「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The wiring board comprises a base 11 formed of ceramic, and a first conductor layer 12a and a second conductor layer 12b.
    セラミックスからなる基体１１と、第１の導体層１２ａおよび第２の導体層１２ｂを有している。 - 特許庁
  • A third insulating layer 43 is formed on the second insulating layer 42 to cover the wiring pattern W2.
    また、第２の絶縁層４２上に配線パターンＷ２を覆うように第３の絶縁層４３が形成される。 - 特許庁
  • The second insulating layer 14 has a property which is hard to be ground rather than the plug 34 and the first insulating layer 12.
    第２の絶縁層１４は、プラグ３４及び第１の絶縁層１２よりも研磨されにくい性質を有する。 - 特許庁
  • The emitter layer 13 is N-type semiconductor region, and the second base layer 14 is a P-type semiconductor region.
    エミッタ層１３は、Ｎ型半導体領域であり、第２のベース層１４は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁
  • An epoxy positive type photosensitive resin is applied on the first layer 10 to form a second layer 11.
    次に、第１の層１０上に、再度エポキシ系のポジ型の感光性樹脂で第２の層１１を形成する。 - 特許庁
  • A portion, formed on the upper surface of the first semiconductor layer 20 of the second semiconductor layer 30, is removed by etching.
    第２半導体層３０のうち第１半導体層２０の上面に形成された部分をエッチング除去する。 - 特許庁
  • These tunnel junction structures are covered with the n-type spacer layer 25 provided on the second spacer layer.
    これらのトンネル接合構造は、第２のスペーサ層上に設けられたｎ型スペーサ層２５によって覆われている。 - 特許庁
  • In a tread part 21, the thickness d1 of the first rubber layer 16A is larger than that of the second rubber layer 16B.
    トレッド部２１においては、第１ゴム層１６Ａの厚さｄ１は、第２ゴム層１６Ｂの厚さよりも厚い。 - 特許庁
  • The thickness d1 of the first layer 11 is preferably formed thicker than the thickness d2 of the second layer 12.
    第一層１１の厚みｄ１は第二層１２の厚みｄ２よりも厚く形成されているのが好ましい。 - 特許庁
  • The first resin layer 1a carries dynamic durability and flexibility, and the second resin layer 1b carries gas barrier property.
    第１の樹脂層１ａで動的耐久性と柔軟性を担い、第２の樹脂層１ｂでガスバリア性を担う。 - 特許庁
  • The stacked structure has a recess reaching the first semiconductor layer from a surface at the second semiconductor layer side.
    積層構造体は、第２半導体層側の表面から第１半導体層に到達する凹部を有する。 - 特許庁
  • Further, a second acoustic matching layer (6) made of an epoxy resin or the like can be formed in front of the acoustic matching layer (5).
    さらに音響整合層(5)の前面にエポキシ樹脂等の第２の音響整合層(6)を形成してもよい。 - 特許庁
  • The surface of the second solid electrolytic layer 5 is made rougher than that of the first solid electrolytic layer.
    こうして、第２の固体電解質層５の表面を、第１の固体電解質層の表面よりも粗面化する。 - 特許庁
  • The method of the present invention selectively operates the second display layer and displays the motion detected by the input layer.
    本発明方法は、第２表示層を選択的に操作し、入力層で検出した動きを表示する。 - 特許庁
  • A second trench extending to the interlayer insulating film 21, semiconductor layer 14, and an embedded layer 12 is formed thereafter.
    その後、層間絶縁膜２１、半導体層１４及び埋め込み層１２に延びる第２のトレンチを形成する。 - 特許庁
  • The second metal layer is electrically connected to the pixel electrode and is located above the first metal layer.
    第２の金属層はピクセル電極に電気的に接続されており、第１の金属層の上に配置される。 - 特許庁
  • The first layer H and the second layer L each include foamed cells C formed by foaming of the foaming agent.
