「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 86 87 88 89 90 91 92 93 94 .... 429 430 次へ＞- Also, a first electrode for imparting potential to the first compound semiconductor layer and a second electrode for imparting potential to the second compound semiconductor layer are formed.
また、前記第１の化合物半導体層に電位を付与する第１の電極、及び前記第２の化合物半導体層に電位を付与する第２の電極を形成する。 - 特許庁 - A first electrode is formed on the upper surface of the second overcoat layer 15b, and the organic EL layer 20 and a second electrode 21 are formed between electrode separation walls 17.
第２オーバーコート層１５ｂの上面に第１電極１６を形成し、電極分離隔壁１７の間に有機ＥＬ層２０と第２電極２１を形成する。 - 特許庁 - The second multi-layer structure has an ion trap having inlet and outlet ports.
第２の多層構造は入り口および出口のポートを有するイオン・トラップを有する。 - 特許庁 - A flexible print circuit layer includes a first electric contact and a second electric contact.
フレキシブルプリント回路層は、第１の電性接点及び第２の電性接点を含む。 - 特許庁 - The cover yarn 3 includes a first cover yarn 31 and a second cover yarn 32, wherein the first cover yarn 31 forms an inner layer and the second cover yarn 32 forms an outer layer.
そのカバー糸３は、第１カバー糸３１と第２カバー糸３２の２本であって、第１カバー糸３１が内層を、第２カバー糸３２が外層を形成している。 - 特許庁 - The second dielectric layer 106 is placed close to or distant from the plurality of resonator electrodes 104a to 104c by mechanically moving the second dielectric layer 106.
第２の誘電体層１０６を機械的に可動させ、複数の共振器電極１０４ａ〜ｃに対して、第２の誘電体層１０６を近接及び離設する。 - 特許庁 - After forming a ferroelectric layer on the second lower electrode film, a first upper electrode film is formed on the ferroelectric layer using a second alloy.
第２下部電極膜上に強誘電体層を形成した後、強誘電体層上に第２金属酸化物を用いて第１上部電極膜を形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal display panel includes a first substrate, a second substrate and a liquid crystal layer.
液晶表示パネルは、第１の基板、第２の基板、および液晶層を含む。 - 特許庁 - The positive electrode layer 2a has first and second positive electrode layers 2aa, 2ab.
プラス電極層２ａは第１及び第２プラス電極層２ａａ，２ａｂを有する。 - 特許庁 - Upper and side surfaces of the ferroelectric capacitor 7 are covered with a second hydrogen barrier layer.
強誘電体キャパシタ７の上面と側面を第２の水素バリア層で覆う。 - 特許庁 - An adhesive agent layer is formed in the joint between the tip 32T and the second skin.
先端部３２Ｔと第２の外皮との接合部に接着剤層を形成する。 - 特許庁 - In the second core side insulating layer 34, a second via hole 54 having a via diameter larger than that of a first via hole 53 formed on the first core side insulating layer 33.
第２コア側絶縁層３４には、第１コア側絶縁層３３に形成される第１ビア穴５３よりもビア径が大きな第２ビア穴５４が形成される。 - 特許庁 - Next, a three-layer film 82 is formed on the surface of the second low-resistance layer 111, the inner wall surface of a contact hole 681 and the surface of a second interlayer insulation film 42.
続いて、第２低抵抗層１１１の表面、コンタクトホール６８１の内壁面及び第２層間絶縁膜４２の表面に上述した三層膜８２を形成する。 - 特許庁 - The polishing layer of the first polishing tool 23A has hard first abrasive grain, while the polishing layer of the second polishing tool 23B has second abrasive grain softer than the first abrasive grain.
第１の研磨具２３Ａの研磨層は、硬質の第１の砥粒を有し、第２の研磨具２３Ｂの研磨層は、第１の砥粒よりも軟質の第２の砥粒を有する。 - 特許庁 - A second insulating layer 10, 12 provided with the second via hole 30, 32 is laminated on at least one of the upper surface side and lower surface side of the first insulating layer 11.
