「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 52 53 54 55 56 57 58 59 60 .... 429 430 次へ＞- The first conductive layer 21 is provided with a first lead to be connected with the first terminal electrode 31, and the second conductive layer 22 is provided with a second lead to be connected with the second terminal electrode 32.
第１導体層２１が、第１端子電極３１に接続される第１リード部を有し、第２導体層２２が、第２端子電極３２に接続される第２リード部を有する。 - 特許庁 - Besides, this wiring board is provided with a second connecting pad 19 connected with a second via conductor 13, which is formed in a second through hole 9 on the insulating layer 5, and formed on the surface 5A of the insulating layer 5.
また、絶縁層５の第２貫通孔９に形成された第２ビア導体１３と接続し、絶縁層５の表面５Ａ上に形成された第２接続パッド１９を備える。 - 特許庁 - An eyeglass lens 1A is constituted by stacking a hard coat layer 11, an antireflection layer 12A formed by alternately stacking a first layer which is a low refractive index layer and a second layer which is a high refractive index layer and an antifouling layer 13 in order on a surface of a lens base material 10.
メガネレンズ１Ａは、レンズ基材１０の表面に、ハードコート層１１、低屈折率層である第１の層と高屈折率層である第２の層とが交互に積層された反射防止層１２Ａおよび防汚層１３が順に積層される。 - 特許庁 - The semiconductor laser device has a multilayer structure comprising an n-AlInP clad layer, super-lattice active layer section, p-AlInP first clad layer, GaInP etching stop layer, p-AlInP second clad layer, GaInP protective layer, and p-GaAs contact layer.
本半導体レーザ素子は、ｎ−ＡｌＩｎＰクラッド層、超格子活性層部、ｐ−ＡｌＩｎＰ第一クラッド層、ＧａＩｎＰエッチングストップ層、ｐ−ＡｌＩｎＰ第二クラッド層、ＧａＩｎＰ保護層、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層の積層構造を備える。 - 特許庁 - The intermediate layer films 3, 4 include a lower layer intermediate layer film 3 having a first percentage content of silicon and an upper layer intermediate layer film 4 which is formed on the lower layer intermediate layer film and has a second percentage content of silicon lower than the first percentage content of silicon.
中間層膜３、４は、第１のシリコン含有率を有する下層中間層膜３と、該下層中間層膜の上に形成され、第１のシリコン含有率よりも低い第２のシリコン含有率を有する上層中間層膜４を含む。 - 特許庁 - The power source layer 3 and a second insulation substrate layer 7 are formed on one surface of an insulation layer 2 in which a first signal wiring layer 1 is formed and the ground layer 4 and a first insulation substrate layer 5 are formed on the other surface of the layer 2.
内部に第１の信号配線層１が設けられた絶縁層２には、一方の面に電源層３及び第２の絶縁基板層７が設けられ、他方の面にグランド層４及び第１の絶縁基板層５が設けられている。 - 特許庁 - An N^- drift layer 2, a first gate layer (P^+ layer) 3, and an N^+ source layer 4 are successively laminated on an SiC board 1, an N^- channel layer 6 is formed on the inner wall of a trench 5, and a second gate layer 3 (P^+ layer) 7 is formed inside.
ＳｉＣ基板１の上にＮ^-ドリフト層２と第１のゲート層（Ｐ^+層）３とＮ^+ソース層４とが順に積層され、トレンチ５の内壁部にＮ^-チャネル層６が形成されるとともにその内方に第２のゲート層（Ｐ^+層）７が形成されている。 - 特許庁 - A second prior substrate forming step has a second substrate interval holding layer forming step for forming a second substrate interval holding layer on a second substrate positioned in first and second peripheral regions which do not contribute to display and an outer side of a sealing material.
第２前段基板形成工程は、表示に寄与しない第１及び第２周辺領域及びシール材の外側に位置する第２基板の上に第２の基板間隔保持層を形成する第２の基板間隔保持層形成工程とを有する。 - 特許庁 - The system comprises a second diffused resistance layer 16 exposed into the exhaust gas, and a second electrode 22 covered by the second diffused resistance layer 16, and is equipped with a second cell which generates output according to the gas component ratio on the surface of the second electrode 22.
排気ガス中に露出される第２拡散抵抗層１６と、第２拡散抵抗層１６に覆われた第２電極２２とを備え、第２電極２２の表面におけるガス成分比率に応じた出力を発する第２セルを設ける。 - 特許庁 - A first layer (lower layer) and a second layer (upper layer) are formed respectively so as to become the relation of A<B<C<D<E<F<G<H<I<J<K and the relation of a<b<c<d< e<f<g<h<i<j<k.
