「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 65 66 67 68 69 70 71 72 73 .... 429 430 次へ＞- A semiconductor device comprises a first main electrode, a first semiconductor layer, a first-conductive-type base layer, a second-conductive-type base layer, a second semiconductor layer of a first conductive type, buried layers of a second conductive type, buried electrodes, gate insulating films, gate electrodes, and a second main electrode.
実施形態によれば、半導体装置は、第１の主電極と、第１の半導体層と、第１導電形ベース層と、第２導電形ベース層と、第１導電形の第２の半導体層と、第２導電形の埋め込み層と、埋め込み電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、第２の主電極とを備えた。 - 特許庁 - At this point, a switching mechanism 10 conducts and connects between the first electrode layer 2 of the first block BK1 and the second electrode layer 3 of a second block BK2 and an electric field occurs between the first electrode layer 2 of the first block BK1 and a first electrode layer 2 of the second block BK2, and the second block BK2 deforms similarly.
このとき、第１のブロックＢＫ１の第１の電極層２と第２のブロックＢＫ２の第２の電極層３との間が切換機構１０により導通接続され、第２のブロックＢＫ２の第１の電極層２との間に電界が発生するため、第２の第１のブロックＢＫ１も同様に変形する。 - 特許庁 - The semiconductor chip 1 with the adhesive layer according to the present invention comprises a second semiconductor chip 2, a first adhesive layer 3 laminated on a surface 2a of the second semiconductor chip 2, and a second adhesive layer 4 laminated on a surface 3b of the first adhesive layer 3 opposite to the second semiconductor chip 2.
本発明に係る接着剤層付き半導体チップ１は、第２の半導体チップ２と、該第２の半導体チップ２の表面２ａに積層された第１の接着剤層３と、第１の接着剤層３の第２の半導体チップ２側とは反対の表面３ｂに積層された第２の接着剤層４とを備える。 - 特許庁 - The second wiring layer 32 has a second interlayer insulating film, a plurality of second via plugs 34-1, and a plurality of second wiring 34-2 provided at a second interval larger than the first interval in the second interlayer insulating film.
第２配線層部３２は、第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜内に第１間隔よりも大きい第２間隔以上で設けられた複数の第２ビアプラグ３４−１及び複数の第２配線３４−２とを有する。 - 特許庁 - A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side.
ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。 - 特許庁 - The carrier includes a core particle, a first resin layer coating the core particle, and a second coating layer coating the outside the first coating layer, wherein each of the first coating layer and the second coating layer contains a resin and a conductive material, and the second coating layer contains the conductive material in a higher content than in the first coating layer.
コア粒子と、前記コア粒子を被覆する第一被覆層と、前記第一被覆層の外側を被覆する第二被覆層とを有し、前記第一被覆層及び第二被覆層はそれぞれ樹脂と導電材を含み、前記第二被覆層が、前記第一被覆層より高い含有率で導電材を含むことを特徴とするキャリアにより上記課題を解決する。 - 特許庁 - This adhesive fabric is obtained by forming a first resin layer on the surface of a fabric and forming a second resin layer so as to lay a part thereof on the first resin layer and the first resin layer has a lower melt viscosity than that of the second resin layer at an adhesion temperature higher than the higher temperature of the melting temperature of the first resin layer and that of the second resin layer.
布帛表面に第１樹脂層が形成され、該第１樹脂層と少なくとも一部分が重なるようにして、第２樹脂層が形成されており、該第１樹脂層の融点と該第２樹脂層の融点のうち高い方の融点より高い接着温度において、該第１樹脂層の溶融粘度が、該第２樹脂層の溶融粘度より低い両面接着性布帛とする。 - 特許庁 - A first ohmic contact is formed on an electrically insulated substrate, a first semiconductor material doped layer is formed on the first ohmic contact layer, a second semiconductor material doped layer is formed on the first semiconductor material doped layer, and a second ohmic contact layer, physically separated from the first ohmic contact layer, is formed on the second semiconductor material doped layer.
電気的に絶縁性の基板上に第１のオーミックコンタクトを形成し、第１のオーミックコンタクト層上に第１の半導体材料ドープ層を形成し、第１の半導体材料ドープ層上に第２の半導体材料ドープ層を形成し、該第２半導体材料ドープ層の上に上記第１のオーミックコンタクト層と物理的に分離された第２のオーミックコンタクト層を形成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor layer includes: a first precursor layer-fabricating step of fabricating a first precursor layer containing a metal element; a second precursor layer-fabricating step of forming a second precursor layer by coating a chalcogen element-containing organic compound on a surface of the first precursor layer; and a semiconductor layer-fabricating step of fabricating the semiconductor layer including a metal chalcogen compound semiconductor by heating the second precursor layer.
