「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 48 49 50 51 52 53 54 55 56 .... 429 430 次へ＞- The lead-out wiring layer 12 comprises a main conductor layer 6, a first barrier metal layer 5 covering the bottom face and the side face of the main conductor layer 6, and a second barrier metal layer 7 covering the upper surface of the main conductor layer 6.
引出配線層１２は、主導体層６と、この主導体層６の底面および側面を覆う第１バリアメタル層５と、上記主導体層６の上面を覆う第２バリアメタル層７とを備えている。 - 特許庁 - The magnetoresistance effect element has an underlying layer 12 composed of a Cr/Ag layer under the first half metal ferromagnetic layer 13, and has an antioxidation layer 16 composed of an Ag/Ru layer on the second half metal ferromagnetic layer 15.
第１のハーフメタル強磁性体層１３の下に、Ｃｒ／Ａｇ層から成る下地層１２を有し、第２のハーフメタル強磁性体層１５の上に、Ａｇ／Ｒｕ層から成る酸化防止層１６を有している。 - 特許庁 - The inner layer 12B and the inner layer 15B have the hardness higher than the outer layer 12A and the outer layer 15A so that they suppress the deformation of the first shield layer 12 and the second shield layer 15.
内側層１２Ｂおよび内側層１５Ｂは、外側層１２Ａおよび外側層１５Ａよりも高い硬度を有しており、第１シールド層１２および第２シールド層１５の変形を抑制するようになっている。 - 特許庁 - The member for the speaker has a first external layer, an intermediate layer having a punched section in a prescribed shape, and a second external layer.
本発明のスピーカー用部材は、第１の外層と、所定の形状の打ち抜き部を有する中間層と、第２の外層とを有する。 - 特許庁 - The background, characters and patterns are displayed by the light emitting layer 10, the first mixed layer 11 and the second mixed layer 12 by the light emission of the light emitting diode 3.
発光ダイオード３の発光にて発光層10、第１の混合層11および第２の混合層12にて背景、文字、模様を表示する。 - 特許庁 - A passivation layer 21 is formed on the second SOG layer 16, and an opening 22 is made in the layer 21 to expose the pad 20.
第２の有機ＳＯＧ層１６上にパッシベーション層２１が配設され、層２１にパッド２０が露出する開孔２２が形成される。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, at least a first conductivity type semiconductor layer, an activity layer and a second conductivity type semiconductor layer are laminated on a substrate.
基板上に、少なくとも、第１の導電型の半導体層と活性層と第２の導電型の半導体層を積層する。 - 特許庁 - A substrate 1 has a structure in which a first substrate layer 11, an insulator layer 12, and a second substrate layer 13 are stacked in this order.
基板１は、第１基板層１１、絶縁層１２及び第２基板層１３を、この順序で積層した構造を含んでいる。 - 特許庁 - A direction toward the second n-type diffusion layer 22 from the first n-type diffusion layer 21 is a crystal orientation <100> of the p-type silicon layer 20.
第１Ｎ型拡散層２１から第２Ｎ型拡散層２２へ向かう方向は、Ｐ型シリコン層２０の結晶方位＜１００＞である。 - 特許庁 - To provide a method for inspecting a sample with a first layer having a known reflection characteristic and a second layer formed on the first layer.
既知の反射特性を有する第１層と、第１層上に形成された第２層を有するサンプルの検査方法を提供する。 - 特許庁 - The circuit board 100 comprises a substrate 1, first interconnection layer 2, the insulation layer 3, filling material 4, second interconnection layer 5, and via-hole 6.
回路基板１００は、基材１、第１の配線層２、絶縁層３、充填材４、第２の配線層５、及びビアホール６を備える。 - 特許庁 - The organic EL device 40 includes a first charge injection layer 23, an organic layer 24 and a second charge injection layer 25.
本発明の有機ＥＬ素子４０は、第一の電荷注入層２３と、有機層２４と、第二の電荷注入層２５を有している。 - 特許庁 - To provide a method for inspection of a sample including the first layer equipped with known reflectance property, and the second layer formed on the above first layer.
既知の反射特性を有する第１層と、第１層上に形成された第２層を有するサンプルの検査方法を提供する。 - 特許庁 - In the liquid crystal display element, each liquid crystal layer of the first layer and the second layer has a thicker peripheral part than the center part.
また、液晶表示素子では、第一の層及び第二の層の液晶層は、周辺部の厚さが中心部の厚さよりも厚い。 - 特許庁 - The interlayer film 1 for laminated glass is provided with: a first layer 2; and a second layer 3 laminated on either side 2a of the first layer 2.
第１の層２と、第１の層２の一方の面２ａに積層された第２の層３とを備える合わせガラス用中間膜１。 - 特許庁 - The plurality of the memory elements are each an element in which a first conductive layer, an organic compound layer and a second conductive layer are sequentially laminated.
