「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The second conductive layer 10 is wiring common in adjacent memory cell columns.
    第二導電層１０は、隣接するメモリセルカラムに共通の配線となる。 - 特許庁
  • A part of the second main surface of the transparent conductive layer 3 is exposed, the second main surface being on the reverse side of the first main surface that faces the adhesive layer 2.
    透明導電層３の、接着層２と対向する第１の主表面と反対側の第２の主表面の一部が露出されている。 - 特許庁
  • The second insulating layer is constituted of glass cloth and a resin-cured substance.
    前記第二の絶縁層がガラスクロスと樹脂硬化物とから構成される。 - 特許庁
  • The luminous layer 24 is provided on top of a second surface of the substrate 20.
    発光層２４は、基板２０の第２の面上に重ねて設けられる。 - 特許庁
  • The element D1 contains a first light-emitting layer 13a at a first position A1, and each of the elements D2, D3 contains a second light-emitting layer 13b at a second position A2.
    素子Ｄ１は第１の位置Ａ１に第１の発光層１３ａ、素子Ｄ２、Ｄ３は第２の位置Ａ２に第２の発光層１３ｂを含む。 - 特許庁
  • Each of the elements D2, D3 contains a first light-emitting layer 13a at a first position A1, and the element D1 contains a second light-emitting layer 13b at a second position A2.
    素子Ｄ２、Ｄ３は第１の位置Ａ１に第１の発光層１３ａ、素子Ｄ１は第２の位置Ａ２に第２の発光層１３ｂを含む。 - 特許庁
  • Since the second embedding layer 32 is made of an insulative material, a leak current in the second conductivity-type cladding layer side surface 22s can be efficiently suppressed.
    第２埋め込み層３２は絶縁性材料からなるため、第２導電型クラッド層側面２２ｓにおけるリーク電流が効果的に抑制される。 - 特許庁
  • An Al film of the second layer is formed on the surface of the silicon oxide film 48.
    第２層のＡｌ膜はシリコン酸化膜４８の表面に形成する。 - 特許庁
  • The second terminal communicates with the first planar metal layer 130-2.
    第２端子は第１平面状金属層１３０−２に連絡している。 - 特許庁
  • The first terminal communicates with the second planar metal layer 130-1.
    第１端子は第２平面状金属層１３０−１に連絡している。 - 特許庁
  • The capacitance of the capacitor device is determinted by the dielectric constant and the thickness of the first dielectric layer 226, and the second dielectric constant and the thickness of the second dielectric layer 230.
    コンデンサ装置のキャパシタンスは、第１の誘電層２２６の誘電率及び厚み、第２の誘電層２３０の誘電率及び厚みによって決まる。 - 特許庁
  • The first and second surface layers comprise a polyethylene terephthalate resin layer.
    第一表面層及び第二表面層は、ポリエチレンテレフタレート樹脂層である。 - 特許庁
  • A liquid crystal layer is sandwiched in between the first substrate and the second substrate.
    第１の基板と第２の基板との間には液晶層が挟持される。 - 特許庁
  • A plurality of second common electrodes 44a arranged between the piezoelectric layer 41 and piezoelectric layer 42 are interconnected by second common wiring 44b.
    また、圧電層４１と圧電層４２との間に配置された複数の第２共通電極４４ａは、第２共通配線４４ｂにより互いに接続されている。 - 特許庁
  • A second electrode 40 is formed in a recess 32 of a piezoelectric layer 30.
    圧電体層３０の凹部３２内に第２電極４０が形成される。 - 特許庁
  • A second lens array 13 which crosses the first lens array 12 almost at right angles is formed on the interface between the first lens layer 14 and second lens layer 15.
    第１のレンズ層１４と第２のレンズ層１５の界面に、第１のレンズ列１２とほぼ直交する第２のレンズ列１３が形成されている。 - 特許庁
  • The planarization polishing treatment is first applied to the surface of the second polishing stopper layer 71.
