「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 .... 429 430 次へ＞- An electrolyte layer 3 and a negative electrode 4 comprising a first conductive layer 4a and a second conductive layer 4b are formed on the dielectric layer 2 to cover the periphery of the dielectric layer 2.
誘電体層２上には、誘電体層２の周囲を覆うように電解質層３と第１導電層４ａおよび第２導電層４ｂからなる陰極４とが形成されている。 - 特許庁 - A first layer 131, a third layer 133 and a fifth layer 135 are each formed of SiO_2; and a second layer 132 and a fourth layer 134 are each formed of ZrO_2.
第１層１３１、第３層１３３及び第５層１３５は、それぞれＳｉＯ_２から形成され、第２層１３２及び第４層１３４は、それぞれＺｒＯ_２から形成されている。 - 特許庁 - A triple layer constituted of a tunneling insulating layer, the charge storing layer and a blocking insulating layer, and a second conducting layer are formed in order on the whole surface of the substrate on which the first conducting film is formed.
第１導電膜が形成された基板の全面にトンネリング絶縁層、電荷貯蔵層及びブロッキング絶縁層で構成された三重層と第２導電膜層を順次に形成する。 - 特許庁 - The magnetic recording layer comprises the first magnetic recording layer 5 and the second magnetic recording layer 7 via the nonmagnetic separation layer 6 and has a two-layered structure magnetically separated in the film-layer direction.
磁気記録層が、非磁性分離層６を介して第１の磁気記録層５と第２の磁気記録層７からなり、膜層方向に磁気的に分離された二層構造を有している。 - 特許庁 - A trench gate electrode 9 that penetrates both of the first conductivity layer 14 and the second conductivity layer 15 and reaches the first conductivity layer 16 is formed and a defect layer 6 is formed at the depth where the trench gate electrode 9 penetrates the deeper first conductivity layer 16.
この縦型ＭＯＳは、電流１０がトレンチゲート電極９に沿って縦方向に流れるために、オン抵抗の上昇を小さく押さえることができる。 - 特許庁 - The information signal layer includes a reflecting layer, a recording layer provided on the reflecting layer and first, second and third dielectric layers laminated successively on the recording layer.
情報信号層は、反射層と、反射層上に設けられた記録層と、記録層上に順次積層された第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層とを備える。 - 特許庁 - In the device, there is formed proton implanted parts 34 that reaches a first clad layer 12 by penetrating a contact layer 24, a current blocking layer 20, a second clad layer 16, and an undoped active layer 14.
コンタクト層２４と電流ブロック層２０と第２クラッド層１６とアンドープ活性層１４とを貫通して、第１クラッド層１２まで達するプロトン注入部３４を形成する。 - 特許庁 - The adhesive layer is disposed between the metal supporting layer and the pattern forming layer to couple the pattern forming layer to the metal supporting layer, and has a second thermal conductivity lower than the first thermal conductivity.
接着層は、金属支持層とパターン形成層との間に配置してパターン形成層を金属支持層に固定させ、第１熱伝導率より低い第２熱伝導率を有する。 - 特許庁 - A cap layer 12, a first interlayer insulating film 13, an etching stopper layer 14, a second interlayer insulating film 15, a hard mask layer 16, and another hard mask layer 18, are sequentially formed on a wiring layer 11.
配線層１１上に、キャップ層１２、第１層間絶縁膜１３、エッチングストッパ層１４、第２層間絶縁膜１５、ハードマスク層１６、ハードマスク層１８を順次形成する。 - 特許庁 - This body blood circulation promotion device includes the upper layer 2 having a second adhesive layer 22 and an exothermic agent 21, the lower layer 3 having a first adhesive layer 32, and release paper 4 covering the first adhesive layer 32.
第２粘着層２２及び発熱剤２１を有する上層２と、第１粘着層３２を有する下層３と、第１粘着層３２を覆った剥離紙４とを備えている。 - 特許庁 - The rubber hardness of the rubber layer parts 15, 16, 17, 18 should meet the relation that the first division rubber layer part < the second division rubber layer part < the third division rubber layer part ≤ the fourth division rubber layer part.
各区域ゴム層部１５，１６，１７，１８のゴム硬度は、第１区域ゴム層部＜第２区域ゴム層部＜第３区域ゴム層部≦第４区域ゴム層部の関係を満たすようになっている。 - 特許庁 - The layer 9 includes a first backside electrode layer 7, containing silver and a second backside layer 8 on the layer 7 that suppresses corrosion of the layer 7.
