「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 58 59 60 61 62 63 64 65 66 .... 429 430 次へ＞- (b): The process in which a reinforcing layer 24 (34) is arranged on the coating liquid layer formed in the process (a), then the first catalyst layer 22 (the second catalyst layer 32) is formed by drying the coating liquid layer.
（ｂ）工程（ａ）で形成された塗工液層の上に、補強層２４（３４）を配置した後、前記塗工液層を乾燥させて第１の触媒層２２（第２の触媒層３４）を形成する工程。 - 特許庁 - An optical body include a first optical layer with a randomly indented surface, a reflective layer on the randomly indented surface of the first optical layer, a second optical layer placed on the reflective layer to flatten the randomly indented surface.
光学体は、ランダムな凹凸面を有する第１の光学層と、凹凸面上に形成された反射層と、凹凸面を埋めるように反射層上に形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁 - Regarding a ball hitting part for the bat 1, one surface has a laminated structure having: a first resin layer 2; a metal layer 3 outside of the first resin layer 2; and a second resin layer 4 outside of the metal layer 3.
バット１の打球部は、１つの局面では、第１樹脂層２と、第１樹脂層２の外側に金属層３と、金属層３の外側に第２樹脂層４とを有する積層構造を有する。 - 特許庁 - At least, a lower clad layer 101, an active layer 102 emitting a laser beam, a first upper clad layer 103, an etching stop layer 104, and a second upper clad layer 106, are laminated on a board 100.
基板１００上に少なくとも、下クラッド層１０１、レーザ光を発生する活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、第２上クラッド層１０６を積層する。 - 特許庁 - A glass base board 10 is furnished thereon with a hole injection electrode 12, hole transport layer 16, a first mixing layer 20, light emitting layer 22, second mixing layer 26 and an electron transport layer 28 one over another in the sequence as named.
ガラス基板１０上に、ホール注入電極１２、ホール輸送層１６、第一混合層２０、発光層２２、第二混合層２６、および電子輸送層２８がこの順で積層されている。 - 特許庁 - A CD-R is formed by laminating a recording layer 3, a reflection layer 4, a first protective layer 5, a second protective layer 6 and a printable layer 7 in this order on a base plate 2 whose diameter is 120 mmϕ.
直径１２０ｍｍφの基板２上に記録層３、反射層４、第１の保護層５、第２の保護層６および印刷可能な層７をこの順に積層してＣＤ−Ｒとした。 - 特許庁 - Hence, a first surface treatment layer 11a, a soldering layer 27a, a second surface treatment layer 21, a metallic base 22, an insulating resin layer 23 and a circuit layer 24 are sequentially laminated on the surface of the cooling unit 11.
即ち、冷却器１１の表面上には、第１表面処理層１１ａ、半田層２７ａ、第２表面処理層２１、金属ベース２２、絶縁樹脂層２３、回路層２４が順に積層されている。 - 特許庁 - An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type first clad layer 4, a p-type second clad layer 5 and a p-type contact layer 6 are laminated in this order on a principal plane of a GaAs substrate 1.
ＧａＡｓ基板１の主面上には、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型第１クラッド層４、ｐ型第２クラッド層５およびｐ型コンタクト層６がこの順に積層されている。 - 特許庁 - A mold surface layer 2 is constituted of three layers, and the thermal expansion coefficient of a second layer 10 as an intermediate layer is set smaller than the thermal expansion coefficient of a first layer 5 and larger than the thermal expansion coefficient of a third layer 15.
型表層２を３層で構成し、中間の第２層１０の熱膨張率を、第１層５の熱膨張率より小さく且つ第３層１５の熱膨張率より大きく設定した。 - 特許庁 - The heavy corrosion-proof coated steel material has a first primer layer 2, a clay film layer 3, a second primer layer 4 and a resin layer 5 composed of a polyurethane or an olefinic resin layer which are successively laminated on a steel material 1.
鋼材１上に、第１プライマー層２、粘土膜層３、第２プライマー層４、及び、ポリウレタン樹脂層またはポリオレフィン樹脂層からなる樹脂層５を順次積層した重防食被覆鋼材。 - 特許庁 - The device has an anode, a photoactive layer, and a cathode, and further, between the anode and the photoactive layer are positioned: a buffer layer; a first hole transport layer; and a second hole transport layer.
このデバイスは、アノード、光活性層、およびカソードを有し、さらにこのアノードと光活性層との間には、 緩衝層、 第１の正孔輸送層、および 第２の正孔輸送層 が配置されている。 - 特許庁 - A substrate 1 for suspension comprises a first insulating layer 10, a spring material layer 11, a first wiring layer 14, and a second wiring layer 15 insulated from the first wiring layer 14.
本発明によるサスペンション用基板１は、第１絶縁層１０と、バネ性材料層１１と、第１配線層１４と、第１配線層１４に対して絶縁された第２配線層１５とを備えている。 - 特許庁 - The electron transport layer is produced, by laminating a layer (first electron transport layer 14d-1), containing a dibenzoimidazole derivative of general formula (1) and a layer (second electron transport layer 14d-2) containing a benzimidazole derivative.
この電子輸送層は、下記一般式（１）のジベンゾイミダゾール誘導体を含む層（第１電子輸送層１４ｄ-1）と、ベンゾイミダゾール誘導体を含む層（第2電子輸送層１４ｄ-2）とを積層してなる。 - 特許庁 - A buffer layer 52, a lower electrode layer 53, a first infrared ray absorbing layer 54a, a second infrared ray absorbing layer 54b, and an upper electrode layer 55, are formed on a GaAs semiconductor substrate 51.
