層６３が、介在層６２の側から順にピンド層６３１と、結合層６３２と、ピンド層６３１と反強磁性結合するピンド層６３３とを含むシンセティック構造を有する。 - 特許庁 - The first alignment layer 16A includes a second inorganic layer 162A, which is disposed in the liquid crystal layer 50 side of a first inorganic layer 161A and in contact with the liquid crystal layer 50 and has a columnar structure with an orientation angle thereof different from that of the first inorganic layer 161A.
第１の配向膜１６Ａは、第１の無機層１６１Ａの液晶層５０側に液晶層５０と当接して配置されて第１の無機層１６１Ａと柱状構造の方位角が異なる第２の無機層１６２Ａを有する。 - 特許庁 - Here, a three-layer metal structure is employed, the bit lines BL0-BL5 are formed with a first metal layer, the word lines WL0-WL2 and the source lines SL1-SL3 are formed with a second metal layer of its upper layer, and the power line 18A is formed with a third metal layer of its upper layer.
ここで、３層メタル構造が採用され、ビット線ＢＬ0〜ＢＬ5は第１メタル層で、ワード線ＷＬ0〜ＷＬ2及びソース線ＳＬ1〜ＳＬ3は、その上層の第２メタル層で、電源線１８Ａはその上層の第３メタル層で形成されている。 - 特許庁 - The fixed layer (9A) includes a first antiferromagnetic layer (9a) that performs switched connection with the antiferromagnetic layer (8) to fix the magnetization direction, and a second ferromagnetic layer (9b) that is connected in antiparallel with the first ferromagnetic layer through a non-ferromagnetic layer (10).
固着層（９Ａ）は、反強磁性層（８）と交換結合してその磁化方向が固定される第１の強磁性層（９ａ）と、非磁性層（１０）を介して第１の強磁性層と反平行結合する第２の強磁性層（９ｂ）を含む。 - 特許庁 - The fuel cell is to be of a structure with an electrolyte layer 1, an electrode catalyst layer 2, a gas diffusion layer 3, and a separator laminated in turn, and the gas diffusion layer 3 is to be of a structure with a first layer 11 and a second layer 12 laminated in turn.
燃料電池の構成を電解質層１と、電極触媒層２と、ガス拡散層３と、セパレータとが順に積層された構成し、ガス拡散層３の構成を、第１の層１１と第２の層１２とが積層された構成とする。 - 特許庁 - A semiconductor device 100 has a three-layer structure for an insulating layer 23 located below a gate electrode 22, the three-layer structure of a thermally-oxidized film 231 (a first layer), an NSG film 232 (a second layer), and a PSG film 233 (a third layer) in order from a wall surface side of a trench.
半導体装置１００は，ゲート電極２２の下に位置する絶縁層２３を，トレンチの壁面側から順に，熱酸化膜２３１（１層目），ＮＳＧ膜２３２（２層目），ＰＳＧ膜２３３（３層目）の３層構造をなしている。 - 特許庁 - Magnetization of the free magnetic layer and the fixed magnetic layer can be made orthogonal easily and surely as compared with the prior art by employing a multilayer structure of a first hard magnetic layer 21, a nonmagnetic layer 22 and a second hard magnetic layer 23 in the fixed magnetic layer 24.
固定磁性層２４を第１硬磁性層２１と非磁性層２２と第２硬磁性層２３の積層構造とすることで、従来に比べてフリー磁性層と固定磁性層との磁化を簡単に且つ確実に直交化させることが可能である。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate 101, semiconductor layers are laminated which include a buffer layer 102, a first lower clad layer 103, an etching start layer 104, a second lower clad layer 105, an active layer 107, and an upper clad layer 109 at least in this order.
半導体基板１０１上に、バッファ層１０２と、第一下クラッド層１０３と、エッチング開始層１０４と、第二下クラッド層１０５と、活性層１０７と、上クラッド層１０９とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。 - 特許庁 - A flip-flop is constituted of two gate-to-gate electrode layers situated in the first-layer conductive layer, drain-to-drain connection layers 31a, 31b situated in the second-layer conductive layer and drain-to-gate connection layers 41a, 41b situated in the third-layer conductive layer.
