「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • Between the current collector 110 and the active substance layer 130, a first intermediate layer 121 and a second intermediate layer 122 are formed on the current collector side and the active substance layer side, respectively.
    集電体110と活物質層130との間には、集電体側に位置する第一中間層121と、活物質層側に位置する第二中間層122とが形成される。 - 特許庁
  • The micro electric machine system 10 comprises a multi-layer structure of a base layer 1 where a micro machine part 4 is provided, a first sealing layer 2, and a second sealing layer 3.
    微小電気機械システム１０は、微小機械部品４が設けられる基層１と、第１密閉層２および第２密閉層３による多層構造を有する。 - 特許庁
  • This method for producing the lightweight planter comprises forming the first layer and the second layer on the whole surface of a foam with an expansion rate of ≤25 and spraying a layer of minute pebble grains or stone pieces as the third layer.
    発泡倍率が２５倍以下の発泡体の全表面上に第一層目〜第二層目を形成し、更に第三層目の微小石粒・石片の層を吹き付ける。 - 特許庁
  • In addition, as the recording layer is composed of the first recording layer 6 and the second recording layer 8, the power margin of recording is made wider as compared to the case where the recording layer is composed of a monolayer.
    また、記録層を第１記録層６と第２記録層８で構成しているために、記録層を単層で構成した場合よりも記録パワーマージンが広くなっている。 - 特許庁
  • A first ink layer 2 and an adhesive layer 3 are laminated on one face of a transparent basic material 1, and a second ink layer 4 and a coating layer 5 are laminated on the other face of the basic material 1.
    透明な基材１の一方の面に第一のインク層２と粘着層３が積層され、他方の面に第二のインク層４とコーティング層５を有する。 - 特許庁
  • For manufacturing, the base layer 1 is jointed with the first sealing layer 2, and then the base layer 1 is jointed with the second sealing layer 3 in the atmosphere of gas 9.
    製造時には、基層１と第１密閉層２とを接合した後、ガス９の雰囲気下で基層１と第２密閉層３とを接合し、ガス９がチャンバ５内に充填される。 - 特許庁
  • A plurality of vias can be formed in layers from the metal reflecting layer and the transparent conductive layer, and the second conductivity-type layer, to the doped substrate layer.
    複数のバイアは、金属反射層及び透明導電層、並びに第２導電型層、ドープされた基板層に至るまでの層内に形成することが可能である。 - 特許庁
  • The first recording layer 6 and the second recording layer 8 are magneto-statically coupled to the non-magnetic layer 7 and it is prevented that the magnetization of whole of the recording layer becomes larger than needed.
    非磁性層７により第１記録層６と第２記録層８は静磁結合し、記録層全体の磁化が必要以上に大きくなることが防止される。 - 特許庁
  • The second FLR layer 5 is provided on the first primary surface of the first semiconductor layer 2, spaced apart from the first FLR layer 4 so as to surround the first FLR layer 4.
    第２のＦＬＲ層５は、第１の半導体層１の第１の主面に第１のＦＬＲ層４と離間して第１のＦＬＲ層４を取り囲むように設けられる。 - 特許庁
  • In this process, the calcinated layer 30 including a non-sintered dielectric ceramic layer 22 is arranged so as to be sandwiched between a first constrain layer 12 and a second constrain layer 42.
    この工程では、未焼結誘電体セラミック層２２を含む被焼成層３０を、第１拘束層１２と第２拘束層４２との間に挟み込むようにして配置する。 - 特許庁
  • A conductive layer is formed on the insulating layer 21 and the hole for a via-hole 16, and the conductive layer is patterned to form the second wiring layer and a via-hole 17.
    さらに、この絶縁層２１上及びバイアホール用孔１６に導体層を形成し、パターニング処理して第２配線層１８及びバイアホール１７を形成する。 - 特許庁
  • The device further includes a protective layer covering the resistance variable material layer within the trench, and a second insulating layer located within the trench and covering the protective layer within the trench.
    前記素子は、前記トレンチの内の可変抵抗物質膜を覆う保護膜、及び前記トレンチの内に位置し、前記トレンチの内の保護膜を覆う第２絶縁膜をさらに含む。 - 特許庁
  • The external sides of a first wiring layer 106a and a second wiring layer 106b are each covered with a fluorocarbon resin layer 105a and a fluorocarbon resin layer 105b.
