「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 75 76 77 78 79 80 81 82 83 .... 429 430 次へ＞- A p-second clad layer 7 and a p-contact layer 8 are successively formed on the n-current block layer 6 and the p-first clad layer 5 within the opening part 20.
ｎ−電流ブロック層６上およびストライプ状開口部２０内のｐ−第１クラッド層５上にはｐ−第２クラッド層７およびｐ−コンタクト層８が順に形成される。 - 特許庁 - An n-type ZnO layer 2, a ZnO light-emitting layer 3 and a p-type ZnO layer 4 as an exemplary second conductive type semiconductor layer are successively stacked on a ZnO substrate 1.
ＺｎＯ基板１上に、ｎ型ＺｎＯ層２、ＺｎＯ発光層３および第２導電型半導体層の一例としてのｐ型ＺｎＯ層４を順次積層している。 - 特許庁 - The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is composed of an InAlGaN layer, and the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is composed of a semiconductor different from a material of the InAlGaN layer.
第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。 - 特許庁 - This agricultural film consisting of ≥2 layers is provided with that a fist layer is the layer containing a thermoplastic resin and a second layer is the layer containing components (A), (B) and (C).
２層以上からなる農業用フィルムであって、第一層が熱可塑性樹脂を含む層であり、第二層が、成分（Ａ）、成分（Ｂ）、成分（Ｃ）を含有する層である農業用フィルム。 - 特許庁 - The n-type absorption reducing layer 4 has a larger Al composition ratio than the n-type clad layer 5, and the p-type absorption reducing layer 12 has a larger Al composition ratio than the p-type second clad layer 11.
ｎ型吸収低減層４はｎ型クラッド層５よりもＡｌ組成比が大きく、ｐ型吸収低減層１２はｐ型第２クラッド層１１よりもＡｌ組成比が大きい。 - 特許庁 - The outer peripheral part of a single cell layer constituted of the positive electrode active material layer, the electrolyte layer, and the negative electrode active material layer is sealed by a sealing part having a second resin as the base material.
正極活物質層、電解質層、および負極活物質層から構成される単電池層の外周部が、第２の樹脂を基材とするシール部により封止されてなる。 - 特許庁 - In a mask blanks 1 having a hard mask layer 3 on a substrate 2, the hard mask layer 1 includes a lamination structure where a first layer 5 and a second layer 6 are arranged from the substrate 2 side.
基板２上にハードマスク層３を有するマスクブランクス１において、前記ハードマスク層１は、前記基板２の側から第一層５と第二層６とが配される積層構造を有する。 - 特許庁 - The surface density of the first layer and the fourth layer sound absorbing blanks 101 and 104 is 500 g/m2 and the surface density of the second layer and the third layer sound absorbing blanks 102 and 103 is 800 g/m2.
第１層および第４層吸音素材１０１、１０４の面密度は５００ｇ／ｍ^2、第２層および第３層吸音素材１０２、１０３の面密度は８００ｇ／ｍ^2である。 - 特許庁 - By using an etching mask including at least the mask layer and etching, a trench 10 passing through the second layer 5 and third layer 7 and reaching the first layer 2 is formed.
少なくともマスク層を含むエッチングマスクを用いてエッチングを行なうことによって、第２の層５および第３の層７を貫通して第１の層２に至るトレンチ１０が形成される。 - 特許庁 - Also, the layer is provided with a second intermediate layer 6b of non-granular structure of Ru metal film or Ru group alloy film is provided between a soft magnetic backlining layer 4 and the first intermediate layer 6a.
また、軟磁性裏打層４と第１の中間層６ａとの間に、Ｒｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜の非グラニュラー構造の第２の中間層６ｂを備えるようにした。 - 特許庁 - The forming method is repeated to form a first layer 6a, a second layer 6b and a third layer 6c of the pattern layer 6 to produce a mold precursor 7 with the fine pattern formed thereon.
前記の形成方法にて繰り返し、一層目６ａ、二層目６ｂ、三層目６ｃとパターン層６の形成を行い、微細パターンを形成した金型原版７を作製した。 - 特許庁 - The intermediate layer 14A is applied to the organic electric device having a layer constitution of laminating two members of a first organic compound layer and a second organic compound layer, without being limited to an organic transistor.
本中間層１４Ａは、有機トランジスタに限られず、第１有機化合物層と第２有機化合物層の２者を積層する層構成を持つ有機電気デバイスに適用される。 - 特許庁 - A first photosensitive insulation resin layer 5 is formed on one side of a metallization layer 1, while a second photosensitive insulation resin layer 6 is formed on the other side of the metallization layer 1.
