「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The width w_12 of the second layer 12 is narrower than the width w_11 of the first layer.
    第一層目１１の幅ｗ_１１よりも第二層目１２の幅ｗ_１２のほうが小さいものとなっている。 - 特許庁
  • The second layer 4 is formed by winding and adhering, for example, a paper tape of 0.1 mm in thickness onto the first layer 3.
    第２の層４は、第１の層３に例えば厚さ０．１ｍｍの紙テープを巻回・接着して形成される。 - 特許庁
  • The dielectric constant of the first multi-layer portion 10a is higher than the dielectric constant of the dielectric constant of the second multi-layer portion 10b.
    第１の積層部１０ａの誘電率は、第２の積層部１０ｂの誘電率よりも高くなっている。 - 特許庁
  • Refractive indexes of the first gap filling layer 23 and the second gap filling layer 25 are ≥1.47 and ≤1.511.
    第１隙間充填層２３および第２隙間充填層２５の屈折率は１．４７以上１．５１１以下である。 - 特許庁
  • In the laminate film, a second resin layer (Z) is piled up on at least one surface of a first resin layer (X).
    第１の樹脂層（Ｘ）の少なくとも片面に第２の樹脂層（Ｚ）が積層された積層フィルムである。 - 特許庁
  • Then a conductive layer 212 as an emitter is formed within the opening, and then the second insulating layer is completely removed.
    次に、開口部内にエミッタとしての導電層２１２を形成し、続いて第２絶縁層を完全に除去する。 - 特許庁
  • To provide a photoelectromotive force device that suffers a less loss of light because of absorption by a back electrode layer (second electrode layer).
    裏面電極層（第２の電極層）による光の吸収ロスが少ない光起電力装置を提供する。 - 特許庁
  • The thickness of the first magnetic layer is smaller than the maximum width of a first surface of the second electrode on the first magnetic layer side.
    第１磁性層の厚さは、第２電極の第１磁性層の側の第１面の最大幅よりも薄い。 - 特許庁
  • The backing sheet 10 includes a first fiber layer 1 which becomes a skin side in use, and a second fiber layer 2.
    基材シート１０は使用時に肌対向側となる第１繊維層１と、第２繊維層２とを有する。 - 特許庁
  • A first insulating layer 19 is formed between the second region 15b and the first electrode layer 17.
    第１の絶縁層１９は、第２の領域１５ｂと第１の電極層１７との間に設けられている。 - 特許庁
  • A current interruption layer is arranged between a second electrode layer and the active region for forming an opening.
    電流遮断層は、開口部を形成するために第２電極層と活性領域との間に配置される。 - 特許庁
  • The inner layer first terminal 21a and the outer layer second terminal 22b are coupled with each other at a coupling part 10x.
    内層第１端子２１ａと外層第２端子２２ｂとが、連結部１０ｘにおいて連結されている。 - 特許庁
  • The first electrode is provided on a region of the second principal surface of the semiconductor layer, which has the light-emitting layer.
    第１の電極は、半導体層の第２の主面における発光層を有する領域に設けられた。 - 特許庁
  • A passivation layer 28, which is formed of a material containing SiCN is formed on the second electrode layer 26.
    第２の電極層２６上にはＳｉＣＮを含む材料で構成されたパッシベーション層２８が形成される。 - 特許庁
  • A seed layer 124c and a ferroelectric layer 124b are sequentially formed on one surface side of a second substrate 40.
    第２の基板４０の一表面側にシード層１２４ｃ、強誘電体層１２４ｂを順次形成する。 - 特許庁
  • On a first conductivity type first semiconductor layer 21, a first conductivity type second semiconductor layer 22 is provided.
    第１導電型の第１半導体層２１上に、第１導電型の第２半導体層２２が設けられる。 - 特許庁
  • At a sidewall part 14, a second rubber sheet layer 32 is provided between the carcass layer 18 and the inner liner 20.
