「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 47 48 49 50 51 52 53 54 55 .... 429 430 次へ＞- The capacitance component employs the second dielectric portion 42 as a capacitive layer.
キャパシタンス成分は、第２の誘電体部分４２を容量層とする。 - 特許庁 - Lastly, a second conductive layer is added to obtain the polarized organic photonics device.
最後に、第２の導電層を加え、偏光有機フォトニクスデバイスを得る。 - 特許庁 - The etching stopper layer 12 includes a first element and a second element.
エッチングストッパ層１２は、第１の元素と、第２の元素とを含有する。 - 特許庁 - A second nonmagnetic layer 25 is disposed between the medium facing surface 30 and the end face of the second layer 20C closer to the medium facing surface 30.
第２層２０Ｃの媒体対向面３０に近い端面と媒体対向面３０との間には第２の非磁性層２５が配置されている。 - 特許庁 - Window parts 83e, 83f are formed on the second protection layer 83.
また、第２保護層８３には窓部８３ｅ，８３ｆが形成されている。 - 特許庁 - Since the second wiring layer 182 will not come into contact with the outside air, it will not corrode.
第２配線層１８２は外気に触れないので腐食しない。 - 特許庁 - In the display medium 12, a second light absorption layer 34 is formed at the opposite side of a photoconductive layer 20 of a second electrode 22.
表示媒体１２においては、第２の光吸収層３４が、第２の電極２２の光導電層２０とは反対側に設けられている。 - 特許庁 - Moreover, a first window layer 22 and a second window layer 23 are provided at the area near a first end surface 20 and a second end surface 21 which are provided opposed with each other.
更に、互いに向き合う第１端面２０および第２端面２１近傍に第１窓層２２および第２窓層２３を有している。 - 特許庁 - Then a plated layer is formed to also cover the exposed parts of the first and second electrodes.
そしてこれらの露出部上にもメッキ層９，１０を形成する。 - 特許庁 - Signal wirings 106a and 106b are arranged on a second wiring layer.
信号配線１０６ａ、１０６ｂは第２の配線層に配される。 - 特許庁 - Second wiring 52 is formed on a face of the first insulating layer 61.
第２配線５２は、第１絶縁層６１の面上に形成される。 - 特許庁 - The second corrosion-proof coating 22b may be the coated layer of a rust-proof oil.
第２の防食皮膜２２ｂは、防錆油の塗布層であっても良い。 - 特許庁 - The base 1 on which the protruded part is formed is coated with a second layer resist 5.
凸部が形成された基板１に、２層目のレジスト５を塗布する。 - 特許庁 - Second insulating layers 37 exist at both sides of the first insulating layer 36.
第１の絶縁層36の両側に第２の絶縁層37が存在する。 - 特許庁 - On the second electrically conductive layer 13, a capacitor insulating film 21 is formed.
第２の導電層１３の上にキャパシタ絶縁膜２１が設けられる。 - 特許庁 - The UV resin 6 of the second layer is formed by a conventional spin coat method.
第２層のＵＶレジン６は、従来のスピンコートにより形成される。 - 特許庁 - The method includes then, epitaxially growing a second layer of a second group III-nitride over the first layer and the exposed portion of the substrate.
次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。 - 特許庁 - A fuse element is arranged on the first electrically insulating layer, electrically contacted with the second conductive layer through the aperture, and electrically contacted with the second terminal.
ヒューズエレメントが第1の電気絶縁層上に配置され、開口を通して第2の導電層と電気接触し、第2の端子と電気接触する。 - 特許庁 - The second layer 34 has larger thickness than depth of the recessed part 30.
第二層３４は、前記凹部３０の深さより大きい厚さを有する。 - 特許庁 - An amount of impurities of a first conductivity type in the first epitaxial layer is smaller than an amount of impurities of a second conductivity type in the second epitaxial layer.
前記第１のエピタキシャル層の第１の導電型不純物は、前記第２のエピタキシャル層の第２の導電型不純物よりも少ない。 - 特許庁 - The third layer consisting of the third semiconductor material having etching resistance different from the second semiconductor material is grown on the second layer.
第２の層の上に、第２の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第３の半導体材料からなる第３の層を成長させる。 - 特許庁 - The dope silicon layer is formed on the second surface of the silicon substrate.
前記ドープシリコン層は、前記シリコン基板の第二表面に形成される。 - 特許庁 - On the first semiconductor layer, a second semiconductor layer is formed as constructed from a second conductive semiconductor inverse to the first conductive semiconductor.
第１の半導体層の上に、第１導電型とは逆の第２導電型の半導体からなる第２の半導体層が形成されている。 - 特許庁 - In the second substrate 2, on the other hand, a second layer electrode divided by four fixed electrode members 9 is placed opposite to the first layer electrode.
他方、第２基板２は、四つの固定電極部材９に分割された第２層電極を上記の第１層電極に対向させている。 - 特許庁 - A patterned mask layer defining a second gate electrode of the conductive layer corresponding to the second area is formed over the semiconductor substrate.