    第一層Ｈおよび第二層Ｌは、発泡剤の発泡により形成された発泡セルＣをそれぞれ有する。 - 特許庁
  • The second electrode includes a conductor layer covered by a material layer, and is arranged approximately parallel with the first electrode.
    第２の電極は、材料層で覆われた導体層を含み、第１の電極とほぼ平行に配設されている。 - 特許庁
  • The LED chip comprises a substrate 110, a semiconductor layer 120, a minute rough layer 130, a first electrode 140, and a second electrode 150.
    本発明のLEDチップは、基板110と、半導体層120と、微細粗化層130と、第1電極140と、第2電極150とを備える。 - 特許庁
  • The first resin material layer 11 and the second resin material layer 13 are completely hardened by promoting the polymerization of them.
    第１樹脂材料層１１および第２樹脂材料層１３の重合を進めて完全に硬化させる。 - 特許庁
  • The first protective layer 3a mainly comprises a thermosetting resin and the second protective layer 3b mainly comprises a thermoplastic resin.
    第１保護層３ａは熱硬化性樹脂を主体し、第２保護層３ｂは熱可塑性樹脂を主体とする。 - 特許庁
  • A metal layer 14 and an insulation layer 16 are successively arranged between a substrate 12 and the second wiring part 18a.
    基板１２と第二の配線部１８ａの間に金属層１４及び絶縁層１６を順次設ける。 - 特許庁
  • The lower surface of the second semiconductor layer is connected with an upper surface of the first semiconductor layer and forms a junction.
    第２の半導体層の下面は、第１の半導体層の上面に結合されて接合を形成する。 - 特許庁
  • A vibration type gyro scope comprises a vibrator 1 provided with a first vibration layer 3 and a second vibration layer 2.
    振動型ジャイロスコープが、第一の振動層３および第二の振動層２を備える振動子１を備える。 - 特許庁
  • A third semiconductor layer 4 is formed on the second semiconductor layer 3 and has a lattice constant z.
    第３の半導体層４は、第２の半導体層３上に形成され、格子定数ｚを有するものある。 - 特許庁
  • A buried semiconductor region 19 includes a first conductivity type buried layer and a second conductivity type buried layer.
    埋め込み半導体領域１９は、第１導電型埋め込み層および第２導電型埋め込み層を含む。 - 特許庁
  • A layer (second catalytic layer) being a catalyst of electroless plating is formed on the metallic oxide film (fourth stage).
    金属酸化膜上に、無電解めっきの触媒となる層（第２触媒層）を形成する（第４の工程）。 - 特許庁
  • Thereafter, a p-type second gate layer 7 is formed on the surface of the channel layer 6 by an ion implanting method.
    その後、このチャネル層６の表面にイオン注入法によってＰ型の第２のゲート層７を形成する。 - 特許庁
  • The second metal gate electrode layer 109 consists of the same metal composition as the first metal gate electrode layer 106.
    第２金属ゲート電極層１０９は、第１金属ゲート電極層１０６と同じ金属組成からなる。 - 特許庁
  • The second dielectric layer is provided on the flexible and rigid circuit boards, and covers a part of the first circuit layer.
    第２誘電層がフレキシブルおよびリジッド回路板上に配置され、かつ第１回路層の一部を被覆する。 - 特許庁
  • A second catalyst layer 40 is formed on a first gas diffusion layer 30 for diffusing fuel gas.
    また、燃料ガスを拡散するための第１のガス拡散層３０上に第２の触媒層４０を形成する。 - 特許庁
  • The second catalyst layer 5 covers the circumference of the first catalyst layer 4 in a manner wrapping the same.
    第２触媒層５は、第１触媒層４を包含するように第１触媒層４の周囲を覆っている。 - 特許庁
  • The second electrode is formed on the compound semiconductor layer which is exposed by removing the semiconductor layer.
    第２の電極は半導体層を除去して露出させた化合物半導体層上の位置に形成されている。 - 特許庁
  • A second electrode supplies a current to the tuning layer, and this current is supplied independently from the current for the active layer.