半導体層の製造方法は、金属元素を含む第１の前駆体層を作製する第１の前駆体層作製工程と、第１の前駆体層の表面にカルコゲン元素含有有機化合物を塗布して第２の前駆体層を形成する第２の前駆体層作製工程と、第２の前駆体層を加熱して金属カルコゲン化合物半導体を含む半導体層を作製する半導体層作製工程と、を具備する。 - 特許庁 - The well layer is formed between the first and second barrier layers, where the first barrier layer has a first doping region in a region adjacent to the well layer and a first nondoping region in a region separated from the well layer, and the second barrier layer has a second nondoping region in a region adjacent to the well layer.
該井戸層は該第一の障壁層と該第二の障壁層との間に形成され、そのうち、該第一の障壁層は該井戸層に隣接する領域に第一のドーピング領域を有し、該井戸層から離れる領域に第一の非ドーピング領域を有し、該第二の障壁層は該井戸層に隣接する領域に第二の非ドーピング領域を有する。 - 特許庁 - In the two-dimensional photonic crystal light-emitting diode, an active layer has a two-layer structure of a first active layer 12 emitting light of a short wavelength side and a second active layer 13 emitting light of a long wavelength side, and a two-dimensional photonic crystal structure is formed in the second active layer 13 and a second semiconductor layer 14 laminated thereupon.
本発明に係る２次元フォトニック結晶発光ダイオードでは、活性層を、短波長側の光を発する第１活性層１２と、長波長側の光を発する第２活性層１３の２層構造にし、第２活性層１３とその上に積層された第２半導体層１４に対して２次元フォトニック結晶構造を形成している。 - 特許庁 - A manufacturing method of a multilayer film comprises: a step of forming a first layer (CoFeB); a step of forming a second layer (MgO) on the first layer (CoFeB); and a step of transferring crystal information of the second layer (MgO) to the first layer (CoFeB) by irradiating a surface of the second layer (MgO) with GCIB.
実施形態に係わる多層膜の製造方法は、第１の層（ＣｏＦｅＢ）を形成する工程と、第１の層（ＣｏＦｅＢ）上に第２の層（ＭｇＯ）を形成する工程と、第２の層（ＭｇＯ）の表面に対してＧＣＩＢ照射を行うことにより、第２の層（ＭｇＯ）の結晶情報を第１の層（ＣｏＦｅＢ）に転写する工程とを備える。 - 特許庁 - A second insulating layer 46 is provided in an opening part installed so as to penetrate the first electrode layer 42 and the first insulating layer 43, and the second insulating layer 46 is installed with the opening part having such a taper that an opening area becomes gradually smaller as it goes toward the second electrode layer 44 side from the first electrode layer 42 side.
第１の電極層４２と第１の絶縁層４３を貫通するように設けられた開口部内に、第２の絶縁層４６を備えており、この第２の絶縁層４６には、第１の電極層４２側から第２の電極層４４側に向かうにつれて開口面積が徐々に小さくなるようなテーパーを有する開口部が設けられている。 - 特許庁 - Even in the case where the second conductive layer including the conductive particle and the resin is formed on the first conductive layer, the step of irradiation with the laser beam can increase the portion where the first conductive layer and the second conductive layer are in contact with each other and suppress the poor electrical connection between the first conductive layer and the second conductive layer.
レーザービームを照射する工程を含むことにより、第１の導電層上に、導電性粒子と樹脂からなる第２の導電層を形成した場合でも、第１の導電層と第２の導電層が接する部分を増加させ、第１の導電層と第２の導電層の間の電気的な接続不良を改善することができる。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element includes: a conductive substrate 1; a first clad layer 2 of a first conductivity type, comprising a nitride semiconductor and formed on the conductive substrate 1; an active layer 4 formed on the first clad layer 2; and a second clad layer 6 of a second conductivity type formed on the active layer 4, wherein an optical waveguide 7 is formed in the second clad layer 6.
