「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 45 46 47 48 49 50 51 52 53 .... 429 430 次へ＞- Further, at least a single-layer gas barrier layer 24 is formed between the spacer 23 and the second electrode 26.
スペーサ２３と第２電極２６との間には、少なくとも１層のガスバリア層２４が形成されている。 - 特許庁 - The second glass ceramic layer 12 has a thermal expansion coefficient smaller than that of the first glass ceramic layer 11.
第２ガラスセラミック層１２は、第１ガラスセラミック層１１より小さい熱膨張率を有している。 - 特許庁 - The phase-change material layer 208 contacts the spacer material layer 206 and the second electrode 210.
相変化材料層２０８は、スペーサ材料層２０６および第２の電極２１０に接触している。 - 特許庁 - (3) Each second layer 43 includes a heat-insulating layer 45 filled with air or gas or reduced in pressure.
（３）第２の層４３は、空気またはガスが充填された、または、減圧された、断熱層４５を含む。 - 特許庁 - The elastic modulus E_T of a first rubber layer 16A is larger than the elastic modulus E_B of a second rubber layer 16B.
第１ゴム層１６Ａの弾性率Ｅ_Ｔは、第２ゴム層１６Ｂの弾性率Ｅ_Ｂよりも大きい。 - 特許庁 - A first toner layer 30 is fixed onto a substrate 20, and a second toner layer 60 is arranged above that.
基材２０上に第１トナー層３０を固着させ、その上方に第２トナー層６０を配する。 - 特許庁 - The film thickness of a thin film coil 24 in the second layer is made thicker than that of a thin film coil 21 in the first layer.
２層目の薄膜コイル２４は１層目の薄膜コイル２１よりも膜厚が厚くなっている。 - 特許庁 - The refractive index of the material of the first layer 7a is smaller than that of the material of the second layer 7b.
第１の層７ａの材料の屈折率は、第２の層７ｂの材料の屈折率よりも小さい。 - 特許庁 - The insulating barrier layer 5 made of Al-O is formed on the second fixed magnetic layer 4c.
前記第２固定磁性層４ｃ上にＡｌ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。 - 特許庁 - By filling the rough of he first resin layer 22, a second resin layer 24 whose upper surface is flat is formed.
第１の樹脂層２２の凹凸を埋めて、上面が平坦な第２の樹脂層２４を形成する。 - 特許庁 - The n-type channel cut layer 5 is separated from the p-type channel cut layer 6 through the second element separation 22.
ｎ型チャネルカット層５とｐ型チャネルカット層６とは第２の素子分離２２により分離されている。 - 特許庁 - In a two-layered sheet wherein a first layer comprises PMMA and a second layer comprises ABS or a three-layered sheet wherein a first layer comprises PMMA, a second layer comprises ABS and a third layer comprises ABS or a resin compatible with ABS, at least one of a light stabilizer and an ultraviolet absorber is added to ABS used in the second layer.
第一層がＰＭＭＡ、第二層がＡＢＳからなる二層シート、または、第一層がＰＭＭＡ、第二層がＡＢＳ、第三層がＡＢＳもしくはＡＢＳと相溶性のある樹脂からなる三層シートを対象とし、第二層に用いられるＡＢＳに光安定剤と紫外線吸収剤の少なくとも一方を含む。 - 特許庁 - Planarity on the front surface of the second vertical connection layer 15B and an insulating layer 12 is thereby assured.
これにより第１縦接続層１５Ｂおよび絶縁層１２の表面の平坦性が確保される。 - 特許庁 - The first metal layer 14 and the second metal layer 15 extend on the interlayer insulating film 10.
第１金属層１４および第２金属層１５は、層間絶縁膜１０上に延在している。 - 特許庁 - The coating film 6 has a 2-layer structure comprising first and second layer films 4, 5 laminated with each other.
コーティング膜６は、第１層膜４と第２層膜５とが積層された２層構造を有している。 - 特許庁 - A second groove 11 is formed on a second insulating layer 6 composed of an insulating material containing Si and O.
ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。 - 特許庁 - The second end of the flexible layer is bent so as to make the second end come in contact with the base member.
柔軟な層の第２の端部分は、第２の端部分が基部部材と接するまでたわまされる。 - 特許庁 - The second wiring layer 33 is soldered to the semiconductor device 50, and 0.2% proof stress has a second value.
第２配線層３３は、半導体装置５０にはんだ付けされており、０．２％耐力が第２値である。 - 特許庁 - The first and second wire grids are disposed on first and second sides, respectively, of the foam layer.