裏面電極層９は、銀を含む第１裏面電極層７と、第１裏面電極層７の腐食を抑制する第１裏面電極層７上の第２裏面電極層８とを含む。 - 特許庁 - The piezoelectric layer 3 is set to be a two layer structure of a first piezoelectric layer 3A formed on a diaphragm 2 and a second piezoelectric layer 3B laminated on the first piezoelectric layer 3A.
このとき、圧電層３を、振動板２上に形成された第１の圧電層３Ａと、この第１の圧電層３Ａ上に積層された第２の圧電層３Ｂとの二層構造とする。 - 特許庁 - The multi-material layer includes a first material layer comprised of residue from an underlying dielectric capping layer, and a second material layer comprised of residue from an underlying metallic capping layer.
マルチ材料層は、下層の誘電体キャッピング層からの残留物からなる第１材料層と、下層の金属キャッピング層からの残留物からなる第２材料層とを含む。 - 特許庁 - In the second electrode layer 30, outer peripheral ends of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 are located on the outside of the outer peripheral end of the catalyst layer 21 in the first electrode layer 20.
第２の電極層３０は、触媒層３１およびガス拡散層３２の外周端が、第１の電極層２０における触媒層２１の外周端より外側に位置している。 - 特許庁 - This semiconductor device comprises a first insulation layer 2, a semiconductor layer formed on the upper surface side of the first insulation layer 2, and a second insulation layer 7 formed on the upper surface side of the semiconductor layer.
第１絶縁層２と、第１絶縁層２の上面側に形成される半導体層と、その半導体層の上面側に形成される第２絶縁層７とから構成されている。 - 特許庁 - The Al composition x of the first graded layer 104 linearly decreases 0.2 to 0.1 from the interface between the layer 104 and the channel layer 103 toward the interface between the layer 104 and the second graded layer 105.
第１グレーデッド層１０４のＡｌ組成ｘはチャネル層１０３との界面から第２のグレーデッド層１０５との界面に向かって０.２から０.１に直線的に減少している。 - 特許庁 - A light diffusion layer 31 is provided at the observer's side of a first layer (a layer including a light absorbing layer) 2 as a second layer.
従来の視認性向上シートの構成に加えて、観察側に光を拡散させる機能を有する層を形成し、この追加した層の効果によってディスプレイ全体としての視野角を広くした。 - 特許庁 - This radiation conversion sheet is provided with a support base for supporting at least a first resin layer, a conductive material layer, and a second resin layer and a phosphor layer formed on the surface of the resin layer, wherein the adhesion of the interface between the first resin layer and the conductive material layer being smaller than the adhesion of the interface between the second resin layer and the conductive material layer.
第１の樹脂層、導電性材料層、第２の樹脂層を少なくとも有する支持基板と、該第２の樹脂層の表面に形成された蛍光体層と、を備え、第１の樹脂層と導電性材料層との界面の密着力が、第２の樹脂層と導電性材料層との界面の密着力よりも小さい放射線変換シート。 - 特許庁 - In the semiconductor light emitting device, a first cladding layer 112, an active layer 113, a second cladding layer 114, and a contact layer 117 are formed on a substrate, and a quantum well hetero barrier layer 116 having a contact barrier layer 116b and a contact well layer 116w is formed between the second cladding layer 114 and the contact layer 117.
基板上に、第１クラッド層１１２と、活性層１１３と、第２クラッド層１１４と、コンタクト層１１７とが形成された半導体発光素子であって、第２クラッド層１１４とコンタクト層１１７との間に、コンタクトバリア層１１６ｂとコンタクトウェル層１１６ｗとを有する量子井戸へテロバリア層１１６が形成されている。 - 特許庁 - The MTJ device includes a ferromagnetic antiparallel(AP) pin layer containing a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and an antiparalellel conjunction(APC) layer located between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; a ferromagnetic free layer; and a dielectric tunnel barrier, located between the first ferromagnetic layer and the ferromagnetic free layer.
このＭＴＪ装置は、第１の強磁性層、第２の強磁性層、および第１の強磁性層と第２の強磁性層の間に配置された逆平行結合（ＡＰＣ）層を含む強磁性逆平行（ＡＰ）ピン層と；強磁性フリー層と；ＡＰピン層の第１の強磁性層と強磁性フリー層の間に配置された絶縁トンネル障壁層とを有する。 - 特許庁 - The method of forming the multilayer structure includes a step of forming a first insulation layer, a conductive layer disposed on the first insulation layer, and a second insulation layer covering the first insulation layer and the conductive layer by heating at a time a first insulation material layer, a second insulation material layer, and a conductive material layer formed using the droplet dispenser.
