「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 57 58 59 60 61 62 63 64 65 .... 429 430 次へ＞- The second fiber layer 22 on a compression side and the second fiber layer 23 on a tension side have tensile elastic modulus E_2 smaller than the tensile elastic modulus E_1.
圧縮側第２繊維層２２および引張側第２繊維層２３は、引張弾性率Ｅ_１よりも小さな引張弾性率Ｅ_２を有している。 - 特許庁 - Moreover, the core is constituted independently from both of the first magnetic core which consists of both of the above first layer group, and the second magnetic core which consists of the above second layer group.
また、上記第１の層群から成る第１の鉄心と、上記第２の層群から成る第２の鉄心との両方を備えた構成とする。 - 特許庁 - An insulating resin layer functioning as a second adhesive layer 10 is filled between the first semiconductor element 5 and the second semiconductor element 9.
第１の半導体素子５と第２の半導体素子９との間には、第２の接着層１０として機能する絶縁性樹脂層が充填されている。 - 特許庁 - The second signal electrode layer 22 is connected to the first signal terminal 11 and opposes the ground electrode layer 31 so as to construct a second capacitor C12.
第２の信号電極層２２は、第１の信号端子１１に接続され、グランド電極層３１と対向して第２のコンデンサＣ１２を構成する。 - 特許庁 - The same pattern is formed by lithography in the first polymer or first polymer composition layer and in the second polymer or second polymer composition layer.
続いてリソグラフィーにより第１のポリマー或いは第１のポリマー組成物層及び第２のポリマー或いは第２のポリマー組成物層に同じパターンを形成する。 - 特許庁 - A semiconductor substrate layer having a first portion and a second portion is used, and the second portion of this semiconductor substrate layer has a thickness thinner than that of the first portion.
第１部分と第２部分とを有する半導体基板層が使用され、この半導体基板層の第２部分は、第１部分よりも厚さが薄い。 - 特許庁 - With this configuration, carriers generated in the first or second layer can avoid the periphery of an optical reception surface, and can move between the electrodes via the second layer.
この構成によって、第一層または第二層に発生したキャリアは、受光面付近を回避し第二層を経由して電極間を移動することができる。 - 特許庁 - A second metal coating layer formed of a second metal different from silver and the first metal is formed on the outside surface of the first metal coating layer.
そして、銀および第１の金属と異なる第２の金属からなる第２金属被覆層を第１金属被覆層の外表面に形成する。 - 特許庁 - Among the layers, the area of the second surface of the second transparent electroconductive layer is smaller than that of the first transparent electroconductive layer.
そのうち第二の透光性導電層の第二の表面の面積は、第一の透光性導電層の第一の表面の面積より小さい。 - 特許庁 - The drain wiring has a first drain electrode part, formed on the first active layer and a second drain electrode part, formed on the second active layer.
ドレイン配線は、第１アクティブ層上に形成された第１ドレイン電極部及び第２アクティブ層上に形成された第２ドレイン電極部を有する。 - 特許庁 - An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.
第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。 - 特許庁 - Since diffusion does not advance to the second piezoelectric layer 3B far from the diaphragm 2, the optimum composition is maintained in the second piezoelectric layer 3B.
一方、振動板２から遠い第２の圧電層３Ｂまでは拡散が進行しないため、この第２の圧電層３Ｂについては最適組成が維持される。 - 特許庁 - The electronic module also includes a second wiring layer (7) inside the dielectric (5).
電子モジュールはまた、誘電体（５）の内部に第２の配線層（７）を備える。 - 特許庁 - First resin forming the first resin layer 7 contains metal particles at a lower rate than second resin forming the second resin layer 8.
第一の樹脂層７を形成する第一の樹脂は、第二の樹脂層８を形成する第二の樹脂よりも金属粒子の含有率が低くなっている。 - 特許庁 - The second region includes third metal wiring having a film thickness across from the first wiring layer to the second wiring layer and having a predetermined third width.
第２の領域は、第１配線層から第２配線層へと亘る膜厚を有し、所定の第３の幅を有する第３の金属配線を有する。 - 特許庁 - The wiring layer 60 includes each second connecting part 62 and each wiring part 64.