第一及び第二ワイヤグリッドは、発泡体層の第一の面及び第二の面にそれぞれ配置されている。 - 特許庁 - The second semiconductor layer is provided on the light-emitting part, contains a nitride semiconductor, and has a second conductivity type.
第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。 - 特許庁 - The second land is formed on a part of the second insulation layer facing to the first land.
前記第２のランドは、前記第２の絶縁層上の一部に、前記第１のランドと対向して設けられる。 - 特許庁 - The method also comprises a step of then removing the second photoresist pattern and the second metal layer on the pattern by a lifting-off method.
次に、リフトオフ法により第２のフォトレジストパターン及びその上の第２の金属層を除去する。 - 特許庁 - A second electrode pattern layer 12b composed of a forth paint is formed in the surface of the second green sheet 10b.
第２グリーンシート１０ｂの表面に第４塗料から成る第２電極パターン層１２ｂを形成する。 - 特許庁 - The second layer 12 contains powder of the hydrogen storage alloy and second powder having conductivity.
第２の層１２は水素吸蔵合金の粉末と第１の粉末と導電性の第２の粉末とを含む。 - 特許庁 - On the other hand, the second photoelectric conversion layer 102 is oriented in the Y direction (second direction).
一方、第２光電変換層１０２には、Ｙ方向（第２方向）に配向処理が与えられている。 - 特許庁 - The second conductive interlayer insulating film 6 and the second conductive layer 7 are interconnected in common with the neighboring memory cell column.
導電層間絶縁膜６、第二導電層７は、隣接するメモリセルカラムに共通の配線となる。 - 特許庁 - The second connection member connects the member with the second superconductive layer 6 of the superconductive wire rod 3.
第２接続部材は、上記部材と超電導線材３の第２超電導層６とを接続する。 - 特許庁 - A second organic layer 22 is stacked between the first negative electrode 18a and the second negative electrode 18b.
第１の陰極１８ａと第２の陰極１８ｂの間には、第２の有機層２２が積層する。 - 特許庁 - A second reflector layer (112, 152, 210) is operable to reflect a signal at substantially the second frequency.
第２の反射層（１１２、１５２、２１０）は信号を略第２の周波数で反射するように作用し得る。 - 特許庁 - However, a spacer layer 18 has first and second thicknesses, the second thickness being smaller than the first thickness.
しかしスペーサ層１８は第１及び第２の厚さを持ち、第２の厚さは第１の厚さより薄い。 - 特許庁 - A second region 18a of the second piezoelectric layer 18 is poled in a laminated direction of the piezoelectric element 2.
第２圧電体層１８の第２領域１８ａは、圧電素子２の積層方向に分極されている。 - 特許庁 - The initial layer 110 has a structure in which a first AlN layer 110a of ≥60 nm and a first GaN layer 110b of ≥60 nm are laminated, and the composite layer 111 has a structure in which a layered structure comprising a second AlN layer 111a and a second GaN layer 111b formed on the second AlN layer 111a is repeated a plurality of times.
初期層１１０は、６０ｎｍ以上の第１のＡｌＮ層１１０ａ、６０ｎｍ以上の第１のＧａＮ層１１０ｂが積層された構造であり、複合層１１１は、第２のＡｌＮ層１１１ａと、第２のＡｌＮ層１１１ａ上に形成された第２のＧａＮ層１１１ｂとからなる積層構造を複数回繰り返した構造である。 - 特許庁 - The solar cell 10 includes a pair of second semiconductor layers 14 disposed adjacently to both sides of a first semiconductor layer 12, an insulating layer 16 formed extending from one second semiconductor layer 14 to over the first semiconductor layer 12, and an insulating layer 16 formed extending from the other second semiconductor layer 14 to over the first semiconductor layer 12.
太陽電池１０は、第１半導体層１２の両隣に配設される一対の第２半導体層１４と、一方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６と、他方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６とを備える。 - 特許庁 - An image display system includes a substrate layer having a first region and a second region, a thin-film transistor for switching containing a first polysilicon layer formed in the first region of the substrate layer, a thin-film transistor for driving containing a second polysilicon layer formed in the second region of the substrate layer, a heat sink layer, and a separation layer which is present between the above layers.