第１絶縁層１１の上面側又は下面側の少なくとも一方には，上記第２ビアホール３０，３２を設けた第２絶縁層１０，１２が積層されている。 - 特許庁 - As a result of this, when an electric field is applied between the first electrode layer 20 and the second electrode layer 30, the first region 2 and the second region 3 are curved in the reverse directions.
よって、第１の電極層２０と第２の電極層３０との間に電界を印加すると、第１の領域２と第２の領域３が逆向きに湾曲する。 - 特許庁 - Then, an adhesive layer 34 is formed over the second supporting substrate 33, and the second supporting substrate 33 is adhered on the wiring portion 3 via the adhesive layer 34.
そして、第２の支持基板３３の一面に接着層３４を形成し、この接着層３４を介して、第２の支持基板３３を配線部３上に接着する。 - 特許庁 - A part which connects a lower conductive layer formed on a semiconductor substrate across a first inter-layer insulating layer and an upper conductive layer formed above the lower conductive layer across a second inter-layer insulating layer is divided into one or more plugs and pads.
第１層間絶縁層を挟んで半導体基板上に形成された下部導電層と、第２層間絶縁層を挟んで下部導電層上部に形成された上部導電層を半導体基板を通じて接続する部分とを、１つ以上のプラグとパッドとに分ける。 - 特許庁 - The mesa hetero-jumction bipolar transistor consists of a first conductivity sub-collector layer 3, a first conductivity collector contact layer and a collector layer, a second conductivity base layer 7, an emitter layer whose band gap is larger than the base layer 7, and a first conductivity emitter contact layer 9 on a semi-insulating substrate.
半絶縁性基板上に第１導電型サブコレクタ層３と、第１導電型コレクタコンタクト層およびコレクタ層と、第２導電型たベース層７と、該ベース層７よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、第１導電型エミッタコンタクト層９とで、メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成している。 - 特許庁 - The silver halide photosensitive material includes a support and a first intermediate layer containing a chelating agent, a blue-sensitive silver halide emulsion layer, a second intermediate layer, a red-sensitive silver halide emulsion layer, a third intermediate layer, a green-sensitive silver halide emulsion layer and a protective layer laid in this order from the support side.
支持体と、該支持体に近い方から、順に、キレート化剤を含有する第一中間層、青感性ハロゲン化銀乳剤層、第二中間層、赤感性ハロゲン化銀乳剤層、第三中間層、緑感性ハロゲン化銀乳剤層および保護層とを有するハロゲン化銀感光材料。 - 特許庁 - The semiconductor element comprises an epitaxial layer using a solid phase epitaxy process, a first metal layer on the epitaxial layer, a nitride barrier metal on the first metal layer, a second metal layer on the barrier metal and metal silicide formed between the epitaxial layer, and the first metal layer.
固相エピタキシー工程を用いたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上の第１金属層と、前記第１金属層上の窒化物系バリヤメタルと、前記バリヤメタル上の第２金属層と、前記エピタキシャル層と第１金属層との間に形成された金属シリサイドとを含む。 - 特許庁 - A reflecting layer 2 consisting of an Al alloy or the like, a dielectric layer 3 consisting of SiN, sialon or the like, a recording layer 4 consisting of TbFeCo, a dielectric layer 5 consisting of SiN, sialon or the like, a first protective layer 6, a second protective layer 7 and a lubricating layer 8 are successively formed on a substrate 1.
基板１の上にＡｌ合金などから成る反射層２、ＳｉＮ、サイアロンなどから成る誘電体層３、ＴｂＦｅＣoから成る記録層４、ＳｉＮ、サイアロンなどから成る誘電体層５および第一保護層６、第二保護層７、潤滑層８を順次形成する。 - 特許庁 - The third insulating layer and the electrically conductive layer are etched at nearly the same etching rate until the second insulating layer formed on the first insulating layer or the first insulating layer is exposed to make the electrically conductive layer remain in the region where the semiconductor layer is thinned, thereby the gate electrode is formed.
