「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 .... 429 430 次へ＞- The vibration damping member 10 is provided with a first layer 12 made from a viscous elastic body, a second layer 14 made of metal and an intermediate layer 16, which has rigidity higher than that of the first layer 12 and lower than that of the second layer 14 and is interposed between the first and second layers 12 and 14.
制振部材１０は、粘弾性体からなる第１層１２と、金属からなる第２層１４と、第１層１２よりも高くかつ第２層１４よりも低い剛性を有して第１層１２と第２層１４との間に介在する中間層１６とを備える。 - 特許庁 - A multi-metal layer is formed over the second barrier layer for coupling to a solder ball, wherein the multi-metal layer has an extending part that extends outside a second opening covering an upper part of a second dielectric layer to prevent tin infiltration from the solder ball to the redistribution layer.
多重金属層が、半田ボールとの結合のために第２の障壁層の上に形成され、多重金属層は、半田ボールから再分配層への錫浸潤を防止するために第２の誘電体層の上部を覆って第２の開口部の外側に延びる延長部を有する。 - 特許庁 - The second adhesive layer 9 in the double-layer structure has a first layer that is disposed at a side of the first semiconductor element 5 and softened or melted at a temperature in adhesion, and a second layer that is disposed at a side of the second semiconductor element 8 and holds a layer form at a temperature in adhesion.
2層構造の第２の接着剤層９は、第１の半導体素子５側に配置されて接着時温度で軟化または溶融する第１の層と、第２の半導体素子８側に配置されて接着時温度で層形状を維持する第２の層とを有している。 - 特許庁 - In the second optical semiconductor element 20, the second cladding layer 24 is disposed in the recess 16 and is thermally connected to the semiconductor substrate 11, the third cladding layer 27 is disposed on the first optical waveguide layer 15, and second optical waveguide layer 22 is optically connected to the first optical waveguide layer 15.
第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 - 特許庁 - The coating insulating layer 30 includes a first coating insulating layer 30 covering the first region 21f of the circuit pattern 21 and a second coating insulating layer 30 covering the second region 21s of the circuit pattern 21, and the second coating insulating layer 30 is formed of an air-containing insulating layer containing air.
被覆絶縁層３０は、回路パターン２１の第１領域２１ｆを被覆する第１被覆絶縁層３０と、回路パターン２１の第２領域２１ｓを被覆する第２被覆絶縁層３０とを備え、第２被覆絶縁層３０は、空気を含む空気含有絶縁層で形成されている。 - 特許庁 - The electron source 1 is formed into lamination structure in which the first signal wire 16 and the lower layer insulation part 21 form a first layer, the element electrodes 14, 15 and the upper layer insulation part 22 form a second layer, and a conductive thin film 12 and a second signal wire 17 are formed on the second layer.
電子源１は、第１の信号線１６と下層絶縁部２１とが第１の層をなし、素子電極１４，１５と上層絶縁部２２とが第２の層をなし、第２の層の上に導電性薄膜１２および第２の信号線１７が形成された積層構造となっている。 - 特許庁 - A multilayer inductor 60 is provided with an inductor 64 of a first layer 64, an inductor 66 of a second layer formed on the inductor of the first layer via a first interlayer insulating film and an inductor 72 of a third layer formed on the inductor of the second layer via a second interlayer insulating film.
本多層インダクタ６０は、１層目のインダクタ６４と、第１の層間絶縁膜６６を介して１層目のインダクタ上に形成された２層面のインダクタ６８と、第２の層間絶縁膜７０を介して２層目のインダクタ上に形成された３層目のインダクタ７２とを備えている。 - 特許庁 - The line of union includes a grounding conductive layer, a first conductive line formed on the first main face side of the grounding conductive layer via a first dielectric layer, and a second conductive line formed on the second main face side of the grounding conductive layer via a second dielectric layer.
結合線路は、接地導体層と、接地導体層の第一の主面側に第一の誘電体層を介して形成された第一の導体線路と、接地導体層の第二の主面側に第二の誘電体層を介して形成された第二の導体線路とを備える。 - 特許庁 - The cells also include an electrode slot 31 extended to the substrate 2 from a surface of the first electrode layer 4, a first slot 34 extended to the first electrode layer 4 from a surface of the second power generation layer 21, and a second slot 36 extended to the first electrode layer 4 from a surface of the second electrode layer 6.
