「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 49 50 51 52 53 54 55 56 57 .... 429 430 次へ＞- A second flat insulating layer 40 disposed on a lower layer of an organic EL layer 50 is thermally treated, water contents is minimized.
有機ＥＬ層５０の下層に位置する第２の平坦化絶縁層４０を熱処理して、含有水分量を極力少なくする。 - 特許庁 - Preferably, the second optical compensation layer 13 and the third optical compensation layer 14 are stuck to each other via only an adhesive layer.
好ましくは、第２の光学補償層１３と第３の光学補償層１４とは、接着剤層のみを介して貼り合わされている。 - 特許庁 - The package structure is comprised of a first patterned insulated layer 203, a conductive layer 204, and a second patterned insulated layer 205.
パッケージ構造は、第１のパターン化した絶縁層２０３、導電層２０４、及び第２のパターン化した絶縁層２０５から構成される。 - 特許庁 - The circuit board 10 comprises a first wiring layer 20, a second wiring layer 22, an insulation layer 30, a filler 40, and a via conductor 50.
回路基板１０は、第１の配線層２０、第２の配線層２２、絶縁層３０、充填材４０およびビア導体５０を備える。 - 特許庁 - The optical layer includes a first optical layer and a second optical layer formed respectively on both main surfaces of the wavelength selective reflection film.
光学層が、波長選択反射膜の両主面にそれぞれ形成された第１の光学層、および第２の光学層を備える。 - 特許庁 - The interlayer 1 for laminated glass comprises a first layer 2 and a second layer 3 laminated on either surface 2a of the first layer 2.
合わせガラス用中間膜１は、第１の層２と、第１の層２の一方の面２ａに積層されている第２の層３とを備える。 - 特許庁 - A metal foil 2 having different kinds of metal that becomes an etching stopper layer is prepared between a first conductive layer 3 and a second conductive layer 1.
第一の導電層３と第二の導電層１の間にエッチングストッパー層となる異種金属を有する金属箔２を用意する。 - 特許庁 - The first layer is constituted of a polyester composition and the second layer is constituted of a polyester composition different from the polyester composition of the first layer.
第１の層はポリエステル組成物から構成され、第２の層は第１の層とは組成の異なるポリエステル組成物から構成される。 - 特許庁 - An electric fuse includes a filament 1 having a first conductive layer 4 and a second conductive layer 5 formed on the first conductive layer 4.
電気ヒューズは、第１導電層４と、第１導電層４上に形成された第２導電層５とを有しフィラメント１を備える。 - 特許庁 - An organic layer 11 is formed on the second insulating layer 9, and a cathode 13 is formed every display patterns on the organic layer 11.
第二絶縁層９の上には有機層１１が形成され、有機層１１の上には陰極１３が表示パタン毎に形成される。 - 特許庁 - By forming an oxide film between the first metal layer and the second metal layer, corrosion of the first metal layer is prevented.
このように、第１金属層と第２金属層との間に酸化膜を形成することで、前記第１金属層の腐食を防止する。 - 特許庁 - The fuse 11 is connected with a first semiconductor layer 2 and a second semiconductor layer 3 both having higher heat conductivity than that of a first insulating layer 32.
フューズ１１は、第１絶縁層３２よりも熱伝導率が高い第１半導体層２と第２半導体層３とに接続する。 - 特許庁 - The semiconductor device 70 is provided with a first layer 11, and a second layer 12 provided between the first layer 11 and a substrate 30.
半導体装置７０は、第１層１１と、その第１層１１と基板３０の間に介在する第２層１２を備えている。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.
実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - A dielectric layer is interposed between the metallization levels, and the first stop layer 23 is put between the dielectric layer and the second metallization level.
誘電体層はメタライゼーションレベルの間に置かれ、第１のストップ層は誘電体層および第２のメタライゼーションレベルの間に置かれる。 - 特許庁 - The second semiconductor layer 5 and the waveguide core layer 3a are electrically separated by the insulating layer 4, however, optically connected to each other.