表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。 - 特許庁 - In a manufacturing method of a layer arrangement of the present invention, a first layer (203) having a thickness larger than a minimum thickness for the epitaxial growth of a second layer (408) is formed, a second layer (408) is epitaxially grown on the first layer (203), and a third layer (409) is formed on the second layer (408).
本発明の層配置の製造方法においては、基板上であって基板の第１の面上に、第２の層（４０８）のエピタキシャル成長のための最小厚さより大きい厚さを有する第１の層（２０３）が形成され、第１の層（２０３）上に第２の層（４０８）がエピタキシャル成長させられ、第２の層（４０８）上に第３の層（４０９）が形成される。 - 特許庁 - The information recording medium comprises a first magnetic layer having a plurality of magnetic domains, a second magnetic layer formed on the first magnetic layer, a first coupling layer formed between the first and second magnetic layers, and resistive magnetic layers formed between the first magnetic layer, second magnetic layer, and the first coupling layer.
複数の磁区を有した第１磁性層と、第１磁性層上に形成された第２磁性層と、第１磁性層及び第２磁性層間に形成された第１連結層と、第１磁性層及び第２磁性層と第１連結層との間に形成された抵抗性磁性層とを備える磁区壁移動を利用した情報記録媒体である。 - 特許庁 - The semiconductor wafer 100 includes a semiconductor bulk 10, a first embedded insulating layer 20 provided on the semiconductor bulk, a first semiconductor layer 30 provided on the first embedded insulating layer, a second embedded insulating layer 40 provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer 50 provided on the second embedded insulating layer.
半導体ウェハ１００は、半導体バルク１０と、半導体バルク上に設けられた第１の埋込み絶縁層２０と、第１の埋込み絶縁層上に設けられた第１の半導体層３０と、第１の半導体層上に設けられた第２の埋込み絶縁層４０と、第２の埋め込み絶縁層上に設けられた第２の半導体層５０とを備えている。 - 特許庁 - The method of manufacturing the movable gate type field-effect transistor includes a movable gate forming stage of forming a movable gate on a composite sacrificial layer having a first sacrificial layer 15 and a second sacrificial layer 16, a second sacrificial layer removing stage of etching the second sacrificial layer 16 away, and a first sacrificial layer removing stage of etching the first sacrificial layer 15 away.
第１犠牲層１５と、第２犠牲層１６と、を有する複合犠牲層の上に可動ゲートが形成される可動ゲート形成工程と、第２犠牲層１６がエッチング除去される第２犠牲層除去工程と、第１犠牲層１５がエッチング除去される第１犠牲層除去工程と、を備える可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法とした。 - 特許庁 - In this case, a via hole 5 for connecting two layer wiring 1 being the wiring of the wiring layer in the second layer to four layer wiring 4 as the wiring of the wiring layer in the fourth layer is positioned adjacently to three layer wiring 2, so as not to be brought into contact with three layer wiring 2 as the wiring of the wiring layer in the third layer.
この場合、２層目の配線層の配線である２層配線１と４層目の配線層の配線である４層配線４とを接続するビアホール５が、３層目の配線層の配線である３層配線２との接触を避けて、同３層配線２に隣接する位置に設けられる。 - 特許庁 - The barrier layer has a first metal oxide layer (titanium oxide layer) 30 consisting of the oxide of the metal constituting the barrier layer, a metal nitride layer (titanium nitride layer) 33 consisting of the nitride of the metal constituting the barrier layer, and a second metal oxide layer (titanium oxide layer) 34 which consists of the oxide of the metal constituting the barrier layer.
バリア層は、該バリア層を構成する金属の酸化物からなる第１の金属酸化物層（酸化チタン層）３０、該バリア層を構成する金属の窒化物からなる金属窒化物層（窒化チタン層）３３、および該バリア層を構成する金属の酸化物からなる第２の金属酸化物層（酸化チタン層）３４を有する。 - 特許庁 - This thin-film electrode layer is constituted by sequentially laminating a first substrate layer 11 made of β-Ta, a second substrate layer 12 made of Cr, a main conductive layer 13 made of Au, and a protective layer 14 constituted of a laminate layer of a Cr layer 15 and a α-TRa layer 16.
β−Ｔａからなる第１の下地層１１と、Ｃｒからなる第２の下地層１２と、Ａｕからなる主電導層１３と、Ｃｒ層１５とα−Ｔａ層１６の積層体からなる保護層１４とを順に積層形成してなる薄膜電極層。 - 特許庁 - The insulator exists principally as a multilayer insulation layer of a first inorganic substance layer - an insulation layer - a second inorganic substance layer or of an inorganic substance layer - an insulation layer where the inorganic substance layer is removed at least partially, to expose the insulation layer.