配線層６０は、第２の接続部６２および配線部６４を含む。 - 特許庁 - The first and second external electrodes 5 and 6 each have a plated layer.
第一及び第二外部電極５，６は、それぞれめっき層を有している。 - 特許庁 - The second mask defines an island of a semiconductor on a gate insulating layer 330.
第２マスクは、ゲート絶縁層３３０上に半導体の島を定義する。 - 特許庁 - The second optical compensation layer is disposed between the first optical compensation layer and the second polarizer, with its index ellipsoid showing nx=ny>nz.
第２の光学補償層は、第１の光学補償層と該第２の偏光子との間に配置され、その屈折率楕円体は、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚを示す。 - 特許庁 - Moreover, the second layer 96 includes plural interweaved strands 102.
さらに、第２の層（９６）は複数個の織り合わされたストランド（１０２）を含む。 - 特許庁 - The layout editing means 30 corresponds figure information on the first structure to the first layout layer, and figure information on the second structure to the second layout layer.
レイアウト編集手段３０は、第１構造の図形情報を第１レイアウト層に対応づけ、第２構造の図形情報を第２レイアウト層に対応づける。 - 特許庁 - Independent control signals are applied to the second layer gate electrodes 7a, 7b.
第２層目ゲート電極７ａ，７ｂに独立した制御信号を印加する。 - 特許庁 - The electrochromic layer is disposed between the first substrate and the second substrate.
電気変色層は第１基板と第２基板との間に設けられている。 - 特許庁 - The second organic material is then solidified by baking, and a protective layer is formed.
次に、第２の有機材料をベークにより固化して保護層を形成する。 - 特許庁 - A second reflective layer 40 is formed atop the transparent electrode 36.
透明電極３６の上面には、第２反射層４０が形成される。 - 特許庁 - The sealing material 17 is adhered to the light-emitting element 11 and the second layer 12-2 and has a refractive index smaller than that of the second layer 12-2.
封入材料１７は、発光素子１１および第２の層１２−２に付着されていており、第２の層１２−２より屈折率が小さい。 - 特許庁 - A second component is a discontinuous abrasive layer affixed to the flexible substrate.
第２の構成要素は可撓性基材に付けた不連続研磨層である。 - 特許庁 - The synthetic resin molding has a three-layer structure composed of a front surface layer 5 formed of the first synthetic resin composition 2, a back surface layer 6 formed of the second synthetic resin composition 3 and the interlayer layer sheet 1 formed in an interface between the front surface layer 5 and the back surface layer 6 and integrated with the front surface layer 5 and the back surface layer 6.
第１の合成樹脂組成物２よりなる表面層５と、第２の合成樹脂組成物３よりなる裏面層６と、表面層５と裏面層６との界面に設けられて表面層５及び裏面層６と一体となった界面層シート１の３層構造となっている。 - 特許庁 - Each of the well layers has a p-side interface portion including the interface between the well layer and the barrier layer at the second semiconductor layer side as viewed from the well layer, and an n-side interface portion including the interface between the well layer and the barrier layer at the first semiconductor layer side as viewed from the well layer.
前記井戸層は、前記井戸層からみて前記第２半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｐ側界面部分と、前記井戸層からみて前記第１半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｎ側界面部分と、を有する。 - 特許庁 - The yoke part layer 14B comprises a first layer 14B1 coming in contact with the surfaces on the gap layer 9 side of the first magnetic layer 8 and the magnetic pole part layer 14A and a second layer 14B2 coming into contact with the first layer 14B1 and both side surfaces of the rear end surface and the width direction of the magnetic pole part layer 14A.
ヨーク部分層１４Ｂは、第１の磁性層８と磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面とに接する第１層１４Ｂ_1と、第１層１４Ｂ_1と磁極部分層１４Ａの後端面および幅方向の両側面とに接する第２層１４Ｂ_2とを含む。 - 特許庁 - The laminated insulation layer has a first insulation layer, a quantum effect layer provided on the first insulation layer and having a barrier height lower than that of the first insulation layer, and a second insulation layer provided on the quantum effect layer and having a barrier height higher than that of the quantum effect layer.
