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＜前へ 1 2 .... 54 55 56 57 58 59 60 61 62 .... 429 430 次へ＞- A germanium light receiver is equipped with at least: a first germanium layer 102 formed on a silicon layer 101; a second germanium layer 103 formed on the first germanium layer 102; and a silicon cap layer 104 formed on the second germanium layer 103 while covering the top surface thereof.
シリコン層１０１の上に形成された第１ゲルマニウム層１０２と、第１ゲルマニウム層１０２の上に形成された第２ゲルマニウム層１０３と、第２ゲルマニウム層１０３の上に第２ゲルマニウム層１０３の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層１０４とを少なくとも備える。 - 特許庁 - The electronic element has a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, wherein the first semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a copper oxide, and the second semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a rare earth iron oxide.
第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子において、第１の半導体層を、酸化銅で形成した酸化物半導体層とし、第２の半導体層を、希土類鉄酸化物で形成した酸化物半導体層とする。 - 特許庁 - The touch screen comprises a transparent multi-layer composition including: (a) a first conductive layer containing an intrinsically conductive polymer and film forming binder; (b) a second conductive layer; and (c) a spacer element separating the first conductive layer and second conductive layer, wherein the first conductive layer further includes an actinic radiation absorbing compound.
(a)真性伝導性ポリマーと皮膜形成性バインダーとを含有する第１導電層、(b)第２導電層、及び(c)該第１導電層と該第２導電層を隔離するスペーサ要素を含んで成り、さらに該第１導電層が化学線吸収化合物を含むことを特徴とする透明多層体。 - 特許庁 - In a treatment chamber, a first layer surrounding a substrate 1 is formed inside a first layer cover 11 and a lower external cup 5; and a second layer is formed between the first layer cover 11 and the lower external cup 5, and between the first layer cover 11 and a second cover 12 outside the first layer.
処理室内において、第１層カバー１１及び下外カップ５の内側には基板１を取り囲む第１の層が形成され、第１の層の外側には第１層カバー１１及び下外カップ５と第２層カバー１２との間に第２の層が形成されている。 - 特許庁 - According to an embodiment, a semiconductor light-emitting device comprises an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, a light-emitting portion provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a multi-layer structure provided between the first semiconductor layer and the light-emitting portion.
実施形態によれば、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、第１半導体層と発光部との間に設けられた多層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - The soldering materials 4 have the first metal layer 6 and the second metal layer 5 which have different compositions, the first metal layer is formed into a shape having an axial property drawn in the uniaxial direction, and the first metal layer is coated with the second metal layer so as to surround the axis of the first metal layer.
これらのハンダ材４は、互いに組成の異なる第１の金属層６と第２の金属層５とを有し、第１の金属層は一軸方向に延伸した軸性を有する形状で、第２の金属層は第１の金属層の軸を包囲するように第１の金属層を被覆する。 - 特許庁 - The two dimensional hole gas layer is generated in an interfacial region between the first semiconductor layer 14 and the second semiconductor layer 15 of the second semiconductor layer 15, and a base electrode 19 selectively formed so as to contact with a part of the base layer is in ohmic contact with the two dimensional hole gas layer.
第２の半導体層１５における第１の半導体層１５と第２の半導体層１４との界面領域には、２次元正孔ガス層が発生し、ベース層の一部と接するように選択的に形成されたベース電極１９は、２次元正孔ガス層とオーミック接続している。 - 特許庁 - The embedding resin layer 12 has a structure layer 12a (first layer) filling the concave portions 111 and having a first volume and a flat layer 12b (second layer) formed on the structure layer 12a with such a thickness as to have a second volume being ≥5% of the first volume.
包埋樹脂層１２は、凹部１１１を充填し第１の体積を有する構造層１２ａ（第１の層）と、上記第１の体積の５％以上である第２の体積を有する厚みで構造層１２ａの上に形成された平坦層１２ｂ（第２の層）とを含む。 - 特許庁 - The composite layer includes a liquid absorbable layer 13, a first unabsorbable layer with perforation lines 7a, 7b, 7c stuck on the top face of the layer 13 through the first adhesive agent 12 and a second unabsorbable layer stuck on the bottom face of the layer 13 through a second adhesive.