    サイドウォール部１４でカーカス層１８とインナライナー２０との間に第２ゴムシート層３２が設けられている。 - 特許庁
  • The insulating film has flexibility relative to the semiconductor layer, and covers a second face and a side face of the semiconductor layer.
    絶縁膜は、半導体層に比べて柔軟性があり、半導体層の第２の面及び側面を覆っている。 - 特許庁
  • The semiconductor layer includes a first principal surface, a second principal surface formed on the opposite side of the first principal surface, and a light-emitting layer.
    半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。 - 特許庁
  • The FP electrode 17 is formed to be connected with the electrode layer and to overlap the second insulating layer 14.
    ＦＰ電極１７は、電極層に接続するとともに、第２の絶縁層１４に重なるように形成される。 - 特許庁
  • The composition ratio of aluminum in a second AlGaN layer 6 is larger than that in a first AlGaN layer 5.
    第２のＡｌＧａＮ層６のＡｌの組成比は、第１のＡｌＧａＮ層５のＡｌの組成比よりも大きい。 - 特許庁
  • Then, a first electrode 2, an organic layer including a luminous layer 3, and a second electrode 4 are laminated in this order.
    そしてその上に第一電極２、発光層３を含む有機層、第二電極４をこの順に積層する。 - 特許庁
  • Similarly to the first insulating resin layer 4, the second insulating resin layer 5 is also formed by, for example, injection molding.
    第２絶縁樹脂層５も第１絶縁樹脂層４と同様に例えば、射出成型により形成される。 - 特許庁
  • The second phosphor layer 34b is arranged corresponding to the forming region of the first phosphor layer 34a.
    第２の蛍光体層３４ｂは、第１の蛍光体層３４ａの形成領域に対応して配置される。 - 特許庁
  • An indium composition of the first semiconductor layer 9a is smaller than an indium composition of the second semiconductor layer 11a.
    第１の半導体層９ａのインジウム組成は、第２の半導体層１１ａのインジウム組成より小さい。 - 特許庁
  • Thereby the second active layer 111 is formed thicker for the portion of the film thickness of the lower polysilicon layer 102P.
    したがって、第２の能動層１１１は下層のポリシリコン層１０２Ｐの膜厚分、厚く形成されている。 - 特許庁
  • The nitride semiconductor layer includes a first surface on the bonding layer side, and a second surface on the reverse side to the first surface.
    窒化物半導体層は、接合層側の第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有している。 - 特許庁
  • Next, the resist layer 140 is peeled to form a pattern constituted of unevenness on the surface of the second layer film 130.
    次にレジスト層１４０を剥離し、第二層膜１３０の表面に凹凸で構成されたパターンを形成する。 - 特許庁
  • The film material of the support layer (a) and the film material of the second layer (b) are the same or different.
    上記支持層（ａ）のフィルム材料および第２の層（ｂ）のフィルム材料は、同じであるかまたは異なっている。 - 特許庁
  • The first emitter layer is formed as thin as about 7-15 nm, while the second emitter layer 6 is formed sufficiently thick.
    第１エミッタ層５は７〜１５ｎｍ程度に薄く形成し、第２エミッタ層６は十分の膜厚に形成する。 - 特許庁
  • An upper layer insulating film 33 is formed on the second semiconductor constructing body 2b and the insulating layer 32.
    第２の半導体構成体２ｂおよび絶縁層３２上には上層絶縁膜３３が設けられている。 - 特許庁
  • Even after applying the second ink receiving layer, pores present in the first ink receiving layer are not necessarily blocked.
    第２のインク受容層塗工後も、第１のインク受容層が有する細孔が全て塞がれるということはない。 - 特許庁
  • Electrodes 33, 34 of the light-emitting device 32 are in contact with the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24.
    発光素子３２の電極３３，３４は、第１導電層１４および第２導電層２４に接している。 - 特許庁
  • A first adhesive layer 6 has conductivity, and a second adhesive layer 8 is also one that has conductivity.