第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層、又は第１の絶縁層が露出するまで、第３の絶縁層と導電層を略同じエッチング速度でエッチングすることにより、半導体層の薄膜化した領域に導電層を残存させてゲート電極を形成する。 - 特許庁 - The GaN semiconductor layer 2 has a lamination structure wherein an N-type contact layer 21, a first quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a P-type electron inhibition layer 23, a P-type contact layer 24, and a second quantum well layer 26 are stacked in sequence from the side of the GaN substrate 1.
ＧａＮ半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、Ｎ型コンタクト層２１、第１量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、Ｐ型電子阻止層２３、Ｐ型コンタクト層２４、および第２量子井戸層２６を積層した積層構造を有している。 - 特許庁 - The micromirror is composed of a substrate 74, a first protective layer 76 formed on the substrate 74, a reflective layer 78 comprising pure aluminum formed on the first protective layer 76, a treatment layer 80 formed on the reflective layer 78, and a second protective layer 82 comprising titanium nitride formed on the treatment layer 80.
基板７４と、基板７４の上にある第一保護層７６と、第一保護層７６の上にある純アルミニウムからなる反射層７８と、反射層７８の上にあるトリートメント層８０と、トリートメント層８０の上にある窒化チタンからなる第二保護層８２と、からなる。 - 特許庁 - The optical semiconductor element 1 includes: an insulating layer 4 that covers the side faces of the waveguide core layer 3a and the upper face of the slab layer 3b; and a second semiconductor layer 5 provided in the sides of the waveguide core layer 3a and the upper surface of the slab layer 3b via the insulating layer 4.
光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。 - 特許庁 - A first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, and an etching stop layer 6 are formed sequentially on a crystal substrate 1, a third ridge stripe clad layer 7 is formed on the etching stop layer, and block layers 10 are formed on both sides of the third clad layer.
結晶基板１上に、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、およびエッチング停止層６を順次備え、エッチング停止層上にリッジストライプ状の第３クラッド層７を有し、第３クラッド層の両側にブロック層１０が形成された構造を有する。 - 特許庁 - The perpendicular magnetic recording medium 1 is composed of a soft magnetic layer 3, an alignment controlling layer 4 for alignment control, a first recording layer 5 and a second recording layer 6, a deformation layer 9 susceptible to slip deformation caused by the first recording layer 5, and a protective layer 7 on a substrate 2 mainly composed of glass or aluminum.
垂直磁気記録媒体１は、ガラスまたはアルミを主とする基板２の上に、軟磁性層３、配向制御のための配向制御層４、第一の記録層５及び第二の記録層６、第一の記録層５より滑り変形を起こす変形層９、及び保護膜７から構成される。 - 特許庁 - The method of manufacturing hose for fluid conveyance comprises: covering the outer circumference of an inner reinforced layer 3 with a first unvulcanized rubber layer 4; subsequently forming a wire reinforcing layer 6; covering the wire reinforcing layer 6 and the first unvulcanized rubber layer 4 with a second unvulcanized layer 7; subsequently performing the covering with a cover rubber layer 9; and subsequently performing vulcanization.
内側補強層３の外周を第１未加硫ゴム層４で被覆してからワイヤ補強層６を形成すると共に、それらワイヤ補強層６及び第１未加硫ゴム層４を第２未加硫ゴム層７で被覆してからカバーゴム層９で被覆した後に加硫する。 - 特許庁 - The transfer sheet S is constituted by forming a transfer layer 2 on a support sheet and the transfer layer 2 consists of a surface protective layer 3, which has two-layered constitution consisting of a first surface protective layer 3A comprising an acrylic resin and a second surface protective layer 3B comprising a butyral resin, and the decorative layer 4 laminated on the surface protective layer 3A.
