「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 83 84 85 86 87 88 89 90 91 .... 429 430 次へ＞- A current block layer 110 which including Al, whose refractivity is lower than that of the second upper clad layer, is formed with the ridge interposed, and a second conductive third upper clad layer 112 whose band gap is larger than that of the active layer is formed on the ridge and the current block layer.
リッジを挟むようにして第２上部クラッド層より屈折率が低くかつＡｌを含む電流ブロック層１１０が形成され、リッジと電流ブロック層の上に活性層よりも大きなバンドギャップを有する第２導電型の第３上部クラッド層１１２が形成される。 - 特許庁 - The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.
発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁 - The device includes: a substrate; a first electrode located on the substrate; an organic layer located on the first electrode and including an organic emission layer; and a second electrode located on the organic layer, and including a first metal layer and a second metal layer.
本発明は基板と；前記基板上に位置する第１電極と；前記第１電極上に位置し、有機発光層を含む有機膜層と；及び前記有機膜層上に位置し、第１金属層及び第２金属層を含む第２電極と；を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a glass substrate 11, a first amorphous carbon layer 12 formed on one surface of the glass substrate 11, a second amorphous carbon layer 13 formed on the first amorphous carbon layer 12, and a metal electrode layer 14 formed on the second amorphous carbon layer 13.
ガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の面側に形成される第１のアモルファスカーボン層１２と、第１のアモルファスカーボン層１２の上に形成される第２のアモルファスカーボン層１３と、第２のアモルファスカーボン層１３の上に形成される金属電極層１４とを含む。 - 特許庁 - A ferroelectric layer includes a first ferroelectric layer, having a first crystalline aggregate system forming a main part of a ferroelectric layer and a second ferroelectric layer, having a second separate crystalline aggregate system forming an interface layer between a main part and one electrode.
強誘電体層は、強誘電体層の主要部を形成する第１の結晶集合組織を備えた第１の強誘電体層と、主要部と一方の電極との間に界面層を形成する第２の別の結晶集合組織を備えた第２の強誘電体層とを含む。 - 特許庁 - The first resin layer 21 and the second resin layer 22 are constituted by a resin material 2 having the same or different composition, and the thickness of the first resin layer 21 is smaller than that of the second resin layer 22 and is approximately a thickness at which a circuit wiring part 4 can be buried in the first resin layer 21.
第１樹脂層２１と第２樹脂層２２とは組成が同一または異なる樹脂材料２で構成され、第１樹脂層２１の厚さは、第２樹脂層２２の厚さより厚く、かつ第１樹脂層２１中に回路配線部４を埋設し得る程度のものである。 - 特許庁 - The photonic crystal layer is formed between the first conductivity type clad layer and second conductivity type clad layer, in the first conductivity type clad layer, or in the second conductivity type clad layer, and has a low-refractive-index part and a high-refractive-index part having a higher refractive index than the low-refractive-index part.
フォトニック結晶層は、第１導電型のクラッド層と第２導電型のクラッド層との間、第１導電型のクラッド層中、または第２導電型のクラッド層中のいずれかに形成され、かつ低屈折率部と、低屈折率部よりも屈折率の高い高屈折率部とを有する。 - 特許庁 - This adhesive sheet is provided by including at least three layers of (A) the substrate layer, (B1) first adhesive layer and (B2) second adhesive layer in this order, and a tackifier is contained in at least one of (B1) the first adhesive layer and (B2) second adhesive layer.
本発明の粘着シートは、基材層（Ａ）と第１粘着剤層（Ｂ１）と第２粘着剤層（Ｂ２）とをこの順に有する、少なくとも３層からなる粘着シートであって、第１粘着剤層（Ｂ１）と第２粘着剤層（Ｂ２）の少なくとも一方に粘着付与剤が含まれる。 - 特許庁 - The light-emitting device is formed, by sequentially stacking (A) a first electrode 21, (B) an organic layer 23 constituting a light-emitting layer including an organic light-emitting material, (C) a resistant layer 50A, and (D) a second electrode 22A, and a conductive resin layer 60 is formed between the resistant layer 50A and the second electrode 22A.