該絶縁体は、第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として主として存在するものであり、該無機物層の少なくとも一部が除去されて絶縁層が露出している。 - 特許庁 - The insulator exists principally as a multilayer insulation layer of a first inorganic substance layer - an insulation layer - a second inorganic substance layer or of an inorganic substance layer - an insulation layer, where the inorganic substance layer is removed at least partially, to expose the insulation layer.
該絶縁体は、第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として主として存在するものであり、該無機物層の少なくとも一部が除去されて絶縁層が露出している。 - 特許庁 - Concentric circular recessed and projected parts having predetermined surface roughness are formed on the surface of a substrate (glass substrate) 1, and a precoated layer 2, a seed layer 3, a substrate layer 4, a first magnetic layer 5, a spacer layer 6, a second magnetic layer 7, a protective layer 8 and a lubricant layer 9 are sequentially laminated thereon.
基板（ガラス基板）１の表面に所定の表面粗さを有する同心円状の凹凸を形成し、その上に、プリコート層２、シード層３、下地層４、第１の磁性層５、スペーサ層６、第２の磁性層７、保護層８、潤滑層９を順次積層した。 - 特許庁 - The SyAF pinned layer 345 is formed such that a second ferromagnetic layer 3 composed of Co_75 Fe_25, a non-magnetic spacer layer 4 composed of ruthenium, and a first ferromagnetic layer 5 that is a composite layer of a Co_60Fe_20B_20 layer and a Co_75Fe_25 layer are laminated sequentially from the side of the pinning layer 2.
ＳｙＡＦピンド層３４５は、ピンニング層２の側から順に、Ｃｏ_75 Ｆｅ_25 からなる第２強磁性層３と、ルテニウムからなる非磁性スペーサ層４と、Ｃｏ_60 Ｆｅ_20 Ｂ_20 層とＣｏ_75 Ｆｅ_25 層との複合層である第１強磁性層５とが積層されたものである。 - 特許庁 - Ring-shaped VDD.GND power supply peripheral rings 16a and 16b composed of an uppermost layer as a third wiring layer 14 and a lowermost layer as a first wiring layer 12 of a three-layered wiring structure which comprises a middle layer as a second wiring layer 13 besides the first wiring layer 12 and the third wiring layer 14 are formed around a micro core 11.
マクロコア１１の周りに、リング状のＶＤＤ用及びＧＮＤ用の電源周回リング１６ａ、１６ｂが３層配線構造の最上層及び最下層の第３配線層１４及び第１配線層１２により構成されている。 - 特許庁 - The second conduction type doping concentration of the second upper clad layer 109 is lower than the second conduction type doping concentration of the first upper clad layer 108 and third upper clad layer 111, i.e. is 1×10^17 cm^-3 or lower.
第二上クラッド層１０９の第２導電型のドーピング濃度が、第一上クラッド層１０８および第三上クラッド層１１１の第２導電型のドーピング濃度よりも低く、１×１０^17ｃｍ^-3以下である。 - 特許庁 - At least, the uppermost part of the second clad layer 107 contains Al, a second conductivity-type mesa protective layer 108 whose Al composition ratio is smaller than that of the uppermost part of the second clad layer 107 is provided thereon so as to protect a re-grown interface 132a against oxidation.
第２クラッド層１０７の少なくとも最上部にＡｌを含み、その上にそれよりもＡｌ組成比が小さい第２導電型のメサ保護層１０８を設けて再成長界面１３２ａの酸化を防ぐ。 - 特許庁 - Thereafter, a first dielectric layer is formed in a second portion of a substrate, and a second dielectric layer is formed overlying the first dielectric layer in the second portion of the substrate and overlying a first portion of the substrate.
その後、基板の第２の部分内に第１の誘電体層が形成され、基板の第２の部分内の第１の誘電層及び基板の第１の部分の上を覆うように、第２の誘電体層が形成される。 - 特許庁 - A reference extension masking image where the number of pixels indicating use of second layer data is increased as compared with a masking image is generated, and second layer reproduction data is generated using the second layer data and the data of reference extension masking image.
第２層データの使用を示す画素の数を、マスク画像より増加させた基準拡張マスク画像を生成し、第２層データおよび基準拡張マスク画像のデータを使用して、第２層再生用データを生成する。 - 特許庁
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