金属層１上の片方の面に第一の感光性絶縁樹脂層５を形成し、金属層１のもう片方の面に第二の感光性絶縁樹脂層６を形成する。 - 特許庁 - The hose 10 for refrigerant transportation has a four-layered structure and is obtained by laminating a fluororesin layer 1, a first rubber layer 2, a brass plated wire layer 3, and a second rubber layer 4 in the order named from the inner side.
冷媒輸送用ホース１０は４層構造になっており、内側からフッ素樹脂層１、第１のゴム層２、ブラスメッキワイヤ層３及び第２のゴム層４の順に積層されている。 - 特許庁 - In a state where a first metal layer coming into contact with a semiconductor is covered with an anti-oxidation second metal layer, only the first metal layer is silicided to form a silicide layer where oxygen is not mixed.
半導体と接した第１の金属層を酸化防止用の第２の金属層で覆った状態で、第１の金属層のみをシリサイド化し、酸素混入のないシリサイド層を形成する。 - 特許庁 - There is formed on a growth surface 11A a two-layer structure type mask layer comprising a first layer 21A made of silicon dioxide and a second layer 21B made of silicon nitride having an etching resistance against hydrofluoric acid.
成長面１１Ａ上に、二酸化シリコンよりなる第１層２１Ａとフッ酸に対する耐エッチング性を有する窒化シリコンよりなる第２層２１Ｂとの２層構造のマスク層を形成する。 - 特許庁 - The cap layer of the first infrared ray absorbing layer 54a is formed from Al_0.15Ga_0.85As, and the cap layer of the second infrared ray absorbing layer 54b is formed from Al_0.2Ga_0.8As.
また、第１の赤外線吸収層５４ａのキャップ層はＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ａｓにより形成され、第２の赤外線吸収層５４ｂのキャップ層はＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ａｓにより形成されている。 - 特許庁 - Subsequently, the first plating layer 6 is removed by etching, and a third plating layer 9 may be formed in a hole from which the first plating layer 6 is removed by etching, by electrifying from the second plating layer 7.
第１のめっき層６をエッチング除去し、第１のめっき層６がエッチング除去された孔内に、第２のめっき層７から通電して第３のめっき層９を形成してもよい。 - 特許庁 - The first region R1 has a top coat layer (the outermost layer) 51 whose surface is smoother than the top coat layer 52 in the second region R2, on the surface of the ink layer 51.
第１領域Ｒ１には、インキ層５１の表面に、第２領域Ｒ２におけるトップコート層５２よりも表面が平滑に形成されたトップコート層（最外層）５２が設けられている。 - 特許庁 - The thickness of the first layer is 0.1 to 0.5 mm, the thickness of the second layer is 0.2 to 0.5 mm, the thickness of the third layer is 3.0 to 5.0 mm, and the thickness of the fourth layer is 0.5 to 1.0 mm.
第１層〜第４層の層厚は、それぞれ第１層：０．１〜０．５ｍｍ、第２層：０．２〜０．５ｍｍ、第３層：３．０〜５．０ｍｍ、第４層：０．５〜１．０ｍｍであるとよい。 - 特許庁 - The adhesion layer 24 is comprised of a first layer 12 made of a water-soluble material, and a second layer 13 which is formed so as to cover the entire surface of the first layer 12 and is made of a waterproof material.
密着層２４が、水溶性材料から成る第１層１２と、第１層１２の全面を覆って形成され、且つ耐水性材料から成る第２層１３とから構成される。 - 特許庁 - An angle θ1, which is the angle between an edge section of the first wiring layer and a bottom layer surface, is made larger than an angle θ2, which is the angle formed by the edge section in the second wiring layer and the bottom layer surface.
第１配線層におけるエッジ部の下層面とのなす角度θ１が、第２配線層における下層面とのなす角度θ２より大きいことを特徴とする。 - 特許庁 - The antireflection film 10 is constituted of a four-layered structure which consists of, in order from a substrate 11 side, thin films of a first layer 12, a second layer 13, a third layer 14, and a fourth layer 15.
反射防止膜１０は、４層構造で構成されており、基板１１側から順に第１層１２、第２層１３、第３層１４、第４層１５の薄膜が積層されている。 - 特許庁 - The spin accumulation magnetic sensor includes a pinned layer 5A provided on a first area of a nonmagnetic layer 2 and a free layer 5B provided on a second area of the nonmagnetic layer 2.
このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。 - 特許庁 - The lenticular lens sheet 20 of the transmission type screen 10 includes a lenticular lens layer 29, a light shield layer 23, a first diffusion layer 24, a translucent substrate 25, and a second diffusion layer 26.