更に、第１電極層４表面から基板２へ延びる電極溝３１と、第２発電層２１表面から第１電極層４へ延びる第１溝３４と、第２電極層６表面から第１電極層４へ延びる第２溝３６とを備える。 - 特許庁 - The method further comprises the steps of subsequently forming a second insulating film on the first insulating film and the conductive layer, then forming a second opening in the second insulating film, exposing a part of the lower barrier layer, then forming a first electrode in the second opening, and forming a dielectric layer on the second film and a first opening.
続いて、第１絶縁膜及び導電層上に第２絶縁膜を形成したら、第２絶縁膜内に第２開口を形成して下方のバリア層の一部を露出させ、次に、第２開口内に第１電極を形成し、第２絶縁膜及び第１開口上に誘電層を形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes: a first substrate; a second substrate; a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate; a first alignment layer installed on the first substrate; a second alignment layer installed on the second substrate; a first electrode; and a second electrode.
本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び前記第二基板に設置された第二配向層と、第一電極と、第二電極と、を含む。 - 特許庁 - The article comprises a first outer layer (300); a second intermediate layer (200, 201); and a substrate (100); wherein the second intermediate layer (200, 201) contacts the first outer layer (300) at first interface and the substrate (100) at a second interface.
本物品は、第１の外側層（３００）と、第２の中間層（２００、２０１）と、基材（１００）とを含み、第２の中間層（２００、２０１）は、第１の界面で第１の外側層（３００）にかつ第２の界面で基材（１００）に接触している。 - 特許庁 - Since the second electrode layer 23 has a curved surface, molten solder 25 flows smoothly from the second electrode layer 23 toward the first electrode layer 21 when the external terminal of a lead wire 24 is soldered to the second electrode layer 23.
第２電極層２３の表面が曲面状であることから、第２電極層２３にリード線２４の外部端子を半田付けするときに、溶融した半田２５が第２電極層２３から第１電極層２１に向かってスムーズに流れるようになる。 - 特許庁 - Further, if the first and second case parts 4 and 5 are opened, a first recording layer MCDb and a second recording layer MCDe formed in each microchip MCD are broken and released from a first reflection layer MCDc and a second reflection layer MCDf, so that the fraudulence can be easily recognized.
更に、第１，２ケース部４，５を開けると、それらマイクロチップＭＣＤに形成している第１記録層ＭＣＤｂと第２反射層ＭＣＤｃや第２記録層ＭＣＤｅと第２反射層ＭＣＤｆを剥離、破損し、不正を容易に知る。 - 特許庁 - The radial transverse electric polarizer device includes: a first layer of a material having a first refractive index; a second layer of a material having a second refractive index; and a plurality of elongated elements azimuthally and periodically spaced apart and disposed between the first layer and the second layer.
ラジアル横方向電気偏光器は、第１屈折率を有する材料の第１層と、第２屈折率を有する材料の第２層と、方位角で周期的に隔置され、第１層と第２層との間に配置された複数の細長い要素とを含む。 - 特許庁 - A pixel unit comprises a first metal layer and a second metal layer, wherein the first metal layer comprises a gate electrode and a first electrode, and the second metal layer comprises a drain electrode, a source electrode and a second electrode.
上記課題を解決するために、第一金属層と第二金属層とを備える画素ユニットにおいて、第一金属層でゲート電極及び第一電極とを構成し、第二金属層でドレイン電極、ソース電極及び第二電極とを構成する。 - 特許庁 - Then a second HSQ film 5 and a second SRO layer 6 that is a modified layer of the surface thereof are formed, and groove wirings 10 and 10a acting as a second wiring layer of a groove wiring structure are formed in a specified region of the second HSQ film.
