「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 44 45 46 47 48 49 50 51 52 .... 429 430 次へ＞- The optical retardation plate is provided with a first layer composed of a resin with a positive intrinsic birefringence value and a second layer composed of a resin with a negative intrinsic birefringence value, wherein the first layer and the second layer are birefringent, and is constructed by laminating the first layer and the second layer with their slow axes perpendicularly intersecting with each other.
固有複屈折値が正の樹脂からなる第１の層と、固有複屈折値が負の樹脂からなる第２の層とを有し、前記第１の層及び前記第２の層は複屈折を有し、かつ前記第１の層及び前記第２の層の遅相軸を、互いに直交させて積層してなる位相差板。 - 特許庁 - An overcoat covers an edge of the first layer and the second layer of the contact pad to prevent wear.
保護膜が、コンタクトパッドの第１の層および第２の層の端部を覆うことによって磨耗を防止する。 - 特許庁 - In the multi-layered structure according to the first claim, the first layer is thicker than the second layer.
該第１の層の厚みが該第２の層の厚み以上である請求項１に記載の多層構造体。 - 特許庁 - A whole of a second layer of wires is inside a spiral groove on the outside surface of a first layer of wires.
ワイヤの第２層は、ワイヤの第１層の外部表面のらせん状の溝の内部に全体がある。 - 特許庁 - A map 20 is drawn on the first layer 41, and icons 21a-21d are drawn on the second layer 42.
第１レイヤ４１には、地図２０を描画し、第２レイヤ４２には、アイコン２１ａ〜２１ｄを描画する。 - 特許庁 - The second silicide layer 152 is formed using different metal from the first silicide layer 142.
この第２シリサイド層１５２は、第１シリサイド層１４２とは異なる金属を用いて形成されている。 - 特許庁 - A translucent transparent electrode 18 covers the current blocking layer 17 and the second clad layer 14.
透光性の透明電極１８は、電流ブロック層１７及び第２クラッド層１４上を被覆している。 - 特許庁 - After a first electrode layer 34 is formed on the second antiferromagnetic layer 31, a step of forming a second electrode layer 36 from the internal end faces 31a and 34a of the second antiferromagnetic layer 31 and first electrode layer 34 to the upper surface of a multilayer film 40 through another layer is performed.
第２反強磁性層３１上に第１電極層３４を形成し、この第１電極層３４とは別工程で、前記第２反強磁性層３１及び第１電極層３４の内側端面３１ａ、３４ａ上から多層膜４０の上面にかけて他層を介して第２電極層３６を形成する。 - 特許庁 - Alternatively, it is possible to reduce a change in the total thickness of the first resin layer and the second resin layer.
または、第１樹脂層および第２樹脂層の合計厚みの変化を小さくすることができる。 - 特許庁 - The second crystal control layer 5 also functions to absorb the concave and convex of the upper surface of the first crystal control layer 4 formed under the layer 5, and consequently the orientation becomes uniform in a direction due to an effect of the second crystal control layer 5, and the intermediate layer 6 having good crystallinity grows on the second crystal control layer 5.
第二結晶制御層５は、その下の第一結晶制御層４の上面の凹凸を吸収するようにも機能するので、第二結晶制御層５の作用によって配向が一方向に揃えられて良好な結晶性を有する中間層６が第二結晶制御層５上に成長する。 - 特許庁 - The second and third magnetic layers control the magnetic exchange coupling of the first magnetic layer and the fourth magnetic layer.
第２、第３の磁性層は、第１の磁性層と第４の磁性層との磁気交換結合を制御する。 - 特許庁 - The second outer layer attaches the inner layer, thus the entire contaminating protective cover to the fluid quick connector housing.
第２の外層は、内層を、かくして汚染保護カバー全体を流体クイックコネクタハウジングに装着させる。 - 特許庁 - The first insulation layer 2 has a first surface opposing the second surface of the second insulation layer 32, and first layer via hole wiring 6v recessed from the second surface toward the first surface of the first insulation layer 2 and having a land on the first surface of the first insulation layer 2 is formed in the first layer via hole 5.