    第２研磨ストッパ層７１の表面から平坦化研磨処理を施す。 - 特許庁
  • The creep shift amount (L2) of the second adhesion layer 42 is 200 μm or more.
    第２の接着層４２のクリープズレ量（Ｌ２）は２００μｍ以上である。 - 特許庁
  • Furthermore, after forming a patterned second electrode 21 on opposing faces of a second substrate 20, the remaining light-emitting function layer 22 of the organic layer is formed.
    また、第２の基板２０の対向面上には第２電極２１をパターニングして形成した後、その上に有機層の残りの発光機能層２２を成膜する。 - 特許庁
  • The material for the second layer 4b is an alloy containing Ni and Cr.
    第２の層４ｂの材料はＮｉおよびＣｒを含む合金である。 - 特許庁
  • The N^+ dispersion layer 16 functions as a second electrode part of the capacitor.
    このＮ^＋拡散層１６は、コンデンサの第２の電極部として機能する。 - 特許庁
  • Then, the second layer metallic wiring 5 is formed on the surface of the spacer film 4.
    そして、スペーサ膜４の表面に第２層金属配線５を形成する。 - 特許庁
  • A first conductive layer 68a is provided between the grid and the first spacer 30a, and a second conductive layer 68b is provided between the grid and the second spacer 30b.
    グリッドと第１スペーサとの間には第１導電層６８ａが設けられ、グリッドと第２スペーサとの間には第２導電層６８ｂが設けられている。 - 特許庁
  • A first coil conductor 9 is formed on the second insulation layer 7.
    第２絶縁層７上には第１のコイル導体９が形成されている。 - 特許庁
  • At the upper part of the lower-layer wiring layer 30, a second silicon oxide film 38 and a via hole 46 penetrating the second silicon nitride film 36 are formed (steps 6-8).
    下層配線層３０の上部に、第２シリコン酸化膜３８、および、第２シリコン窒化膜３６を貫通するビアホール４６を形成する（ステップ６〜８）。 - 特許庁
  • A second layer, formed along the first surface includes a silicon oxide.
    第１の表面に沿って形成された第２の層は、シリコン酸化物を含む。 - 特許庁
  • The outermost second protection layer 63 is formed as white or transparency.
    最外の第２保護層６３が白色あるいは透明として形成する。 - 特許庁
  • The thicknesses of the first and a second layers are 0.05-0.5 μm and the thickness ratio of the first layer to the second layer is 1.2-5.0.
    第１の層と第２の層は厚みが０．０５〜０．５μｍの範囲内であり、なおかつ第１の層の厚みと第２の層の厚み比が１．２以上５．０以下。 - 特許庁
  • On a lower layer wiring 5, a second interlayer insulating film 8 is laminated.
    下層配線５上には、第２層間絶縁膜８が積層されている。 - 特許庁
  • A plurality of cycles of a second ALD process is sequentially conducted to deposit a layer of a second material on the layer of the first material in the deposition chamber.
    第２のＡＬＤプロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記第１の物質の膜上に、第２の物質の膜を堆積する。 - 特許庁
  • In the method of manufacturing the micropattern of the semiconductor device, a first mask structure is formed in a first region A of a feature layer 310 and a second mask structure is formed in a second region B of the feature layer.
    フィーチャー層３１０の第１領域Ａには第１マスク構造物を形成し、第２領域Ｂには第２マスク構造物を形成する。 - 特許庁
  • The second contact hole 242 is used for measuring the flatness of the flat layer 26.
    第２コンタクトホール２４２は平坦層２６の平坦度の測定用とされる。 - 特許庁
  • Further, a second heat-accumulating layer 41 is formed so as to cover the fusing point 30d.
    さらに、ヒュージングポイント30dを覆うように、第二の蓄熱層41を形成する。 - 特許庁
  • A cathode made of a conductive material is formed on the second layer.
    第２の層の上に、導電材料からなる陰極が形成されている。 - 特許庁
  • The via line is etched to penetrate the first barrier layer 402 and a second barrier layer 410 on the second metal or metallized wiring.