導電性基板１と、導電性基板１上に形成された窒化物半導体からなる第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に形成された活性層４と、活性層４上に形成された第２導電型の第２クラッド層６とを備え、第２クラッド層６に光導波路７が形成される。 - 特許庁 - This semiconductor device includes a first layer, a second layer provided on a principal plane of the first layer, a conductive columnar structure which penetrates the principal plane and extends to the first layer and the second layer, and a side section attached to a side wall of the columnar structure in a second layer side of the principal plane.
第１層と、前記第１層の主面の上に設けられた第２層と、前記主面を貫通し、前記第１層と前記第２層とに延在する導電性の柱状構造体と、前記主面の前記第２層の側において前記柱状構造体の側壁に付設された側部と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The second ferromagnetic layer 19 and the magnetic layer 21 are antiferromagnetically exchange coupled via the second non-magnetic coupling layer 20, the first ferromagnetic layer 16 and the second ferromagnetic layer 19 are ferromagnetically exchange coupled via the first non-magnetic coupling layer 18, and a relationship of Hc_1'<Hc_3'≤Hc_2' is satisfied.
磁気記録媒体１０は、第２強磁性層１９と磁性層２１とが第２非磁性結合層２０を介して反強磁性的に交換結合されており、さらに第１強磁性層１６と第２強磁性層１９とが第１非磁性結合層１８を介して強磁性的に交換結合され、Ｈｃ_1’＜Ｈｃ_3’≦Ｈｃ_2’の関係を有する。 - 特許庁 - A liquid crystal layer 105 is interposed between a first substrate 101 and a second substrate 102, a first scattering layer 108 and a second scattering layer 109 which have light scattering properties different from each other are disposed on the side opposite to the liquid crystal layer 105 of the first substrate 101 and a reflection layer 103 is formed on the liquid crystal layer side of the second substrate 102.
第１基板１０１と第２基板１０２との間に液晶層１０５が挟持され、前記第１基板１０１の前記液晶層１０５と異なる側に光拡散性の異なる第１散乱層１０８と第２散乱層１０９が配置され、前記第２基板１０２の前記液晶層側の面に反射層１０３が形成されている。 - 特許庁 - In the optical recording medium comprising at least a resin substrate, a recording layer containing an organic dye and a reflective layer, the reflective layer has a first reflective layer and a second reflective layer in this order from the side close to the recording layer, the second reflective layer has a lower thermal conductivity than the first reflective layer, and the first reflective layer is thicker than the second reflective layer.
本発明は、少なくとも樹脂基板、有機色素を含む記録層、及び反射層を有する光記録媒体であって、前記反射層が、前記記録層に近い側から第一反射層と第二反射層とをこの順で有し、前記第二反射層の熱伝導度が前記第一反射層の熱伝導度よりも低く、かつ、前記第一反射層の膜厚が前記第二反射層の膜厚よりも厚いことを特徴とする光記録媒体を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁 - Processes for forming the ridge stripe structure (9) includes a first etching process for dry-etching a second conductive type second clad layer 7 leaving a prescribed thickness, and a second etching process for wet-etching and removing the second conductive type second clad layer 7 having the prescribed thickness to a second conductive type etching stop layer 6.
リッジストライプ構造（９）を形成する工程は、ドライエッチングにより、第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁 - A first magnetic layer 1 that is magnetized in a film surface vertical direction, a first non-magnetic layer N1, a second magnetic layer 2 that is magnetized in the film surface vertical direction, a second non-magnetic layer N2, and a third magnetic layer N3 that is magnetized in a film surface vertical direction, are laminated in order.
膜面垂直方向に磁化した第１磁性層１と、第１非磁性層Ｎ１と、膜面垂直方向に磁化した第２磁性層２と、第２非磁性層Ｎ２と、膜面垂直方向に磁化した第３磁性層Ｎ３とを順に積層する。 - 特許庁 - The plant cultivation support includes a core member 2 containing a fertilizing element, a first gel layer 3 disposed around the core member 2, a second gel layer 4 disposed around the first gel layer 3 and containing seeds, and a rope layer 5 disposed around the second gel layer 4.
施肥要素を含む芯部材２と、芯部材２の周囲に配置される第一のゲル層３と、第一のゲル層３の周囲に配置され、種子を含む第二のゲル層４と、第二のゲル層４の周囲に配置されたロープ層５と、を有する植物栽培担体とする。 - 特許庁 - Moreover, the thin film solar cell includes a first photoelectric conversion layer 3 laminated on the substrate 1 and a second photoelectric conversion layer 4 laminated on the first photoelectric conversion layer 3, and the area of the second photoelectric conversion layer 4 is smaller than that of the first photoelectric conversion layer 3.