第１絶縁層２の第１表面と前記第２絶縁層３２の第２表面は対向しており、第１層バイアホール５には第１絶縁層２の第２表面から第１表面に向けて凹状をなし第１絶縁層２の第１表面にランド部を有する第１層バイアホール配線６ｖが形成してある。 - 特許庁 - A P+ layer 103 is formed in a position facing the outer circular part of the P+ layer 102 in a second face.
また、第２の面におけるＰ^+層１０２の外環部と対向する位置にもＰ^+層１０３を形成する。 - 特許庁 - A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.
厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁 - On the surface of the second layer, a third layer of a thickness d_3 [nm] made of the silicon oxide is formed.
第２の層の表面上に、酸化シリコンからなる厚さｄ_3［ｎｍ］の第３の層が形成されている。 - 特許庁 - The second insulating layer 32 is formed with an insulating material having a dielectric constant larger than that of the first insulating layer 31.
第２絶縁層３２は、誘電率が第１絶縁層３１よりも大きい絶縁材料を用いる。 - 特許庁 - Thereafter, the first hard mask layer 5 is removed by using at least the second hard mask layer 6 as a mask.
次に、少なくとも第２のハードマスク層６をマスクとして用いて、第１のハードマスク層５を除去する。 - 特許庁 - The multilayered film includes a first layer containing a first hydrophobic polymer; a third layer containing a third hydrophobic polymer; and a second layer disposed between the first layer and the third layer, where the second layer contains a second hydrophobic polymer and at least one water-soluble therapeutic agent.
第一の疎水性ポリマーを含有する第一の層；第三の疎水性ポリマーを含有する第三の層；ならびにこの第一の層とこの第三の層との間に配置された第二の層であって、この第二の層は、第二の疎水性ポリマーおよび少なくとも１種の水溶性治療剤を含有する、第二の層を備える、多層フィルム。 - 特許庁 - A second electroconductive layer 8 and a mask layer 6 are dry-etched by use of a resist mask 9 for removing them.
レジストマスク９を用いて、第２の導電層８及びマスク層６をドライエッチングして除去する。 - 特許庁 - In addition, in the second semiconductor layer, a parasitic MOS channel region is formed along a buried insulating layer.
第２半導体層において埋込み絶縁層沿って寄生ＭＯＳ素子のチャネル領域が形成される。 - 特許庁 - The substrate 4, the MR element 5, and the second shielding layer 8 is laminated on the first shielding layer 3.
下地層４、ＭＲ素子５および第２のシールド層８は第１のシールド層３に積層されている。 - 特許庁 - At least one of the first conductive layer and the second conductive layer includes carbon nanotube layers.
前記第一電極及び前記第二電極の少なくとも一方は、カーボンナノチューブ構造体を有する。 - 特許庁 - Further, a peak shift layer 34 is provided on the second capacitor electrode 33 simultaneously with an UBM layer 21.
さらに、ＵＢＭ層２１と同時に、第２キャパシタ用電極３３上に、ピークシフト層３４を設ける。 - 特許庁 - A first buried layer 4a and a second buried layer 4b are formed in the extended drain region 2.
延長ドレイン領域２には、第１の埋め込み層４ａ及び第２の埋め込み層４ｂを形成する。 - 特許庁 - Consequently, the occurrence of cracks in the first clad layer 121 and the second clad layer 124 can be prevented.
従って、第一のクラッド層１２１や第二のクラッド層１２４においてクラックを防止することができる。 - 特許庁 - A second unit layer corresponding to the rest of a half which constitutes the phase difference compensation layer is similarly deposited.
その後、全く同様にして位相差補償層を構成する残り半分の第二ユニット層を成膜する。 - 特許庁 - Furthermore, an electrode layer 60 of which the refractive index is larger than that of the second layer 40 is formed on this.
さらに、この上に、第二の層４０よりも屈折率の大きい電極層６０を形成する。 - 特許庁 - The method also includes a step of forming a continuous second layer on the patterned first layer.
本方法はまた、パターン化された第１の層の上に連続的な第２の層を形成する工程も含む。 - 特許庁 - The second surface layer common electrode 23 is formed to cover a light shielding layer of the counter substrate 2.