発光素子は、（Ａ）第１電極２１、（Ｂ）有機発光材料から成る発光層を備えた有機層２３、（Ｃ）抵抗層５０Ａ、及び、（Ｄ）第２電極２２Ａが、順次、積層されて成り、抵抗層５０Ａと第２電極２２Ａとの間に導電性樹脂層６０が形成されている。 - 特許庁 - When one of the menus included in the first menu layer is selected, the second menu layer including the sub-menus of the selected menu is formed and a ring of the second menu layer is formed outside the first menu layer while a ring of the first menu layer becomes small.
前記第１メニュー層に含まれたメニューのいずれか１つが選択されると、前記選択されたメニューの下位メニューを含む前記第２メニュー層を形成し、前記第１メニュー層のリングが小さくなりつつ、前記第１メニュー層の外側に前記第２メニュー層のリングを形成する。 - 特許庁 - The non-magnetic substrate 1 consists of a first layer 11 on the side of the back surface B and a second layer 12 on the side of the magnetic layer 2 and the ratio (t2/t1) of the film thickness t2 of the second layer 12 to the thickness t1 of the first layer 11 is specified to ≥3/2.
さらに、この非磁性支持体１は、裏面Ｂ側の第1層１１と磁性層２側の第２層１２との２層構造からなると共に、第１層１１の膜厚ｔ１に対する第２層１２の膜厚ｔ２の比（ｔ２／ｔ１）が３／２以上であることとする。 - 特許庁 - The brilliant decorative sheet is constituted by providing a first brilliant layer 14 containing a brilliant pigment (a) on a base material 11 and providing a second brilliant layer 15 containing a brilliant pigment (b) coarser than the brilliant pigment (a) on the first brilliant layer 14 and providing a transparent color layer 16 on the second brilliant layer 15.
基材１１上に光輝性顔料ａを含む第１光輝層１４と、第１光輝層１４上に光輝性顔料ａより粗い光輝性顔料ｂを含む第２光輝層１５と、第２光輝層１５上に透明着色層１６とを有する光輝性化粧板である。 - 特許庁 - The conductor layer 2 includes a first conductor layer 21 and a second conductor layer 22 covering the prescribed region of the first conductor and comprising a second metal which is more noble and highly corrosion resistant than the first conductor layer, and the conductor layer and a via hole conductor 4 are brought into contact with each other and electrically conducted.
導体層２を、第１導体層２１と、第１導体層の所定の領域を被覆する、第１導体層より貴で、耐食性の高い第２の金属からなる第２導体層２２とを備えた構成とし、導体層とビアホール導体４とを互いに接触させて電気的に導通させる。 - 特許庁 - A first display part 20A of the first folding zone 20 as a part in the same layer of a display layer 14, and a second display part 22A of the second folding zone as a part in the same layer of the display layer 14 are structured to have lower flexural rigidity than in the other part of the display layer 14.
第１折曲げ部２０の表示層１４と同一層上の部分である第１表示部２０Ａ、及び第２折曲げ部２２の表示層１４と同一層上の部分である第２表示部２２Ａは、表示層１４の他の部分よりも曲げ剛性が低い構成とされている。 - 特許庁 - The cell comprises a substrate 11, a first electrode layer 12 laminated on the substrate 11 one by one from the substrate 11 side, a p-type semiconductor layer 13, a layer A15 and a second electrode layer 16, and produces photovoltaic force by light projected from the second electrode layer 16 side.
基板１１と、基板１１上に基板１１側から順に積層された第１の電極層１２、ｐ形半導体層１３、層Ａ１５および第２の電極層１６とを含み、第２の電極層１６側から入射する光によって光起電力を発生する。 - 特許庁 - The diode (226) of the photodiode (226) array does not contact the first metalized layer (214) or the second metalized layer (218) directly but can contact the first metalized layer (214) and/or the second metalized layer (218) via a third metalized layer (222) added to the thin film transistor array.
フォトダイオード（２２６）・アレイのダイオード（２２６）は、第一の金属化層（２１４）又は第二の金属化層（２１８）に直接接触せずに薄膜トランジスタ・アレイに加えられた第三の金属化層（２２２）を介して第一の金属化層（２１４）及び／又は第二の金属化層（２１８）に接触することができる。 - 特許庁 - The intermediate layer 14 includes a first intermediate layer 41 positioned on the light-receiving surface side and a second intermediate layer 42 positioned on the rear surface side for the light-receiving surface, and the first intermediate layer 41 partially contains a conductive material having a refractive index relatively smaller than that of the second intermediate layer.