フリップフロップは、第１層導電層に位置する二つのゲート-ゲート電極層、第２層導電層に位置するドレイン-ドレイン接続層３１ａ、３１ｂ、第３層導電層に位置するドレイン-ゲート接続層４１ａ、４１ｂにより構成される。 - 特許庁 - The circuit board is provided with a circuit upper face pattern layer 2a and an intermediate pattern layer 3 which are arranged by intervening a first insulating layer 5, and a circuit lower face pattern layer 4 which is disposed on an opposite side of the intermediate pattern layer 3 by intervening a second insulating layer 6.
第１の絶縁層５を間に介在させて設けられた回路上面パターン層２ａと中間パターン層３と、第２の絶縁層６を介在させて、中間パターン層３の向かい側に設けられた回路下面パターン層４とを備える。 - 特許庁 - A first substrate layer A of a polypropylene resin, an adhesive layer (d), a second substrate layer B of a crystalline polyethylene terephthalate resin, an adhesive layer (e), and a gas-barrier sealant layer C having a single layer or multiple layers are laminated in turn.
ポリプロピレン樹脂による第１基材層Ａと、接着層ｄと、非晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂による第２基材層Ｂと、接着層ｅと、単層構成又は多層構成のガスバリア性のあるシーラント層Ｃとをこの順に積層した。 - 特許庁 - An oxide film layer 5 comprising a hafnium oxide film layer or an aluminum oxide film layer is formed at a boundary between a first metal film layer 3 comprising aluminum and a second metal film layer 2 adjacent to the first metal film layer and comprising hafnium.
第１のアルミニウムからなる金属膜層３とこの第１の金属膜層３に隣接する第２のハフニウムからなる金属膜層２との境界にハフニウム酸化膜層あるいはアルミニウム酸化膜層からなる酸化膜層５を形成した。 - 特許庁 - Although a second lower core layer 21 is formed between a magnetic pole part 26 in which a lower magnetic pole layer, a gap layer, and an upper magnetic pole layer are serially stacked from the bottom and a first lower core layer 20, a conventional Gd defining layer is not provided.
下から下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極層の順に積層された磁極部２６と第１下部コア層２０との間に第２下部コア層２１が形成されているが、従来例のように、Ｇｄ決め層は設けられていない。 - 特許庁 - A photoelectric conversion element (an MIS type PD section) and a switch TFT section are laminated in the order of a first electrode layer of the same member, an insulating layer 305, a semiconductor layer 306, an ohmic contact layer 307, a second electrode layer, and a third electrode layer.
光電変換素子（ＭＩＳ型ＰＤ部）及びスイッチＴＦＴ部を、夫々同一部材の第１の電極層、絶縁層３０５、半導体層３０６、オーミックコンタクト層３０７、第２の電極層、第３の電極層の順で積層する。 - 特許庁 - The solar cell 10 includes a pair of second semiconductor layers 14 disposed adjacently to both sides of a first semiconductor layer 12, an insulating layer 16 formed from one second semiconductor layer 14 to extend over the first semiconductor layer 12, and an insulating layer 16 formed from the other semiconductor layer 14 to extend over the first semiconductor layer 12.
太陽電池１０は、第１半導体層１２の両隣に配設される一対の第２半導体層１４と、一方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６と、他方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６とを備える。 - 特許庁 - The metal back layer, in which a first resistance layer 30 and a second resistance layer 32 having lower resistance value than the first resistance layer are laminated thereon, the first resistance layer is laminated on the whole surface of the fluorescent screen, and the second resistance layer is divided into a plurality of divided regions 7a at certain intervals, is laminated on the fluorescent layer.