第２領域に対応する導電層の第２ゲート電極を画定するパターニングされたマスク層が半導体基板を覆うように形成される。 - 特許庁 - The media sheet (50) includes a first layer (70) having a first outer surface (72) and a second layer (74) having a second outer surface (76).
本媒体シート（５０）は、第１の外表面（７２）を有する第１の層（７０）と第２の外表面（７６）を有する第２の層（７４）とを含む。 - 特許庁 - The second welding robot 2, which is a welding robot other than the first welding robot 1, forms a second welding layer superposed on the first welding layer.
第２溶接ロボット２は、第１溶接ロボット１とは別の溶接ロボットであり、第１の溶接層に重ねて第２の溶接層を形成する。 - 特許庁 - After that, the second single-crystal semiconductor layer is processed into an island shape.
その後、第２の単結晶半導体層をアイランド状に加工する。 - 特許庁 - The second layer comprising the second semiconductor material having etching resistance different from the first semiconductor material is grown on the first layer.
第１の層の上に、第１の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第２の半導体材料からなる第２の層を成長させる。 - 特許庁 - The second resin layer (Z) is constituted by a polyamide resin (B).
第２の樹脂層（Ｚ）は、ポリアミド樹脂（Ｂ）にて構成されたものである。 - 特許庁 - Using the same processes, a second reaction layer is formed at a discharge device 20h, and a second collecting layer is formed at a discharge device 20j.
同様の処理により吐出装置２０ｈにおいて第２の反応層を、吐出装置２０ｊにおいて第２の集電層を形成する。 - 特許庁 - In the optical plate formed by integrally molding a first transparent layer, a second transparent layer, and a scattering layer, the scattering layer includes a transparent resin, arranged between the first transparent layer and the second transparent layer, and scattering particles distributed in the transparent resin; and a plurality of spherical recesses are formed, on each of the outer surfaces of the first transparent layer and the second transparent layer.
第一透明層と、第二透明層と、拡散層と、を一体に成型した光学板において、前記拡散層は、前記第一透明層と第二透明層の間に配置された透明樹脂と、前記透明樹脂の内に分布された拡散粒子と、を含み、前記第一透明層及び第二透明層の外表面には、複数の球面凹部がそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - The high-efficiency light-emitting device has a substrate, a first nitride semiconductor layer formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer formed on the nitride light-emitting layer, wherein the second nitride semiconductor layer has a plurality of hexagonal pyramid cavities, on the surface of the second nitride semiconductor layer opposite to the nitride light-emitting layer.
高効率発光素子は、基板、基板上に形成された第１窒化物半導体層、第１窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層及び窒化物発光層上に形成された第２窒化物半導体層を有し、第２窒化物半導体層は、窒化物発光層の反対の第２窒化物半導体層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有する。 - 特許庁 - The display apparatus has a first conductive layer formed by using a transparent conductive film consisting essentially of indium oxide, a conductive base layer formed on the first conductive layer, a second conductive layer formed on the base layer by using a film consisting essentially of Al and a third conductive layer formed on the second conductive layer by using the same material as the second conductive layer.
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された導電性の下地層と、前記下地層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有する。 - 特許庁 - In the optical plate formed by integrally molding a first transparent layer, a second transparent layer, and a scattering layer, the scattering layer includes a transparent resin arranged between the first transparent layer and the second transparent layer, and scattering particles distributed in the transparent resin; and a plurality of truncated conical recesses are formed on each of the surfaces of the first transparent layer and the second transparent layer.
第一透明層と、第二透明層と、拡散層と、が一体に成型される光学板において、前記拡散層は、前記第一透明層と第二透明層の間に配置される透明樹脂と、前記透明樹脂の内に分布される拡散粒子と、を含み、前記第一透明層と第二透明層の表面には、複数の円錐台形凹部がそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - A light emitting diode 100 has a light-emitting layer with a mutiple quantum well structure, and a quantum-wave interference layer composed of a first layer and a second layer wider in band width than the first layer are laminated in a multiple period besides the light-emitting layer.
発光ダイオード１００は、発光層が多重量子井戸構造であり、発光層以外に第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した量子波干渉層を有する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting function layer 20, formed on an Si substrate 11, has a laminate structure comprising an n-type GaN layer (first semiconductor layer) 21, an MQW layer 22, and a p-type GaN layer (second semiconductor layer) 23.
半導体発光機能層２０は、Ｓｉ基板１１上に形成され、ｎ型ＧａＮ層（第１の半導体層）２１、ＭＱＷ層２２、ｐ型ＧａＮ層（第２の半導体層）２３からなる積層構造をもつ。 - 特許庁 - This run-flat tire 1 has a pair of bead parts 10, a carcass 12, a reinforcing rubber layer 40, a crossing belt layer of two layers (a first belt layer 22 and a second belt layer 24) and a composite belt layer 20 having a third belt layer 26.
ランフラットタイヤ１は、一対のビード部１０と、カーカス１２と、補強ゴム層４０と、２層の交錯ベルト層（第１ベルト層２２、第２ベルト層２４）及び第３ベルト層２６を有する複合ベルト層２０とを備える。 - 特許庁 - A positive electrode 10 has two layer structure of a first layer of a conductive layer 12 formed on a positive current collector 11 and a second layer of an active material layer 13 formed on the first layer.
