「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 80 81 82 83 84 85 86 87 88 .... 429 430 次へ＞- The gas diffusion layer 32 is provided with a cathode gas diffusion base material, and a first porous layer 33a, as well as, a second porous layer 33b coated on the cathode gas diffusion layer in that order from a side of the catalyst layer 30.
ガス拡散層３２は、カソードガス拡散基材、およびカソードガス拡散基材に塗布された第１の微細孔層３３ａおよび第２の微細孔層３３ｂを触媒層３０の側からこの順で有する。 - 特許庁 - The method of producing an MTJ film includes a step for forming a first ferromagnetic layer, a step for forming a tunnel barrier layer on the first ferromagnetic layer, and a step for forming a second ferromagnetic layer on the tunnel barrier layer.
ＭＴＪ膜の製造方法は、第１強磁性層を形成する工程と、第１強磁性層の上にトンネルバリア層を形成する工程と、トンネルバリア層の上に第２強磁性層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 1 has a first conductivity clad layer 13, a second conductivity clad layer 17, and a quantum well active layer 15 sandwitched by the layer 13 and the layer 17.
半導体レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１３と、第２導電型クラッド層１７と、第１導電型クラッド層１３と第２導電型クラッド層１７とに挟まれた量子井戸活性層１５とを有している。 - 特許庁 - The coated carrier includes: a core particle containing a magnetic material; a first resin layer coating the core particle; a resin particle layer comprising resin particles fixed as a single layer to the first resin layer; and a second resin layer.
コートキャリアは、磁性体を含むコア粒子と、前記コア粒子を被覆する第１樹脂層と、前記第１樹脂層に単層で固定される樹脂粒子からなる樹脂粒子層と、第２樹脂層とで構成される。 - 特許庁 - A micro retarder film comprises: a first homogeneous layer 56; a microstructure phase layer 58 including a plurality of retardation patterns formed alternately on the first homogeneous layer; and a second homogeneous layer 59 formed on the microstructure phase layer.
マイクロリターダフィルムは第１均質層５６、第１均質上に交互に形成される複数の遅延パターンを備えるマイクロ構造フェーズ層５８、およびマイクロ構造層上に形成される第２均質層５９からなる。 - 特許庁 - The semiconductor optical element according to one embodiment is provided with a first conductive type lower cladding layer, a second conductive type upper cladding layer and an active layer provided between the lower cladding layer and the upper cladding layer.
本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、第１導電型の下部クラッド層と、第２導電型の上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられた活性層とを備えている。 - 特許庁 - The composite plating layers consist of three layers: a first layer comprising an electroless nickel plating layer, a second layer obtained by dispersing ceramics particles in electroless nickel plating, and a third layer comprising an electroless nickel plating layer.
複合メッキ層は、無電解ニッケルメッキ層から成る第一層、無電解ニッケルメッキ中にセラミックス粒子を分散させた第二層、および無電解ニッケルメッキ層から成る第三層を有する三層構成を成す。 - 特許庁 - A lower protective layer 2, a second lower protective layer 3, a recording layer 4 making reversible phase change between amorphous and crystalline phases, a upper protective layer 5, and a reflection layer 6 mainly composed of Al are sequentially laminated on a transparent plate 1.
透明基板１上に、下部保護層２、第２の下部保護層３、非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする記録層４、上部保護層５、Ａｌを主要元素とする反射層６の順に積層する。 - 特許庁 - To transit a third optical transmission layer deposited on a stripping layer of a substrate for transfer via a second optical transmission layer by a transparent adhesive agent on a first optical transmission layer deposited on a signal layer of a disk substrate.
ディスク基板の信号層上に成膜した第１光透過層上に、透明接着剤による第２光透過層を介して転写用基板の剥離層上に成膜した第３光透過層を移行させる。 - 特許庁 - In the p-type channel FET region 3, a buffer layer 15 being in contact with a bottom surface of a channel layer 16 has a single-layer structure which is constituted of only a second buffer layer 15B having a wider bandgap than the channel layer 16.
ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。 - 特許庁 - The nonmagnetic layer 27 composed of Ru or the like is formed on a free magnetic layer 26, and a ferromagnetic layer 28 and a second antiferromagnetic layer 29 are arranged on both side ends 27a of the nonmagnetic layer 27.