    第１配線層１０６ａおよび第２配線層１０６ｂの外面側が、それぞれフッ素樹脂層１０５ａおよびフッ素樹脂層１０５ｂによって覆われている。 - 特許庁
  • A first conductive layer (signal layer) and a second conductive layer (protecting plane layer) are integrated on the substrate and arranged between the first substrate and common electrode.
    第１の導電層（信号層）及び第２の導電層７３（保護プレーン層）が、第１の基板上に一体化され、第１の基板と共通電極間に配置される。 - 特許庁
  • The contact conductive layer 110 is provided above the first plug conductive layer 30 and includes a first contact conductive layer 40 and a second contact conductive layer 60.
    コンタクト導電層１１０は、第１プラグ導電層３０の上方に設置され、かつ、第１コンタクト導電層４０および第２コンタクト導電層６０を含む。 - 特許庁
  • The dielectric layer 32 of the PDP 1 is composed of a first dielectric layer 32A and a second dielectric layer 32B formed on the first dielectric layer 32A.
    ＰＤＰ１の誘電体層３２を第１誘電体層３２Ａと、第１誘電体層３２Ａ上に形成された第２誘電体層３２Ｂとで構成している。 - 特許庁
  • The bonding layer includes a first bonding layer 16a provided on the side of the InAlGaN element layer and a second bonding layer 16b provided on the side of the host substrate 12.
    ボンディング層は、ＩｎＡｌＧａＮ素子層側に設けられる第１のボンディング層（１６ａ）と、ホスト基板（１２）側に設けられる第２のボンディング層（１６ｂ）とを含む。 - 特許庁
  • Subsequently, the first layer is selectively oxidized while the oxidation speed of the second layer and the third layer is smaller than that of the first layer.
    次に、前記第２の層および前記第３の層の酸化速度を前記第１の層よりも酸化速度よりも小さくしながら、前記第１の層を選択的に酸化する。 - 特許庁
  • The average In composition ratio of a pair of high band-gap energy layer and a low band-gap energy layer is higher on the second semiconductor layer side than on the first semiconductor layer side.
    高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。 - 特許庁
  • The semiconductor integrated circuit device has a wiring layer having a three-layered structure of a first common wiring layer 101a, a customized layer 102, and a second common wiring layer 101b.
    半導体集積回路装置は、配線層を下から第１の共通配線層１０１ａ、カスタマイズ層１０２、第２の共通配線層１０１ｂの３層構造とした。 - 特許庁
  • The organic photoelectric conversion layer 23 is made of Quinacridone, the first electron blocking layer is made of SnO, and the second electron blocking layer 25 is formed of an SiO-TiO_2 alloy layer.
    有機光電変換層２３は、キナクリドンからなり、第１の電子ブロック層はＳｎＯからなり、第２の電子ブロック層２５は、ＳｉＯ−ＴｉＯ_2合金膜からなる。 - 特許庁
  • The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate or a conductive layer (first conductive layer) 101, a second conductive layer 107, a catalyst layer 106 and a conductor 104.
    半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。 - 特許庁
  • A color filter layer is formed on the passivation layer and a first thickness of the color filter layer in the reflection region is smaller than a second thickness of the color filter layer in the transmission region.
    カラーフィルター層は、パッシベーション層上に形成され、反射領域のカラーフィルター層の第一厚さは、透過領域のカラーフィルター層の第二厚さより小さい。 - 特許庁
  • A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.
    ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁
  • On the second conductor layer 20 is provided a third nitrogen-containing conductor layer 30 composed of the same transition metal silicide layer as the transition metal silicide layer.
    第２導電体層２０の上に、遷移金属シリサイド層と同一の遷移金属シリサイド層からなり、窒素を含む第３導電体層３０が設けられている。 - 特許庁
  • The semiconductor optical element 1 includes a first n-type semiconductor layer 13, the active layer 15, a p-type semiconductor layer 17, and a second n-type semiconductor layer 19.
    半導体光素子１は、第１のｎ型半導体層１３と、活性層１５と、ｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１９とを備える。 - 特許庁
  • The ceramic package 10 for a light-emitting device is provided with a ceramic substrate 11, a metallized layer 42, a first nickel layer 43, a second nickel layer 44, a reflection metal layer 45, etc.