そして、第２のＨＳＱ膜５、その表面の改質層である第２のＳＲＯ層６が形成され、上記第２のＨＳＱ膜の所定の領域に溝配線構造の第２配線層である溝配線１０，１０ａが形成される。 - 特許庁 - The liquid crystal display includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, a first alignment layer disposed on the first substrate, and a second alignment layer disposed on the second substrate.
本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び前記第二基板に設置された第二配向層と、を含む。 - 特許庁 - This liquid crystal display panel includes: a first substrate; a second substrate; a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate; a first alignment layer installed on the first substrate; and a second alignment layer installed on the second substrate.
本発明の液晶表示パネルは、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び前記第二基板に設置された第二配向層と、を含む。 - 特許庁 - The liquid crystal display panel includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, a first alignment layer installed on the first substrate and a second alignment layer installed on the second substrate.
本発明の液晶表示パネルは、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び前記第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び第二基板に設置された第二配向層と、を含む。 - 特許庁 - On the first area of the second semiconductor layer, a first electrode is formed and a second electrode is formed for covering from the second area of the second semiconductor layer to the surface of the first semiconductor layer on the bottom face of the groove.
第２の半導体層の第１の領域上に第１の電極が形成され、第２の半導体層の第２の領域上から、溝の底面に表れた第１の半導体層の表面までを連続的に覆う第２の電極が形成されている。 - 特許庁 - The thin layer structure on the second side is arranged on the second side of the metal substrate, and at the same time includes the conductive layer on at least one second side that is alternately arranged with a dielectric layer 30 on at least one second side.
第二の側面の薄層構造は、金属基板の第二の側面に配置されると共に、少なくとも１つの第二の側面の誘電体層３０と交互に配置される少なくとも１つの第二の側面の伝導性の層を含む。 - 特許庁 - The length of the magnetization free layer in a second direction perpendicular to the medium facing surface is shorter than that of the first magnetization fixed layer in the second direction, and is shorter than that of the second magnetization fixed layer in the second direction.
前記磁化自由層の前記媒体対向面に対して垂直な第２方向に沿った長さは、前記第１磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短く、前記第２磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短い。 - 特許庁 - An insulating barrier layer 5 of Mg-O is formed on the second fixed magnetic layer 4c.
前記第２固定磁性層４ｃ上にＭｇ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。 - 特許庁 - An identification medium 1 consists of a first layer 121 and a second layer 122 superimposed on an object 11.
識別媒体１は、対象物１１に積み重ねられる第１層１２１と第２層１２２からなる。 - 特許庁 - At least some parts of the second organic semiconductor material layer are in contact with the conformal layer directly.
第２有機半導体材料層の少なくともいくらかは前記コンフォーマル層と直接接触する。 - 特許庁 - Also, the first conductive layer and the second conductive layer of the memory element are formed using different materials.
なお、メモリ素子の第１の導電層と第２の導電層とは異なる材料で形成されている。 - 特許庁 - The first layer, the second layer and the membrane are subsequently diffusion bonded into one integrated structure, with pressurized fluid supplied for superplastic forming.
その後拡散接合して一体構造とし、加圧流体を供給して超塑性成形する。 - 特許庁 - The second plating layer 4 is formed to include a region different from that of the first plating layer 3.
第２のめっき層４は、第１のめっき層３とは異なる領域を含むように形成されている。 - 特許庁 - A lattice constant of the second rotating layer 105 is smaller than that of the first rotating layer 104.
第２の回旋層１０５の格子定数は、第１の回旋層１０４の格子定数に比べて小さい。 - 特許庁 - The second layer wiring 6 and the third layer wiring 5a are electrically connected with each other through a via hole 10.
第２層配線６と第３層配線５ａは、ビアホール１０を介して電気的に接続されている。 - 特許庁 - A new second electrode layer 12g is formed on the inner circumference of the new organic layer OL formed.
成膜された新たな有機物層ＯＬの内周に新たな第２電極層１２ｇを成膜する。 - 特許庁 - Also, between the second insulating layer 12 and the third insulating layer 13, the inductor 15 is formed.
また、第二の絶縁層１２と第三の絶縁層１３との間には、インダクタ１５が形成されている。 - 特許庁 - The openings (12, 13) of the first layer (10) and the second layer (20) are aligned, before forming the channels (22).