転写シートＳは、支持体シート１上の転写層２として、その表面保護層３をアクリル樹脂からなる第１の表面保護層３Ａとブチラール樹脂からなる第２の表面保護層３Ｂとの２層構成とした上で、装飾層４を積層する。 - 特許庁 - In the magnetic recording medium provided with the glass substrate, a seed layer and a magnetic layer, the glass substrate has a textured surface and the seed layer is formed by sequentially layering a CrN first seed layer, a NiTi second seed layer, a CrN third seed layer and a NiTiN fourth seed layer.
ガラス基板、シード層および磁性層を備えた磁気記録媒体において、ガラス基板はテクスチャ加工が施され、シード層は、ＣｒＮ第１シード層、ＮｉＴｉ第２シード層、ＣｒＮ第３シード層、ＮｉＴｉＮ第４シード層を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁 - On the surface of an n-GaAs substrate 2, a clad layer 3, an MQW active layer 4, a first clad layer 5, an etching stop layer 6, a block layer 7, a second clad layer 8, a buffer layer 9, and a p-electrode 11 are formed, and an n-electrode 1 is formed on the back of the n-GaAs substrate 2.
ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１クラッド層５、エッチングストップ層６、ブロック層７、第２クラッド層８、バッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。 - 特許庁 - The second solidified liquid crystal layer includes first and second regions having refractive index anisotropy in a thickness direction, corresponding to the first and second pixels, respectively, wherein the first region and the second region of the second solidified liquid crystal layer have different birefringence indices from each other in the thickness direction.
第２の固体化液晶層は、厚み方向に屈折率異方性を有する第１および第２の領域を、前記第１および第２の画素に対応して含み、第２の固体化液晶層における第１の領域と前記第２の領域とは、厚み方向の複屈折率が異なる。 - 特許庁 - The organic electroluminescent display device includes a first electrode layer supplying holes, a second electrode layer supplying electrons, an organic thin film layer arranged between the first electrode layer and the second electrode layer and emitting light through recombination of the holes and the electrons, and a sealing protection layer separating at least the second electrode layer and the organic thin film layer from open air and containing at least LaF_3(fluorinated lanthanum).
正孔を供給する第１電極層と、電子を供給する第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置され、正孔と電子との再結合を通じて発光する有機薄膜層と、少なくとも前記第２電極層および前記有機薄膜層を外気から隔離させ、少なくともＬａＦ_３（フッ化ランタン）層を備える密封保護層と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置である。 - 特許庁 - A light emitting element includes: a substrate 140; a second conductivity type semiconductor layer 130 on the substrate, an active layer 120 on the second conductivity type semiconductor layer; a first conductivity type semiconductor layer 110 formed on the active layer; and a first electrode 165 on the first conductivity type semiconductor layer, wherein a vertical distance between the first conductivity type semiconductor layer and second conductivity type semiconductor layer is varied.
基板１４０と、前記基板の上に第２導電型半導体層１３０と、前記第２導電型半導体層の上に活性層１２０と、前記活性層の上に形成される第１導電型半導体層１１０と、前記第１導電型半導体層の上に第１電極１６５と、を含み、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間の垂直距離が相違する発光素子。 - 特許庁 - A first dielectric layer 12 of a ZnS-SiO2 layer, a recording layer 14 of a AgInSbTe layer with addition of N, a second dielectric layer 16 of an AlN layer, and a reflection layer 18 of an Al-Ti layer are formed on a transparent substrate 10 made of a polycarbonate substrate in this order.
ポリカーボネート基板からなる透明基板１０上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層からなる第１誘電体層１２、Ｎが添加されたＡｇＩｎＳｂＴｅ層からなる記録層１４、ＡｌＮ層からなる第２誘電体層１６、Ａｌ−Ｔｉ層からなる反射層１８が順に形成されている。 - 特許庁 - A metal part 6 is made by providing a first metal layer 2 on one surface of a main layer 4 and a second metal layer 3 on the other surface, and providing an oxide film 5a on the surface of the metal layer 2 not in contact with the main layer 4 and an oxide film layer 5b on the surface of the metal layer 3 not in contact with the main layer 4.