フリー磁性層２６上にはＲｕなどで形成された非磁性層２７が形成され、前記非磁性層２７の両側端部２７ａ上には強磁性層２８及び第２反強磁性層２９が設けられている。 - 特許庁 - An optical conductive layer including a first electric charge generation layer and a second electric charge generation layer which are a pair of electric charge generation layers, and an electric charge transportation layer sandwhiched between the electric charge generation layers is laminated with a display layer having storage nature.
一対の電荷発生層である第１電荷発生層及び第２電荷発生層並びにこれらに挟まれた電荷輸送層を含む光導電層と、記憶性を有する表示層とを積層する。 - 特許庁 - A magnetic memory comprises: a magnetic recording layer 10; a reference layer 12 which is connected to the magnetic recording layer 10 via a non-magnetic layer 11; and first and second magnetization fixing layers 19 and 20 which are arranged under the magnetic recording layer 10.
磁気メモリは、磁気記録層１０と、非磁性層１１を介して磁気記録層１０に接続された参照層１２と、磁気記録層１０より下方に設置された第１、２磁化固定層１９、２０とを具備する。 - 特許庁 - A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.
ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁 - This memory element has: a first conductive layer including a plurality of insulators; an organic compound layer over the first conductive layer including the insulators; and a second conductive layer over the organic compound layer.
本発明の記憶装置の一は、複数の絶縁物を含む第１の導電層と、複数の絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層と、有機化合物層上に第２の導電層とを有する。 - 特許庁 - The coating layer 3 is constituted of a first resin layer 31 and a second resin layer 32 located on the distal end side of the first resin layer 31 and made of a material more flexible than the material constituting the first resin layer 31.
被覆層３は、第１樹脂層３１と、第１樹脂層３１の先端側に位置し、第１樹脂層３１の構成材料より柔軟性に富む材料で構成された第２樹脂層３２とで構成されている。 - 特許庁 - The electrode layer 7 is provided with a 1st layer 7a arranged so as to overlap with a part of upper surface of the MR element 5 through a protecting layer and a second layer 7b arranged so as to partially overlap with this first layer 7a.
電極層７は、保護層を介してＭＲ素子５の上面の一部に重なるように配置された第１層７ａと、この第１層７ａに部分的に重なるように配置された第２層７ｂとを有している。 - 特許庁 - The adhesive layer 14 has a structure sequentially laminating a first adhesion layer with a high adhesive property with the electrolyte membrane 11, a barrier layer, a strength retaining layer, and a second adhesion layer with a high adhesive property with the connection member 20.
接着層１４は、電解質膜１１との接着性の高い第１密着層，バリア層，強度保持層および接続部材２０との接着性の高い第２密着層を順に積層した構成とする。 - 特許庁 - In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.
整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁 - With an etchant passage 89 reaching to the first layer left, a cover resist 87 is arranged at a resist space 81, an etchant is acted on the first layer through the etchant passage, and the first layer, second layer and third layer are removed at a time.
第１層に達するエッチャント通路８９を残して、レジストスペース８１にカバーレジスト８７を配置し、エッチャント通路を通して第１層にエッチャントを作用させ、第１層、第２層及び第３層を一度に除去する。 - 特許庁 - An SiGe mixed crystal layer 14 is formed on a first Si layer 13 of an SOI substrate 10, and a second Si layer 16 which has a thickness of 55 to 550 nm thicker than the thickness of the first Si layer is formed on the SiGe mixed crystal layer.
ＳＯＩ基板１０の第１Ｓｉ層１３上にＳｉＧｅ混晶層１４を形成し、ＳｉＧｅ混晶層上に第１Ｓｉ層の厚さより厚い５５〜５５０ｎｍの厚さの第２Ｓｉ層１６を形成する。 - 特許庁 - The non-magnetic seed layer has a first seed layer made of amorphous materials, and a second seed layer made of a material having an fcc structure and formed between the first seed layer and the non-magnetic intermediate layer.
非磁性シード層は、非晶質材料で形成された第１のシード層と、第１のシード層と非磁性中間層との間に設けられておりｆｃｃ構造を有する材料で形成された第２のシード層を有する。 - 特許庁 - The organic photoelectric conversion element 20 has a pixel electrode layer 21, an organic photoelectric conversion layer 23, a first electron blocking layer 24, a second electron blocking layer 25, and a transparent electrode layer 26 laminated in order.