複合層は、吸液性層１３と、第１接着剤１２を介して吸液性層１３の上面に貼り合わされた、ミシン目７ａ、７ｂ及び７ｃを有する第１非吸液性層と、第２接着剤を介して吸液性層１３の下面に貼り合わされた第２非吸液性層とからなる。 - 特許庁 - The first metal layer 602 and the second metal layer or the insulation layer 603 are patterned, by using a mask pattern in which the position of the mask pattern to pattern the first metal layer 602 and the second metal layer or the insulation layer 603 is shifted to the position 614 of the gap.
第一の金属層６０２と第二の金属層又は絶縁層６０３をパターニングするためのマスクパターンの位置がギャップの位置６１４に対してずれたマスクパターンを用いて、第一の金属層６０２と第二の金属層又は絶縁層６０３をパターニングされる。 - 特許庁 - In the printed material 5, the thickness of the light shielding layer 532 is unequal according to the unevenness of first image layer 52, whereby the plane of the intermediate layer 53 which comes into contact with the second image layer 54 is flat and the unevenness of the first image layer 52 is prevented in the second image layer 54.
印刷物５では、遮光層５３２の厚さが第１画像層５２の凹凸に合わせて不均一であることにより、中間層５３の第２画像層５４に接する面が平らであり、第１画像層５２の凹凸が第２画像層５４に現れることが防止または抑制される。 - 特許庁 - The information recording medium includes: a substrate 2, a recording layer 8, a first backing layer 3 formed of a soft magnetic material; and a second backing layer 4 whose compensation temperature is signal reproduction temperature, and the first backing layer 3, the second backing layer 4 and the recording layer 8 are layered in this order on the substrate 2.
基板２と記録層８と軟磁性体より形成される第１の裏打ち層３と補償温度が信号再生温度である第２の裏打ち層４とを、基板２上に第１の裏打ち層３、第２の裏打ち層４、記録層８の順に積層して設ける。 - 特許庁 - The discriminating fine pieces for discriminating the forged paper may visually be checked through the surface layer pieces or the discriminating fine pieces for discriminating the forged paper mixed in the second layer pieces or the middle layer pieces may visually be checked by releasing paper pieces of the layer which is upper than the second layer or the middle layer.
偽造紙識別用の識別細片は、表層片を通して視認可能とされていてもよく、あるいは、第２層片又は中層片に混抄されている偽造紙識別用の識別細片が、それより上層の紙片を剥離させることにより視認可能となるようにされていてもよい。 - 特許庁 - A non-adhesive layer 11 and an intermediate rubber layer 12 are arranged in order between a second inside carcass layer 8 and a buffer layer 9, and an interface between the non-adhesive layer 11 and the second inside carcass layer 8 is made to communicate with a leakage detecting means 3 disposed at a hose axial end.
第２内側カーカス層８とバッファ層９との間に非接着層１１と中間ゴム層１２とを順に配置すると共に、非接着層１１と第２内側カーカス層８との界面をホース軸方向端部に設置された漏洩検知手段３に連通させる。 - 特許庁 - The positive electrode member includes a first active material layer 2A having a positive electrode active material, a second active material layer 2B having a positive electrode active material and disposed to face the first active material layer 2A, and a positive electrode current collecting layer 1 disposed between the first active material layer 2A and the second active material layer 2B.
正極活物質を有する第１活物質層２Ａと、正極活物質を有し、第１活物質層２Ａに対向して配置される第２活物質層２Ｂと、第１活物質層２Ａと第２活物質層２Ｂとの間に配置される正極集電層１とを備える。 - 特許庁 - A thermal transfer film is provided with a base 2, a first bonding layer 3 formed on one face of the base 2, a dye layer 4 formed on the first bonding layer 3, a second bonding layer 5 formed on the other face of the base 2 and a back coat layer 6 formed on the second bonding layer 5.