多層構造形成方法は、第１絶縁材料層と、第２絶縁材料層と、液滴吐出装置によって形成された導電性材料層と、を一度に加熱して、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する導電層と、前記第１絶縁層と前記導電層とを覆う第２絶縁層と、を形成するステップを含んでいる。 - 特許庁 - The invention relates to a structure of a light emitting diode including a substrate, a first conductivity semiconductor layer formed on the substrate, a light emitting layer formed on the first conductivity semiconductor layer, a second conductivity semiconductor layer formed on the light emitting layer, a barrier layer formed on the second conductivity semiconductor layer, and a contact layer formed on the barrier layer.
基板と、基板上に形成された第１の導電性半導体層と、第１の導電性半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２の導電性半導体層と、第２の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造である。 - 特許庁 - A method of forming a multilayer structure comprises a step of forming a first insulating layer; a conductive layer located on the first insulating layer; and a second insulating layer covering the first insulating layer and the conductive layer by simultaneously heating the first insulating material layer, the second insulating material layer, and the conductive material layer, formed by a liquid droplet ejecting apparatus.
多層構造形成方法は、第１絶縁材料層と、第２絶縁材料層と、液滴吐出装置によって形成された導電性材料層と、を一度に加熱して、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する導電層と、前記第１絶縁層と前記導電層とを覆う第２絶縁層と、を形成するステップを含んでいる。 - 特許庁 - One end part of the first filter layer 11 is integrated with one end part of the second filter layer 12, and a cylindrical air layer 13 concentric with the first filter layer 11 is formed between the first filter layer 11 and the second filter layer 12.
そして、第１のフィルター層１１の一端部と第２のフィルター層１２の一端部とが、一体化しているとともに、第１のフィルター層１１と第２のフィルター層１２との間に、第１のフィルター層１１と同心の筒形状の空間層１３が形成されている。 - 特許庁 - The first lamination part includes a first ferromagnetic layer having magnetization fixed in a first direction, a second ferromagnetic layer laminated on the first ferromagnetic layer and having a variable magnetization direction and a first non-magnetic layer provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer.
第１積層部は、第１方向に磁化が固定された第１強磁性層と、第１強磁性層と積層され、磁化の方向が可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。 - 特許庁 - First and second buffer layers 4 and 8 each having a thickness of 50-100 nm are inserted into an interface between an intermediate transparent electrode layer 6 and a first photoelectric conversion layer (silicon layer) 3 and into an interface between a back transparent electrode layer 10 and a second photoelectric conversion layer (silicon layer) 7, respectively.
中間透明電極層６と第１光電変換層（シリコン層）３との界面に及び裏面透明電極層１０と第２光電変換層（シリコン層）７との界面に、夫々、厚さ５０〜１００ｎｍの第１及び第２バッファ層４，８を挿入する。 - 特許庁 - When the first conductive layer has the one layer structure, the ionization tendency of a second conductive layer 4 is larger than that of the first conductive layer 3, and the melting point of the second conductive layer 4 is lower than that of the first conductive layer 3.
上記第１の導電層が１層の構造を有する場合には、第２の導電層４のイオン化傾向は第１の導電層３のイオン化傾向よりも大きく、かつ第２の導電層４の融点は第１の導電層３の融点よりも低い。 - 特許庁 - In an embodiment, the source electrode and the drain electrode each includes a first layer and a second layer provided under the first layer, and the second layer is formed of a layer of a conductive film having lower reflectivity than the first layer.
そして、この実施形態において、ソース電極およびドレイン電極の夫々は、第１の層と、前記第１の層よりも下側に設けられた第２の層とを含み、前記第２の層は第１の層よりも反射率が低い導電膜の層で構成される。 - 特許庁 - The first gate stack 111 comprises a first gate dielectric capping layer 104, a gate dielectric host layer 105, a first metal gate electrode layer 106, a barrier metal gate electrode layer 107, a second gate dielectric capping layer 108, and a second metal gate electrode layer 109.
第１ゲートスタック１１１は、第１ゲート誘電体キャップ層１０４、ゲート誘電体ホスト層１０５、第１金属ゲート電極層１０６、バリア金属ゲート電極層１０７、第２ゲート誘電体キャップ層１０８、第２金属ゲート電極層１０９を含む。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer including an n-type semiconductor layer, a second semiconductor layer including a p-type semiconductor layer, and a light-emitting portion provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
実施形態によれば、ｎ形半導体層を含む第１半導体層と、ｐ形半導体層を含む第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - A wiring substrate 4 has a base end electrode layer and a connection electrode layer and bent between a first connection electrode layer 5a connected to the first transparent heat generating layer 3a and a second connection electrode layer 5b connected to the second transparent heat generating layer 3b.