中間層１４は、受光面側に位置する第１中間層４１と、受光面に対する裏面側に位置する第２中間層４２とを備え、第１中間層４１は、第２中間層よりも屈折率が相対的に小である導電性材料を部分的に含む。 - 特許庁 - Then, a conductor pattern 6 is formed on the base insulating layer 5, a second protection layer 7 is formed of the tin or the tin alloy on a surface of the conductor base 6, and a cover insulating layer 8 is formed on the base insulating layer 5 to cover the second protection layer 7.
次いで、ベース絶縁層５の上に導体パターン６を形成し、その導体パターン６の表面に、錫または錫合金からなる第２保護層７を形成するとともに、ベース絶縁層５の上に、第２保護層７を被覆するようにカバー絶縁層８を形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the microlens array includes a process of forming a first light-transmitting layer precursor 20 on a master plate 10, to form a first light-transmitting layer 22 and a process of forming a second light-transmitting layer precursor 24 on the first light-transmitting layer 22 to form a second light-transmitting layer 26.
マイクロレンズアレイの製造方法は、原盤１０に、第１の光透過性層前駆体２０を設けて第１の光透過性層２２を形成し、第１の光透過性層２２上に第２の光透過性層前駆体２４を設けて第２の光透過性層２６を形成することを含む。 - 特許庁 - A transparent conductive film 3 comprises a first transparent resin layer 8 including a plurality of thin metallic wires 7, a second transparent resin layer 9 including a conductive polymer, and a third transparent resin layer 10 provided between the first transparent resin layer 8 and the second transparent resin layer 9.
透明導電膜３は、複数の金属細線７を含む第１の透明樹脂層８と、導電性高分子を含む第２の透明樹脂層９と、第１の透明樹脂層８と第２の透明樹脂層９との間に設けられる第３の透明樹脂層１０と、を含む。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a laminate of a first semiconductor layer 10 of a first conductivity type, a second semiconductor layer 20 of a second conductivity type and a third semiconductor layer 30 of the first conductivity type; an insulating layer (first insulating layer 140); an insulating film 150; and first to third electrodes 15, 50 and 60.
第１導電型の第１の半導体層１０、第２導電型の第２の半導体層２０、及び第１導電型の第３の半導体層３０の積層体と、絶縁層（第１の絶縁層１４０）と、絶縁膜１５０と、第１〜第３の電極１５、５０、６０と、を備える。 - 特許庁 - In the step of stacking the first layer 11, the second layer 12 and the third layer 13, the second layer 12 formed has a composition distribution comprising Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) layers with the composition ratio (x) varying along the layer thickness direction and has a thickness of 3 μm to 100 μm.
第一層１１、第二層１２、第三層１３を積層する前記工程では、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に沿って変化する組成分布を有し、厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下の第二層１２を形成する。 - 特許庁 - In the step of stacking the first layer 11, the second layer 12 and the third layer 13, the second layer 12 formed has a composition distribution comprising Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) layers with the composition ratio (x) varying along the layer thickness direction and has a thickness of 3 μm to 100 μm.
第一層１１、第二層１２、第三層１３を積層する前記工程では、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に沿って、変化する組成分布を有し、厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下の第二層１２を形成する。 - 特許庁 - This magnetic disk 10 is provided with a magnetic layer on a disk substrate 1, wherein the magnetic layer comprises an exchange coupling film 5 provided with a first magnetic layer 5a, a second magnetic layer 5c and a spacer layer 5b formed between the first and the second magnetic layers 5a, 5c.
ディスク基板１上に磁性層を備える磁気ディスク１０であり、前記磁性層は、第１の磁性層５ａと、第２の磁性層５ｃと、前記第１の磁性層５ａと第２の磁性層５ｃとの間に形成されたスペーサー層５ｂとを備える交換結合膜５を含む。 - 特許庁 - Further, the first conductive layer and the second conductive layer are electrically connected to form a coil shape, and the first conductive layer, the second conductive layer and/or the first magnetic element are electrically connected to the outside through through-holes 16, 17 having opening parts to the external surface of the third insulating layer.
