「second-layer」を含む例文一覧(21457)

＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .... 429 430 次へ＞
  • A second insulating layer 18 formed on the first insulating layer 17 is formed of an organic insulating material.
    第一絶縁層１７の上に形成される第二絶縁層１８は、有機絶縁材料で形成される。 - 特許庁
  • The second alloy layer is put on the surface of a third alloy layer containing 7 to 28 (at %) Cr.
    第２合金層は、７〜２８［ａｔ％］のＣｒを含む第３合金層の表面に受け止められる。 - 特許庁
  • The thickness of this second layer 4 is 5 nm at the maximum, and it is formed substantially thinner than the first layer.
    この第二層４の厚さは最高で５ｎｍであり、第一層よりも実質的に薄く形成される。 - 特許庁
  • In respective patterns 23a, size of the first mask layer 13a is different from that of the second mask layer 15a.
    各パターン２３ａにおいて、第１のマスク層１３ａのサイズは第２のマスク層１５ａのサイズと異なる。 - 特許庁
  • The second via contact layer V2 is connected to an outer wiring layer over upper and lower end faces Z2, Z1.
    第２ビアコンタクト層Ｖ２は上下端面Ｚ２、Ｚ１を越え外方にある配線層に接続される。 - 特許庁
  • The Fe composition ratio of the enhance layer 6a is larger than that of the second fixed magnetic layer 4c.
    前記エンハンス層６ａのＦｅ組成比は前記第２固定磁性層４ｃのＦｅ組成比よりも大きい。 - 特許庁
  • The inactive region contains an impurity layer 60, a first semiconductor layer 51, and a second groove part T2.
    この無効領域は、不純物層６０と、第１半導体層５１と、第２溝部Ｔ２とを含んでいる。 - 特許庁
  • The metal content of the second metal glass layer is larger than that of the first metal glass layer.
    第２金属ガラス層の金属含有量は第１金属ガラス層の金属含有量よりも多い。 - 特許庁
  • The first layer α and the second layer β are laminated and integrated with each other to constitute a laminate.
    第１層αと第２層βとを積層し、一体化することにより積層体が構成されている。 - 特許庁
  • The second strain buffer intermediate layer can be made thinner than the first strain buffer intermediate layer.
    前記第２歪緩衝中間層は、前記第１の歪緩衝中間層よりも薄くすることができる。 - 特許庁
  • The first and second layers to be oxidized or an adjacent layer adjacent to the first layer to be oxidized and an adjacent layer adjacent to the second layer to be oxidized are adjusted so that the oxidization speed of the first layer to be oxidized may be slower than the oxidization speed of the second layer to be oxidized when oxidizing in the same condition.
    同一の条件で酸化した場合に、第１の被酸化層の酸化速度は第２の被酸化層の酸化速度よりも遅くなるように、第１の被酸化層および前記第２の被酸化層、または、第１の被酸化層に隣接する隣接層および第２の被酸化層に隣接する隣接層を調整する。 - 特許庁
  • When the hard coat layer laminated at one side of the film substrate 1 is defined as a first side hard coat layer 2 and the hard coat layer laminated at the other side as a second side hard coat layer 3, the second side hard coat layer 3 contains resin particles and unevenness is formed at one side of the second hard coat layer 3.
    上記フィルム基材１の一方の面に積層したハードコート層を第１面ハードコート層２と定義し、他方の面に積層したハードコート層を第２面ハードコート層３と定義した場合に、上記第２面ハードコート層３に樹脂粒子を含有させて第２面ハードコート層３の一方の面に凹凸を形成する。 - 特許庁
  • The thickness H13 of the first insulating layer 13 is larger than the thickness H14 of the second insulating layer 14.
    第１の絶縁層１３の厚みＨ１３は、第２の絶縁層１４の厚みＨ１４よりも大きい。 - 特許庁
  • Thus, the auxiliary wiring layer 14 and the second electrode layer 18 can reliably come into contact with each other.
    これにより、補助配線層１４と、第２電極層１８とが確実に接触することとなる。 - 特許庁
  • The average grain diameter of silicon crystal grains in the first layer and the second layer is 10 μm or larger.