前記積層絶縁層は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ、前記第１絶縁層よりもバリアハイトが低い量子効果層と、前記量子効果層上に設けられ、前記量子効果層よりもバリアハイトが高い第２絶縁層と、を有する。 - 特許庁 - A card 10 having a concealing layer for concealing a magnetic layer 12 and a fluorescent ink printing layer for preventing forgery is provided with at least a layer constitution wherein the fluorescent ink printing layer 18 is provided on a first concealing layer 14 and a second concealing layer 15 is provided on the fluorescent ink printing layer.
磁気層１２を隠蔽する隠蔽層、偽造防止のための蛍光インキ印刷層を有しているカードにおいて、少なくとも、第１隠蔽層１４上に蛍光インキ印刷層１８、蛍光インキ印刷層上に第２隠蔽層１５を設けた層構成を有するカード１０。 - 特許庁 - The first reflection layer 3 has a layer essentially comprising titanium oxide, the second reflection layer 5 has a layer essentially comprising titanium oxide, the third reflection layer 7 has an alloy layer essentially comprising silver, and the fourth reflection layer 9 has an alloy layer essentially comprising aluminum.
第１の反射層３は酸化チタンを主成分とする層を有し、第２の反射層５は酸化チタンを主成分とする層を有し、第３の反射層７は銀を主成分とする合金からなる層を有し、第４の反射層９はアルミニウムを主成分とする合金からなる層を有する。 - 特許庁 - The composite film is formed of a first layer being an inner protective layer made of a thermoplastic resin material, a second layer of a metal foil layer, a third layer being an inner layer made of a thermoplastic resin material, and a fourth layer being an outer protective layer made of a thermosetting resin material.
複合フイルムは、内面側から一層目の熱可塑性樹脂材料からなる内部保護層と、二層目の金属箔層と、三層目の熱可塑性樹脂材料からなる内部層と、四層目の熱硬化性樹脂材料からなる外部保護層とで形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer and an active layer, has a first p-type semiconductor layer between the n-type semiconductor layer and the active layer, and has a second p-type semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type semiconductor layer when viewed from the active layer.
ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。 - 特許庁 - The conductive layer 40 discharges static electricity, the first retardation layer 41 prevents light reflection by the conductive layer 40, and the second retardation layer 39 prevents a decrease in quantity of light in the first retardation layer 41.
導電層４０で静電気を逃がし、第１位相差層４１で導電層４０での光反射を防止し、第２位相差層３９で第１位相差層４１における光量低下を防止する。 - 特許庁 - Consequently, the conductor layer 60 melts to form an eutectic alloy with a part of the second wiring layer 25 and the conductor layer 60 and also to form an eutectic alloy of the wiring layer 14 and conductor layer 60.
これにより、導体層６０を溶かして第２配線層２５の一部と導体層６０とを共晶合金化させると共に、配線層１４と導体層６０とを共晶合金化させる。 - 特許庁 - A plurality of pixel electrodes 25 are arranged on the liquid crystal layer 13 side of the second low refractive index layer 32, and an array layer 28 is arranged on the side opposite to the liquid crystal layer 13 side of the first low refractive index layer 31.
複数の画素電極２５は、第２低屈折率層３２の液晶層１３側に配置され、アレイ層２８は、第１低屈折率層３１の液晶層１３と反対側に配置されている。 - 特許庁 - The organic EL element 100 is equipped with a hole injection electrode 2, a hole transport layer 3, a light-emitting layer 4, a first electron transport layer 5, a metal layer 6, a second electron transport layer 7, and an electron injection electrode 8.
有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール輸送層３、発光層４、第一電子輸送層５、金属層６、第二電子輸送層７および電子注入電極８を備える。 - 特許庁 - The same plane right-angle bending waveguide 10 comprises a lower clad layer 12, a core layer 13, a first upper clad layer 14, a metal layer 15, and a second upper clad layer 16 on a substrate 11 in this order.