メタルバック層は、第１抵抗層３０とこの第１抵抗層よりも低抵抗の第２抵抗層３２とを重ねて形成され、第１抵抗層は蛍光面の全面に重ねて設けられ、第２抵抗層は互いに隙間をおいて並んだ複数の分割領域７ａに分断され、蛍光体層に重ねて設けられている。 - 特許庁 - In an optical modulator waveguide used for the optical modulator of one embodiment, a part of a second n-type semiconductor clad layer touching a semi-insulating clad layer serving as a semiconductor clad layer (barrier layer), or a part of the second n-type semiconductor layer and the semi-insulating clad layer (semiconductor clad layer) is formed as a p-type semiconductor area having p-type conductivity.
一実施形態による、光変調器に用いられる光変調導波路は、半導体クラッド層（バリア層）としての半絶縁型クラッド層に接する第２のｎ型半導体クラッド層の一部、または第２のｎ型半導体クラッド層と半絶縁型クラッド層（半導体クラッド層）の一部を、ｐ型の導電性を持つｐ型半導体領域とする。 - 特許庁 - A first insulation layer 60 is formed at both side parts of a lamination body S having a main magnetic pole layer 20 formed between the first coil layer 18 and the second coil layer 23 and at an upper part between the contact layers 50 and a gap layer 21, and a second insulation layer 70 is formed from the upper part of the lamination body S to the upper part of the first insulation layer 60.
第１コイル層１８と第２コイル層２３の間で且つコンタクト層５０間の上方に形成された主磁極層２０とギャップ層２１を有する積層体Ｓの両側方部に第１絶縁層６０が形成され、積層体Ｓの上方から第１絶縁層６０の上方に第２絶縁層７０が形成されている。 - 特許庁 - The light-emitting element includes: a light-emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer; a first amorphous layer on the light-emitting structure; and a nano-structure in a nano-particle form on the first amorphous layer.
本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 - 特許庁 - An asymmetric optical waveguide nitride laser diode structure 400 has an active layer 120 having first and second surfaces, a transition layer 429 which is brought into contact with the first surface of the active layer 120, a p-type clad layer 130 adhered adjacently to the transition layer 429, and an n-type layer 116 which is brought into contact with the second surface of the active layer 120.
本発明の非対称導波路窒化物レーザダイオード構造４００は、第１及び第２の表面を有する活性層１２０と、活性層の第１の表面と接触する遷移層４２９と、遷移層に隣接して付着されたｐ型クラッド層１３０と、活性層の第２の表面と接触するｎ型層１１６とを有する。 - 特許庁 - The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.
ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁 - This semiconductor light-emitting element (light-emitting diode element) comprises: a support substrate 1; a first junction layer 2a formed on the support substrate 1; a second junction layer 2b formed on the first junction layer 2a; a third junction layer 2c formed on the second junction layer 2b; and a semiconductor element layer 3 formed on the third junction layer 2c.
この半導体発光素子（発光ダイオード素子）は、支持基板１と、支持基板１上に形成された第１接合層２ａと、第１接合層２ａ上に形成された第２接合層２ｂと、第２接合層２ｂ上に形成された第３接合層２ｃと、第３接合層２ｃ上に形成された半導体素子層３とを備えている。 - 特許庁 - The substrate-type hydrogen gas sensor 1 includes: a second electrode layer 4b formed on a substrate 10; a proton conductive layer 2 by a solid polymer electrolyte membrane stacked on the second electrode layer 4b; a catalyst layer 3 stacked on the proton conductive layer 2; and a first electrode layer 4a having permeability stacked on the catalyst layer 3.
基板１０上に形成された第二の電極層４ｂと、第二の電極層４ｂに積層された固体高分子電解質膜によるプロトン導電層２と、プロトン導電層２に積層された触媒層３と、触媒層３に積層された通気性を有する第一の電極層４ａを備えて、基板型の水素ガスセンサ１を構成する。 - 特許庁 - A laminate for forming a wiring board is configured to include: a wiring board material in which a first metal layer for circuit formation, an insulating layer, and a second metal layer are laminated in this order; an adhesive layer provided on the second metal layer of the wiring board material; and a separator provided on the adhesive layer and having a heat-resistant resin layer.