また、基板１上に積層された第１光電変換層３と、第１光電変換層３上に積層された第２光電変換層４とを備え、第２光電変換層４の面積が、第１光電変換層３の面積よりも小さい。 - 特許庁 - The nitride semiconductor light emitting element includes a nitride semiconductor layer, a conductive first oxide layer, and an insulating second oxide layer, and the first oxide layer and second oxide layer are made of oxide materials of the same kind.
本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体層と、導電性の第１酸化物層と、絶縁性の第２酸化物層とを含み、第１酸化物層および第２酸化物層は、同一種類の酸化物材料からなることを特徴とする。 - 特許庁 - Drain wiring of the metal wire 7 of the third layer is arranged so that it may cover an entire region of the semiconductor substrate 1, and source wiring of the metal wires 5, 6 of the first layer and the second layer are arranged so that these may cover an entire region of the metal wires of the first layer and the second layer.
第３層メタル配線７のドレイン配線は、半導体基板１の全領域を覆うように配置され、第１層及び第２層メタル配線５、６のソース配線は第１層及び第２層メタル配線の全領域を覆うように配置される。 - 特許庁 - The design method is provided for the semiconductor integrated circuit including a first wiring layer, a second wiring layer provided on the first wiring layer, and a third wiring layer provided on the second wiring layer.
本実施形態によれば、半導体集積回路の設計方法は、第１配線層、前記第１配線層上に設けられる第２配線層、及び前記第２配線層上に設けられる第３配線層を有する半導体集積回路の設計方法である。 - 特許庁 - To provide a method which produces a molded body by vacuum-forming a laminate having a first foam layer, a second foam layer, and a non-foamed layer, and by which peeling is hardly caused between the first foam layer and the second foam layer in the obtained molded body.
第一の発泡層と第二の発泡層と非発泡層とを有する積層体を真空成形して成形体を製造する方法において、得られる成形体における第一の発泡層と第二の発泡層との剥離がおこりにくい方法を提供する。 - 特許庁 - The luminescent display device includes a first reflective layer 4, a second reflective layer 5 provided on the front side relative to the first reflective layer 4, a light guide body 3 provided between the first reflective layer 4 and the second reflective layer 5, and an emblem 2 provided on the front side from the light guide body 3.
第１反射層４と、第１反射層４より表側に設けられた第２反射層５と、第１反射層４と第２反射層５との間に設けられた導光体３と、導光体３より表側に設けられたエンブレム２と、を備える。 - 特許庁 - This illumination panel is composed by stacking a translucent first electrode layer 12, a translucent light emitting layer 13, a translucent second electrode layer 14, and a diffusion/reflection layer 15 for diffusing and reflecting light entered by passing through the second electrode layer 12 in that order.
透光性の第１電極層１２と、透光性の発光層１３と、透光性の第２電極層１４と、第２電極層１２を透過して入射した光を拡散反射させる拡散反射層１５とをこの順に積層して照明パネルを構成した。 - 特許庁 - An image sensor 5 includes: a semiconductor layer 100 having a first surface 1 and a second surface 2; a wiring layer 200 provided on the first surface 1 of the semiconductor layer 100; and a light-transmitting layer 300 provided on the second surface 2 of the semiconductor layer 100.
イメージセンサ５は、第１面１及び第２面２を有する半導体層１００、半導体層１００の第１面１上に配置される配線層２００、および半導体層１００の第２面２上に配置される光透過層３００を有する。 - 特許庁 - Respective layers of a first transparent electrode layer (anode), a hole transport layer, an organic emission layer (cathode) and a second transparent electrode layer (cathode) are sequentially formed on a transparent substrate, and further, a reflecting mirror is arranged at a predetermined distance above the second transparent electrode layer (cathode).
透明基板の上に第一透明電極層（陽極）、正孔輸送層、有機発光層及び第二透明電極層（陰極）の各層を順次形成し、更に第二透明電極層（陰極）の上方に所定の距離を保って反射ミラーを配置した。 - 特許庁 - The semiconductor substrate constituted by comprising a first layer comprising silicon to which germanium is added, a second layer comprising an oxide adjacent to the first layer and further, a third layer comprising the silicon-germanium mixed crystal adjacent to the second layer, and a manufacturing method of the same are provided.
