「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 71 72 73 74 75 76 77 78 79 .... 429 430 次へ＞- The ceramic electronic component (10) includes a first dielectric layer (11), a second dielectric layer (12), and a boundary reaction layer (13).
本実施形態のセラミック電子部品１０は、第１の誘電体層１１と、第２の誘電体層１２と、境界反応層１３とを含むものである。 - 特許庁 - Each of the adhesive devices 3 includes a first adhesive layer 13 printed on the base sheet 2, a base material layer 12, and a second adhesive layer 15, in order.
各接着具３は、ベースシート２上に順に印刷形成した第１接着剤層１３と、基材層１２と、第２接着剤層１５からなる。 - 特許庁 - The optical sheet 29 is provided with a first light diffusion layer 30 and a second light diffusion layer 35 disposed on the light emission side of the first light diffusion layer.
光学シート２９は、第１光拡散層３０と、第１光拡散層の出光側に設けられた第２光拡散層３５と、を備えている。 - 特許庁 - In this embodiment, a second-layer metal 21 connected to the first-layer metal 182 through the opening area 20 of an interlayer insulating layer 19 is also added to this structure.
この例では、第１層金属１８２にさらに層間絶縁層１９の開口領域２０を介して接続された第２層金属２１も付加されている。 - 特許庁 - The length of the first catalytic layer 31 is regulated so as to be 5-35% of the total lengths of the first catalytic layer 31 and the second catalytic layer 32.
このとき、第１触媒層３１の長さを、第１触媒層３１の長さと第２触媒層３２の長さの総和の 5％〜35％とする。 - 特許庁 - As a preferred embodiment, the second layer 32 is made of a foaming body or an elastic material, the first layer 31 is made of aluminum, and the third layer 33 is made of steel.
好適には、第２層３２を、発泡体または弾性材料によって構成し、第１層３１をアルミニウム、また第３層３３をスチールで形成する。 - 特許庁 - Thus, the three-layer film 82 including an aluminum layer 82a is electrically connected with a high-concentration source area 1d by means of the second low-resistance layer 111.
これにより、アルミニウム層８２ａを含む三層膜８２は、第２低抵抗層１１１を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続される。 - 特許庁 - A second barrier layer may be formed on the first barrier layer 70, and then the trenches are filled by forming a copper layer 100 on both barrier layers.
第２のバリヤー層を第１のバリヤー層７０上に形成することができ、銅１００を両方のバリヤー層上に形成し、トレンチを充填する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the MTJ element 70 comprises the steps of sequentially laminating a first ferromagnetic layer 24, a tunnel barrier layer 30 and a second ferromagnetic layer 42.
ＭＴＪ素子７０は、第１の強磁性層２４と、トンネルバリア層３０と、第２の強磁性層４２とが順に積層される工程を含む。 - 特許庁 - Then, a second n+a-Si layer 105 is formed on the first n+a-Si layer 104, and so as to cover the side surfaces of the semiconductor layer 103.
その後、２層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０５を１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４の上と、半導体層１０３の側部を覆うように形成する。 - 特許庁 - The second parallel flat plate layer 108A functions as a parallel flat plate layer for correction for correcting the astigmatic difference caused in the first parallel flat plate layer 106A.
第２平行平板層１０８Ａは、第１平行平板層１０６Ａで発生する非点隔差を補正する補正用平行平板層として機能する。 - 特許庁 - A defect is inspected at the defect inspection part 130 after forming the organic layer at the organic layer forming part 110 and before forming the boundary layer and the second electrode.
有機層成膜部１１０で有機層を形成したのち、界面層および第２電極の形成前に、欠陥検査部１３０で欠陥検査を行う。 - 特許庁 - Then, the first insulation layer 13a is covered with the second insulation layer 14a instead of applying a polishing treatment to the first insulation layer 13a.
次いで、この第一の絶縁層１３ａに研磨処理を施さずに、この第一絶縁層１３ａを上記第二の絶縁層１４ａにより覆う。 - 特許庁 - A second interlayer film 5 is arranged only in a region right below the wiring layer 2, and connects the wiring layer 2 with the diffusion preventing insulation layer 4 in a longitudinal direction.
第２の層間膜５は配線層２の真下領域にのみ配置され、かつ配線層２と拡散防止絶縁層４とを縦方向に連結している。 - 特許庁 - A first conductive layer is formed of Ti or Mo, and a second conductive layer is formed of aluminum (pure aluminum) having low electric resistance over the first conductive layer.
ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。 - 特許庁 - A first insulating layer 41, a second insulating layer 42, and a metal layer 43 are further formed respectively in turn in each prescribed region further on these layers.
これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層４１，第２絶縁層４２および金属層４３が順に形成されている。 - 特許庁 - The wiring board comprises a first wiring layer 11, and a second wiring layer 12 provided via the first wiring layer 11 and an interlayer insulation film 13.