複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層が順に積層された素子である。 - 特許庁 - The multilayer polyimide tubular object of the present invention is equipped with a first polyimide resin layer, a second polyimide resin layer and a mixed polyimide resin layer.
本発明に係る多層ポリイミド管状物は、第１ポリイミド樹脂層、第２ポリイミド樹脂層、及びポリイミド樹脂混在層を備える。 - 特許庁 - The polyimide lamination 14 includes a first polyimide layer 14A and a second polyimide layer 14B, formed on the first polyimide layer 14A.
ポリイミド積層１４は、第１ポリイミド層１４Ａと、第１ポリイミド層１４Ａ上に形成された第２ポリイミド層１４Ｂとを備える。 - 特許庁 - Subsequently, the same resist as the first resist layer is applied to the first resist layer 12a by a spin coating method to form a second resist layer 12b.
次に、第一レジスト層１２ａの上に第一レジスト層と同レジストをスピンコート法により塗布して第二レジスト層１２ｂを形成する。 - 特許庁 - An interlayer insulating layer 2 consisting of a resin is formed on a copper foil 1 and a second conductive layer 3 is formed on the layer 2 using a conductive paste.
銅箔１に樹脂による層間絶縁層２を形成し、その上に導電ペーストにより第２導電層３を形成する。 - 特許庁 - The second collector layer 40 is provided contiguously to the first collector layer 30 and doped lighter than the first collector layer.
第２コレクタ層４０は、第１コレクタ層３０に隣接し、且つ第１コレクタ層のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有している。 - 特許庁 - In a laser element part 10A, a light control layer 22 is formed between a first n-type clad layer 21 and a second n-type clad layer 23.
レーザ素子部１０Ａでは第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３との間に光コントロール層２２が形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 10 includes a first conductivity type clad layer 11, a second conductivity type clad layer 15, and an active layer 13.
半導体レーザ素子１０は、第１導電型クラッド層１１と、第２導電型クラッド層１５と、活性層１３と、を備えている。 - 特許庁 - The light-emitting device includes: a light-emitting structure including a first semiconductor layer, an active layer on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer on the active layer; an adhesive layer arranged at least on a top surface of the first semiconductor layer; a first electrode extending from a top surface of the first semiconductor to a top surface of the adhesive layer; and a second electrode arranged on the second semiconductor layer.
本発明に従う発光素子は、第１半導体層、第１半導体層の上に活性層、及び上記活性層の上に第２半導体層を含む発光構造物と、少なくとも第１半導体層の上面に配置された接合層と、第１半導体層の上面から接合層の上面まで延びた第１電極と、第２半導体層の上に配置された第２電極と、を含む。 - 特許庁 - A second layer 26 is formed of silicon oxide on a top surface of the first layer 24 formed in the first layer-forming step.
第１層形成工程によって形成された第１層２４の上面に酸化シリコンで形成される第２層２６を形成する。 - 特許庁 - A second insulating layer 38 coats a portion not coated with the Pd electrode 36 of the single-layer adhesive layer 34 and the terrace 30.
第２の絶縁膜３８が単層密着層３４のＰｄ電極３６で覆われていない部分及びテラス部３０を覆っている。 - 特許庁 - A belt edge cushion rubber layer 31 is provided at both ends in the tire width direction between the second belt layer 13 and the third belt layer 15.
ベルトエッジクッションゴム層３１は、第二ベルト層１３と第三ベルト層１５との間のタイヤ幅方向両端部に設けられている。 - 特許庁 - A resin layer 3 including a compound having a flux function covers a second insulative layer 23 and is provided on a solder layer 26.
フラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３は、第二絶縁層２３を被覆するとともに、半田層２６上に設けられている。 - 特許庁 - A first layer 2 comprising a material different from diamond is provided on a diamond substrate 1, and a second layer 5 is provided on the first layer 2.
ダイヤモンド基体１上に、ダイヤモンドとは異なる材料からなる第一層２を設け、その第一層２上に第二層５を設ける。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.
実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - An epitaxial layer 30 including an AlGaInP active layer, and a second wafer 23 which transmits the light from the active layer, are laminated.
ＡｌＧａＩｎＰ活性層を含むエピタキシャル層３０と、その活性層からの光を透過する第２のウェハ２３とが積層されている。 - 特許庁 - A space between the first abrasive grain layer 24A, the second abrasive grain layer 24B, and the third abrasive grain layer 24C becomes a deeper and wide main discharge passage 34.
第一砥粒層２４Ａ，第二砥粒層２４Ｂ，第三砥粒層２４Ｃの間はより深く幅広の主排出路３４をなす。 - 特許庁 - Information is recorded while both the first recording/reproducing layer 14 and a second recording/reproducing layer 34 perform tracking control by using the servo layer 18.