半導体基板であって、ゲルマニウムを添加したシリコンからなる第一層と、これに隣接する酸化物からなる第二層と、さらに第二層に隣接するシリコン−ゲルマニウム混晶からなる第三層からなる半導体基板およびその製造方法である。 - 特許庁 - In the phase transition type optical information recording medium having a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer and the reflection layer which are sequentially laminated on a transparent substrate, the second dielectric layer contains a nickel oxide.
透明基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を順次積層した相変化型光情報記録媒体であって、前記第２誘電体層がニッケル酸化物を含有している相変化型光情報記録媒体を主たる構成にする。 - 特許庁 - Then a non-doped second silicon layer 22 is formed covering the first polysilicon layer 20 and the same impurity as that diffused in the first polysilicon layer 20 is diffused in the second polysilicon layer 22 to the same impurity density with the first polysilicon layer 20.
次に、第１のポリシリコン層２０を覆って、ノンドープの第２のポリシリコン層２２を形成し、その後、第２のポリシリコン層２２に、第１のポリシリコン層２０に拡散したものと同じ不純物を、第１のポリシリコン層２０と同じ不純物濃度となるよぅに拡散する。 - 特許庁 - In the stem section 5, a second air layer forming recess 15 is formed oppositely to the first air layer forming recess 11 and an air layer 16 is formed by the first air layer forming recess 11 and the second air layer forming recess 15 on the underside of the element mounting land 7.
また、ステム部５は、第１の空気層形成凹部１１に対向して第２の空気層形成凹部１５が形成され、素子実装ランド７の下側には、第１の空気層形成凹部１１と第２の空気層形成凹部１５によって空気層１６が形成される。 - 特許庁 - By the constitution that the first layer is prepared outside as viewed from the side of a user who puts up the umbrella and that the second layer is prepared inside, the daylight is first reflected on and blocked at the first layer side and the ultraviolet rays, which cannot be blocked at the first layer, are blocked at the second layer.
傘を差す使用者側から見て外側に第１の層を設け、内側に第２の層を設けるように構成することで、第１の層側でまず日光を反射・遮断させ、第１の層で遮れなかった紫外線を第２の層で遮断する。 - 特許庁 - The EL element comprises a first light-emitting layer containing an emission center material, a second light-emitting layer which is laminated on the first light-emitting layer and contains the emission center material, and a conductive thin film which is inserted between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer.
発光中心材料を含む第１発光層と、前記第１発光層に積層され、発光中心材料を含む第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に挿入される導電性薄膜とを有する。 - 特許庁 - The sheet-like laminate has the first air-permeable sheet-like layer 14, the second layer 18 laminated on the first layer 14 and made of a plurality of short cut sliced wooden pieces 16, and the third layer 20 overlying the second layer 18 and made of flexible short fibers for a non-woven fabric.
通気性を有したシート状の第１層１４と、第１層１４に重ねられ短くカットした複数のスライス木片１６で作られた第２層１８と、第２層１８に重ねられ不織布用の柔軟な短繊維で作られた第３層２０を有する。 - 特許庁 - Although the surface of the first growth layer 21 becomes coarse, the surface dimples of the first growth layer 21 are filled up by causing the second growth layer 22 to grow more slowly than the first growth layer 21; thus, the surface of the second growth layer 22 is made flat.
第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。 - 特許庁 - The double-sided adhesive tape 10 includes a first adhesive layer 12 in contact with the shaft 6, a second adhesive layer 14 in contact with the grip 8 and a fibrous layer 16 provided between the first adhesive layer 12 and the second adhesive layer 14.
両面粘着テープ１０は、上記シャフト６に接する第一粘着層１２と、上記グリップ８に接する第二粘着層１４と、上記第一粘着層１２と上記第二粘着層１４との間に設けられている繊維層１６とを有している。 - 特許庁 - With the composition containing the acrylic rubber of the first layer in a non-bridged state, the second layer made of the fluorine resin is extrusion coated on an outer periphery of the first layer, and the first layer and the second layer are crosslinked in bulk, in the method for manufacturing of the heat-resistant oilproof insulation wire.