    第２の電極が、チューニング層に、活性層に供給される電流とは独立に電流を供給する。 - 特許庁
  • A first conductive layer constituting the gate electrode and a second conductive layer constituting the scanning line are separate layers.
    ゲート電極を構成する第１導電層と走査線を構成する第２導電層とは、別層である。 - 特許庁
  • Both of the first quantum well layer 11 and the second quantum well layer 12 are composed of π conjugate molecules.
    第１の量子井戸層１１及び第２の量子井戸層１２を何れもπ共役系分子により構成する。 - 特許庁
  • The second conductive layer 4 is formed on the surface of the first conductive layer 2 and contains carbon-containing particles 41.
    第２導電層４は、第１導電層２の表面上に形成され、炭素含有粒子４１を含む。 - 特許庁
  • In this case, the first electrolyte layer has a water repellency higher than that of the second electrolyte layer.
    ここで、第１の電解質層は、第２の電解質層よりも高い撥水性を有することを特徴とする。 - 特許庁
  • A second N-type semiconductor layer 32 is formed so as to come into contact with a first N-type semiconductor layer 30.
    Ｎ型の第１の半導体層30と接するようにＮ型の第２の半導体層32が形成されている。 - 特許庁
  • An etching stop layer 16 and a contact layer 17 are laminated on a second multilayer reflective film 15 in this order.
    第２多層反射膜１５の上には、エッチングストップ層１６およびコンタクト層１７が順に積層されている。 - 特許庁
  • The recessed portion 12 in the second semiconductor layer 3 is larger than the opening portion 1a in the first semiconductor layer 1.
    第２半導体層３の凹部１２が、第１半導体層１の開口部１ａよりも大きくなっている。 - 特許庁
  • The MFR of the first thermoplastic resin layer 10 is smaller than MFR of the second thermoplastic resin layer 20.
    第１の熱可塑性樹脂層１０のＭＦＲは、第２の熱可塑性樹脂層２０のＭＦＲよりも小さい。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer 9a is prepared between the second semiconductor layer 11a and the well region 5.
    第１の半導体層９ａは、第２の半導体層１１ａと井戸領域５との間に設けられている。 - 特許庁
  • Features are etched in the layer, and the layer features have a second microscopic dimension which is less than the first microscopic dimension.
    レイヤ内でフィーチャがエッチングされ、レイヤフィーチャは、第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する。 - 特許庁
  • The multilayer electric probe, suitable for testing a device to be tested, includes a first strip layer and a second strip layer.
    テスト予定の装置をテストするために適した多層電気プローブは、第１ストリップ層と第２ストリップ層とを含む。 - 特許庁
  • - It lives in Soyu Castle in the size of 8000 yojana in height and width in Getsuman located 21000 yojana in the second-layer below the first-layer.
    -第1層の下の第2層、さらに21000由旬の月鬘（げつまん）という地で、双遊城に住み、縦横8000由旬。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Further, the stiffness Gc1 of the first shoulder cover layer 82 and the stiffness Gc2 of the second shoulder cover layer 83 differ from each other.
    また、第一ショルダーカバー層８２の剛性Ｇｃ１と、第二ショルダーカバー層８３の剛性Ｇｃ２とが相異する。 - 特許庁
  • The conductive vias 263 electrically connect the first wiring layer 25 and the second wiring layer 262.
    上記導電性ビア２６３は、上記第1配線層２５および上記第2配線層２６２を電気接続する。 - 特許庁
  • Here, at least the first active layer 33 and a second active layer 38 are formed with different compositions from each other.
    ここで、少なくとも第１活性層３３と第２活性層３８を、それぞれ組成を異ならせて形成する。 - 特許庁
  • A second hardened layer 18 is formed on the lower layer of the crushed bulged portion 15 by plane rolling.
    押し潰された隆起部１５の下層部には、平面転造による第２の加工硬化層１８が形成される。 - 特許庁
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