また、第一導電層と第二導電層が電気的に接続されてコイル形状をなし、第一導電層、第二導電層及び／又は第一磁性体素子が、第三絶縁層の外面へ開口部を有する貫通孔１６，１７を通じて外部と電気的に接続される構造を備える。 - 特許庁 - This MgB_2 superconductive wire has a MgB_2 super-conductor in its center, a first metal layer on its outside, and a second metal layer on the outside of the first metal layer, and the size of the crystal grain of metal in the first metal layer and the second metal layer decreases as the location of the crystal grain approaches the interface between both metal layers.
本発明のMgB_2超電導線材は、中心のMgB_2超電導体と、その外側の第１の金属層と、その外側の第２の金属層と、を有し、第１の金属層と第２の金属層の金属の結晶粒のサイズは、両者の界面に近づくに従って小さくなっている。 - 特許庁 - Because the stripping film 2 is constituted with the first stripping layer 2a and second stripping layer 2b having different dissolution speeds, the dissolution speed of the whole stripping layer 2 can be arbitrarily adjusted according to the multilayer optical film 3 by properly setting the thicknesses of the first stripping layer 2a and the second stripping layer 2b.
剥離膜２は、溶解速度の異なる第１剥離層２ａおよび第２剥離層２ｂから構成されているため、これら第１剥離層２ａ、第２剥離層２ｂの厚さを適宜設定することで、剥離膜２全体の溶解速度を多層光学膜３に応じて任意に調整可能となる。 - 特許庁 - In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.
HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。 - 特許庁 - A first buffer layer 32 composed of amorphous A1N is grown on the (100) face of an Si substrate 31 by a first buffer-layer growth process, and a second buffer layer 33 composed of A1N as a single crystal is grown on the layer 32 by a second buffer-layer growth process.
第１バッファ層成長工程によって、Ｓｉ基板３１の（１００）面上にアモルファスのＡｌＮからなる第１バッファ層３２を成長させた後、第２バッファ層成長工程で、第１バッファ層３２の上に単結晶のＡｌＮからなる第２バッファ層３３を成長させる。 - 特許庁 - The magnetoresistance effect device is provided with a first shielding layer 3 and a second shield layer 8 arranged separating by the prescribed interval, a MR element 5 arranged between the first shielding layer 3 and a second shielding layer 8, and a substrate 4 arranged between first shielding layer 3 and a MR element 5.
磁気抵抗効果装置は、所定の間隔を開けて配置された第１のシールド層３および第２のシールド層８と、第１のシールド層３と第２のシールド層８との間に配置されたＭＲ素子５と、第１のシールド層３とＭＲ素子５との間に配置された下地層４とを備えている。 - 特許庁 - A manufacturing method of a semiconductor device 1 comprises a deposition process of sequentially depositing a first layer (barrier layer 25) formed of a nitride semiconductor and a second layer (cap layer 26) on a substrate 10, and a thermal etching process of heating and etching the second layer in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen.
半導体装置１の製造方法は、基板１０に窒化物半導体で形成された第１層（障壁層２５）および第２層（キャップ層２６）を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第２層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。 - 特許庁 - The label to be stuck on a medicamental container of pharmaceutical or a package has a first layer label 12 positioned at the surface side, a second layer label 14 laminated under the first layer label 12, and a peeling sheet 16 with an exfoliation layer 36 laminated under the second layer label 14.
医薬品の薬剤容器あるいは包装に貼着するラベルであって、表面側に位置した第一層ラベル１２と、第一層ラベル１２の下に積層された第二層ラベル１４と、第二層ラベル１４の下に剥離層３６を有して積層された剥離シート１６を備える。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element comprises an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, a light-emitting part provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and a multilayer structure provided between the first semiconductor layer and the light-emitting part.
実施形態によれば、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、第１半導体層と発光部との間に設けられた多層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - The composite optical element on a lens blank 10 comprises a first layer 11 comprising the optical resin A, a second layer 12 comprising the optical resin B containing the metal particulates and the intermediate layer 13 which is held between the first layer 11 and the second layer 12 and comprising the optical resin A containing the metal particulates.