この透過型スクリーン１０のレンチキュラーレンズシート２０は、レンチキュラーレンズ層２９と、遮光層２３と、第１拡散層２４と、透光性基板２５と、第２拡散層２６とを備える。 - 特許庁 - A second antiferromagnetic layer 31 is formed on the free magnetic layer 28 and a non-magnetic layer 32 comprising Cr and having thin film thickness is formed on the layer 31.
フリー磁性層２８上には第２反強磁性層３１が形成され、前記第２反強磁性層３１上にはＣｒで形成された薄い膜厚の非磁性層３２が設けられている。 - 特許庁 - The memory device has a structure of a field effect transistor wherein a semiconductor layer 1, first charge barrier layer 2, charge accumulation layer 3, second charge barrier layer 4, and gate electrode 4 are stacked in this order.
半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３、第２の電荷障壁層４、および、ゲート電極４を順次積層した電界効果トランジスタ構造とする。 - 特許庁 - The metallic laminate comprises a first clear layer and a second clear layer with a different refractive index from that of the first layer which are stacked in order on a metal layer.
本発明のメタリック積層体は、金属層の上に、第一クリヤー層、第一クリヤー層と屈折率の異なる第二クリヤー層が順に積層されたものであることを特徴する。 - 特許庁 - An insulating layer portion 11 is folded like bellows, and a first electrode layer portion 21 or a second electrode layer portion 22 is provided on each of surface ends of a base 12 formed by the insulating layer portion 11.
絶縁層部１１は蛇腹状に折り畳まれ、絶縁層部１１が形成する基部１２の各端面に第一電極層部２１または第二電極層部２２が設けられている。 - 特許庁 - In the organic EL device 1, a low refractive index layer 2, a functional layer 3, a transparent first electrode 4, a hole injection layer 7, a light-emitting layer 5 and a second electrode 6 are laminated in this order in contacting states.
有機ＥＬ素子１は、低屈折率層２、機能層３、透明な第１電極４、正孔注入層７、発光層５、および第２電極６がこの順に接して積層される。 - 特許庁 - A lid plate 13 is successively constituted of a first base material layer 13a, a strong self-adhesive layer 13b, a second base material layer 13c and a weak self-adhesive layer 13d from its surface side.
蓋板１３を、蓋板１３の表面側から順に第１基材層１３ａ、強粘着層１３ｂ、第２基材層１３ｃ、弱粘着層１３ｄという構成にする。 - 特許庁 - A first semiconductor layer 13 is provided on one surface of the substrate 12, and a second semiconductor layer 14 of a channel region forming layer is provided on the first semiconductor layer 13.
半導体基板１２の片面に第１の半導体層１３が設けられ、第１の半導体層１３上にチャネル領域形成層の第２の半導体層１４が設けられている。 - 特許庁 - Further, the etching selective ratio of the first interlayer insulation layer 30 to the semiconductor layer 14 is made larger than the one of the second interlayer insulation layer 32 to the semiconductor layer 14.
半導体層１４に対する第１の層間絶縁層３０のエッチング選択比は、半導体層１４に対する第２の層間絶縁層３２のエッチング選択比より大きい。 - 特許庁 - In the multilayer circuit board, a laminate is configured by superposing a first signal electrode layer 40, a ground electrode layer 30, a power-supply electrode layer 20, and a second signal electrode layer 10 in the order.
第１の信号電極層４０、グランド電極層３０、電源電極層２０及び第２の信号電極層１０をこの順で積み上げて積層体を構成した多層配線基板。 - 特許庁 - The distance (L2) between a first mesa structure consisting of an emitter layer and a base layer and a second mesa structure consisting of the base layer and a collector layer is set in the range of 3-9 μm.
また、エミッタ層およびベース層からなる第１のメサ構造と、ベース層およびコレクタ層からなる第２のメサ構造との距離（Ｌ２）を３μｍ以上９μｍ以下とした。 - 特許庁 - The quantum well structure comprises: a first group III nitride based barrier layer; a group III nitride based quantum well layer on the first barrier layer; and a second group III nitride based barrier layer.
量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。 - 特許庁 - In the metal layer 6 that is the lowest layer, its end part is pressed by the second insulation layer 8, thus preventing external force from being applied to the interface between the metal layer 6 and the insulation film 4.
最下層の金属層６は、その縁部を第２絶縁層８によって押さえこまれており、外部からの力が金属層６と絶縁膜４との界面に直にかからない。 - 特許庁 - The semiconductor optical amplifying element is equipped with a first conductivity-type lower clad layer, a second conductivity-type upper clad layer, an active layer, and a diffraction grating layer.