配線基板４は、基端部電極層と接続部電極層とを有し、第１透明発熱層３ａに接続される第１接続部電極層５ａと第２透明発熱層３ｂに接続される第２接続部電極層５ｂとの間で折り曲げられている。 - 特許庁 - On a first conductivity type semiconductor substrate 1, at least a first conductivity type clad layer 4, an active layer 5, a second conductivity type clad layer 8, a second conductivity type contact layer 10, an etching stop layer 11, and a diffusion source layer 12 containing impurities are laminated in order.
第１導電型半導体基板１上に、少なくとも第１導電型クラッド層４、活性層５、第２導電型クラッド層８、第２導電型コンタクト層１０、エッチングストップ層１１、及び不純物を含む拡散源層１２を順次積層する。 - 特許庁 - With respect to a fireproof cable 1 which has a fireproof layer 3 on a conductor 2 and has a second insulating layer 5 on the fireproof layer 3, a first insulating layer 4 mixed with talc of a powder shape as inorganic powder is formed between the fireproof layer 3 and the second insulating layer 5.
導体２の上に耐火層３を有し、耐火層３の上に第２絶縁層５を有する耐火電線１において、耐火層３と第２絶縁層５との間に無機粉末として粉末状のタルクを混合した第１絶縁層４を形成した。 - 特許庁 - The double-coated adhesive tape t1 has a first adhesive layer 30 which is installed on the innermost layer, a second adhesive layer 36 which is installed on the outermost layer, and intermediate layers 32 and 34 which are installed between the first adhesive layer 30 and the second adhesive layer 36.
両面粘着テープｔ１は、最内層に設けられた第一粘着層３０と、最外層に設けられた第二粘着層３６と、上記第一粘着層３０と上記第二粘着層３６との間に設けられた中間層３２、３４とを有する。 - 特許庁 - The shutter blade has a first layer (80) having matrix resin and reinforced fiber, a second layer (82) having a metallic film, and a third layer, having matrix resin and reinforced fiber and is constituted by layering the first layer (80), the second layer (82) and the third layer (84).
マトリクス樹脂と強化繊維とを有する第１の層（８０）と、金属膜を有する第２の層（８２）と、マトリクス樹脂と強化繊維とを有する第３の層とを有し、第１の層（８０）と第２の層（８２）と第３の層（８４）とが積層されている構成とする。 - 特許庁 - The recording layer 14 is preferable to be composed of a metallic nitride-based material, and it is preferable that a reflection layer 12 is formed on the substrate 11 before forming the first protecting layer 13 and a cover layer 16 is formed on the second protecting layer 15 after forming the second protecting layer 15.
記録層１４は金属窒化物系材料からなることが好ましく、第１保護層１３形成前に基板１１上に反射層１２を形成すること、第２保護層１５形成後に第２保護層１５上にカバー層１６を形成することが好ましい。 - 特許庁 - A second resist layer 4 is formed to cover the whole conductive material layer 3, and a protective resist layer 4' is formed to cover the conductive material layer 3 in the aperture 5 by removing the second resist layer 4 on the conductive material layer 3 other than the aperture 5.
導電材料層３の全体を覆う第２のレジスト層４を形成し、該開口部５以外の導電材料層３上の第２のレジスト層４を除去することにより、該開口部５の導電材料層３を覆う保護レジスト層４’を形成する。 - 特許庁 - The air filter is provided with a first filter layer 11 impregnated with oil and a second filter layer 12 as an oil repellent layer having an oil repellent property installed on the downstream of the first filter layer 11, and the first filter layer 11 is provided to be denser than the second filter layer 12.
油が含浸された第１のフィルタ層１１と、第１のフィルタ層１１よりも下流に設けられ、油をはじく性質を有する撥油層たる第２のフィルタ層１２とを備え、第１のフィルタ層１１を第２のフィルタ層１２より密に設ける。 - 特許庁 - At least one layer of the two or more information signal layers includes an inorganic recording layer 11 including an oxide of Pd, a first protective layer 12 provided for a first main surface of the inorganic recording layer, and a second protective layer 13 provided for a second main surface of the inorganic recording layer.
２以上の情報信号層のうちの少なくとも１層は、Ｐｄ酸化物を含む無機記録層１１と、無機記録層の第１の主面に設けられた第１保護層１２と、無機記録層の第２の主面に設けられた第２保護層１３とを備える。 - 特許庁 - The second electrode plate includes a second substrate, a second conductive layer located on the second substrate, and two second electrodes respectively arranged at two opposite ends of the second conductive layer.