    第１接着剤層６は導電性を有し、第２接着剤層８も導電性を有するものとなっている。 - 特許庁
  • The second layer 3A is made of e.g., gold (Au), and the first layer 3B is made of e.g., titanium (Ti).
    第２の層３Ａは例えば金（Ａｕ）で形成され、第１の層３Ｂは例えばチタン（Ｔｉ）で形成される。 - 特許庁
  • A gas layer or a vacuum layer is formed between the first transparent plate 11 and the second transparent plate 12.
    第１透明板１１と第２透明板１２との間には気体層もしくは真空層が形成される。 - 特許庁
  • The laminate 16 has a first electrode 17, an insulating layer 18, an organic layer 20, and a second electrode 21.
    積層体１６は、第一電極１７と、絶縁層１８と、有機層２０と、第二電極２１とを有する。 - 特許庁
  • The solder layer 30 bonds the heat sink 20 which is arranged on the side of the second major surface 11b of the substrate 11 and the conductor layer 13.
    はんだ層は、基板の第２主面の側に設けられた放熱板と、導電層と、を接合する。 - 特許庁
  • The first layer 46 contains a light-scattering material 46b and includes a stronger light diffusion properties than those of the second layer 47.
    第１層４６は、光散乱材４６ｂを含み、第２層４７よりも強い光拡散能を有する。 - 特許庁
  • The first film layer and the second film layer are comprised of the same material.
    また本発明は、前記第１のフィルム層と第２のフィルム層とが同じ材料から構成される、印刷版に関する。 - 特許庁
  • The first conductive pattern 100 and the second conductive pattern 104 have a seed layer 110 and a plating layer 120.
    第１導電パターン１００及び第２導電パターン１０４は、シード層１１０及びメッキ層１２０を有する。 - 特許庁
  • It further includes a first isolated layer 106a and a second isolated layer 106b made of semi-insulating InP.
    また、半絶縁性のＩｎＰからなる第１分離層１０６ａおよび第２分離層１０６ｂを備える。 - 特許庁
  • The second mask layer 16 has a dummy opening 3 at the part overlapped with the non-printing part of the first mask layer 13.
    第２のマスク層１６は、第１のマスク層１３の非印刷部と重なる部分にダミーの開口３を有する。 - 特許庁
  • Here, at least the first active layer 33 and the second active layer 38 are formed with different compositions.
    ここで、少なくとも第１活性層３３と第２活性層３８を、それぞれ組成を異ならせて形成する。 - 特許庁
  • Stresses which diffuse at the second sealing layer are absorbed by the first sealing layer for improving the impact resistance.
    第２封止層で拡散された応力を第１封止層で吸収させるため、耐衝撃性が向上する。 - 特許庁
  • A metal layer, for example, may be inserted between the first and second resin films as an inorganic layer.
    第１の樹脂フィルムと第２の樹脂フィルムとの間に無機層として、例えば金属層が挟まれていてもよい。 - 特許庁
  • A second insulation layer 109 of a silicon oxide is formed at the periphery of the first insulation layer 108.
    また、第１絶縁層１０８の周囲には、酸化シリコンからなる第２絶縁層１０９が形成されている。 - 特許庁
  • A non-volatile semiconductor memory device 100 includes a memory cell transistor layer 30 and a dummy layer 70 for a second CMP.
    不揮発性半導体記憶装置１００は、メモリセルトランジスタ層３０、第２ＣＭＰ用ダミー層７０を備える。 - 特許庁
  • A first Au layer 51 and a second Au layer are formed on the surfaces of the pads 11 and 12 and the alignment mark.
    パッド１１，１２及びアライメントマークの表面に、直接第一Ａｕ層５１及び第二Ａｕ層を形成する。 - 特許庁
  • The optical amplifier includes a second conductive type lower buried layer and a first conductive type or semi-insulative upper buried layer.
    第２導電型の下部埋込層と、第１導電型または半絶縁性の上部埋込層とを含む。 - 特許庁
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