正極１０は正極集電体１１上に形成された導電層１２となる第１層と、この第１層上に形成された活物質層１３となる第２層とからなる二層構造を備えている。 - 特許庁 - Among them, the semiconductor layer of at least one layer comprises a collector layer region 1021 and a base layer region 1022, and the second semiconductor layer 103 of at least one layer comprises a plurality of emitter layers.
そのうち、前記少なくとも一層の半導体層にはコレクタ層区域１０２１とベース層区域１０２２とを具備しつつ、前記少なくとも一層の第二半導体層１０３には複数のエミッタ層を具備する。 - 特許庁 - In a free magnetic layer 6, an enhance layer 12, a first soft magnetic layer 13, a non-magnetic metal layer 14, and a second soft magnetic layer 15 are stacked in this order upwardly on an insulating barrier wall layer 5 of, for example, Mg-Ti-O.
フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。 - 特許庁 - The diaphragm comprises a central layer composed of a single layer film, a first coating layer bonded to the surface of the central layer, and a second coating layer bonded to the rear surface of the central layer on the side opposite to the surface.
単層膜からなる中央層と、前記中央層の表面に固着している第一被覆層と、前記中央層の前記表面と反対側の裏面に固着している第二被覆層と、を備える。 - 特許庁 - The image layer (2) comprises a laminate containing the base layer (3) containing a light transmiissive polymer, the first image forming layer 4 fixed on the base layer 3 surface and the second image forming layer (5) fixed on the base layer (3) back surface.
イメージ層（２）は、光透過性ポリマーを含むベース層（３）と、ベース層（３）表面に固着された第１イメージ形成層（４）と、ベース層（３）裏面に固着された第２イメージ形成層（５）とを含む積層体からなる。 - 特許庁 - Moreover, a first surface of the barrier layer which comes into contact with an upper surface of the lower magnetic layer and a second surface of the upper layer magnetic layer which comes into contact with an upper surface of the barrier layer are both wider in area than the upper surface of the lower magnetic layer.
ここで、バリア層における下層磁性層の上面と接する第１面、及び、上層磁性層におけるバリア層の上面と接する第２面は、いずれも下層磁性層の上面の面積よりも広い。 - 特許庁 - A stimulable phosphor layer 11 is stacked on a first stiff layer 12, a filler layer 14 is placed on the side where the stimulable phosphor layer 11 is laminated by being bonded and a second stiff layer 13 is also stacked on the filler layer 14.
第一の剛性層12上に輝尽性蛍光体層11を積層し、輝尽性蛍光体層11が積層された側に充填材層14を接着して設け、さらに充填材層14上に第二の剛性層13を積層する。 - 特許庁 - The second insulating film contains a lowermost layer (A) disposed just above the charge accumulation layer, an uppermost layer (C) disposed just under the control gate electrode and an intermediate layer (B) disposed between the lowermost layer (A) and the uppermost layer (C).
第２絶縁膜は、電荷蓄積層の直上に配置される最下層（Ａ）、制御ゲート電極の直下に配置される最上層（Ｃ）、及び、最下層（Ａ）と最上層（Ｃ）との間に配置される中間層（Ｂ）を含む。 - 特許庁 - The first AlGaN layer 25 is provided between the second AlGaN layer 27 and the active layer 19, and the first AlGaN layer 25 is closest to the active layer 19 in the first conductive type clad layer 13.
第１のＡｌＧａＮ層２５は第２のＡｌＧａＮ層２７と活性層１９との間に設けられ、第１のＡｌＧａＮ層２５は第１導電型クラッド層１３において活性層１９に最も近い。 - 特許庁 - Then, a bonding side semiconductor layer 60 made of the second-conductivity cladding layer 6 and a cushion layer 20 is arranged between an active layer 5 and an electrode junction layer 31 for the oxide transparent electrode layer 30.
そして、活性層５と、酸化物透明電極層３０に対する電極接合層３１との間には、第二導電型クラッド層６とクッション層２０よりなるボンディング側半導体層６０が配置される。 - 特許庁 - At each vibrating element, a first vertical electrode layer is connected with an upper electrode layer and an internal electrode layer, and a second vertical electrode layer is connected with a lower surface electrode layer and an internal electrode layer.
各振動素子においては、上面電極層及び内部電極層に対して第１垂直電極層が接続され、下面電極層及び内部電極層に対して第２垂直電極層が接続される。 - 特許庁 - In the organic layer 21, a first blue luminescent material layer 13a, a Dye layer 14, a second blue luminescent material layer 13b, a hole blocking layer 15, and a green luminescent material layer 16 are stacked from the positive electrode side.
有機層２１には、陽極側から第１の青色発光材料層１３ａ、Ｄｙｅ層１４、第２の青色発光材料層１３ｂ、ホールブロッキング層１５、緑色発光材料層１６が積層される。 - 特許庁
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