本発明は、画素電極層２１、有機光電変換層２３、第１の電子ブロック層２４、第２の電子ブロック層２５及び透明電極層２６が順次積層された有機光電変換素子２０である。 - 特許庁 - The mounting layer 11, the first thermal stress softening layer 12, the second thermal stress softening layer 13, the third thermal stress softening layer 14, and the heat radiating layer 16 are integrally formed by a discharge plasma sintering.
そして、これらの搭載層１１と第１熱応力緩和層１２と第２熱応力緩和層１３と第３熱応力緩和層１４と放熱層１６は放電プラズマ焼結により一体的に形成されている。 - 特許庁 - The bimetal cap layer may be an alloy of the two metals or may consist of a base layer of the first metal deposited on the reflective layer and a surface layer of the second metal on the base layer.
バイメタルキャップ層は、２つの金属の合金であっても、または、反射層上に堆積された第１の金属からなるベース層とベース層上の第２の金属からなる表面層とから構成されてもよい。 - 特許庁 - At least one of the anode side catalyst layer and the cathode side catalyst layer has a first layer arranged close to the electrolyte membrane and a second layer arranged farther away from the electrolyte membrane than the first layer.
アノード側触媒層及びカソード側触媒層のうちの少なくとも一方は、電解質膜に近い側に配置された第１層と、第１層よりも電解質膜に遠い側に配置された第２層とを有する。 - 特許庁 - A multilayer tube comprises; from inside to outside, an interior layer of a polyolefine, a first intermediate layer based on an adhesive, a second intermediate layer of ethylene-vinylidene alcohol, a third intermediate layer of a polyamide and an exterior protection layer.
内側から外側に向かって、ポリオレフィンの内層と、接着剤を基にした第１中間層と、エチエンビニリデンアルコールの第２中間層と、ポリアミドの第３中間層と、外側の保護層とを含んで成る多層チューブ。 - 特許庁 - A semiconductor device 1 comprises a local wiring layer 14 (first wiring layer) provided on a semiconductor substrate 10 and a global wiring layer 18 (second wiring layer) provided on the local wiring layer 14.
半導体装置１は、半導体基板１０上に設けられたローカル配線層１４（第１の配線層）、およびローカル配線層１４上に設けられたグローバル配線層１８（第２の配線層）を備えている。 - 特許庁 - In a red laser region; a lower side clad layer 22, an active layer 23, a first upper side clad layer 24, an etching stop layer 25, and a second upper side clad layer 26 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.
赤色レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層２２、活性層２３、第１上側クラッド層２４、エッチングストップ層２５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層２６が順次積層されている。 - 特許庁 - The belt layer is composed of a first belt layer 16A where a plurality of belt layer units 26 having a constant cord spacing are arranged and a second belt layer 16B of the outside in the tire radial direction of the first belt layer 26.
ベルト層は、コード間隔が一定とされた複数のベルト層ユニット２６が配列されてなる第１ベルト層１６Ａと、第１ベルト層２６のタイヤ径方向外側の第２ベルト層１６Ｂと、で構成される。 - 特許庁 - In the method of forming the semiconductor layer in which a second semiconductor layer 103 having a second ion bonding degree larger than a first ion bonding degree is formed on the surface of a first semiconductor layer 102 having the first ion bonding degree, the second semiconductor layer 103 is formed on the surface of the first semiconductor layer 102 present on the side where the second semiconductor layer 103 is formed while irradiated with electrons under a vacuum.
第１のイオン結合度を有する第１の半導体層１０２の表面に、第１のイオン結合度よりも大きな第２のイオン結合度を有する第２の半導体層１０３を形成する半導体層形成方法において、第２の半導体層１０３を形成する側に在る第１の半導体層１０２の表面に、真空中で電子を照射しながら、第２の半導体層１０３を形成する。 - 特許庁 - A second isolation layer 115 is provided in a region on the second substrate 100 to which the functional region is transferred.
第２の基板１００上の機能性領域が移設される領域には、第２の分離層１１５が設けられる。 - 特許庁 - Substantially equal voltages are applied to the first and second electrodes of the second conductive layer of the resistive touch screen 70.
実質的に等しい電圧は、抵抗式タッチスクリーン７０の第二の導電層の第一と第二の電極に印加される。 - 特許庁 - When the semiconductor device is mounted to the wiring board, the second wiring layer is deformed in order to close the second through holes.
