「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • A metal layer is formed on the second surface opposite to the integrated circuit die.
    集積回路ダイの反対の第２の表面上に金属層が形成される。 - 特許庁
  • The system includes first and second wire grids and an open-cell foam layer.
    システムは、第一及び第二ワイヤグリッドと、オープンセル発泡体層と、を備えている。 - 特許庁
  • Here, the second silicon nitride layer (112) contains a low silicon-hydrogen SiN material.
    ここで第２窒化シリコン層（１１２）は低シリコン−水素ＳｉＮ材料を含む。 - 特許庁
  • The liquid crystal layer is interposed between the first and the second display substrates.
    液晶層は、第１表示基板と第２表示基板との間に介在する。 - 特許庁
  • A metal current 19 is formed on the second p-type clad layer 16.
    金属電極１９は、第２ｐ型クラッド層１６上に形成されている。 - 特許庁
  • A liquid crystal layer 13 is disposed between the first substrate and the second substrate.
    第１の基板と第２の基板の間には液晶層１３が配置される。 - 特許庁
  • A second insulating layer of a silicon oxide base insulating material is formed on the inner lens.
    インナレンズ上に酸化シリコン系絶縁物の第２の絶縁層を形成する。 - 特許庁
  • Second and third via holes (820, 830) expose parts of the flattened layer.
    第２と第３ビアホール（８２０，８３０）は、平坦化層の一部分を露出させる。 - 特許庁
  • Hard fine particles 3a have been dispersed on the surface of the second glass layer 5.
    第２ガラス層３の表面には硬質微粒子３ａが分散されている。 - 特許庁
  • Further, the outer surface of the second sheet body 24 is covered with a third soil layer 33.
    更に、第２シート体２４の外面が第３土層３３で覆われている。 - 特許庁
  • A second wiring layer 13 is formed on the third interlayer dielectric 11.
    第３層間絶縁膜１１上に第２配線層１３が形成されている。 - 特許庁
  • The second return path section includes a yoke layer 40 in contact with the main pole 15.
    第２の帰磁路部は、主磁極１５に接するヨーク層４０を含んでいる。 - 特許庁
  • The second gate wiring layer 28 is electrically connected to a gate pad (not shown).
    第２ゲート配線層２８はゲートパッド（図示せず）と電気的に接続されている。 - 特許庁
  • The release layer 8 comprises first and second release layers 9 and 10.
    離型層８は、第一離型層９と、第二離型層１０とからなる。 - 特許庁
  • The thermochromic compound layer is in direct contact with the second object during the impact.
    サーモクロミック化合物層は、衝突の間、第２物体と直接接触する。 - 特許庁
  • The main magnetic pole layer and the second film are polished until the first film is exposed.
    主磁極層及び第２の膜を、第１の膜が露出するまで研磨する。 - 特許庁
  • An upper wiring pattern 19 is formed on the second insulating layer 17.
    上部配線パターン１９は第２の絶縁層１７の上に形成されている。 - 特許庁
  • In the second layer 10b, a highly heat-conductive material 12 (Cu) is arranged for the structure.
    第２の層１０ｂには、良熱伝導材１２（Ｃｕ）を配置して構成する。 - 特許庁
  • The third layer CLa includes a first portion 2 and a second portion 16.
    第３の層ＣＬａは第１の部分２および第２の部分１６を有する。 - 特許庁
  • Furthermore, the second electrode layer 20 is scribed to form a third scribe part 70.
    さらに、第２電極層２０をスクライブして第３スクライブ部７０を設ける。 - 特許庁
  • The second substrate 4 is arranged on the outermost layer 5 of the adhesive sheet 10.
    粘着シート１０の最外層５には、第２の基材４が配置されている。 - 特許庁
  • A coating layer is formed on a wafer composed of a first area and a second area.
    第一領域と第二領域とからなるウェハ上にコート層を形成する。 - 特許庁
  • Soldering parts consisting of copper foil are formed at the second layer.