    本発明の発光素子用セラミックパッケージ１０は、セラミック基板１１、メタライズ層４２、第１ニッケル層４３、第２ニッケル層４４、反射金属層４５などを備える。 - 特許庁
  • The permeable reaction wall 1, which includes a first reaction layer 11 as an upstream reaction layer and a second reaction layer 12 as a downstream reaction layer 12, is embedded in the ground.
    上流反応層としての第１反応層１１および下流反応層としての第２反応層１２を含む透過反応壁１を地中に埋設する。 - 特許庁
  • A first titanium oxide layer 3, a half mirror layer 4, a second titanium oxide layer 5 and a defogging coat layer 4 are laminated in order on the light source-side surface of a resin-made lens 2.
    樹脂製のレンズ2の光源側の表面に、第１の酸化チタン層3、ハーフミラー層4、第２の酸化チタン層5および防曇コート層6が順に積層されている。 - 特許庁
  • The dielectric multilayer film 18 includes a first layer being in contact with the pixel electrodes 16 and a second layer which has a higher refractive index than the first layer and is in contact with the first layer.
    誘電体多層膜１８は、画素電極１６に接する第１の層と、第１の層より屈折率が高く第１の層に接する第２の層とを含む。 - 特許庁
  • The second getter layer 22 is formed in an intermediate layer between the first getter layer 16 and the overflow barrier layer 15, and arranged on the boundaries of image sensing pixels (photosensor 1).
    第２のゲッタ層２２は、第１のゲッタ層１６とオーバフローバリア１５の中間層に形成されており、各撮像画素（各フォトセンサ部１）の境界部に配置されている。 - 特許庁
  • The layer 12 is provided with a first UV curing resin layer 12A, a second UV curing resin layer 12B in the direction apart from the glass fiber 11, and a coloring layer 12C.
    紫外線硬化型樹脂層12は、ガラスファイバ11から離れる方向に、第一紫外線硬化型樹脂層12Aと第二紫外線硬化型樹脂層12Bと着色層12Cとを設けてなる。 - 特許庁
  • The spacer layer 54 has a nonmagnetic metal layer 541, a first oxide semiconductor layer 542, and a second oxide semiconductor layer 543 that are laminated in this order.
    スペーサ層５４は、順に積層された非磁性金属層５４１、第１の酸化物半導体層５４２および第２の酸化物半導体層５４３を有している。 - 特許庁
  • The electrolyte layer comprises a first electrolyte layer for jointing to one of the two electrodes and a second electrolyte layer jointed to the first electrolyte layer.
    この電解質層は、２つの電極のいずれか一方に接合されるための第１の電解質層と、第１の電解質層に接合された第２の電解質層とを備える。 - 特許庁
  • A multilayer printed-wiring board P has a first wiring layer LS1 and a second wiring layer LS2 and a grounding layer LG and a power supply layer LP arranged between both wiring layers.
    多層プリント配線板Ｐは、第１配線層ＬS1および第２配線層ＬS2と、両配線層間に配置されるグランド層ＬGおよび電源層ＬPとを具備する。 - 特許庁
  • A third semiconductor layer 21 made of a material smaller in etching rate than the control layer 15 is formed between the control layer 15 and the second semiconductor layer 14.
    コントロール層１５と第２の半導体層１４との間には、コントロール層１５と比べてエッチングレートが小さい材料からなる第３の半導体層２１が形成されている。 - 特許庁
  • The electromagnetic wave absorption panel 10 is constituted by stacking a first dielectric layer 12, a second dielectric layer 14, a third dielectric layer 16, and an electromagnetic wave reflection layer 20.
    第１誘電体層１２、第２誘電体層１４、第３誘電体層１６および電磁波反射層２０を積層して電磁波吸収パネル１０を構成する。 - 特許庁
  • The resin layer 20 includes a first layer 22 made of a thermoplastic resin, and a second layer 24 made of a thermosetting resin interposed between the first layer 22 and the wiring 30.
    樹脂層２０は、熱可塑性樹脂からなる第１の層２２と、第１の層２２と配線３０の間に介在する熱硬化性樹脂からなる第２の層２４と、を含む。 - 特許庁
  • A second layer 52 is laminated on the first layer while one main part of the first layer 51 is exposed so that one end surface 521 may be aligned to one end surface 511 of the first layer 51.