基材と、上記基材の一方の面上に形成された第１の接着層と、上記第１の接着層上に形成された染料層と、上記基材の他方の面上に形成された第２の接着層と、上記第２の接着層上に形成されたバックコート層とを備える。 - 特許庁 - Since the pile 31 of the first flocked layer 3 and the pile 51 of the second flocked layer 5 have the same or similar color, even when the pile 51 of the second flocked layer 5 protrudes from the adhesive layer 4 applied onto the first flocked layer 3 and adheres onto the first flocked layer 3, neither conspicuousness nor color mixing occurs.
第１の植毛層３のパイル３１と第２の植毛層５のパイル５１とは同色又は類似色であるから、第１の植毛層３上に塗布した接着剤４層を第２の植毛層５のパイル５１がはみ出して付着しても目立たず色混じりが起こらない。 - 特許庁 - A structure of a contact layer possessed by a nitride semiconductor laser is made a double layer structure (p-InGaN first contact layer and a p-GaN second contact layer), and a lattice constant of the p-GaN second contact layer is made smaller than that of the p-InGaN first contact layer.
本発明に係る窒化物半導体レーザが有するコンタクト層の構造を２層構造（ｐ−ＩｎＧａＮ第１コンタクト層およびｐ−ＧａＮ第２コンタクト層）とし、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の格子定数をｐ−ＩｎＧａＮ第１コンタクト層の格子定数よりも小さくする。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element includes: a first layer composed of an n-type nitride semiconductor; and a second layer composed of a p-type nitride semiconductor arranged on the first layer wherein, in a first region of a part of the surface of the first layer, the second layer is removed and the first layer appears.
ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、第１の層の表面の一部の第１の領域において、第２の層が除去されて第１の層が現われている。 - 特許庁 - P-type high resistance burying layers 26 are arranged on the surface layer of the first high resistance drift layer 22 and the base layer of the second high resistance drift layer 23, which are positioned just below a plurality of P type base area 24 arranged on the surface layer of the second high resistance drift layer 23.
第２高抵抗ドリフト層２３の表面層に配置された複数のＰ型ベース領域２４の各直下位置の第１高抵抗ドリフト層２２の表面層および第２高抵抗ドリフト層２３の底面層にＰ−型高抵抗埋め込み層２６が配置されている。 - 特許庁 - The laminated ferromagnetic structure comprises a first ferromagnetic layer (11) positioned above a substrate (1), a second ferromagnetic layer (13) positioned above the first ferromagnetic layer (11), and a first nonmagnetic layer (12) formed between the first ferromagnetic layer (11) and the second ferromagnetic layer (13).
本発明による積層強磁性構造体は、基板（１）の上方に位置する第１強磁性層（１１）と、第１強磁性層（１１）の上方に位置する第２強磁性層（１３）と、第１強磁性層（１１）と第２強磁性層（１３）との間に設けられた第１非磁性層（１２）とを具備している。 - 特許庁 - A semiconductor device 1 comprises: a semiconductor element 3 mounted on a lead frame 2; a first heat transfer layer 4 provided in the semiconductor element 3; a second heat transfer layer 5 connecting with the first heat transfer layer 4; a third heat transfer layer 6 connecting with the second heat transfer layer 5; and a resin layer 7.
半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。 - 特許庁 - A first buried layer 11 and a second buried layer 12 are formed on a semiconductor substrate SB so that the first buried layer 11 and the second buried layer 12 are located in the prescribed range of a border between the semiconductor substrate SB and an epitaxial layer EL, and moreover, an epitaxial layer EL is formed thereon.
