「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 63 64 65 66 67 68 69 70 71 .... 429 430 次へ＞- The first layer of a resin layer 103 adheres to the second surface of a wiring layer 102 by the first heating processing at a first temperature.
第１の温度における第１の加熱処理によって、樹脂層１０３の第１の層が、配線層１０２の第２の面に付着される。 - 特許庁 - The adhesion layer 2 is composed of two layers, and is configured such that a first layer 2a and a second layer 2b are stacked in this order from the side of the resin substrate 1.
密着層２は、２層からなり、樹脂基板１側から、第１の層２ａ、第２の層２ｂをこの順で積層して構成される。 - 特許庁 - A first clad layer 15, an active layer 17, and a second clad layer 19 are mounted on the principal surface 13a of the semiconductor substrate 13.
第１のクラッド層１５、活性層１７及び第２のクラッド層１９が半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁 - The ceramic electronic component 10 includes a first dielectric layer 11, a second dielectric layer 12, and an intermediate layer 13.
本実施形態のセラミック電子部品１０は、第１の誘電体層１１と、第２の誘電体層１２と、中間層１３とを含むものである。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting device comprises a semiconductor layer, a first electrode, a second electrode, a transparent layer, and a phosphor layer.
実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、透明層と、蛍光体層とを備える。 - 特許庁 - Next, on the second main surface MP2 of the light-emitting layer growth preparing layer 8 of the substrate 50, the layer part 24 is epitaxially grown.
次に、該複合透光性基板５０の発光層成長準備層８の第二主表面ＭＰ２に発光層部２４をエピタキシャル成長する。 - 特許庁 - In addition, a third mantle layer 6 is arranged on the side of the second waveguide layer 2 opposite to the waveguide layer 1.
さらに前記第２の導波体層（２）の、前記第１の導波体層（１）とは反対の側には第３の外套層（６）が配置されている。 - 特許庁 - All of the first optical compensation layer, the second optical compensation layer and the fifth optical compensation layer are coating layers containing liquid crystal material.
該第１の光学補償層、該第２の光学補償層、および該第５の光学補償層の全てが液晶材料を含むコーティング層である。 - 特許庁 - Each of the first and the second recording layers 2a and 2b may be any one of a reproduction-only recording layer, a write-once recording layer, and a rewritable recording layer.
第１、第２の記録層２ａ、２ｂは、それぞれ、再生専用記録層、追記型記録層、書換型記録層のいずれであってもよい。 - 特許庁 - The planar light-emitting element has a light-emitting active layer 105 caught by a first conductivity-type semiconductor layer 104 and a second conductivity-type semiconductor layer 106.
面型発光素子は、第一の導電型の半導体層104と第二の導電型の半導体層106に挟まれた発光活性層105を有する。 - 特許庁 - The thicknesses of the first layer W and the second layer B are set at even-number times as large as one fourth that of the wavelength of the quantum wave of a carrier in each layer.
第１層Ｗと第２層Ｂの厚さをキャリアの各層における量子波の波長の４分の１の偶数倍に設定した。 - 特許庁 - In addition, a lower layer 8 is stacked under the intermediate layer 5, and a second ground surface 8a is formed under the opening 6b in the lower layer 8.
また、中間層５の下方には下層８が積層され、下層８において開口部６ｂの下方に第２のグランド面８ａが形成される。 - 特許庁 - By using the mask layer and introducing the impurities, a first conductive type third layer 7 is formed on the second layer 5.
マスク層を用いて不純物を導入することによって、第２の層５の上に、第１導電型を有する第３の層７が形成される。 - 特許庁 - This reflection type liquid crystal display element is provided with a first liquid crystal layer 1, a second liquid crystal layer 2 and a third liquid crystal layer 3.
本発明の反射型の液晶表示素子は、第１の液晶層１と、第２の液晶層２と、第３の液晶層３とを有する。 - 特許庁 - It is preferable that Martens hardness of the first buffer layer, the second buffer layer, and the conductive layer as a whole is 100-500 N/mm^2.
前記第１緩衝層、第２緩衝層及び導電層全体のマルテンス硬度は、１００〜５００Ｎ／ｍｍ^２であることが好ましい。 - 特許庁 - A second coil segment 41 formed on top of the upper core layer 39 via an insulation layer 40 is also formed on top of a back gap layer 34.
上部コア層３９の上に絶縁層４０を介して形成された第２コイル片４１をバックギャップ層３４の上にも形成する。 - 特許庁 - The second layer is separated from the first layer by a conducting material having conductivity less than at least the material of the first layer.
第２層は、少なくとも第１層の材料よりも小さい導電率を有する導電性材料によって、第１層から分離される。 - 特許庁 - A first insulating layer 21 having a first opening 22 is formed, and, subsequently, a second insulating layer 23 is formed on the first insulating layer 21.