即ち、第１層（下層）はＡ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄ＜Ｅ＜Ｆ＜Ｇ＜Ｈ＜Ｉ＜Ｊ＜Ｋの関係となるように、第２層（上層）はａ＜ｂ＜ｃ＜ｄ＜ｅ＜ｆ＜ｇ＜ｈ＜ｉ＜ｊ＜ｋの関係となるようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - A first doped layer 6 of n-GaAs, a side-etching prevention layer 7 of Al0.22Ga0.78As, and a second doped layer 8 of n-GaAs, are sequentially grown on a layer 5 of n-Al0.22Ga0.78As.
ｎ−Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓ層５上にｎ−ＧａＡｓ第１ドープ層６、Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓサイドエッチング防止層７およびｎ−ＧａＡｓ第２ドープ層８が順に積層される。 - 特許庁 - A conductive layer 108 is formed on the insulating layer 107 to establish electrical conductivity between the first circuit pattern layer 103 and the second circuit pattern layer.
導電層１０８が第１の回路パターン層部分１０３と第２の回路パターン層部分とを導通させるように絶縁層１０７の上に形成されている。 - 特許庁 - The light-emitting device 10 has: a buffer layer 22; a first-conductivity-type semiconductor layer; and a thin-film crystal layer including an active structure 25 and a second-conductivity-type semiconductor layer.
発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。 - 特許庁 - Base metal 22 has on one surface 22a a first abrasive grain layer 24A, a second abrasive grain layer 24B and a third abrasive grain layer 24C all arrayed annularly to form an abrasive grain layer 24.
台金２２の一面２２ａにリング状の第一砥粒層２４Ａ，第二砥粒層２４Ｂ，第三砥粒層２４Ｃを設けて砥粒層２４を構成する。 - 特許庁 - According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor light-emitting device comprising a first semiconductor layer, a light-emitting layer, a second semiconductor layer, and a low-refractive-index layer.
本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - In applying the sense current in a direction of the free layer from the first fixed layer, a relative angle formed by the magnetization of the second fixed layer and that of the free layer is 100° to 110°.
また、センス電流を第一の固定層から自由層の方向に流す場合、第二の固定層と自由層の磁化の相対角度が、100〜110度の角度である構成を用いる。 - 特許庁 - The laminated layer 4 is formed by laminating a first insulating layer 5, a primary coil 9, an intercoil insulating layer 10, a secondary coil 14 and a second insulating layer 15, etc.
また、積層体４は、第１の絶縁層５、１次コイル９、コイル間絶縁層１０、２次コイル１４、第２の絶縁層１５等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁 - The first conductive layer is provided at the side of the second semiconductor layer opposite to the side at which the first semiconductor layer is provided, and has transparency to emission light emitted from the light-emitting layer.
第１導電層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対の側に設けられ、発光層から放出される発光光に対して透過性を有する。 - 特許庁 - The measuring substrate and a temperature measuring substrate are constituted by laminating a diffusion preventing layer, a first adhesion layer, wiring, a second adhesion layer, and a protective layer on a substrate.
測定用基板及び温度測定用基板は、基板に拡散防止層と第１の密着層と配線と第２の密着層と保護層とが積層されてなる。 - 特許庁 - A polycrystalline silicon layer (second semiconductor layer) 14 is formed on the right side on the silicon substrate (growth substrate) 11 through an insulation layer (silicon oxide film layer) 13.
シリコン基板（成長基板）１１上の右側上には、絶縁層（シリコン酸化膜層）１３を介して、多結晶シリコン層（第２の半導体層）１４が形成されている。 - 特許庁 - The polarizing plate with optical compensation layer comprises, a polarizer, a first optical compensation layer, a second optical compensation layer, and a third optical compensation layer in the order.
本発明の光学補償層付偏光板は、偏光子と、第１の光学補償層と、第２の光学補償層と、第３の光学補償層とをこの順に有する。 - 特許庁 - A recess is formed in a central region of the second doped layer 8, the side-etching prevention layer 7 and the first doped layer 6, so as to expose the layer 5 of n-Al0.22Ga0.78As there.
第２ドープ層８、サイドエッチング防止層７および第１ドープ層６の中央部の領域にｎ−Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓ層５が露出するように凹部が形成される。 - 特許庁 - An optical sheet 10 is constituted of a first layer 12 and a second layer 13 which has a refractive index different from that of the first layer 12 and is closely attached to the first layer 12.