配線基板は、第１の配線層１１と、第１の配線層１１と層間絶縁膜１３を介して設けられた第２の配線層１２とを有する。 - 特許庁 - This first magnetic pole has a first magnetic pole layer formed on a reading head element, and a second magnetic pole layer formed on the first magnetic pole layer.
この第１の磁極は、読み出しヘッド素子上に形成された第１の磁極層と該第１の磁極層上に形成された第２の磁極層とを有する。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent element preventing damage to an organic layer while maintaining a transmission factor in a second electrode layer deposited on the top of the organic layer.
有機層の上部に蒸着される第２電極層の透過率を保ちつつも有機層の損傷を防止できる有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁 - The second thickness of the spacer layer 18 is enough to match the stopper 22 and the sealing bead 20 when the stopper layer 16 and the spacer layer 18 are joined to each other.
スペーサ層１８の第２の厚さは、ストッパ層１６及びスペーサ層１８を互いに接合したときに、ストッパ２２及び密封ビード２０に組合う。 - 特許庁 - In particular, coloring of the first positive resist layer is preferably performed in the state where a patterned second resist layer is formed on the first positive resist layer.
特に、前記第一のポジ型レジスト層の着色は、その上にパターン形成した第二のレジスト層を形成した状態で行うことが好ましい。 - 特許庁 - Thereafter, the laminate 10 wherein the inner layer 4 and the second outer layer 6 are stacked on the first outer layer 2 is burned to fabricate the multilayered electronic component.
その後、第１の外層部２上に内層部４と第２の外層部６とが積層された積層体１０を焼成して、積層型電子部品を製造する。 - 特許庁 - This organic electric field light-emitting element comprises an anode 12, first insulting layer 14, organic material light emitting layer 15, second insulating layer 17 and cathode 19 formed on a substrate 11.
有機電界発光素子は、基板11上に形成された陽極12、第１絶縁層14、有機物発光層15、第2絶縁層17、陰極19を有する。 - 特許庁 - The infrared-transparent structure is characterized in that a Ge layer is further laminated between the second Y_2O_3 layer and the diamond-like carbon layer.
前記第２のＹ_２Ｏ_３層とダイヤモンド状炭素層との間に、さらにＧｅ層が積層されていることを特徴とする赤外線透過構造体。 - 特許庁 - Before all the layers 21-23, constituting the first active material layer, are formed, at least one layer constituting the second active material layer is formed.
そして、第１活物質層を構成する全ての層２１〜２３を形成する前に、第２活物質層を構成する少なくとも１つの層を形成する。 - 特許庁 - A collector electrode 20 has a first conductive layer 28, a second conductive layer 26, and a third conductive layer 24 formed sequentially from the backside of a silicon substrate 30.
コレクタ電極２０は、シリコン基板３０の裏面から順に、第１導電層２８と、第２導電層２６と、第３導電層２４を備えている。 - 特許庁 - Further, the phosphor layer is arranged between the light emitting layer and reflecting layer, to emit the white light as mixed light of the first light and second light.
さらに、発光層と反射層との間に蛍光体層が配置されて、第１の光と第２の光との混合光により白色光を発光する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting device comprises a stacked structure, a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer.
実施形態によれば、積層構造体と第１導電層と第２導電層と第３導電層とを備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - In addition, an anti-guiding layer having a third refractive index lower than the second refractive index is arranged so that the confining layer may be positioned between the active region and anti-guiding layer.
第二の屈折率より低い第三の屈折率を持つアンチガイド層が、閉じ込め層が活性領域とこのアンチガイド層の間にくるように配置される。 - 特許庁 - The stretch controlling part 2 has a constitution in which a first separating layer 4, a second separating layer 5, and a third separating layer 6 are slidably laminated with each other.
前記伸長調節部２は、第１分離層４、第２分離層５、および第３分離層６を互いに摺動可能に積層した構成とする。 - 特許庁 - The nitride light-emitting element 11 includes a first conductivity type nitride semiconductor layer 13, a second conductivity type nitride semiconductor layer 15, and an active layer 17.
窒化物発光素子１１は、第１導電型の窒化物半導体層１３と、第２導電型の窒化物半導体層１５と、活性層１７とを備える。 - 特許庁 - As a result, when the second layer UV resin 6 is formed on the UV resin 5, the thickness of the two-layer cover layer can be made nearly uniform.
その結果、第２層ＵＶレジン６をＵＶレジン５上に形成した場合に、２層構成のカバー層の厚みをほぼ均一とすることができる。 - 特許庁 - The gate electrode 4 contacts a surface of the gate oxide layer 22 and has at least a first conductor layer 10 and a second conductor layer 12.