レンズブランク１０上の複合型光学素子は、光学樹脂Ａからなる第１層１１と、金属微粒子を含有する光学樹脂Ｂからなる第２層１２と、第１層１１と第２層１２に挟まれた金属微粒子を含有する光学樹脂Ａからなる中間層１３を有する。 - 特許庁 - The optical recording medium contains: a recording layer of recording information by utilizing holography; a first substrate; a second substrate; a first gap layer; a second gap layer; and a filter layer, and in which the composition of the first gap layer is composed of a non-thermosoftening material in which load deflection temperature is ≥70°C.
ホログラフィを利用して情報を記録する記録層と、第一の基板と、第二の基板と、第一ギャップ層と、第二ギャップ層と、フィルタ層とを有し、前記第一ギャップ層の組成物の荷重たわみ温度が、７０℃以上の非熱軟化性材料であることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁 - This capacitance type touch panel has: a deformable soft first conductor layer 404 positioned below a panel 402; a second conductor layer 408; and a deformable soft insulative layer 406 positioned between the first conductor layer 404 and the second conductor layer 408, having at least one hollow 4062.
パネル４０２の下方に位置する変形可能な軟性の第一導体層４０４と、第二導体層４０８と、第一導体層４０４と第二導体層４０８の間に位置し、かつ少なくとも一つの空洞４０６２を有する変形可能な軟性の絶縁層４０６と、を備える。 - 特許庁 - In the two-layer film produced by successively laminating (a) a first film, (b) a photosensitive resin layer (spacer resin layer), (c) a transparent resin layer (overcoat resin layer) and (d) a second film, the surface smoothness of (a) the first film and (d) the second film is ≤0.01 μm in terms of Ra.
（ａ）第1のフィルム（ｂ）感光性樹脂層(以下、スペーサ樹脂層)（ｃ）透明樹脂層(以下、オーバーコート樹脂層)及び（ｄ）第2のフィルムの順に積層された2層フィルムにおいて、（ａ）第1のフィルムと（ｄ）第2のフィルムの表面平滑性がRaで0.01μm以下であることを特徴とする2層フィルム。 - 特許庁 - A first metal layer 51 and a high-resistance conductive layer 60 are each connected to an input pad INP and the first N-type high-concentration diffusion layer 21, and a second metal layer 52 is connected to a reference voltage pad VSP and the second N-type high-concentration diffused layer 22.
第１の金属層５１及び高抵抗導電層６０は入力パッドＩＮＰと第１のｎ型高濃度拡散層２１とを接続し、第２の金属層５２は、基準電圧Ｖ_SSを供給する基準電圧パッドＶＳＰと第２のｎ型高濃度拡散層５２とを接続している。 - 特許庁 - To reduce the quantity of an Si impurity diffused in the second compound semiconductor layer of a compound semiconductor device having an AlInAs buffer layer on a substrate as a first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer on the first compound semiconductor layer.
基板上に、第１の化合物半導体層としてＡｌＩｎＡｓバッファ層を有し、前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を有する化合物半導体素子において、第２の化合物半導体層に拡散するＳｉ不純物量の低減を目的とする。 - 特許庁 - Trenches 17 piercing the second ground layer 15 from the first ground layer 13 are provided in parallel along both sides of each signal wire 12, and a conductor layer 18 which is stuck to surfaces of trenches 17 and is electrically connected to the first ground layer 13 and the second ground layer 15 is formed.
そして、第１グランド層１３から第２グランド層１５を貫通するトレンチ１７が、各信号配線１２の両脇に沿って並行に穿設され、トレンチ１７の表面に被着し第１グランド層１３および第２グランド層１５に電気接続する導電体層１８が形成される。 - 特許庁 - In the magnetic disk 10 provided with a magnetic layer on a disk substrate 1, the magnetic layer comprises an exchange coupled film 5 provided with a first magnetic layer 5a, a second magnetic layer 5c and a spacer layer 5b formed between the first and the second magnetic layers 5a and 5c.
ディスク基板１上に磁性層を備える磁気ディスク１０であり、前記磁性層は、第１の磁性層５ａと、第２の磁性層５ｃと、前記第１の磁性層５ａと第２の磁性層５ｃとの間に形成されたスペーサー層５ｂとを備える交換結合膜５を含む。 - 特許庁 - The shielding layer 20 includes the first aluminum layer 21 prepared directly on the incidence plane 12, the second aluminum layer 22 prepared on the first aluminum layer 21, and an ultraviolet-ray shielding layer 25, arranged in between these first and second aluminum layers 21, 22 to be used for shielding the ultraviolet rays.