第２の表層共通電極２３は、対向基板２の遮光層を覆うように形成されている。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element comprises a structure, a first electrode layer, and a second electrode layer.
実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。 - 特許庁 - Then the first resin layer on the first surface is subjected to processing for giving resistance to a second resin layer removing liquid.
その後、第一面の第一樹脂層に第二樹脂層除去液に対する耐性化処理を施す。 - 特許庁 - The first alloy layer is put on the surface of a second alloy layer containing ≥29 (at %).
第１合金層は、２９［ａｔ％］以上のＣｒを含む第２合金層の表面に受け止められる。 - 特許庁 - Marks 1a-1f are formed in a first layer and marks 2a-2f are formed in a second layer.
１ａ〜１ｆは第１の層に形成されたマークであり、２ａ〜２ｆは第２の層に形成されたマークである。 - 特許庁 - The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.
第２の半導体層32の不純物濃度は、第１の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁 - In this case, the magnetic anisotropy coefficient of the first magnetic layer is larger than that of the second magnetic layer.
このとき、第１磁性層の磁気異方性係数が第２磁性層の磁気異方性係数より大きい。 - 特許庁 - A first conductive semiconductor layer 23 is formed on the second conductive semiconductor layer 21.
第２導電型の半導体層２１上に、第１導電型の半導体層２３が形成されている。 - 特許庁 - Second non-electrolytic plating processing is conducted to an area exposed from the resist layer 40 in the plated layer 15.
めっき層１５におけるレジスト層４０からの露出部に、第２の無電解めっき処理を行う。 - 特許庁 - The fluid ejector includes a flow-path body, a first oxide layer, a membrane, and a second oxide layer.
流体吐出装置は、流路本体と、第１の酸化物層と、膜と、第２の酸化物層と、を含む。 - 特許庁 - Fineness of constitutive fibers in the first fiber layer 1 is smaller than fineness of constitutive fibers in the second fiber layer 2.
第１繊維層１の構成繊維の繊度は第２繊維層２の構成繊維の繊度よりも小さい。 - 特許庁 - A second bonding electrode 62 is formed near one end of the n-type semiconductor layer 2 (resistive layer).
ｎ型半導体層２（抵抗層）の一方の端部近傍に第２ボンディング電極６２を形成してある。 - 特許庁 - A solar battery 10 has a p-type first semiconductor layer and a p-type second semiconductor layer 16.
太陽電池１０が、ｐ型の第１の半導体層とｐ型の第２の半導体層１６とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor layer includes a first face, a second face formed opposite to the first face, and a light emitting layer.
前記半導体層は、第１の面と、その反対側に形成された第２の面と、発光層とを含む。 - 特許庁 - Any one of the first electrode layer and the second electrode layer is an anode, and the other is a cathode.
第１電極層および第２電極層のいずれか一方が陽極で、他方が陰極である。 - 特許庁 - A spherical first semiconductor layer 1 and an element, having a second semiconductor layer 2 in its surface, are used.
球状の第１半導体１とその表面に第２半導体層２を有する素子を用いる。 - 特許庁 - The first semiconductor layer 1 is lower than the second semiconductor layer 2 in first conductivity type impurity concentration.
第１半導体層１は第２半導体層２よりも第１導電型の不純物の濃度が低い。 - 特許庁 - The second semiconductor layer 5 has a larger band gap than that of the first semiconductor layer 4.
第２の半導体層５は、第１の半導体層４と比べてバンドギャップが大きい半導体層である。 - 特許庁 - In the semiconductor device 1, a third wiring layer 5 is formed on a second wiring layer 4.
この半導体装置１において、第２配線層４の上には、第３配線層５が形成されている。 - 特許庁 - After that, processing for resistance against the second resin layer removing liquid is applied to the first resin layer on the first surface.
その後、第１面の第一樹脂層に第二樹脂層除去液に対する耐性化処理を施す。 - 特許庁 - Pn junction J is formed by the second n-type semiconductor layer 19 and the p-type semiconductor layer 17.
第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 - 特許庁
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