ゲート電極４は、ゲート酸化物層２２の表面と接触しており、少なくとも第１導電体層１０および第２導電体層１２を備える。 - 特許庁 - Moreover on those layers, a first insulating layer 71, a second insulating layer 72, and a metal layer 73 are formed in each predetermined area in order.
これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層７１，第２絶縁層７２および金属層７３が順に形成されている。 - 特許庁 - The antireflection member 1 includes a base 2, a first layer 3, a second layer 4, and a third layer 5 laminated in this order.
本発明に係る反射防止部材１は、基材２、第一の層３、第二の層４、及び第三の層５を備え、これらの要素が前記の順番に積層している。 - 特許庁 - The bonding layer 26 includes a brazing material layer 28 and metal films 30 which are respectively adhered to the first substrate 10 and the second substrate 24 interposing the brazing material layer 28.
接合層２６は、ロウ材層２８と、ロウ材層２８を挟んで第１基板１０及び第２基板２４にそれぞれ密着する金属膜３０と、を含む。 - 特許庁 - The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on a second main surface of the n-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.
前記ｎ側電極は、前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁 - The semiconductor is composed of the diffusion layer 1 with a plurality of power source nodes 7 provided, a first wiring layer 2, a second wiring layer 8, and a package 11.
複数の電源ノード７が設けられた拡散層１と、第１の配線層２と、第２の配線層８と、パッケージ１１とで半導体装置を構成する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, a light-emitting part, a second semiconductor layer, and an In-containing intermediate layer.
実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - Further, the melting point of the second protective layer 23 is lower than that of the first protective layer 21 and is not lower than the melting point of the skin protective component layer 22.
さらに、第２の保護層２３は、その融点が第１の保護層２１よりも低く、皮膚保護成分層２２の融点以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - In another way, the image receiving layer after receiving the image may be one wherein the image receiving layer of the second recording member with the image receiving layer is printed.
あるいは受像後の画像受像層は、画像受像層を有する第２記録部材のその画像受像層が印刷されたものであってもよい。 - 特許庁 - A first electrode layer 20 and a second electrode layer 30 are stacked on the electrolyte layer 10, which contains an ionic liquid in a base polymer, such as, polyvinylidene fluoride.
ポリフッ化ビリニデンなどのベースポリマーにイオン液が含まれた電解質層１０に第１の電極層２０と第２の電極層３０が重ねられる。 - 特許庁 - A number of projection parts 14 including the fiber constituting the first layer and the fiber constituting the second layer are formed in the face side of the first layer 11.
第１層１１を構成する繊維と第２層１２を構成する繊維とを含む多数の凸部１４が、第１層１１側の面側に形成されている。 - 特許庁 - Subsequently, the third patterned layer of the sacrificial substance has an opened portion due to the exposed area of the first electrode layer and formed in the second electrode layer.
次いで、犠牲物質の第三のパターン化された層は、第一電極層の露出された領域による開口部を備えて、第二電極層に形成される。 - 特許庁 - A storage layer ML of a memory element RM is formed of a first layer ML1 on the side of a lower electrode BE and a second layer ML2 on the side of an upper electrode TE.
メモリ素子ＲＭの記憶層ＭＬを、下部電極ＢＥ側の第１の層ＭＬ１と上部電極ＴＥ側の第２の層ＭＬ２で形成する。 - 特許庁 - The pixel structure includes a scanning line, a gate pattern, a first dielectric layer, a channel layer, a source, a drain, a data line, a second dielectric layer, and a pixel electrode.
走査線、ゲートパターン、第一誘電体層、チャネル層、ソース、ドレイン、データ線、第二誘電体層および画素電極を有する画素構造が提供される。 - 特許庁 - A laminate structure comprises: a metallic base material 1; a dielectric layer 2; a first electrode layer 31; a second electrode layer 32; and a protective film 41.
本発明に係る積層構造体は、金属製の基材１、誘電体層２、第１電極層３１、第２電極層３２、及び保護膜４１を備えている。 - 特許庁 - The insulating layer 107 has a plurality of slope end faces on the respective upper parts of the first circuit pattern layer 103 and the second circuit pattern layer.
絶縁層１０７が第１の回路パターン層部分１０３と第２の回路パターン層部分のそれぞれの上において複数の傾斜端面を有する。 - 特許庁 - In the photoelectric surface 10, a buffer layer 14, a first GaN layer 16 and a second GaN layer 18 are formed on a substrate 12 in this order.
光電面１０において、基板１２上にバッファー層１４、第１のＧａＮ層１６、及び第２のＧａＮ層１８がこの順で形成されている。 - 特許庁 - A second p-type clad layer 16 is formed in the laser on the first p-type clad layer 13, and has higher carrier concentration than the p-type current block layer 14.
第２ｐ型クラッド層１６は、第１ｐ型クラッド層１３上のレーザ部に形成され、ｐ型電流ブロック層１４よりも高いキャリア濃度を有する。 - 特許庁
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