前記第二電極板は、前記第一電極板から所定の距離だけ離れ、第二基板と、前記第二基板に設置された第二導電構造体と、前記第二導電構造体の対向する二つの端部にそれぞれ設置された二つの第二電極と、を有する。 - 特許庁 - The second electrode plate includes a second substrate, a second conductive layer located on the second substrate, and two first electrodes and two second electrodes which are electrically connected to the second conductive layer.
前記第二電極板は、前記第一電極板から所定の距離だけ離れ、第二基板と、前記第二基板に設置された第二導電構造体と、それぞれ前記第二導電構造体に電気的に接続された二つの第一電極及び二つの第二電極と、を有する。 - 特許庁 - This lithography mask includes a first layer 31 including a groove, a second layer 32 including regions, sections, and groove shaped transparent structure surrounding the sections, wherein the first layer 31 and the second layer 32 are formed so as to decrease difference of electric potentials generated in the second layer 32.
溝を含む第１の層３１と、領域を含む第２の層３２と、セクションと、前記セクションを囲う溝状透明構造を含んでおり、前記第１の層３１と第２の層３２とが、第２の層３２において生じる電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されているリソグラフィマスク。 - 特許庁 - The lamination structure body has: a first conductivity type first semiconductor layer consisting of a nitride-based semiconductor; a second conductivity type second semiconductor layer consisting of a nitride-based semiconductor; and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
積層構造体は、窒化物系半導体からなる第１導電形の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。 - 特許庁 - In a hierarchical network, a Fourier series signal to a second layer is converted into a group modulation signal by use of a group modulator 726 in a first layer (input layer), and a carrier wave corresponding to the second layer is modulated with this signal and then propagated to the second layer via an input signal line 514.
階層型ネットワークで、第１層(入力層)で第２層へのフーリエ級数信号を、群変調器７２６を用いて群変調信号に変換し、この信号で第２層に対応した搬送波を変調してから、入力信号線５１４を介して第２層に伝搬している。 - 特許庁 - The implantation type flexible nerve electrode is constituted by a first insulating layer 11 including a photosensitive flexible insulating material, a second insulating layer 12 including the photosensitive flexible insulating material, a second insulating layer 12 including the photosensitive flexible insulating material and a plurality of the electrode wires 13 formed on the first insulating layer 11 and covered with the second insulating layer 12.
感光性の柔軟絶縁材料からなる第１絶縁層１１と、感光性の柔軟絶縁材料からなる第２絶縁層１２と、第１絶縁層１１上に形成され、第２絶縁層１２に覆われた複数の電極配線１３とから構成される。 - 特許庁 - The spin transistor has a first ferromagnetic layer whose magnetization direction is unchanged, a second ferromagnetic layer whose magnetization direction is changeable, a channel between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, and a gate electrode on the channel, and stores data by the magnetization direction of the second ferromagnetic layer.
本発明の例に係わるスピントランジスタは、磁化方向が不変の第１強磁性層と、磁化方向が可変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間のチャネルと、チャネル上のゲート電極とを備え、第２強磁性層の磁化方向によりデータを記憶する。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device is provided with a first conductive type first semiconductor layer 3, a light emitting layer 5 to generate a light, a second conductive type second semiconductor layer 8, and a transparent substrate 10 that is transparent for a light emitted from the light emitting layer 5 and of which bottom surface is directly joined with the second semiconductor layer 8, in this order.
第１導電型の第１半導体層３と、光を生成する発光層５と、第２導電型の第２半導体層８と、発光層５からの光に対して透明であると共に第２半導体層８に下面が直接接合された透明基板１０とを順に備える。 - 特許庁 - On a first upper clad layer 5 on an emission surface side, a second upper clad layer 6 whose band gap energy is more powerful than that of an active layer 4, and the surface (emission surface side) of the second upper clad layer 6 is planar-doped (7) or pulse-doped with dopant of the same conductive type as the second upper clad layer 6.
発光面側の第１上クラッド層５の上に、活性層４よりもバンドギャップエネルギーが大きな第２上クラッド層６を設け、該第２上クラッド層６の表面（発光面側）を第２上クラッド層６と同じ導電型のドーパントによりプレーナードープ７又はパルスドープする。 - 特許庁 - The semiconductor element includes a semiconductor substrate 103, a first wiring-structure layer including a first wiring and a first insulating layer alternately formed on the semiconductor substrate, and a second wiring-structure layer including second wiring and a second insulating layer alternately formed on the first wiring-structure layer.
半導体素子は、半導体基板１０３と、半導体基板上に交互に設けられた第１配線および第１絶縁層を含む第１配線構造層と、第１配線構造層上に交互に設けられた第２配線および第２絶縁層を含む第２配線構造層とを含む。 - 特許庁
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