    第２層４２には銅箔よりなるはんだ取り付け部４４が形成されている。 - 特許庁
  • The fifth CD yarn weaves with at least one MD yarn in the second layer.
    第５ＣＤヤーンは、第２層のＭＤヤーンの少なくとも１つと織成する。 - 特許庁
  • The counter substrate has a second alignment layer facing the active component array substrate.
    対向基板はアクティブコンポーネントアレイ基板に対面する第２配向層を有する。 - 特許庁
  • A membrane thickness of the second electrode layer is 1 nm or more and 30 nm or less.
    前記第２電極層の膜厚が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。 - 特許庁
  • The second layer is constructed to contain a catalyst of a structure carried by the carrier.
    第２の層は、担体に担持された構造の触媒を含むように構成される。 - 特許庁
  • The second coating layer contains a film forming polymer and a gritty tactile sensation suppressing agent.
    第２のコーティング層は、膜形成ポリマーと、ジャリジャリ触感抑止剤を含む。 - 特許庁
  • A coating layer is also formed in the second electrode 6 in almost the same way.
    第２の電極６に対しても同様の方法でコーティング層を形成する。 - 特許庁
  • A second metallic electrode 4 is formed on a lower face of the semiconductor layer 3.
    半導体層３の下面に第２の金属電極４が形成されている。 - 特許庁
  • The positive electrode layer has a first positive electrode and a second positive electrode.
    プラス電極層は第１のプラス電極と第２のプラス電極とを有する。 - 特許庁
  • A first electrode 21 is provided on the second semiconductor spacer layer 19.
    第１の電極２１は、第２の半導体スペーサ層１９上に設けられる。 - 特許庁
  • The negative electrode layer has a first negative electrode and a second negative electrode.
    マイナス電極層は第１のマイナス電極と第２のマイナス電極とを有する。 - 特許庁
  • The electrolyte layer is disposed between the electrodes and the second substrate.
    前記電解質層は、前記電極と前記第二基板との間に配置される。 - 特許庁
  • The second layer 103b is composed of a perovskite oxide such as LNF.
    第２層１０３ｂは、ＬＮＦなどのペロブスカイト型酸化物かから構成する。 - 特許庁
  • A display panel includes, a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer, and a seal line.
    表示パネルは、第１基板、第２基板、液晶層、及びシールラインを含む。 - 特許庁
  • The second protective carbon layer comprises 50% or less SP3 carbon.
    第２保護炭素層は約５０％又はそれより少ないＳＰ３炭素を含む。 - 特許庁
  • The second metal layer fully demonstrates a stress relaxing action by Al.
    第２の金属層がＡｌによる応力緩和作用を十分に発揮させる。 - 特許庁
  • Incidentally, the resin composition of the second layer is preferably coated in a dot-like pattern shape.
    なお、二層目の樹脂組成物はドット様の模様状に塗布されるのがよい。 - 特許庁
  • The second layers 7, 8, 9 cover the first layer 5 and the underlying mark 1.
    第二の層７，８，９は、第一の層５および下地マーク部１を覆っている。 - 特許庁
  • The encapsulating layer has top, bottom, and first and second side surfaces.
    封止材層は、上面、底面、第１の側面、及び第２の側面を有する。 - 特許庁
  • In the second layer 10b, a right heat conduction material 12 (Cu) is arranged for the structure.
    第２の層１０ｂには、良熱伝導材１２（Ｃｕ）を配置して構成する。 - 特許庁
  • The organic electroluminescent includes a first electrode 2, a first functional layer 3 having at least a first organic luminescent layer, a second electrode 4, a second functional layer 5 having at least a second organic luminescent layer, and a third electrode 6, all of which are stacked on a support base 1 in sequence.
    支持基板１上に第一電極２と、少なくとも第一の有機発光層を有する第一の機能層３と、第二電極４と、少なくとも第二の有機発光層を有する第二の機能層５と、第三電極６と、を順次積層してなる有機ＥＬパネルである。 - 特許庁
  • From above a second semiconductor layer 13p, by using a second etching agent having the etching speed to the insulating layer 23 higher than the etching speed to the second semiconductor layer 13p, a portion of the insulating layer 23 is etched and removed, so that a first semiconductor region 12n is exposed.