    第一の層及び第二の層中のシリコン結晶粒の平均粒径は１０μｍ以上である。 - 特許庁
  • The entrance part 21 is formed by applying anisotropic wet etching from the side of the first layer 1 opposite to the second layer.
    第１層１の反第２層側から異方性ウェットエッチングを施して、入口部２１を形成する。 - 特許庁
  • The second semiconductor layer 4 is thin to the extent that a depletion layer 7 generated on the interface between the Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 is extended in the thickness direction of the second semiconductor layer 4, for reaching the first semiconductor layer 3 when voltage is applied to cause the reverse bias.
    逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁
  • A cleaning member 52 for cleaning the electrifying roll comprises two layers of a first layer 52A and a second layer 52B.
    帯電ロールを清掃する清掃部材５２を第１層５２Ａと第２層５２Ｂとの２層構成にする。 - 特許庁
  • Subsequently, a layer of a crystalline GaN-based compound is epitaxially grown on the second nucleation layer.
    引き続いて、結晶ＧａＮベース化合物の層が、第２の核生成層上にエピタキシ成長される。 - 特許庁
  • A first shield layer 28 and a second shield layer 41 overlap each other at a distance G1.
    第１のシールド層２８及び第２のシールド層４１は、互いに間隔Ｇ１を隔てて重なっている。 - 特許庁
  • A GaN layer 23 is grown on the Al_X2Ga_1-X2N layer 19 at a second temperature T2.
    Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層１９上にＧａＮ層２３が第２の温度Ｔ１で成長される。 - 特許庁
  • The second substrate 22 where the filter layer 25 is formed is stuck on a first substrate 21 with the filter layer 25 interposed.
    フィルタ層25を形成した第２基板22を、フィルタ層25を介在して第１基板21と貼り合わせる。 - 特許庁
  • The second semiconductor layer 4 has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the first semiconductor layer 3.
    第２半導体層４は、第１半導体層３の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。 - 特許庁
  • The filament fibers are filled by similar means into the space S2 between the second layer and the third layer.
    第２層と第３層との間の空間Ｓ２に同様な手段によりフィラメント繊維を注入する。 - 特許庁
  • A ridge 28 is formed by etching from the contact layer 26 down to the middle of the second clad layer 24.
    コンタクト層２６から第２クラッド層２４の途中までエッチングされてリッジ２８が形成されている。 - 特許庁
  • The optical thickness ratio n1d1/n2d2 of the first layer to the second layer is preferably in the range of 0.3-0.8.
    第一層の第二層に対する光学的厚さの比 n_1 d_1／n_2 d_2 は０．３から０．８までの範囲が望ましい。 - 特許庁
  • The second liquid crystal layer is placed closer to the light-incidence side than to the first liquid crystal layer.
    前記第二の液晶層は、前記第一の液晶層よりも光の入射する面側に設置する。 - 特許庁
  • A second upper clad layer 106 is formed as a ridge on the first upper clad layer 103.
    上記第１上クラッド層１０３の上方に第２上クラッド層１０６がリッジとして形成されている。 - 特許庁
  • The impurity concentration of the second semiconductor layer is higher than that of the first semiconductor layer.
    前記第２半導体層の不純物濃度は、前記第１半導体層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
  • Further on top of it, a second carrier confinement layer having a band gap larger than that of the active layer is arranged.
    その上に、活性層よりも大きなバンドギャップを有する第２のキャリア閉込層が配置されている。 - 特許庁
  • The second magnetic layer is provided between the first electrode and the first magnetic layer, and has a fixed magnetization direction.
    第２磁性層は第１電極と第１磁性層との間に設けられ磁化方向が固定されている。 - 特許庁
  • Then, a second GaP layer 7 is formed on the first GaP layer 7a by hydride vapor phase epitaxy.
    そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁
  • A part of each of the second metal layer 20 and the third metal layer 28 respectively forms a micro metal mesh.
    第２金属層２０、第３金属層２８のそれぞれ一部は、マイクロ金属メッシュを形成している。 - 特許庁
  • The electronic apparatus assembly (100) having a first layer (110) and a second layer (120) is disclosed.
    第１の層（１１０）と第２の層（１２０）とを有する電子機器組立体（１００）を開示している。 - 特許庁
  • Then, the thickness of the second multilayer wiring layer 23a is made greater than the thickness of the first multilayer wiring layer 21a.