半導体装置を配線基板に搭載する際に、第２の配線層を変形させて、第２の貫通孔をふさぐ。 - 特許庁 - An image forming light beam 40 reflected on the light bulb 31 passes the air layer 35 and is emitted from a second surface 41 of the second prism 33.
ライトバルブ31を反射した画像形成光40は空気層35を通過し第２プリズム33の第２面41から出射する。 - 特許庁 - By checking every point within in the search range, a second binary layer search generates a second level motion vector.
サーチ範囲内のあらゆる点をチェックすることにより第二の二値層サーチは第二のレベルのモーションベクタを生成する。 - 特許庁 - The fluorescent layer includes a first fluorescent material which radiates second light and a second fluorescent material which radiates third light.
蛍光層は２次光を放射する第１蛍光材料及び３次光を放射する第２蛍光材料を含む。 - 特許庁 - A first region 14 is formed inside the second semiconductor layer 13 and includes first and second conductivity-type well regions 15, 16.
第１の領域14は、第２の半導体層13内に形成され、第１及び第２導電型のウェル領域15,16を有する。 - 特許庁 - The reflection part 11 is the second multilayer film 4 that is exposed from the third multilayer film 6 and the second intermediate layer 5.
反射部１１は、第３の多層膜６及び第２の中間層５から露出する第２の多層膜４である。 - 特許庁 - A second opening part 7 is provided in the insulating layer 5 existing on the second main surface 2b of the semiconductor substrate 2.
半導体基板２の第２の主面２ｂに存在する絶縁層５には第２の開口部７が設けられている。 - 特許庁 - A second wiring layer 9 is provided to be connected to the second main surface 2b through the opening part 7.
第２の配線層９は第２の開口部７を介して第２の主面２ｂと接続するように設けられている。 - 特許庁 - A second opened part exposing the upper surface of the epitaxially grown layer is formed in the first and second spacer layers.
次に、第１スペーサ層及び第２スペーサ層にエピタキシャル成長層の上面を露出する第２開孔部を形成する。 - 特許庁 - Second layer wiring 6 connected, at its one end, with the relay circuit 9 extends in the second scribed line 12b.
中継回路９にその一方端が接続された第２層配線６が、第２スクライブライン１２ｂ内に延びている。 - 特許庁 - For example, the second substrate is provided with a plurality of address electrodes, extending in a second direction, and each phosphor layer.
例えば、第２基板には、第２方向に延在する複数のアドレス電極と、蛍光体層とが設けられている。 - 特許庁 - First and second trenches 3, 4 are formed on the surface of the second semiconductor layer so as to sandwich the gate electrode therebetween.
ゲート電極を間に挟むように第２半導体層の表面内に第１及び第２トレンチ３、４が形成される。 - 特許庁 - The liquid crystal display comprises a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate.
液晶ディスプレイは、第一基板、第二基板、及び、第一基板と第二基板間に配置された液晶層と、からなる。 - 特許庁 - Each of first and second transparent insulation layers (30) is interposed between the first lamination layer and the second lamination body.
第１及び第２積層体の各間には夫々、第１及び第２透明絶縁層（３０）が挿入されている。 - 特許庁 - At the same time, the second spacer, made of the second insulating layer, is formed on the side of each bit line at the lower portion of the first spacer.
これと同時に、第１スペーサ下部の各ビットラインの側面に第２絶縁層からなる第２スペーサを形成する。 - 特許庁 - Thus, when the warehouse body 19 explodes, scattering of the second soil layer 32 is suppressed by the second sheet body 24.
従って、倉庫本体１９の爆発時においては、第２シート体２４によって第２土層３２の飛散が抑制される。 - 特許庁 - The secondary battery includes a circuit board including a first pad portion and a second pad portion; at least one first electrode layer including a first electrode portion and a first tab portion connected to the first pad portion; at least one second electrode layer including a second electrode portion and a second tab portion connected to the second pad portion; and a separator located between the first electrode layer and the second electrode layer.
本発明の二次電池は、第１パッド部と第２パッド部を含む回路基板と、第１電極部と前記第１パッド部に連結された第１タッブ部を含む少なくとも一つ以上の第１電極層と、第２電極部と前記第２パッド部に連結された第２タッブ部を含む少なくとも一つ以上の第２電極層と、前記第１電極層及び第２電極層の間に位置したセパレーターと、を含む。 - 特許庁
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