第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 - 特許庁 - A semiconductor memory device comprises: a substrate; a wiring layer; a memory layer; a circuit layer; and first and second contact wiring.
実施形態によれば、基板、配線層、メモリ層、回路層及び第１、第２コンタクト配線を含む半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁 - The semiconductor wafer 20 is produced by successively forming a first titanium layer 24, aluminum layer 26, and second titanium layer 28 on a base substrate 22.
半導体ウェーハ２０は、ベース基板２２上に第１チタン層２４、アルミ層２６、第２チタン層２８を順次成膜したものである。 - 特許庁 - Further, a second epitaxial layer 13, lower than the first epitaxial layer 12 in the concentration, is provided on the first epitaxial layer 12.
また、第１のエピタキシャル層１２上には、第１のエピタキシャル層１２よりも低濃度の第２のエピタキシャル層１３が設けられている。 - 特許庁 - The processed component includes the first layer applied to the processed region of the base metal and the second layer applied to the first layer.
加工処理部品は、基材金属の加工処理領域に適用された第１の層と、第１の層に適用された第２の層を含む。 - 特許庁 - This catalyst for cleaning exhaust gas includes a first catalyst layer 2, a transfer inhibitory layer 3 and a second catalyst layer 4 formed in that order on the surface of a base 1.
基材１の表面に、第１触媒層２、移動抑制層３及び第２触媒層４がこの順で形成されている。 - 特許庁 - The external electrode 16A comprises: fired electrode layers 18A_1-18A_5; a resin electrode layer; a first plated layer; and a second plated layer.
外部電極１６Ａは、焼付電極層１８Ａ_１〜１８Ａ_５と、樹脂電極層と、第１めっき層と、第２めっき層とを有する。 - 特許庁 - The ink acceptable layer 34A comprises a first layer containing a hyperfine polymeric particle 38 and a second layer containing a hollow bead 36.
インク受容層３４Ａは、超微細高分子粒子３８を含む第１の層と、中空ビーズ３６を含む第２の層とを含んで成る。 - 特許庁 - The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.
第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。 - 特許庁 - A light emitting region sandwiched between a layer of a first conductive type layer and a second conductive type layer is disposed in the resonant cavity.
第１の導電型の層と第２の導電型の層との間に挟まれた発光領域は、共振空洞内に配置される。 - 特許庁 - In this case, the second ferromagnetic layer 14 is anti-ferromagnetically connected through the non-magnetic spacer layer 13 with a third ferromagnetic layer 12.
ここで、第２の強磁性層１４と第３の強磁性層１２が非磁性スペーサ層１３を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁 - Adhesive strength for the magnetic layer 12 is secured by the first protection layer 13, and wear resistance is obtained by the second protection layer 13B.
第１の保護層１３Ａにより磁性層１２との密着性が確保され、第２の保護層１３Ｂにより耐摩耗性が得られる。 - 特許庁 - A second conductive layer 39 is deposited on the second terminal 36 and then patterned, by which the second terminal contact of the semiconductor device is specified.
第２端子上において第２導電層（３９）を堆積し、パターニングすることにより、半導体素子の第２端子コンタクトを規定する。 - 特許庁 - The second interlayer wiring post 30a (30b) and the second resin sealed layer 29 are provided around the second CSP 23.
第２のＣＳＰ２３の周囲には第２の層間配線ポスト３０ａ（３０ｂ）および第２の樹脂封止層２９が設けられている。 - 特許庁 - In a second rugged structure formed by the layer of the dielectric material 30, second recesses 32 have the width W and the depth H, while second projections 33 have the width d.
誘電体３０の層が形成している第２の凹凸構造のうち第２の凹部３２の幅はＷであり、深さはＨである。 - 特許庁 - The polarizing plate having an optical compensating layer comprises a polarizer, a first optical compensating layer and a second optical compensating layer that are arranged, in this order, wherein the second optical compensating layer is arranged closely to the liquid crystal cell.