金属部６は、母層４の一方の面に第１の金属層２を設け、もう一方の面に第２の金属層３を設け、更に、母層４に接していない第１の金属層２の面に酸化膜５ａを設け、母層４に接していない第２の金属層３の面に酸化被膜層５ｂを設けて作製する。 - 特許庁 - The printed board is laminated with a pixel electrode layer, a first insulating layer 113a, a source wire layer and a gate layer, two second insulating layers 113b, 113c, a transistor layer, a third insulating layer 114, a ground layer 112, and a fourth insulating layer 115, in this order, along a direction of separating from the front face plate.
プリント基板は、画素電極層と、第１絶縁層１１３ａと、ソース線層およびゲート線層と、２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃと、トランジスタ層と、第３絶縁層１１４と、グランド層１１２と、第４絶縁層１１５とがこの順番で前面板から離れる方向に積層されて構成されている。 - 特許庁 - The three layers are compounded and integrated; an adhesive layer (damping layer) which applies an adhesion function to a substrate to be damped, being as a first layer; a compressed porous body layer of polyester fiber system nonwoven fabric, being as a second layer; and a skin layer of polyester system spunbond fabric which constrains the compressed porous body layer, being as a third layer.
第一層として被制振基板に対して粘着機能を付与する粘着層（制振層）、第二層としてポリエステル繊維系不織布の圧縮多孔質体層、第三層として前記圧縮多孔質体層を拘束するポリエステル繊維系スパンボンド不織布の表皮層、の三層を複合一体化した。 - 特許庁 - A first aluminum oxide layer 12, a silver layer or silver alloy layer 13, a second aluminum oxide layer 14, a magnesium fluoride layer 15, a titanium oxide layer or tantalum oxide layer or multiple oxide layer 16 of titanium and lanthanum are laminated successively from the substrate side on at least one surface on a substrate 11.
基板１１上の少なくとも一面に、第１の酸化アルミニウム層１２と、銀層または銀合金層１３と、第２の酸化アルミニウム層１４と、フッ化マグネシウム層１５と、チタン酸化物層またはタンタル酸化物層またはチタンとランタンとの複合酸化物層１６とを、基板側から順に積層する。 - 特許庁 - The transfer sheet for the ceramic product has a first cover layer 13, a water-soluble resin layer 14, the frit layer 15, an ink image layer 16 and a second cover layer 23 which are formed in the order on a support 11 having a releasing layer 12, wherein the frit layer 15 is formed in accordance with a region of an ink image of the ink image layer 16.
剥離層１２を有する支持体１１に、第１カバー層１３、水溶性樹脂層１４、フリット層１５、インク画像層１６、及び第２カバー層２３が順に形成され、フリット層１５は、インク画像層１６のインク画像の領域に対応して形成される、窯業製品用転写シートである。 - 特許庁 - The gas barrier film having a barrier layer containing an organic layer and an inorganic layer at least on one surface of a plastic film, wherein the barrier layer is composed of the organic layer, a first inorganic layer having a film density of 1.7 or more, and a second inorganic layer whose film density is 0.5-1.5 higher than the first inorganic layer.
プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に有機層と無機層を含むバリア層を有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層が、有機層、膜密度が１．７以上である第一無機層、および第一無機層よりも膜密度が０．５〜１．５高い第二無機層から構成されていることを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁 - The antireflection laminate is obtained by stacking at least a silicon oxide layer (1) as a first layer, a titanium nitride layer as a second layer and a silicon oxide layer (2) as a third layer in this order on a transparent substrate and the interface between the silicon oxide layer (1) and the titanium nitride layer is nitrided.