    第２の半導体層１３ｐの上から、絶縁層２３に対するエッチング速度が第２の半導体層１３ｐに対するエッチング速度よりも大きな第２のエッチング剤を用いて、絶縁層２３の一部分をエッチングにより除去することにより第１の半導体領域１２ｎを露出させる。 - 特許庁
  • In addition, a second vertical hole 36 with a larger diameter than the first vertical hole 30 is excavated through a second excavation process where the second vertical hole 36 is excavated from an upper side of the boundary surface 34 between the contaminated layer 20 and an upper layer 18 thereof to the lower side of the boundary surface 28 between the contaminated layer 20 and the impermeable layer 22.
    次に、第２掘削工程により、汚染層２０と汚染層２０の上層１８との境界面３４の上方から、汚染層２０と不透水層２２との境界面２８の下方まで、第１縦穴３０より大径の第２縦穴３６が掘削される。 - 特許庁
  • A surface-emitting laser device comprises: a semiconductor part having a first semiconductor layer 11 and a second semiconductor layer 12; a first reflector 41 provided on the first semiconductor layer side of the semiconductor part; and a second reflector 42 provided on the second semiconductor layer side of the semiconductor part.
    面発光レーザ素子は、第１半導体層１１及び第２半導体層１２を有する半導体部と、半導体部の第１半導体層側に設けられた第１反射器４１と、半導体部の第２半導体層側に設けられた第２反射器４２と、を有する。 - 特許庁
  • The side region of the second coil layer 23 is extended to the lower side along the slopes 70a of the second insulation layer 70, the tilt angles θ2 of the slopes 70a of the second insulation layer 70 is smaller than the tilt angles θ1 of the slopes 60a formed in the first insulation layer 60.
    第２絶縁層７０の傾斜面７０ａに沿って第２コイル層２３の側方領域が下方側に延出しており、第１絶縁層６０に形成された傾斜面６０ａの傾斜角度θ１よりも、第２絶縁層７０の傾斜面７０ａの傾斜角度θ２の方が小さい。 - 特許庁
  • The semiconductor laser is configured by a first clad layer 20, active layer 30, current-blocking part 40, second clad layer 50, contact layer 60, first ohmic electrode 70, second ohmic electrode 76, insulating film 64, first contact electrode 80, penetration electrode 90 and second contact electrode 86.
    第１クラッド層２０、活性層３０、電流ブロック部４０、第２クラッド層５０、コンタクト層６０、第１オーミック電極７０、第２オーミック電極７６、絶縁膜６４、第１コンタクト電極８０、貫通電極９０及び第２コンタクト電極８６を備えて構成される。 - 特許庁
  • The etching depth of the part 52B which is not superimposed on the first trenches 51 of the second trench 52 is set in a depth penetrating an upper second DBR mirror layer containing an upper oxidizable layer in the laminating direction, but does not reach a lower second DBR mirror layer containing the lower oxidizable layer.
    第２溝５２の第１溝５１に重ならない部分５２Ｂのエッチング深さを、積層方向において上部酸化可能層を含む上部第２ＤＢＲミラー層を貫通すると共に、下部酸化可能層を含む下部第２ＤＢＲミラー層に達しない深さとする。 - 特許庁
  • A second insulating layer 5 is formed by extending outside crossing the rising corner 1c from the EL emitting part 2 inside the switch operating part 10, and a second high bending conductive layer 6 is formed on the second insulating layer 5 and conducted to the back electrode layer 2c of the EL emitting part 2.
    スイッチ操作部１０の内部のＥＬ発光部２から、立ち上がり角部１ｃを横切って第２絶縁層５を外方に延伸形成し、第２絶縁層５上に第２高屈曲性導電層６を形成してＥＬ発光部２の背面電極層２ｃに導通させる。 - 特許庁
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