本発明に係る同一面直角曲げ導波路１０は、基板１１上に、順に下部クラッド層１２、コア層１３、第１上部クラッド層１４、メタル層１５、第２上部クラッド層１６を備える。 - 特許庁 - The magnetic capacitor 140 has: a first magnetic layer 142; a dielectric layer 144 formed on the first magnetic layer 142; and a second magnetic layer 146 formed on the dielectric layer 144.
磁器コンデンサ１４０は、第１の磁性層１４２と、第１の磁性層１４２上に形成した誘電体層１４４と、誘電体層１４４上に形成した第２の磁性層１４６とを有する。 - 特許庁 - A first metal compound layer 212 (silicide layer) is formed on a surface of the gate electrode 210, and a second metal compound layer 222 (silicide layer) is formed on a surface of the diffusion layer region 220.
ゲート電極２１０の表面には第１金属化合物層２１２（シリサイド層）が形成されており、拡散層領域２２０の表面には第２金属化合物層２２２（シリサイド層）が形成されている。 - 特許庁 - The cathode side electrode 14 formed on the intermediate layer 18 comprises, for example, a first layer 22a adjacent to the intermediate layer 18, and a second layer 22b adjacent to the first layer 22a.
このような中間層１８上に形成されるカソード側電極１４は、例えば、中間層１８に隣接する第１層２２ａと、該第１層２２ａに隣接する第２層２２ｂとを有する。 - 特許庁 - Each reinforced sheet 4 has a first bonding layer 42, a gas barrier layer 43 formed on the first bonding layer 42, and a second bonding layer 44 formed on the gas barrier layer 43.
また、各補強シート４は、第１の溶着層４２と、第１の溶着層４２上に形成されたガスバリア層４３と、ガスバリア層４３上に形成された第２の溶着層４４とを有している。 - 特許庁 - The photomask 30 is configured by sequentially forming on a substrate 32 a heat dissipation layer 33, a first protective layer 34, a recording layer 35, a second protective layer 36 and a light transmissive layer 37 in the shape of a laminate.
フォトマスク３０は、基板３２上に放熱層３３、第１保護層３４、記録層３５、第２保護層３６、及び光透過層３７を順次積層状に形成することによって構成されている。 - 特許庁 - The stencil mask 10 comprises a first conductive layer 22, a first insulating layer 24 formed on the layer 22, and a second conductive layer 26 formed on the layer 24.
ステンシルマスク１０は、第１導電層２２と、その第１導電層２２上に形成されている第１絶縁層２４と、その第１絶縁層２４上に形成されている第２導電層２６を備えている。 - 特許庁 - The lower metal layer including a first internal metal layer 36, a first metal layer 37 and a second internal metal layer 38 is formed, and contact hole shutdown conductive layer 40 is formed thereon.
第１内部金属層３６、前記第１金属層３７、および前記第２内部金属層３８を含む下部金属層を形成し、その上にコンタクトホール停止導電層４０を形成する。 - 特許庁 - An n-type clad layer 12 (a first conductivity type semiconductor layer), an active layer 14, a p-type clad layer 16 (a second conductivity type semiconductor layer) are stacked in this order on a GaAs substrate 10 (semiconductor substrate).
ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型クラッド層１２（第１導電型半導体層）、活性層１４、ｐ型クラッド層１６（第２導電型半導体層）を順番に積層する。 - 特許庁 - Lattice constant of the multiplication layer 103 in lattice relaxation state is different from those of the first semiconductor layer 102, the field control layer 104, the light absorption layer 105, and the second semiconductor layer 106.
増倍層１０３の格子緩和状態の格子定数は、第１半導体層１０２，電界制御層１０４，光吸収層１０５，および第２半導体層１０６とは異なるものとする。 - 特許庁 - This multipiece solid golf ball 10 is constituted by covering a solid core 12 having an inner layer 16, an intermediate layer 18 composed of a first layer 18a and a second layer 18b and an outer layer 20 with a cover 14.
内層１６、第１層１８ａおよび第２層１８ｂからなる中間層１８、および外層２０を有するソリッドコア１２をカバー１４で被覆してマルチピースソリッドゴルフボール１０を構成する。 - 特許庁
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