第１の埋め込み層１１と第２の埋め込み層１２が半導体基板ＳＢとエピ層ＥＬの境界の所定範囲に存在するように、半導体基板ＳＢの上に第１の埋め込み層１１と第２の埋め込み層１２を形成し、さらにそれら上にエピ層ＥＬを積層形成する。 - 特許庁 - The external base layer is formed with two layers: a first external base layer 7 made of polycrystal silicon germanium and a second external base layer 8 whose etching rate differs from that of the first layer, the shape of the external base layer is subject to patterning and thereafter the second external base layer 8 is selectively removed by etching.
外部ベース層を、多結晶シリコンゲルマニウムからなる第１の外部ベース層７と、第１の層とはエッチングレートの異なる第２の外部ベース層８の２層から形成し、外部ベース部分の形状をパターニング後、第２の外部ベース層８をエッチングにより選択的に除去する。 - 特許庁 - A second layer 58 to fifth layer 64 included in a laminated body 54 are formed from a material having resistance to wet-etching to a first layer 56, and the fifth layer 64 is formed from a material having resistance to each dry-etching when dry etching is applied to each of the second layer 58 to fourth layer 62.
積層体５４に含まれる第２層５８〜第５層６４は、第１層５６に対するウェットエッチングに対しエッチング耐性のある材料から成り、第５層６４は、第２層５８〜第４層６２に対しドライエッチングが行われる場合、各ドライエッチングに対してエッチング耐性のある材料から成る。 - 特許庁 - This air filter is provided with a first filter layer 11, which is impregnated with oil, and a second filter layer 12 as an oil repellent layer having an oil repellent property provided downstream of the first filter layer 11 and a filter material in the first filter layer 11 is provided to be denser than filter material in the second filter layer 12.
油が含浸された第１のフィルタ層１１と、第１のフィルタ層１１よりも下流に設けられ、油をはじく性質を有する撥油層たる第２のフィルタ層１２とを備え、第１のフィルタ層１１のフィルタ材を第２のフィルタ層１２のフィルタ材より密に設ける。 - 特許庁 - In the composite sound-absorbing material of inorganic fiber and organic fiber which has composite three-layer structure has a second layer sandwiched in between first and third layers, the first layer and the third layer comprise PET organic fiber layers, and the second layer is formed of an aluminum fiber layer.
第１層と第３層との間に第２層をサンドイッチ状に挟着した複合三層構造の吸音材であって、第１層および第３層はＰＥＴ有機繊維層からなり、かつ、第２層はアルミニウム繊維層からなる無機繊維と有機繊維の複合吸音材およびその製造方法である。 - 特許庁 - Each unit electrostatic capacity 21 is equipped with a first electrode layer of impurity diffused layer formed inside the silicon substrate, a second electrode layer of conductive polysilicon layer, and a dielectric layer of silicon oxide interposed between the first and second electrode layer.
各単位静電容量部２１は、シリコン基板１０内に形成された不純物拡散層からなる第１の電極層と、導電性ポリシリコン層からなる第２の電極層と、第１の電極層および第２の電極層の間に配置された酸化シリコン層からなる誘電体層とを有する。 - 特許庁 - A first contact layer 103, which is formed in ohmic contact with the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104 and is an oxide layer including zinc, is formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104.
第１の半導体層１０２と第２の半導体層１０４との間には、第１の半導体層１０２及び第２の半導体層１０４のそれぞれとオーミック接触して形成され、且つ亜鉛を含む酸化物層である第１のコンタクト層１０３が形成されている。 - 特許庁 - The magnetic recording head includes: a main magnetic pole; and a spin torque oscillator which has an oscillation layer including a first magnetic layer and a second magnetic layer, and a third magnetic layer that is provided in the second magnetic layer side and injects a spin into the oscillation layer, and is provided adjacent to the main magnetic pole.
実施形態によれば、磁気記録ヘッドは、主磁極と、第１磁性層および第２磁性層を含む発振層と、前記第２磁性層側に設けられ前記発振層にスピンを注入する第３磁性層とを有し、前記主磁極に隣接して設けられたスピントルク発振子とを備える。 - 特許庁 - A first metal layer 31a is formed on a counter insulation layer 22, a second metal layer 32a is formed on the frame body part 14 separated from the silicon wafer of a functional layer and the first metal layer 31a is bonded to the second metal layer 32a by eutectic bonding or diffusion bonding.