上記第一層のアクリルゴムを含有する組成物が未架橋の状態で、上記第一層の外周にフッ素樹脂からなる第二層を押出被覆し、第一層及び第二層を一括して架橋する耐熱耐油絶縁電線の製造方法。 - 特許庁 - The photocatalyst sheet 1 is composed of a base material 2, the first fluoroplastic layer 3 applied to the base material 2, the second fluoroplastic layer 4 applied on the first fluoroplastic layer 3 and the third fluoroplastic layer 5 containing a photocatalyst applied on the second fluoroplastic layer 4.
基材２と、基材２上に被覆される第１のフッ素樹脂層３と、第１のフッ素樹脂層３上に被覆される第２のフッ素樹脂層４と、第２のフッ素樹脂層４上に被覆される光触媒を含有させた第３のフッ素樹脂層５と、からなる。 - 特許庁 - The processing release paper for synthetic leather production comprises a first thermoplastic resin layer, a second thermoplastic resin layer and a substrate layer; wherein the above three layers are laminated in this order and the first thermoplastic resin layer and/or the second thermoplastic resin layer contain(s) a matting agent.
第一熱可塑性樹脂層と、第二熱可塑性樹脂層と基材層とがこの順に積層され、前記第一熱可塑性樹脂層および／または第二熱可塑性樹脂層は、マット剤を含有することを特徴とする、合成皮革製造用工程剥離紙である。 - 特許庁 - The pad 11P includes: a first metal layer 21 whose surface is exposed from the wiring board; a second metal layer 22 provided on the metal layer; and a third metal layer 23 which is provided between the second metal layer and a via 13 inside the board.
このパッド１１Ｐは、配線基板からその表面が露出した第１の金属層２１と、該金属層上に設けられた第２の金属層２２と、該第２の金属層と基板内部のビア１３との間に設けられた第３の金属層２３とを有する。 - 特許庁 - In the vicinity of the connection hole, in which the second and third conductive layers are connected, the third conductive layer is not overlapped on the second conductive layer via the first insulating layer, and an end of the third conductive layer is not formed on the first insulating layer.
第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁層上に形成されない。 - 特許庁 - A first recording layer 111 and a second recording layer 133 both of which consists of ferroelectric are laminated with an insulator layer 122 interposed between and hysteresis function regarding polarization moment which is independent mutually in the first record layer and the second record layer is provided.
ともに強誘電体からなる第１の記録層１１１と第２の記録層１３３を絶縁体層１２２をはさんで積層し、前記第１の記録層と前記第２の記録層において互いに独立な分極モーメントに関するヒステリシス機能を持たせる。 - 特許庁 - Although the surface of the first growth layer 21 is coarse, the recesses in the surface of the first growth layer 21 are buried and the surface of the second growth layer 22 is flattened by growing the second growth layer 22 at a growth velocity lower than that of the first growth layer 21.
第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。 - 特許庁 - The first layer 31 and the second layer 33 are made of the same material, and stresses, caused by the difference in the thermal expansion coefficients and degradation in bond strength, are reduced at the interface of the jointing faces of the first layer 31 and the second layer 33 and sealed state of the scintillator layer 32 is maintained.
第１の保護層31と第２の保護層33とを同じ物質で形成し、第１の保護層31と第２の保護層33との接合面の界面における結合強度の劣化や熱膨張係数差による応力を低減し、シンチレータ層32の密閉状態を維持する。 - 特許庁 - A thermally crosslinked positive photosensitive material layer (first positive photosensitive material layer) and a second positive photosensitive material layer are formed on a substrate and then the second positive photosensitive material layer is patterned followed by patterning of the first positive photosensitive material layer.
基板上に、熱架橋したポジ型感光性材料層（第１のポジ型感光材料層）と第２のポジ型感光性材料層を形成し、まず、第２のポジ型感光性材料層にパターンを形成した後、第１のポジ型感光性材料層にパターンを形成する。 - 特許庁 - An object to be plated is first plates with a tin/indium layer of a first layer at a thickness of about 0.1 to 5 μm and thereafter the surface of the tin/indium layer is plate with a bright tin/bismuth layer of a second layer at a thickness of about 0.1 to 1 μm, following which the first and second plating layers are subjected to reflow.
被めっき物に、まず第１層の錫／インジウム層を０．１〜５μｍ程度の厚さでめっきし、次にこの錫／インジウム層の上に第２層の光沢錫／ビスマス層を０．１〜１μｍ程度の厚さでめっきし、続いて第１及び第２めっき層をリフローする。 - 特許庁
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