    第２層５２は、一端面５２１が第１層５１の一端面５１１に揃うようにして第１層５１の主面を一部露呈して第１層上に積層される。 - 特許庁
  • The multi-layer 10 has a first multi-layer portion 10a composed of a non-magnetic layer A1 and a second multi-layer portion 10b composed of non-magnetic layers A2-A12.
    積層体１０は、非磁性体層Ａ１からなる第１の積層部１０ａと、非磁性体層Ａ２〜Ａ１２からなる第２の積層部１０ｂとを有している。 - 特許庁
  • The polarizing plate with the optical compensating layer comprises a polarizer, a first optical compensating layer, a second optical compensating layer and a third optical compensating layer arranged in this order.
    本発明の光学補償層付偏光板は、偏光子と、第１の光学補償層と、第２の光学補償層と、第３の光学補償層とをこの順に有する。 - 特許庁
  • A first dielectric material layer 5, a magneto-optical recording reproducing layer 6 and a second dielectric material layer 7 are successively laminated on the heat diffusion layer 4 to form a magneto-optical disk 1.
    熱拡散層４上に、第１の誘電体層５、光磁気記録再生層６および第２の誘電体層７を順次積層して、光磁気ディスク１を製造する。 - 特許庁
  • The electromagnetic-wave absorber has a first transparent resin layer 1, a resistance film layer 2, a second transparent resin film layer 3, and a conductive film layer 4 in this order from a front-surface side A of an electromagnetic-wave incident surface side.
    電波入射面側である表て面側Ａから、第一透明樹脂層１と、抵抗膜層２と、第二透明樹脂層３と、導電膜層４と、を備える。 - 特許庁
  • At least the barrier layer included in the first quantum well active layer, the first guide layer, and the second guide layer have an Al molar ratio of more than 0.47 and 0.60 or less.
    少なくとも第１量子井戸活性層を構成するバリア層、第１ガイド層及び第２ガイド層の各々のＡｌ組成は、０．４７よりも大きく且つ０．６０以下である。 - 特許庁
  • The vibrating plate and the first end of the second electrode are in contact and at least a part of the second end of the piezoelectric material layer interposes between the fixed plate and the second end of the second electrode.
    振動板と第２電極の第１端部とが接し、固定板と第２電極の第２端部との間に圧電体層の第２端部の少なくとも一部が介在する。 - 特許庁
  • A P-type second semiconductor layer 13 is formed on an inner surface of the second recess part 51a so as to generate a third recess part 52a being smaller than the second recess part 51a; and has a second impurity concentration.
    Ｐ型第２半導体層１３は第２凹部５１ａの内面にそれより小さい第３凹部５２ｃを生じるように形成され、第２不純物濃度を有する。 - 特許庁
  • A second transparent electrode is formed on a second substrate so as to be opposite to the first transparent electrode, and a second alignment layer is formed on the second transparent electrode.
    第１の透明電極に対向するように第２の基板に第２の透明電極が形成され、この第２の透明電極上に第２の配向膜が形成されている。 - 特許庁
  • The second catalyst layer 4 is formed of a second carrier composed mainly of a ZrO_2-CeO_2composite oxide as a second porous oxide and Rh carried by the second carrier.
    第２触媒層４は、第２多孔質酸化物としてのＺｒＯ_２−ＣｅＯ_２複合酸化物を主体とする第２担体と、第２担体に担持されたＲｈとからなる。 - 特許庁
  • One of the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the first intermediate layer and the magnetization direction of the first pinned layer, and the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the second intermediate layer and the second pinned layer is parallel relation and the other is antiparallel relation.
    記憶層の第１中間層と面する膜の磁化方向と第１固着層の磁化方向との関係と、記憶層の第２中間層と面する膜の磁化方向と第２固着層との磁化方向との関係と、の一方が平行で他方が反平行となる。 - 特許庁
  • As a recording layer with a thickness of 2-4 nm, a first reaction layer the main component of which is Si, a second reaction layer the main component of which is Cu, and a barrier layer the constitutent of which comprises an element which does not form an alloy with Si and Cu and are provided between the first reaction layer and the second reaction layer.
    記録層として、主成分がＳｉである第１反応層、主成分がＣｕである第２反応層および第１反応層と第２反応層の間に構成元素がＳｉ及びＣｕと合金を形成しない元素からなる厚み２ｎｍ以上４ｎｍ以下のバリア層を設ける。 - 特許庁
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