第１の層１２と、第１の層１２とは屈折率が異なり第１の層１２に密着された第２の層１３とからなる光学シート１０を構成する。 - 特許庁 - A second layer 15 formed on the first layer covers the first layer 14, while the edge of the wrap-around portion 17 of the first layer 14 is exposed, and contains a metal.
その上に形成される第２層１５は、第１層１４の回り込み部１７の端部を露出させながら第１層１４を被覆し、かつ金属を含有する。 - 特許庁 - The adhesive resin layer is constructed of a first film layer 25A made of an olefine system resin disposed in the base body side and a second film layer 25B disposed in the garnish layer 26 side.
接着樹脂層を、基体側に配設され、オレフィン系樹脂よりなる第１フィルム層２５Ａと、加飾層２６側に配設される第２フィルム層２５Ｂとから構成する。 - 特許庁 - A chrome layer 23' as a first metal layer formed so that the surface is exposed, and a metal layer 24 as a second metal layer are formed at each part.
それぞれの部位には、表面が露出するように形成された第一金属層としてのクロム層２３´、及び第二金属層としての金層２４が形成されている。 - 特許庁 - A metalized layer 12 comprising a first layer 15 and a second layer 16 on the first layer 15 is formed on the circumferential surface of a base body 1 formed of a silicon nitride-based ceramics.
窒化ケイ素質セラミックスから成る基体１の外周面上に第１層１５と、第１層１５上の第２層１６とから成るメタライズ層１２を形成する。 - 特許庁 - One embodiment of the invention is a compression brace material 400 having an elastic outer layer 410, a first fabric layer 420, a spacer fabric layer 425, and a second fabric layer 430.
本発明の一つの実施例は、弾性アウター層４１０、第１布層４２０、スペーサ布層４２５、第２布層４３０を有する圧縮装具材料４００である。 - 特許庁 - The semiconductor device has an organic compound layer including an insulator on a first conductive layer and a second conductive layer on the organic compound layer including an insulator.
第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層とを有する半導体装置とする。 - 特許庁 - Capacitors and interconnection structures for silicon carbide are provided having an oxide layer, a layer of dielectric material, and a second oxide layer on the layer of dielectric material.
酸化膜層、誘電体材料層及び誘電体材料層の上に第２酸化膜層を有する、炭化ケイ素用のコンデンサ及び内部接続構造が提供される。 - 特許庁 - A first barrier layer 21, a quantum dot 22b, a second barrier layer 23, a quantum dot 24b, and a third barrier layer 25 are successively laminated adjacent to a conduction layer 13.
伝導層１３に隣接して第１の障壁層２１，量子ドット２２ｂ，第２の障壁層２３，量子ドット２４ｂおよび第３の障壁層２５を順次積層する。 - 特許庁 - The other side of the first base layer 4 and the one side of the second base layer 5 where the electromagnetic wave shield mesh layer 9 is formed are stuck by an adhesive layer 10.
第１の基材層４の他方の面と、電磁波シールドメッシュ層９が形成された第２の基材層５の一方の面側とを接着剤層１０で貼り合わせてなる。 - 特許庁 - In forming the blind area 301a, a first wiring layer 302, a second wiring layer 303 and a third wiring layer 304 are removed to a part of the lower layer thereof.
ブラインド領域３０１ａの形成では、第１配線層３０２，第２配線層３０３，および第３配線層３０４を除去し、これらの下層の一部までを除去する。 - 特許庁 - In a second semiconductor light emitting element, the thickness of the barrier layer among the plurality of the barrier layers on the side of the p-type cladding layer is less than that of the barrier layer on the side of the n-type cladding layer.
第２の半導体発光素子では、複数のバリア層のうちｐ型クラッド層の側のバリア層の厚さが、ｎ型クラッド層の側のバリア層の厚さより薄い。 - 特許庁 - The second protective layer overlie on the first protective layer after any defect generated during the formation of the first protective layer is removed by applying plasma to the first protective layer.
第１の保護層にプラズマを印加して第１の保護層の形成時に発生する欠陥を除去した後，第２の保護層が第１の保護層上に積層される。 - 特許庁 - The nitride-based semiconductor light-emitting device has: at least a first conductive type lower clad layer; a semiconductor layer containing a light-emitting layer; and a second conductive type upper clad layer on a substrate.