    そして、第２多層配線層２３ａの厚さを第１多層配線層２１ａの厚さより厚くする。 - 特許庁
  • Cationization agent (mass)/hot melt powder (mass) is larger in the first layer 4a than in the second layer 4b.
    カチオン化剤（質量）／ホットメルトパウダー（質量）は、第１層（４ａ）の方が第２層（４ｂ）よりも大きい。 - 特許庁
  • The barrier region 7a has a first semiconductor layer 9a and a second semiconductor layer 11a.
    バリア領域７ａは、第１の半導体層９ａおよび第２の半導体層１１ａを有する。 - 特許庁
  • At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a carbon nanotube structure.
    前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方は、カーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁
  • The first metal film layer comprises aluminum and the second metal film layer comprises chromium 6 or silver 7.
    第１の金属膜層はアルミニウムからなり、第２の金属膜層はクロム６または銀７からなる。 - 特許庁
  • In the thin-film crystal layer, at least part of the second-conductivity-type semiconductor layer is covered with an insulation film.
    薄膜結晶層は、少なくとも第二導電型半導体層の一部が絶縁膜で覆われている。 - 特許庁
  • A second metal layer 26 is provided on the rear surfaces of the dielectric layer 24 and the GaAs substrate 10.
    誘電体層２４及びＧａＡｓ基板１０の裏面には、第２の金属層２６が設けられている。 - 特許庁
  • The light shielding layer 12 comprises an antioxidant film 12b of a first layer formed on the second surface 11b of the substrate 11, a light shielding film 12a of a second layer formed on the antioxidant film 12b of the first layer, and the antioxidant film 12b of a third layer formed on the light shielding film 12a of the second layer.
    遮光層１２は、基板１１の第２面１１ｂに形成された第１層の酸化防止膜１２ｂと、該第１層の酸化防止膜１２ｂの上に形成された第２層の遮光膜１２ａと、該第２層の遮光膜１２ａの上に形成された第３層の酸化防止膜１２ｂとを備えている。 - 特許庁
  • A second surfactant resistance layer is disposed in contact with the moistureproof layer.
    第２の耐界面活性剤層が防湿層に接して設けられている前記の粉末洗剤用包装容器。 - 特許庁
  • The barrier film 10 includes a base material 11, a first barrier layer 141, and a second barrier layer 142.
    バリアフィルム１０は、基材１１と、第１のバリア層１４１と、第２のバリア層１４２とを具備する。 - 特許庁
  • The saturated magnetic flux density of the first layer 14A is set larger than that of the second layer 14B.
    第１層１４Ａの飽和磁束密度は第２層１４Ｂの飽和磁束密度よりも大きくなっている。 - 特許庁
  • After the third mask layer 20 is removed, the fixed substrate 10 is etched using the second mask layer 16 as a mask.
    第３マスク層２０を除去した後、第２マスク層１６をマスクにして固定基板１０をエッチングする。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the light-emitting material includes the steps of: forming a first layer containing a luminescence center element in a container; forming a second layer containing a host material in the container so as to cover the first layer; and performing heat treatment to the first layer and the second layer in the container, whereby the second layer is doped with the luminescence center element.
    容器内に、発光中心元素を含む第１の層を形成し、第１の層を覆うように、母体材料を含む第２の層を形成し、容器内の前記第１の層および第２の層に加熱処理を施すことによる、前記発光中心元素を第２の層に添加させる発光材料の製造方法である。 - 特許庁
  • The second conductive layer 40 is formed at least above the recess 38 in the capacitive insulation layer 30.
    第２導電層４０は、少なくとも容量絶縁層３０の凹部３８の上方に形成されている。 - 特許庁
  • A barrier layer can be arranged at least adjoined to, for example, the first and second face of the cloth layer.
    バリヤ層を、例えば布層の第１または第２の面に少なくとも隣接して、配置することができる。 - 特許庁
  • The surface sheet of an absorptive article includes a first layer 11 and a second layer 12.
    本発明の吸収性物品の表面シート１０は、第１層１１と第２層１２とを有する。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .... 429 430 次へ＞

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.