本発明の光学補償層付偏光板は、偏光子と、第１の光学補償層と、第２の光学補償層とをこの順に有し、第２の光学補償層は液晶セルに近い側に配置される。 - 特許庁 - An optical switch module is provided with a first core layer 514 having a first thickness, a second core layer 511 which is thinner than the layer 514 and a core layer 507 which is provided between the first and the second layers and has a taper.
第１の厚さを有する第１コア層と５１４と、第１コア層より薄い第２コア層５１１と、第１コア層及び第２コア層の間に設けられたテーパの付されたコア層５０７とを有する光スイッチモジュール。 - 特許庁 - Then, a two-layer type information recording medium is formed by placing the semipermeable film layer 3 and the second recording layer 5 to face each other and by integrating the first and second information recording/reproducing parts with a transparent adhesive layer 4.
そして、半透過膜層３と第２記録層５を向き合わせて透明な接着層４によってこれら第１，第２の情報記録再生部を一体化することで、二層型の情報記録媒体を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing electroforming mold by which the need of precise mask positionings when a first pattern layer and a second pattern layer are formed is eliminated and the displacement of the first pattern layer and the second pattern layer is hardly caused.
１層目のパターンを形成するときと２層目のパターンを形成するときのマスクの正確な位置合わせが不要となり、しかも、１層目のパターンと２層目のパターンの位置ずれがほとんど生じることがない。 - 特許庁 - This ceramic multilayered substrate 10 is provided with (a) a first insulation layer 13, (b) a second insulation layer 14 arranged in contact with the first insulation layer 13, and (c) wiring electrodes 16 embedded only in the second insulation layer 14.
セラミック多層基板１０は、（ａ）第１の絶縁層１３と、（ｂ）第１の絶縁層１３に接して配置された第２の絶縁層１４と、（ｃ）第２の絶縁層１４のみに埋設された配線電極１６とを備える。 - 特許庁 - Also, a primary anode layer 41A made of aluminum or mainly made of aluminum as well as with a lower resistivity than that of the second anode layer 41C is arranged on the second anode layer 41C at an opposite side of the organic layer 53.
また、この第２陽極層４１Ｃの有機層５３とは反対側に、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とすると共に第２陽極層４１Ｃよりも抵抗率が低い第１陽極層４１Ａを設ける。 - 特許庁 - While the first electrode catalytic layer 2a and the second electrode catalytic layer 2b are stacked in a membrane thickness direction, the water-retaining properties of the first electrode catalytic layer 2a and the second electrode catalytic layer 2b are different.
第１の電極触媒層２ａと第２の電極触媒層２ｂとが、膜厚方向に積層されているとともに、第１の電極触媒層２ａと第２の電極触媒層２ｂとの含水性が異なる。 - 特許庁 - Next, the first layer 41 and the second layer 42 are formed into a reticulated structure by removing parts of the first layer 41 and the second layer 42 formed in the part other than the groove 31 on the outer surface of the core material 3.
次に、芯材3の外表面の溝31以外の部分に形成された第1の層41及び第2の層42の部分を除去することにより、第1の層41及び第2の層42を前記網目構造をなすものとする。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a self-alignment bipolar transistor on a substrate 200 including an epitaxial layer 202, a first insulating layer 204 and a second insulating layer 206 are sequentially formed, and an opening is formed in the second insulating layer.
自己整合バイポーラトランジスタを製造する方法において、エピタキシャル層２０２を有する基板２００上に、第１絶縁層２０４、第２絶縁層２０６を順に形成し、第２絶縁層に開口部を形成する。 - 特許庁 - The first conductor layer 10 of the gate electrode 4 contacts the surface of the gate oxide layer 22 in a first portion 40, and the second conductor layer 12 contacts the surface of the gate oxide layer in a second portion 42.