本発明の一実施形態に係る半導体光増幅素子は、第１導電型の下部クラッド層、第２導電型の上部クラッド層、活性層、回折格子層を備えている。 - 特許庁 - The decorative layer 2 has a resin layer 3 formed from a second resin material having a load distortion temperature lower than that of the first resin material and a metal layer 4 in contact with the resin layer 3.
装飾層２は、第１樹脂材料よりも荷重たわみ温度の低い第２樹脂材料から形成された樹脂層３と、樹脂層３に接触する金属層４とを有する。 - 特許庁 - The interconnect 30 includes a first wiring layer 34, and a second wiring layer 36 formed on the first wiring layer and composed of a material more ductile than the first wiring layer.
配線３０は、第１の配線層３４と、第１の配線層上に形成された第１の配線層よりも延性の高い材料で構成された第２の配線層３６とを含む。 - 特許庁 - The bioactivity holding layer 4 is constituted of a first layer 5 constituted of crosslinked elastin and a second layer 6 holding cytokine and/or a cell growth factor on the outer surface of the first layer 5.
生物活性保持層４は、架橋エラスチンから構成される第１層５と、その外面でサイトカイン及び／又は細胞増殖因子を保持する第２層６とから構成されている。 - 特許庁 - A metal layer 10 is formed between the first waveguide layer 2a and the second waveguide layer 2b and used as an etching stopper layer when forming the insertion groove 7 by etching.
第１の導波路層２ａと第２の導波路層２ｂの間にはメタル層１０が形成され、挿入溝７をエッチングにより形成する際の、エッチングストッパ層として利用される。 - 特許庁 - The optical waveguide 1 comprises the waveguide layer 2 multi-layered by laminating a first waveguide layer 2a and a second waveguide layer 2b, and a mounting substrate 3 for supporting the waveguide layer 2.
光導波路１は、第１の導波路層２ａと第２の導波路層２ｂを積層して多層化した導波路層２と、導波路層２を支持する実装基板３を備える。 - 特許庁 - The optical disk device pre-stores as a β-characteristic a correlation between a β-value of an L0 layer which is a recording layer on the incident side, and a β-value of an L1 layer which is the second recording layer.
光ディスク装置は、予め、入射側の記録層であるＬ０層のβ値と、二層目の記録層であるＬ１層のβ値と、の相関をβ特性として記憶しておく。 - 特許庁 - At least a portion of the magnetic pole layer 16 is placed in a housing groove 55 formed in a region extending from a first encasing layer 51 through a second housing layer 12 to a non-magnetic metal layer 13.
磁極層１６の少なくとも一部は、第１の収容層５１、第２の収容層１２および非磁性金属層１３にわたって形成された収容溝５５に収容されている。 - 特許庁 - At least a portion of the magnetic pole layer 16 is placed in a housing groove 55 formed in a region extending from a first encasing layer 51 through a second housing layer 12 to a nonmagnetic metal layer 13.
磁極層１６の少なくとも一部は、第１の収容層５１、第２の収容層１２および非磁性金属層１３にわたって形成された収容溝５５に収容されている。 - 特許庁 - The layer 13 is composed of the first decorative resin layer 14 located on the surface side and the second decorative resin layer 15 which is laminated on the layer 14.
加飾樹脂層１３は、表側に位置する第１の加飾樹脂層１４と、この第１の加飾樹脂層１４に積層される第２の加飾樹脂層１５とからなっている。 - 特許庁 - A terminal electrode 5 has at least three-layer structure of a first layer 7, a second layer 8 and a third layer 9 which are formed on each end surface 4 of an electronic component main body 3 in this order.
端子電極５を、電子部品本体３の各端面４上に順次形成される第１層７と第２層８と第３層９との少なくとも３層構造とする。 - 特許庁 - A magnetic layer adjacent to the first magnetic layer is made to lose magnetism in a recording temperature, so that recording characteristics of the first magnetic layer is not affected by the second magnetic layer.
また、記録温度において第一の磁性層に隣接する磁性層が磁性を失うようにし、第二の磁性層によって第一の磁性層の記録特性に影響を与えないようにした。 - 特許庁 - The second rolled polarizing plate 71' has an antiglare film 34, a second polarizing film 31, a second adhesive layer 37, and a second release film 90 laminated in this order.
第２のロール状偏光板７１´は、防眩性フィルム３４と、第２の偏光フィルム３１と、第２の粘着剤層３７と、第２の離型フィルム９０と、がこの順に積層される。 - 特許庁
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