第１の開口２２を有する第１の絶縁層２１を形成し、次いで、第１の絶縁層２１上に第２の絶縁層２３を形成する。 - 特許庁 - A first cap layer 51 made from NiFeHf and a second cap layer 52 made from Ta/Ru are sequentially formed on the free layer 50.
フリー層５０の上にＮｉＦｅＨｆからなる第１のキャップ層５１と、Ｔａ／Ｒｕからなる第２のキャップ層５２とを順次形成する。 - 特許庁 - Mo layers (the first layer) 3 and Si layers (the second layer) 4 are laminated alternately on a surface of a substrate in the multi-layer film reflecting mirror 1.
多層膜反射鏡１の基板２の表面には、Ｍｏ層（第１層）３とＳｉ層（第２層）４とが交互に積層形成されている。 - 特許庁 - The thin film coil 20 has a first layer part 21 and a second layer part 22 each of which is formed of a planar conductive layer of three turns.
薄膜コイル２０は、それぞれ３ターンの平面的な導電層からなる第１層部分２１および第２層部分２２を有している。 - 特許庁 - The first wiring layer 20 and the second wiring layer 70 are connected electrically in a via hole 60 at a predetermined position of the insulation layer 30.
第１の配線層２０と第２の配線層７０とは、絶縁層３０の所定位置のビアホール６０部において電気的に接続されている。 - 特許庁 - A first cladding layer 15, an active layer 17, and a second cladding layer 19 are formed on the primary surface 13a of the semiconductor substrate 13.
第１のクラッド層１５、活性層１７及び第２のクラッド層１９が半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁 - A substrate 1 holds a stack 2 of layers with a phase-change recording layer 5 between a first dielectric layer 4 and a second dielectric layer 6.
基板１は、第一の誘電体の層４と第二の誘電体の層６との間に相変化記録層５をもつ層のスタック２を保持する。 - 特許庁 - The average lattice constant of the superlattice layer is smaller than that of the first spacer layer and larger than that of the second spacer layer.
超格子層の平均の格子定数は、第１のスペーサ層の格子定数よりも小さく且つ第２のスペーサ層の格子定数よりも大きい。 - 特許庁 - Next, the p-SiNx layer as the second layer is shaved using the Ta as an etching stopping layer, then, the heater protection membrane can obtain the required membrane thickness in respective membranes.
次に、２層目のｐ−ＳｉＮｘをＴａをエッチングストップ層として削りこみ、ヒータ保護膜それぞれに必要な膜厚を実現する。 - 特許庁 - This mask includes a main metal layer 20A, a first sub-layer 30a and a second sub-layer 30b, and further has a conductive ball housing through hole 15.
メイン金属層２０Ａと第１サブ層３０ａ，第２サブ層３０ｂとからなり、導電性ボール収容貫通孔１５を有するマスクである。 - 特許庁 - A cover insulating layer 5a is formed on one side of the base insulating layer 1 to cover the wiring pattern 2a and a second ground layer 4b.
配線パターン２ａおよび第２の接地層４ｂを覆うように、ベース絶縁層１の一面上にカバー絶縁層５ａが形成される。 - 特許庁 - The organic EL element 13 is laminated from a first electrode layer 15, the organic EL layer 16 and a second electrode layer 17 in this order on the substrate 12.
有機ＥＬ素子１３は、第１電極層１５、有機ＥＬ層１６、第２電極層１７の順に基板１２上に積層されている。 - 特許庁 - The quantities of adsorbent included in the adsorption layers are successively increased in order of the first adsorption layer 36, the second adsorption layer 37 and the third adsorption layer 38.
吸着層に含まれる吸着剤の量は、第１吸着層（36）、第２吸着層（37）、第３吸着層（38）の順に多くなっている。 - 特許庁 - A floating gate 40, an intermediate insulating layer (second insulating layer) 50, and a control gate 60 are successively formed on the gate insulating layer 20.
ゲート絶縁層２０上には、フローティングゲート４０と、中間絶縁層（第２の絶縁層）５０と、コントロールゲート６０とが順次形成されている。 - 特許庁 - A second pressure sensitive adhesive layer 27 having an adhesion lower than that of the first adhesive layer 26 is formed on the outside of the first pressure sensitive adhesive layer 26.
第１粘着剤層２６の外方に第１粘着剤層２６よりも粘着力の弱い第２粘着剤層２７を形成する。 - 特許庁 - A barrier layer 32 of first conductive type of dopant concentration higher than that of the first base is disposed between the first base layer and the second base layer.
第１ベース層と第２ベース層との間に、第１ベース層よりも不純物濃度が高い第１導電型のバリア層３２が配設される。 - 特許庁 - Also, since the growth intercepting layer 17 is the ferromagnetic material, the first magnetic layer 16 and the second magnetic layer 18 are coupled in a ferromagnetic state.