第一（１０）及び第二の層（２０）の開口（１２、１３）は、通路（２２）を形成する前に位置揃えされる。 - 特許庁 - At this time, the second metallic layer is formed with at least one passage 10 which reaches the first layer 7.
その際、第２の金属層には第１の層７へ達する少なくとも１つの通路１０を形成する。 - 特許庁 - The first wiring layer 33 is a single damascene structure, and the second wiring layer 32 is a dual damascene structure.
第１配線層部３３は、シングルダマシン構造であり、第２配線層部３２は、デュアルダマシン構造である。 - 特許庁 - The film 11 is formed by bonding the first layer 16 and the second layer 17 with the adhesive 18.
フィルム１１は、第１層１６と第２層１７とが粘着剤１８で貼り合わされて形成される。 - 特許庁 - The carrier concentration of the first window layer 4a is set lower than that of the second window layer 4b.
第１の窓層４ａのキャリア濃度は、第２の窓層４ｂのキャリア濃度より低く設定されている。 - 特許庁 - A second resin layer 22 is formed so that the passivation film 16 and the first resin layer 20 are covered.
パッシベーション膜１６及び第１の樹脂層２０を覆うように第２の樹脂層２２を形成する。 - 特許庁 - When a voltage is applied to be a reverse bias, the second semiconductor layer 4 is thin enough for a depletion layer 7 formed on an interface between a Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 to extend in the thickness of the second semiconductor layer 4 to reach the first semiconductor layer 3.
逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁 - The first layer 13 is formed by nonelectrolytic plating, and the second layer 14 is formed by electrolytic plating.
第１の層１３を無電解めっきにより形成し、第２の層１４を電解めっきにより形成する。 - 特許庁 - The second metal layer 2 electrically connects with the first metal layer 1 and has the uneven structure on a surface 2F thereof.
第２金属層２は第１金属層１と導通してその面２Ｆが凹凸構造を有する。 - 特許庁 - Further the first layer has thickness of 10 μm or more and the second layer has thickness of 2 to 10 μm.
なお、第１の層の厚みが１０μｍ以上であり、第２の層の厚みが２〜１０μｍである。 - 特許庁 - The haze value of the second light diffusion layer 32 is smaller than the haze value of the first light diffusion layer 31.
第２の光拡散層３２のヘイズ値は、第１の光拡散層３１のヘイズ値よりも小さい。 - 特許庁 - The powder supply volume is increased at the point before a wrap part overlapped with a first layer and a second layer is started.
第１層目と第２層目とが重なるラップ部が始まる前に粉末供給量を増加させる。 - 特許庁 - There are formed peelable protective films 25, 25 on surfaces of the first layer 20a and the second layer 20b.
第１の層２０ａ及び第２の層２０ｂの表面には、剥離可能な保護フィルム２５，２５を備える。 - 特許庁 - Therefore, the resistance of the first diamond layer 1 is mode higher than that of the second luminous diamond layer 2.
このため、第１のダイヤモンド層１の抵抗は発光する第２のダイヤモンド層２のそれよりも高い。 - 特許庁 - The first cut belt layer 24 and the second cut belt layer 26 are different in the weight per a unit width.
第１のカットベルト層２４と第２のカットベルト層２６とは、単位幅あたりの重量が異なっている。 - 特許庁 - The second laminated structure comprises a p-type AlGaAs clad layer 62a, an active layer 64a, an n-type AlGaAs first clad layer 66a, a pnp current block layer 68, an n-type AlGaAs second clad layer 70, and an n-type GaAs cap layer 72, with the second ridge and the first laminated structure embedded.
第２の積層構造は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６２ａ、活性層６４ａ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層６６ａ、ｐｎｐ電流ブロック層６８、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層７０、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７２で構成され、第２のリッジ及び第１の積層構造を埋め込む。 - 特許庁 - The first catalyst layer 4a contains a noble metal catalyst and the second catalyst layer 4b contains an iron-based catalyst.
第一触媒層４ａは、貴金属触媒、第二触媒層４ｂは、鉄系触媒を有する。 - 特許庁
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