第１、第２記録再生層１４、３４は、共にサーボ層１８を利用してトラッキング制御を行いながら情報が記録される。 - 特許庁 - The reference resistance layer 22 and a second output conductive layer 34 are extended in parallel, and parts of them are conducted by a connection layer 36.
また、参照抵抗層２２と第２の出力導電層３４とが平行に延び、その一部が接続層３６で導通されている。 - 特許庁 - According to the present invention, the strained Si layer has the same crystal orientation as either of a regrown semiconductor layer or the second semiconductor layer.
本発明によれば、歪みＳｉ層は、再成長半導体層または第２の半導体層のいずれかと同じ結晶方位を有する。 - 特許庁 - Second metallic layers 60 (Ti layer 61/Au layer 62) are formed on the first metallic layers 50 and the insulating body layer 40.
次に、第１金属層５０上及び絶縁体層４０上に第２金属層６０（Ｔｉ層６１／Ａｕ層６２）を形成する。 - 特許庁 - The spacer layer includes copper current confined paths extending between the first magnetic layer and the second magnetic layer in the matrix of magnesium oxide.
スペーサ層は、第１の磁性層と第２の磁性層との間に延在する銅電流狭窄を酸化マグネシウムの母材中に含む。 - 特許庁 - A rubber sheet 20 constituting a rubber dam 10 has an outer skin rubber layer 22, a first reinforcing rubber layer 24, and a second reinforcing rubber layer 26.
ゴム堰１０を構成するゴムシート２０は、外皮ゴム層２２、第１補強ゴム層２４および第２補強ゴム層２６を有する。 - 特許庁 - A first semiconductor layer 20, an active layer 30, and a second semiconductor layer 40 are successively laminated on the one surface of a board 10.
基板１０の一面に、第１の半導体層２０，活性層３０および第２の半導体層４０が順に積層されている。 - 特許庁 - The second capacitor conductive layer 116 is arranged through a first capacitor insulating layer to the first capacitor conductive layer 114.
第２キャパシタ導電層１１６は、第１キャパシタ導電層１１４に対して第１キャパシタ絶縁層１２４を介して配置される。 - 特許庁 - The temperature of the substrate is set higher than that when forming the first layer, a second layer 5 composed of InP being formed, with an active layer 7 being formed thereon.
基板温度を第１の層の形成時よりも高くし、ＩｎＰからなる第２の層を形成し、その上に、活性層を形成する。 - 特許庁 - The second insulation layer covers at least the first insulation layer provided on the side face of the semiconductor layer on which the gate electrode is superimposed.
第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 - 特許庁 - The active layer 4 is formed by alternately stacking an InN layer 4a with a first thickness and a GaN layer 4b with a second thickness.
活性層４は第１の厚さのＩｎＮ層４ａと第２の厚さのＧａＮ層４ｂとを交互に積層して形成されている。 - 特許庁 - The lens sheet 17 used for backlight includes a base film 21, a first prism layer 22, a second prism layer 23 and a filler layer 24.
バックライトに用いられるレンズシート１７は、ベースフィルム２１と、第１プリズム層２２と、第２プリズム層２３と、充填層２４とを備える。 - 特許庁 - The connecting shield layer 1 comprises a first layer 10a formed of a superconductive material and a second layer 10b formed of a normal material.
接続用シールド層1は、超電導材料から形成される第一層10aと、常電導材料から形成される第二層10bとからなる。 - 特許庁 - Consequently, in the nMOS region there is formed a second gate electrode G2, composed of the metal layer 4 and an alloy layer 7 of the conductive layer 6.
これにより、ｎＭＯＳ領域では、金属層４と導電層６の合金層７からなる第２ゲート電極Ｇ２が形成される。 - 特許庁 - Here, the second clad layer 4B has a smaller refractive index than either of the first clad layer 4A and the third clad layer 4C.
ここで、第２クラッド層４Ｂの屈折率は、第１クラッド層４Ａ及び第３クラッド層４Ｃの屈折率のいずれよりも小さい。 - 特許庁 - A bottomed via hole is formed by forming a recess into an interlayer insulating layer 3 until a first layer 2 is partially exposed and a second layer 4.
層間絶縁層３に窪みを設けて第１層２を部分的に露出させ，第２層４を形成して有底ビアホール５とする。 - 特許庁 - In addition, a second nitrogen-enriched layer having higher nitrogen content than the first nitrogen-enriched layer is formed on a surface layer part of each ball 4.
さらに、玉４の表層部には第１の窒素富化層よりも窒素含有量の多い第２の窒素富化層が形成されている。 - 特許庁 - This manufacturing method for the gas seal material includes a process of putting the polyamide film layer between the first rubber layer and the second rubber layer.
また、第一ゴム層と第二ゴム層との間にポリアミド系フィルム層を挟む工程を含むガス用シール材の製造方法である。 - 特許庁
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