透明性を有する基材上に、少なくとも第１層に酸化シリコン層（１）、第２層に窒化チタン層、第３層に酸化シリコン層（２）をこの順に積層した反射防止効果を有する積層体であって、酸化シリコン層（１）の窒化チタン層との界面が窒化されていることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁 - The optical recording medium 10 is equipped with a supporting substrate 11, a light transmission layer 12, a first dielectric layer 31 arranged between the light transmission layer 12 and the supporting substrate 11, the noble metal nitride layer 23, a second dielectric layer 32, a light absorption layer 22, a third dielectric layer 33, and a reflection layer 21.
本発明の光記録媒体１０は、支持基板１１と、光透過層１２と、光透過層１２と支持基板１１との間に配置された第１の誘電体層３１、貴金属窒化物層２３、第２の誘電体層３２、光吸収層２２、第３の誘電体層３３及び反射層２１とを備える。 - 特許庁 - The multi-layer sheet is structured of a first base material layer 11, an adhesive layer 12, a gas barrier layer 13, an adhesive layer 14, a second base material layer 15, a cohesive failure-natured resin layer 16 and a non-cohesive failure-natured resin layer 17.
第１の基材層１１と、接着層１２と、ガスバリア層１３と、接着層１４と、第２の基材層１５と、凝集破壊性樹脂層１６と、非凝集破壊性樹脂層１７とを備えた多層シートを、その非凝集破壊性樹脂層１７が容器内表面側になるように熱成形して容器３とする。 - 特許庁 - In the thin film EL element, a lower electrode layer 2, lower insulating layer 3, first buffer layer 51, luminous layer 4, second buffer layer 52, upper insulating layer 6, and upper electrode layer 7 are laminated in order on a glass substrate 1, and the El emission from the luminous layer 4 is output through the glass substrate 1.
この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、第１バッファ層５１、発光層４、第２バッファ層５２、上部絶縁層６および上部電極層７を順次積層することにより形成されており、発光層４からのＥＬ発光はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁 - A multi-layer sheet comprises a first base material layer 11, an adhesive layer 12, a gas barrier layer 13, an adhesive layer 14, a second base material layer 15, a cohesive breaking resin layer 16, and a non-cohesive breaking resin layer 17.
第１の基材層１１と、接着層１２と、ガスバリア層１３と、接着層１４と、第２の基材層１５と、凝集破壊性樹脂層１６と、非凝集破壊性樹脂層１７とを備えた多層シートを、その非凝集破壊性樹脂層１７が容器内表面側になるように熱成形して容器３とする。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 30 comprises an active layer 5, a heavily doped p-type first clad layer 8 formed on the active layer 5, a first undoped layer 7 formed between the active layer 5 and the heavily doped p-type first clad layer 8, and a second undoped layer 9 formed on the heavily doped p-type first clad layer 8.
この半導体レーザ素子３０は、活性層５と、活性層５上に形成される高濃度ｐ型第１クラッド層８と、活性層５と高濃度ｐ型第１クラッド層８との間に形成される第１アンドープ層７と、高濃度ｐ型第１クラッド層８上に形成される第２アンドープ層９とを備えている。 - 特許庁 - In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an n-type crack preventive layer 5, an n-type AlGaN first clad layer 6, an MQW light emitting layer 7, a p-type AlGaN second clad layer 8, and a p-type contact layer 9 are formed sequentially on a sapphire substrate 1.
半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に、バッファ層２、アンドープのＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層６、ＭＱＷ発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層８、ｐ−コンタクト層９が順に形成されてなる。 - 特許庁 - The organic EL element 10 is formed with a laminated film including a positive electrode (a first electrode layer) 4, an organic EL layer (an organic functional layer) 3, and a negative electrode (a second electrode layer) 7, and so structured that a phase solution preventing layer 181 is provided between a hole injection/transport layer 5 and a luminous layer 8 of the organic EL layer 3.
本発明の有機ＥＬ素子１０は、陽極（第１の電極層）４と、有機ＥＬ層（有機機能層）３と、陰極（第２の電極層）７とを含む積層膜を具備し、前記有機ＥＬ層３の正孔注入／輸送層５と発光層８との間に、相溶防止層１８１が設けられた構成を備えている。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