また、成長遮断層１７が強磁性材料からなるので、第１磁性層１６と第２磁性層１８とが強磁性的に結合する。 - 特許庁 - There is a bonding layer 50 on the magnetic layer 8 for bonding the side of the magnetic layer 8 on the first magnetic substrate 2 to a second magnetic substrate 4.
磁性層８の上には接着層５０があり、第１の磁性基板２上の磁性層８側と第２の磁性基板４を接着している。 - 特許庁 - The nanoindenter hardness of the second layer 82 at the outmost side is regulated so as to be lower than that of the first layer 81 of an intermediate layer.
最表層側の第２層（82）のナノインデンタ硬度は、中間層側の第１層（81）のナノインデンタ硬度よりも低くなるように成形される。 - 特許庁 - The insole 20 is formed of a first layer 21 coming into contact with the sole of a user's foot and a second layer 22 joined under the first layer 21.
インソール２０は、使用者の足底に接触する第一層２１、および当該第一層２１の下方に接合される第二層２２を有する。 - 特許庁 - In the case when the image is not drawn completely though the area is covered sufficiently, a second layer and a subsequent layer are formed on the first layer.
このエリアが十分に覆われても画像が完全に描画されない場合、第２の層及び後続の層が第１の層の上に形成される。 - 特許庁 - An organic semiconductor laser is composed of an anode 11, a first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, and a cathode 15.
しかし、無機の半導体レーザー素子は発振波長が６２０〜８００ｎｍ程度と比較的長く、記録密度を高める事が困難であった。 - 特許庁 - The base layer 1 is anode-connected to the first sealing layer 2 and the second sealing layer 3 between them to form a chamber 5 inside.
基層１は第１密閉層２および第２密閉層３に挟まれた状態で各々に陽極接合され、内部にチャンバ５を形成する。 - 特許庁 - The electromagnetic shield layer 15 is composed of a first electromagnetic wave shield layer 17 formed of Cu, and a second electromagnetic wave shield layer 19 formed of Ni.
電磁波シールド層１５は、Ｃｕから成る第１電磁波シールド層１７と、Ｎｉから成る第２電磁波シールド層１９とから構成される。 - 特許庁 - The optical semiconductor device 1 comprises a carbon-doped first cladding layer 3, a second cladding layer 5, an active layer 7, and a buried region 9.
光半導体デバイス１は、炭素ドープの第１のクラッド層３と、第２のクラッド層５と、活性層７と、埋め込み領域９とを備える。 - 特許庁 - The organic EL element is formed by successively laminating a first electrode layer 16, an organic EL layer 17 as a light emitting layer, and a second electrode 18 on the base plate 12.
有機ＥＬ素子13は、第１電極層16、発光層としての有機ＥＬ層17、第２電極層18の順に基板12上に積層されている。 - 特許庁 - A magneto-resistive device (10) includes a data layer (12) and a reference layer (14) which have different coercivities, and a spacer layer (16) between the first and second layers (12 and 14).
磁気抵抗素子(10)は、異なる保磁力を有するデータ層(12)と基準層(14)と、第１と第２の層（12と14）との間のスペーサ層(16)を含む。 - 特許庁 - The second layer (2) can be used in particular favorably, for example, as an adhesion enhancing layer to an additional third layer (3) of polyamide.
この第二層（２）は、一例として、ポリアミドからなる更なる第三層（３）に対する、粘着促進層として特に都合よく使用され得る。 - 特許庁 - Then, a resist layer 140 is formed on the surface of the second layer film 130 and the surface of the resist layer 140 is irradiated with an electron beam A for exposure.
次に、第二層膜１３０の表面にレジスト層１４０を形成し、レジスト層１４０の表面に電子ビームＡを照射し、露光する。 - 特許庁 - The shell layer 30 covering the surface of the flexible tube 20 comprises a first resin layer 32 in contact with a net member 26 and a second resin layer 34.
可撓管２０の表面を覆う外皮層３０は、網状部材２６に接する第１樹脂層３２と、第２樹脂層３４とを含む。 - 特許庁 - Therefore, the second metal oxide layer 17 essentially inhits reduction of the first metal oxide layer 15 by means of a metal of the metal nitride layer.
故に、第二の金属酸化物層は、金属窒化物層の金属によって第一の金属酸化物層の還元を実質的に阻止する。 - 特許庁 - An X-Y matrix electrode is formed with the first electrode layer 11 and the second electrode layer 15, and the EL emission layer 13 is uniformly formed all over.
第１の電極層11と第２の電極層15とによりＸ—Ｙマトリクス電極を構成し、ＥＬ発光層13は全面に一様に設ける。 - 特許庁 - A leading-out wiring layer 10A is provided by using a third wiring layer of metal material such as aluminum above a second wiring layer 8.
第２配線層８の上方には、アルミ等の金属材料からなる第３配線層を利用して引出配線層１０Ａが設けられている。 - 特許庁
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