対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。 - 特許庁 - A wiring board 1 includes a first glass ceramic layer 11, a second glass ceramic layer 12 laminated on the first glass ceramic layer 11, a conductor pattern 13 formed between the first glass ceramic layer 11 and the second glass ceramic layer 12, and a third glass ceramic layer 14 covering the conductor pattern 13.
配線基板１は、第１ガラスセラミック層１１と、第１ガラスセラミック層１１に積層された第２ガラスセラミック層１２と、第１ガラスセラミック層１１と第２ガラスセラミック層１２との間に形成された導体パターン１３と、導体パターン１３を覆っている第３ガラスセラミック層１４とを含んでいる。 - 特許庁 - In the photoelectric conversion device 10 in which a first electrode layer 2, a power generation layer 5, and a second electrode layer 7 are laminated on the insulating substrate 1; the power generation layer 5 includes an optical reflection layer 4, and the second electrode layer 7 is formed of a silver alloy.
絶縁性基板１上に、第一電極層２と発電層５と第二電極層７とが積層された光電変換装置１０において、前記発電層５内には光の反射層４が含まれており、前記第二電極層７は銀合金で形成されている。 - 特許庁 - The power generation device 1 further comprises: a second pad 24c formed of a part of a portion of the second conductive layer 24 overlapping with a supporting portion 11 in a thickness direction of the device substrate 10; and a second wire 24b formed of a part of the second conductive layer 24 connecting the second electrode 24a and the second pad 24c.
第２導電層２４のうちデバイス基板１０の厚み方向において支持部１１に重なる部分の一部からなる第２パッド２４ｃと、第２導電層２４のうち第２電極２４ａと第２パッド２４ｃとを繋いでいる部分からなる第２配線２４ｂとを備える。 - 特許庁 - The semiconductor laser device is provided with a first conductivity-type GaAs substrate 1, a first clad layer 8 formed of a first conductivity-type AlGaInP, an active layer and a second clad layer 10 formed of second conductivity-type AlGaInP, which are sequentially formed on the GaAs substrate 1, and a second conductivity-type GaAs cap layer 13 formed on the second conductivity-type second clad layer 10.
半導体レーザ装置は、第１導電型ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に順次形成された、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰよりなる第１クラッド層８、活性層および第２導電型ＡｌＧａＩｎＰよりなる第２クラッド層１０と、第２導電型第２クラッド層１０上に形成された第２導電型ＧａＡｓキャップ層１３とを備える。 - 特許庁 - The surface emitting laser for emitting the laser beam in a direction perpendicular to an active layer comprises a substrate, a first mirror formed on the substrate, a first spacer layer formed on the first mirror, the active layer formed on the first spacer layer, a second spacer layer formed on the active layer, a plurality of divided second mirrors formed on the second spacer layer, and a bulk layer formed on the second mirror.
活性層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、基板と、基板の上に形成された第１のミラーと、第１のミラーの上に形成された第１のスペーサ層と、第１のスペーサ層の上に形成された活性層と、活性層の上に形成された第２のスペーサ層と、第２のスペーサ層の上に形成され複数に分割された第２のミラーと、第２のミラーの上に形成されたバルク層とを備える。 - 特許庁 - In the multilayered structure composed of at least three layers of a substrate, a first layer, and a second layer, the first layer is formed of inorganic fine particles, and the second layer is formed of a resin composition containing an inorganic layered compound and a resin, wherein the first layer and the second layer overlie each other adjacently to keep the first layer arranged between the substrate and the second layer.