    ビアラインは、第２の金属または金属化された配線上の第１のバリア層４０２および第２のバリア層４１０を貫いてエッチングされている。 - 特許庁
  • Thus, test recording in the second information layer L1 becomes unnecessary and thus information can be quickly recorded in the second information layer L1.
    従って、第２情報層Ｌ１でのテスト記録が不要となり、結果として、第２情報層Ｌ１に対する情報記録を迅速に行うことが可能となる。 - 特許庁
  • The plurality of barrier layers 2 include a second conductivity-type barrier layer 2a into which second conductivity-type dopants contained in the n-InP clad layer 23 are introduced.
    複数のバリア層２は、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３に含まれる第２導電型のドーパントが導入された第２導電型バリア層２ａを含んでいる。 - 特許庁
  • A semiconductor light-emitting device comprises a first layer, a second layer, light-emitting portion, a first stacked structure, and a second stacked structure.
    実施形態によれば、第１層と第２層と発光部と第１積層構造体と第２積層構造体とを備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁
  • A color filter is formed on the flatten surface of the second insulating layer.
    第２の絶縁層の平坦化された表面上に、カラーフィルタを形成する。 - 特許庁
  • A second conductive layer 10 is formed on the conductive interlayer insulating film 8a so that the bottom face of the second conductive layer 10 has contact with the upper end surface of the element isolation insulating film 7.
    第二導電層１０が、底面が素子分離絶縁膜７の上部端面に接し、導電層間絶縁膜８ａ上に配置されている。 - 特許庁
  • Therefore, the metallic layer 9 is provided to raise the adhesion between the second copper wiring 6 filled in the connection hole 12 and the second conductive barrier layer 20.
    よって特に、接続孔１２を充填する第２の銅配線６と第２の導電性バリア層２０との密着性を高めるべく、金属層９を設ける。 - 特許庁
  • The first liquid crystal layer is sealed between the first substrate and the second substrate.
    第1の液晶層は、第1の基板と第2の基板との間に密封される。 - 特許庁
  • According to an embodiment, a magnetic element comprises a first conductive layer, a second conductive layer, intermediate wiring, a first lamination part and a second lamination part.
    実施形態によれば、第１導電層と、第２導電層と、中間配線と、第１積層部と、第２積層部と、を備えた磁気素子が提供される。 - 特許庁
  • An insulation layer INS is arranged between the second and the third soft FM layers 60, 64.
    絶縁層が第２及び第３ソフトＦＭ層の間に配置されている。 - 特許庁
  • The first terminal communicates with a second plane-like metal layer 124-2.
    第１端子は第２平面状金属層１２４−２に連絡している。 - 特許庁
  • The first electrode layer 11A includes first projections 3A, 3B, and the second electrode layer 11B includes second projections 4A, 4B and 4C.
    第一の電極層１１Ａが第一の突出部３Ａ、３Ｂを備えており、第二の電極層１１Ｂが第二の突出部４Ａ、４Ｂ、４Ｃを備えている。 - 特許庁
  • A first electrode 7 is disposed between a first substrate 3 and a liquid crystal layer 6 and a second electrode 8 is disposed between a second substrate 4 and the liquid crystal layer 6.
    第１電極７が、第１基板３と液晶層６との間に配置され、第２電極８が、第２基板４と液晶層６との間に配置される。 - 特許庁
  • Two separation grooves are formed parallel from an upper surface of the contact layer to a bottom of the second second-clad layer, and a ridge is formed between both separation grooves.
    コンタクト層の上面から第２の第２クラッド層の底まで分離溝が２本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。 - 特許庁
  • The second semiconductor layer 102 is formed thinner than the critical film thickness.
    また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。 - 特許庁
  • The second plug and the wiring layer above the second ply are electrically connected with each other, and the wiring layer forms a part of dual-damascene structure.
    そして、第２のプラグと第２のプラグよりも上部に配された配線層とが電気的に接続されており、その配線層はデュアルダマシン構造の一部である。 - 特許庁
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