遮蔽層２０は、入射面１２上に直接に設けられる第１アルミニウム層２１と、第１アルミニウム層２１上に設けられる第２アルミニウム層２２と、第１、第２アルミニウム層２１、２２の間に設けられ、紫外光の遮蔽に用いられる紫外光遮蔽層２５とを有する。 - 特許庁 - Specifically, the memory cell can be, for example, such that a first ferromagnetic layer 11 and a second ferromagnetic layer 12 are stacked through the interposition of a spacer layer 13, and the direction of magnetization of the first ferromagnetic layer 11 is fixed and the state of memory is switched over depending on the direction of magnetization of the second ferromagnetic layer 12.
メモリーセルは、具体的には、例えば第１の強磁性層１１と第２の強磁性層１２とがスペーサ層１３を介して積層されてなり、第１の強磁性層１１の磁化の向きが固定されるとともに、第２の強磁性層１２の磁化の向きによりメモリー状態が切り換えられる。 - 特許庁 - A multilayer wiring substrate 100 included in the semiconductor package includes: a first insulating layer 104 and a second insulating layer 106 in which wiring layers are formed on an upper surface and lower surface, respectively; and a core layer 102 formed between the first insulating layer 104 and the second insulating layer 106.
半導体パッケージに含まれる多層配線基板１００は、上面および下面にそれぞれ配線層が設けられた第１の絶縁層１０４および第２の絶縁層１０６と、第１の絶縁層１０４および第２の絶縁層１０６の間に設けられたコア層１０２と、を含む。 - 特許庁 - To provide a multi-layered nonwoven fabric including a first fiber layer and a second fiber layer disposed and laminated to one side of the first fiber layer, wherein the first fiber layer and the second fiber layer are adjusted in prescribed shapes.
本発明は、第１繊維層と、第１繊維層における一方の面側に積層配置される第２繊維層と、を備える多層不織布であって、第１繊維層及び第２繊維層が所定形状になるように調整された多層不織布を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The third magnetic layer is made to vertical magnetic film by forming multilayer films including the first, the second and the third magnetic layer in this order to lower curie temperature TC2 of the second magnetic layer than curie temperature TC1 of the first magnetic layer and curie temperature of TC3 of the third magnetic layer.
第１磁性層、第２磁性層および第３磁性層をこの順に含む多層膜を形成し、第２磁性層のキュリー温度Ｔ_C2を第１磁性層のキュリー温度Ｔ_C1および第３磁性層のキュリー温度Ｔ_C3よりも低くして第３磁性層を垂直磁化膜とする。 - 特許庁 - A laminated film comprises a transparent resin film base material 1, the first adhesive layer applied to the surface of the film base material 1, the second adhesive layer applied to the first adhesive layer 2 and the self-adhesive layer 5 applied to the second adhesive layer and using a natural rubber solution as a principal material.
透明な樹脂製フィルム基材１と、そのフィルム基材１の表面に施された第１接着層２と、その第１接着層２の上に施された第２接着層３と、その第２接着層３の上に施され、天然ゴム液を主要材料とする粘着層５とからなる。 - 特許庁 - An n-type electrode layer is composed of a first n-type electrode layer 11 and a second n-type electrode layer 12, and a degree of the overhang is set so that the n-type region of the second n-type electrode layer 12 is located inside enough for a circumference of an avalanche multiplying layer 13.
ｎ型電極層を、第１のｎ型電極層１１と第２のｎ型電極層１２とで構成することとし、第２のｎ型電極層１２のｎ型領域が、なだれ増倍層１３の外周に対して充分内側に位置するようにオーバーハングの程度を設定することとした。 - 特許庁 - The double-sided adhesive sheet further has a first release sheet formed on an exterior surface of the first adhesive layer and a second release sheet formed on an exterior surface of the second adhesive layer laminated thereon.
更には第１粘着剤層１の外面に第1剥離シート、第２粘着剤層２の外面に第２剥離シートをそれぞれ積層する両面粘着シート。 - 特許庁 - In a second step, a solder layer 53 is formed at the outer periphery of the collective conductor 52.
第２の工程で、集合導体５２の外周にはんだ層５３を形成する。 - 特許庁
- 特許庁
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