基材、第１の層および第２の層の少なくとも３層からなる多層構造体において、前記第１の層が無機微粒子から形成される層であり、前記第２の層が無機層状化合物および樹脂を含む樹脂組成物から形成される層であって、かつ前記第１の層と第２の層とが隣接して積層され、前記基材と第２の層との間に第１の層が配されてなることを特徴とする多層構造体。 - 特許庁 - The low temperature co-fired ceramic substrate includes: a first ceramic layer formed of a material having a first dielectric constant; a second ceramic layer formed of a material having a second dielectric constant lower than the first dielectric constant; and a diffusion barrier layer interposed between the first ceramic layer and the second ceramic layer and formed of the first ceramic layer material, the second ceramic layer material, and a barium (Ba) compound.
本発明による低温同時焼成セラミック基板は、第１誘電率を有する物質からなる第１セラミック層と、上記第１誘電率より低い第２誘電率を有する物質からなる第２セラミック層と、上記第１セラミック層と第２セラミック層の間に介在し、上記第１セラミック層物質、上記第２セラミック層物質及びバリウム（Ｂａ）化合物からなる拡散防止層を含む。 - 特許庁 - To suppress reduction of power loss in a photovoltaic element comprising a transparent electrode layer, a photovoltaic conversion layer, a first rear surface electrode layer, an insulation layer, and a second rear surface electrode layer formed from the light incident side wherein the transparent electrode layer has an electric continuity with the second rear surface electrode layer through holes.
光入射側から、少なくとも透明電極層、光電変換層、第一の裏面電極層、絶縁層、第二の裏面電極層を有し、透明電極層と第二の裏面電極層が貫通孔を介して電気的に導通された光起電力素子における電力損失の低減を抑制する。 - 特許庁 - In the optical recording medium including: at least a first protective layer; a recording layer containing Sb as a main component; a second protective layer; and a reflective layer when viewed from the side on which light for recording and reproduction is made incident, the first protective layer and/or the second protective layer in contact with the recording layer, is formed of a crystalline oxide (1).
（１）記録再生のための光が入射される側からみて、少なくとも第一保護層、Ｓｂを主成分とする記録層、第二保護層、反射層を有する光記録媒体において、記録層と接する第一保護層及び／又は第二保護層が結晶性の酸化物からなる光記録媒体。 - 特許庁 - A charge transport layer of an electrophotographic photoreceptor is composed of a first charge transport layer and a second charge transport layer, an enamine compound is incorporated into the first charge transport layer stacked on a charge generating layer, and a styryl-based compound is incorporated into the second charge transport layer stacked on the first charge transport layer.
電子写真感光体の電荷輸送層を第１電荷輸送層および第２電荷輸送層の二層で構成し、電荷発生層に積層される第１電荷輸送層にエナミン化合物を含有させ、第１電荷輸送層にさらに積層される第２電荷輸送層にスチリル系化合物を含有させる。 - 特許庁 - In the capacitor layer forming material for printed wiring board provided with a dielectric layer 3 between a first conductive layer 2 used for forming an upper electrode and a second conductive layer 4 used for forming a lower electrode, the second conductive layer 4 is composed of a nickel layer or nickel alloy layer.
上部電極形成に用いる第１導電層2と下部電極形成に用いる第２導電層4との間に誘電層3を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層4はニッケル層又はニッケル合金層であることを特徴としたキャパシタ層形成材を採用する。 - 特許庁 - The magnetoresistive effect element includes a first magnetic layer 14; a tunnel barrier layer 16 provided on the first magnetic layer; a second magnetic layer 18a provided on the tunnel barrier layer and containing CoFe; and a nonmagnetic layer 19, provided on the second magnetic layer and containing nitrogen and at least one element selected from the group consisting of B, Ta, Zr, Al, and Ce.
第１磁性層１４と、第１磁性層上に設けられたトンネルバリア層１６と、トンネルバリア層上に設けられＣｏＦｅを含む第２磁性層１８ａと、第２磁性層上に設けられ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｅのうちの少なくとも１つの元素および窒素を含む非磁性層１９と、を備えている。 - 特許庁 - The single-crystal diamond tool includes: a base metal 10; a first brazing-material layer 41 provided on the base metal 10; a metal layer 30 provided on the first brazing-material layer 41; a second brazing-material layer 42 provided on the metal layer 30; and a single-crystal diamond layer 20 provided on the second brazing-material layer 42.