窒化物系半導体素子は、基板上に、少なくとも、第１導電型の下側クラッド層、発光層を含む半導体層、第２導電型の上側クラッド層を有する。 - 特許庁 - The LED operation layer 3 includes at least a first contact layer 4, the luminescent layer 5 and a second contact layer 6, by laminating them, in the order starting from the semiconductor substrate 2 side.
ＬＥＤ動作層３は、半導体基板２側から順に、第１のコンタクト層４、発光層５、第２のコンタクト層６を少なくとも積層させて有している。 - 特許庁 - A shell layer 12 covering the periphery of a core material 18 includes a first coat layer 14 and a second coat layer 16 having a hardness higher than the first coat layer 14, which are laminated with each other.
芯材１８の周囲を覆う外皮層１２は、互いに積層された第１コート層１４と、第１コート層１４よりも硬度が高い第２コート層１６とを含む。 - 特許庁 - The lightproof layer 15 consists of a first layer 15a made of a metal oxide, a second layer 15b made of a metal and a third layer 15c made of a metal oxide.
遮光層１５は、金属酸化物からなる第１層１５ａと、金属からなる第２層１５ｂと、金属酸化物からなる第３層１５ｃとで構成されている。 - 特許庁 - A first gate wiring layer 17 is arranged above a P layer 19, and a second gate wiring layer 28 is arranged above the first gate wiring layer 17.
Ｐ層１９の上方には、第１ゲート配線層１７が配置されており、その第１ゲート配線層１７の上方には第２ゲート配線層２８が配置されている。 - 特許庁 - The conductive substrate 1 comprises a first metal layer 1a and a second metal layer 1b disposed on a surface of the first metal layer 1a on a side closer to the photosensitive layer 6.
導電性基体１は、第１の金属層１ａと、該第１の金属層１ａの感光層６に近い側の面上に設けられた第２の金属層１ｂと、を有する。 - 特許庁 - The intermediate layer 16 has a laminated structure formed by laminating a first Cr layer 17, a CrN layer 18 and second Cr layer 19 in the order from the substrate 2A side.
中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。 - 特許庁 - A third insulating layer 1c for covering the central part of the first capacitor electrode layer 5a and compensating the second insulating layer 1b is formed on the first insulating layer 1a.
第１の絶縁層１ａ上に、第１のキャパシタ電極層５ａの中央部を覆いかつ第２の絶縁層１ｂを相補する第３の絶縁層１ｃを設ける。 - 特許庁 - The actuator body 10 comprises of an elastic body layer 2 and a first electrode layer 3 and a second electrode layer 4 that are provided around the elastic body layer 2.
アクチュエータ本体１０は、弾性体層２と、弾性体層２の周囲に設けられた第１の電極層３および第２の電極層４で構成されている。 - 特許庁 - The light-emitting element 1 includes an electrode layer 11, a first conductive layer 12, a second conductive layer 13 and an electrode layer 14 on a substrate 10 in order from the substrate 10 side.
発光素子１は、基板１０上に、電極層１１、第１導電層１２、第２導電層１３および電極層１４を基板１０側から順に備えている。 - 特許庁 - A second insulating diamond layer 4 of high orientation, serving as a detection layer, is formed on the conductive diamond layer 3, and a surface electrode 5 is formed on the surface of the layer 4.
次に、導電性ダイヤモンド層３上に、検知層である高配向性の第２の絶縁性ダイヤモンド層４を形成し、その表面に表面電極５を形成する。 - 特許庁 - The intermediate layer includes a second cathode catalyst layer 33 and a porous composite layer 34, while the porous composite layer includes a water-repellent binder material and an electron conductive material.
前記中間層は、第２のカソード触媒層３３と多孔質複合層３４とを含み、多孔質複合層は、撥水性結着材料および電子伝導性材料を含む。 - 特許庁 - Preferably, the organic layer includes an electron injection layer doped with an alkali metal, and a layer of an alloy of Al and Li is disposed between the organic layer and the second electrode.
好ましくは、有機層が、アルカリ金属がドープされた電子注入層を含み、有機層と第２電極との間にＡｌとＬｉとの合金の層を有する。 - 特許庁 - First wiring is formed in at least a three-layer lamination structure, and for example a first conductive layer 106a, a second conductive layer 106b, and a third conductive layer 106c are formed.
第１の配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。 - 特許庁 - The patterned resist layer 110 has a first resist layer 102A and a second resist layer 105A which are laminated and the separate layer 104 arranged between them.
パターン化レジスト層１１０は、積層された第１のレジスト層１０２Ａおよび第２のレジスト層１０５Ａと、これらの間に配置された分離層１０４とを有する。 - 特許庁
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