配線板形成用積層体を、回路形成用の第一の金属層、絶縁層及び第二の金属層がこの順に積層された配線板用材料と、前記配線板用材料の第二の金属層上に設けられた粘着剤層と、前記粘着剤層上に設けられ、耐熱性樹脂層を有するセパレータと、を含んで構成する。 - 特許庁 - The metallic wiring layer 30 has a lower conductive layer 30A, a first layer 34 composed of aluminum or an aluminum alloy, a second layer 36 formed on the first layer 34 and composed of an intermetallic compound (aluminum nitride), and a third layer 38, formed on the second layer 36 and composed of a metallic nitride (titanium nitride) which serves as an antireflection coating.
金属配線層３０は、下部導電層３０Ａ、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１の層３４、第１の層の上に形成された金属間化合物（窒化アルミニウム）からなる第２の層３６、および第２の層の上に形成された、反射防止膜としての金属の窒化物（窒化チタン）からなる第３の層３８を有する。 - 特許庁 - In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.
単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した第１の量子波干渉層と第３層と第３層よりもバンド幅の広い第４層とを多重周期で積層した第２の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁 - A first insulating layer and a third insulating layer configuring each wiring layer 100 contain a silicon carbide/nitride film, silicon carbide and/or silicon oxide, the second insulating layer of a lower wiring layer contains the silicon oxide, and the second insulating layer of an upper wiring layer contains fluorinated silicon oxide and/or carbonated silicon oxide.
各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。 - 特許庁 - Further, the manufacturing method of the semiconductor package 10 adopts a configuration of sequentially forming a first insulation layer 41, the conductor layer 9, the second insulation layer 42, the re-wiring layer 5, a seal resin layer 7, a first post 61 connected to the conductor layer 9, and a second post 62 connected to the re-wiring layer 5 on the wafer 3 by the wafer level CSP.
また、本発明の半導体パッケージ１０の製造方法は、ウェハレベルＣＳＰによりウェハ３上に第１の絶縁層４１、導電層９、第２の絶縁層４２、再配線層５、封止樹脂層７、導電層９に接続した第１のポスト６１及び再配線層５に接続した第２のポスト６２を順次形成する構成とする。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a first collector layer formed of n-type GaAs, a second collector layer on the first collector layer formed of n-type InGaP doped to the concentration of 10^18cm^-3 or more, a base layer on the second collector layer formed of p-type GaAs, and an emitter layer on the base layer formed of n-type InGaP.
ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、第１のコレクタ層上に形成され、１０^１８ｃｍ^—３以上の濃度にドーピングされたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、第２のコレクタ層上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有する。 - 特許庁 - At least part of a plurality of wiring lines 13 each comprise a first conductive layer 31 made of metal nanoparticles and a second conductive layer 32 laminated at least partially and directly on the first conductive layer 13, and the second conductive layer 32 has a barrier layer 33 provided in contact with the first conductive layer 31 and a metal layer 34 directly laminated on the barrier layer 33.
複数の配線１３の少なくとも一部は、金属ナノ粒子からなる第１導電層３１と、少なくとも一部が第１導電層３１に直接に積層された第２導電層３２とにより構成され、第２導電層３２は、第１導電層３１に接触して設けられたバリア層３３と、該バリア層３３に直接に積層された金属層３４とを有している。 - 特許庁 - A sound absorption system 10 includes a skin layer 12 with air permeability, a first back air layer 14 adjoining the skin layer 12, a porous base 16 adjoining the first back air layer 14, a second back air layer 18 communicating with the first back air layer 14 through the porous base 16, and a reflection layer 26 adjoining the second back air layer 18.
吸音システム１０は、通気性を有する表皮層１２と、表皮層１２に隣接する第１の背後空気層１４と、第１の背後空気層１４に隣接する有孔基材１６と、有孔基材１６を介して第１の背後空気層１４に連通する第２の背後空気層１８と、第２の背後空気層１８に隣接する反射層２６とを備える。 - 特許庁 - The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).
半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁
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