単結晶ダイヤモンド工具は、台金１０と、台金１０上に設けられる第一ロウ材層４１と、第一ロウ材層４１上に設けられる金属層３０と、金属層３０上に設けられる第二ロウ材層４２と、第二ロウ材層４２上に設けられる単結晶ダイヤモンド層２０とを備える。 - 特許庁 - The superconducting cable 100 includes a first superconducting layer (a superconductor layer 12) composed of a first superconducting wire; an insulating layer 13 formed on the outside of the first superconducting layer; and a second superconducting layer (a superconducting shield layer 14) composed of a second superconducting wire on the outside of the insulating layer.
本発明超電導ケーブル100は、第一超電導線材で構成される第一超電導層（超電導導体層12）と、この第一超電導層の外側に形成される絶縁層13と、絶縁層の外側に第二超電導線材で構成される第二超電導層（超電導シールド層14）とを有する。 - 特許庁 - The device is provided with an active layer 105, a first conductive type first clad layer 103 and a second conductive type second clad layer 107 which are disposed so as to sandwich the layer 105, and a current blocking layer 111, which is disposed on a side opposite to the layer 105 with respect to the layer 107.
活性層１０５と、活性層１０５を挟むように配置された第１の導電型の第１のクラッド層１０３および第２の導電型の第２のクラッド層１０７と、第２のクラッド層１０７に対して活性層１０５とは反対側に配置された電流ブロック層１１１とを備える。 - 特許庁 - The wiring board 10 includes a first conductor layer 1f as a surface layer including a plurality of external connection pads 5 and a second conductor layer 1d as an internal layer including signal wiring 1S such that the first conductor layer 1f and second conductor layer 1d face each other with a plurality of inter-layer insulating layers 2d and 2e interposed therebetween.
複数の外部接続パッド５を含む表層の第１の導体層１ｆと、信号配線１Ｓを含む内層の第２の導体層１ｄとが、第１の導体層１ｆと第２の導体層１ｄとの間に複数の層間絶縁層２ｄ，２ｅを挟んで対面するように配設されている配線基板１０である。 - 特許庁 - A laminated film 10 is prepared by laminating a first layer 11 to be a clad, a second layer 12 having a refractive index larger than that of the first layer 11 and to be a core on the first layer 11, and a third layer 13 made of the same material as the first layer 11 and provided on the second layer 12.
クラッドとなる第１の層１１、この第１の層１１上に第１の層１１より大きな屈折率を有してコアとなる第２の層１２、この第２の層１２上に設けられると共に第１の層１１と同じ材料からなる第３の層１３を積層した積層フィルム１０を用意する。 - 特許庁 - The semiconductor layer has a hetero structure that a first layer (SiGe layer 14) containing at least Si and Ge, and a second layer (Si layers 13, 16) having a composition different from the first layer and containing at least an Si are laminated in such a manner that a carbon exists in the interface region between the first layer and the second layer.
半導体層は、少なくともＳｉおよびＧｅを含む第１層（ＳｉＧｅ層１４）と、前記第１層と異なる組成を有し、かつ少なくともＳｉを含む第２層（Ｓｉ層１３，１６）と、が積層されたヘテロ構造を有し、前記第１層と前記第２層との界面領域に炭素が存在する。 - 特許庁 - A third internal metal layer 47, a second metal layer 48 and a fourth internal metal layer 49 are successively vapor-deposited on the entire top portion of the IMD oxide film, having the contact plug formed thereon, thereby forming the upper metal layer including the third internal metal layer, the second metal layer and the fourth internal metal layer.
前記コンタクトプラグの形成された前記ＩＭＤ酸化膜の上部全体に、第３内部金属層４７、第２金属層４８、および第４内部金属層４９を順次蒸着し、前記第３内部金属層、前記第２金属層、および前記第４内部金属層を含む上部金属層を形成する。 - 特許庁
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