ゲート電極４の第１導電体層１０はゲート酸化物層２２表面の第１部分４０と接触しており、第２導電体層１２はゲート酸化物層の表面の第２部分４２と接触している。 - 特許庁 - More specifically, the third insulating layer 23 is formed so as to cover a first semiconductor layer 13 exposed on one surface (one primary surface) 11a of the substrate 11 between the second semiconductor layer 161 and the second semiconductor layer 162.
即ち、第二半導体層１６１と第二半導体層１６２との間で、基板１１の一面（一方の主面）１１ａに露呈された第一半導体層１３を覆うように第三絶縁層２３が形成される。 - 特許庁 - A first metal wiring region is ensured in the row direction between a first contact layer of the first to the third diffusion layers and a second contact layer of a gate layer, and between the first contact layer and the first/second word lines.
第１〜第３拡散層の第１コンタクト層とゲート層の第２コンタクト層との間、第１コンタクト層と第１／第２ワード線との間に、行方向に沿って第１のメタル配線領域が確保される。 - 特許庁 - The second pad printing layer 4 is so printed as to be smaller in width than the first pad printing layer 3 and the screen printing layer 6 is so printed as to be smaller in width than the second pad printing layer 4.
第２のタコ印刷層４は、第１のタコ印刷層３の幅に対して小さくなるように印刷され、スクリーン印刷層６は、第２のタコ印刷層４の幅に対して小さくなるように印刷される。 - 特許庁 - The polymer-polymer bonding can promote the mechanical joint of the first layer and the second layer to the graphite sheet and promote the provision of heat conduction between the first layer and the second layer.
このポリマー−ポリマー接合は、第１の層および第２の層をグラファイト・シートに機械的に接合することを促進することができ、第１の層と第２の層との間に熱伝導を提供することを促進することができる。 - 特許庁 - A thermal barrier coating system includes a substrate, a first transition metal layer on the substrate, a bond coat on the first transition metal layer, a second transition metal layer on the bond coat, and an optional ceramic topcoat on the second transition metal layer.
基材、基材の上の第１遷移金属層、第１遷移金属層の上のボンドコート、ボンドコートの上の第２遷移金属層および第２遷移金属層の上の任意のセラミックトップコートを含むサーマルバリアコーティングシステム。 - 特許庁 - The cathode terminal 15 is formed of a first conductive layer 19 communicating with the second electrode 18 and a second conductive layer 20 stacked on the first conductive layer 19 and communicating with the first conductive layer 19.
陰極端子１５は、第二の電極１８に導通する第一の導電層１９と、第一の導電層１９に積層され第一の導電層１９に導通する第二の導電層２０と、からなるものである。 - 特許庁 - The first polysilicon layer and the second polysilicon layer having different crystal properties has been converted from an amorphous silicon layer of the first region and an amorphous silicon layer of the second region by a single crystallization process.
違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 - 特許庁 - The electromagnetic wave shielding body comprises a first base layer, a carbon felt stacked on the first base layer, a second base layer stacked on the carbon felt, and a shield cloth stacked on a surface of the second base layer.
第１下地層と、この第1下地層の上方に積層されるカーボンフェルトと、このカーボンフェルトに積層される第２下地層と、この第２下地層の表面に積層されるシールドクロスからなることを特徴とする。 - 特許庁 - A third spacer layer 34 is formed on the first spacer layer, the second spacer layer, the first field plate, the gate, and the second field plate, and a third field plate 36 is formed on the third spacer layer and connected to the source.
第３のスペーサ層３４が、第１のスペーサ層、第２のスペーサ層、第１のフィールドプレート、ゲート、および第２のフィールドプレート上にあり、第３のフィールドプレート３６が、第３のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。 - 特許庁 - The area of the region of the second electrode overlapping the light-emitting layer when viewed from the stacking direction from the first semiconductor layer to the second semiconductor layer is larger than the contact area of the contact portion with the first semiconductor layer.
第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに発光層と重なる第２電極の領域の面積は、接触部の第１半導体層との接触面積よりも大きい。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