ＧａＡｓ半導体基板５１の上に、バッファ層５２、下部電極層５３、第１の赤外線吸収層５４ａ、第２の赤外線吸収層５４ｂ及び上部電極層５５を形成する。 - 特許庁 - This thin-film capacitor has a dielectric layer between a first electrode layer and a second electrode layer, and the dielectric layer has a Ta oxide film layer containing C.
第１の電極層と第２の電極層の間に誘電体層が形成されてなる薄膜キャパシタであって、前記誘電体層は、Ｃを含むＴａ酸化膜層を有することを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 特許庁 - The semiconductor layer 16 has a first semiconductor layer 12 and a second semiconductor layer 14 that is provided on the first semiconductor layer 12 and has a wider band gap than the first semiconductor layer 12.
半導体層１６は、第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に設けられているとともに第１半導体層１２よりもバンドギャップが広い第２半導体層１４を有している。 - 特許庁 - The carbon layer 7 is formed with a resin carbon paste, and the conductor layer is composed of a first conductor layer 6 formed on the carbon layer and a second conductor layer 5 formed thereon.
カーボン層７は樹脂カーボンペーストによって形成され、導電体層は、カーボン層の上に形成された第１の導電体層６と、その上に形成された第２の導電体層５とからなる。 - 特許庁 - The field effect transistor is provided with a first semiconductor layer of an i-type layer and a second semiconductor layer of bigger band gap energy than that of the first semiconductor layer formed on the first semiconductor layer.
電界効果トランジスタは、ｉ型層の第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され該第１の半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第２の半導体層を備える。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first conductive drain layer 11, an epitaxial layer 12 formed on the drain layer 11, and a second conductive base layer 13 formed on the surface of the epitaxial layer 12.
この半導体装置は、第１導電型のドレイン層１１と、ドレイン１１層上に形成されるエピタキシャル層１２と、その表面に形成された第２導電型のベース層１３とを備えている。 - 特許庁 - Further, a second antistatic layer 22, a primer layer 25 as the transfer layer or an adhesive layer 27 may be formed on the opposite surface to the transfer layer of the releasable base material sheet 11.
必要に応じて、更に、離型性基材シート１１の転写層とは反対側の面に第２帯電防止層２２、転写層としてプライマ層２５、或いは接着層２７を有していても良い。 - 特許庁 - There are laminated on an insulating substrate a first insulating buffer layer, a heat storage light shielding layer including a silicon layer on at least the surface thereof, a second insulating buffer layer, and a first silicon layer in this order from below.
絶縁性基板上に、第１の絶縁バッファ層、少なくとも表面にシリコン層を有する蓄熱遮光層、第２の絶縁バッファ層及び第１のシリコン層を、この順に下から積層する。 - 特許庁 - A first conductive layer 431 is provided on the top of the middle both-side conductive structure layer, a second conductive layer 432 is provided on the bottom of the middle both-side conductive structure layer, the first conductive layer and the upper conductive layer form a digital resistance type touch panel structure, and the second conductive layer and the lower conductive layer constitute an analog resistance type touch panel structure.
そのうち、該中間両面導電構造層の上面に第１導電層４３１が設けられ、該中間両面導電構造層の底面に第２導電層４３２が設けられ、該第１導電層と該上導電層がデジタル抵抗式タッチパネル構造を形成し、該第２導電層と該下導電層がアナログ抵抗式タッチパネル構造を構成する。 - 特許庁 - In the semiconductor light emitting device having a metal layer, a first cladding layer, a light emitting layer, a second cladding layer and a first electrode layer on the side of the upper surface of a support substrate and having a second electrode layer on the side of the lower surface of the support substrate, the first surface facing the light emitting layer of the metal layer presents a rugged shape.
支持基板の上面の側に、金属層、第１クラッド層、発光層、第２クラッド層および第１電極層を有し、前記支持基板の下面の側に第２電極層を有する半導体発光素子において、前記金属層の、前記発光層と対向する第１表面が、凹凸形状を呈することを特徴とする。 - 特許庁 - This layer bond is composed of at least one first conductive layer which faces the power semiconductor component and forms at least one first conductor path, an insulating layer continuous with the first conductive layer by layer bonding, and a second layer which is also continuous with the insulating layer by layer bonding to face the power semiconductor component and forms at least one second conductor path.
この層結合は、パワー半導体構成要素に面し少なくとも１つの第１導体パスを形成している少なくとも１つの第１導電層と、層結合で連続している絶縁層と、層結合で更に連続しパワー半導体構成要素に対向し少なくとも１つの第２導体パスを形成している第２層とから成っている。 - 特許庁 - There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).
ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁 - This printed circuit board is provided with the first substrate layer, the second substrate layer laminated on the first substrate layer whose elasticity is smaller than that of the first substrate layer, and a flexible layer formed with flexibility by cutting the whole partial face at the lower side of the first substrate layer and the second substrate layer on the first substrate layer with fixed depth.
第１の基板層と、この第１の基板層上に積層された第１の基板層より弾性率の小さい第２の基板層と、前記第１の基板層の下側の一部の面の全てとその上の前記第２の基板層を一定の深さで削除して屈曲性を持たせて形成されたフレキシブル層とを具備することを特徴とするプリント配線板。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element includes a substrate 10, a first cladding layer 12 provided on the substrate 10, a multiquantum well layer 14 provided on the first cladding layer 12, a second cladding layer 16 provided on the multiquantum well layer 14, and a frost-processed layer 30 provided on the second cladding layer 16 and formed of an AlInGaP layer.
基板１０と、基板１０上に配置された第１クラッド層１２と、第１クラッド層１２上に配置された多重量子井戸層１４と、多重量子井戸層１４上に配置された第２クラッド層１６と、第２クラッド層１６上に配置され、ＡｌＩｎＧａＰ層で形成されたフロスト処理層３０とを備える半導体発光素子。 - 特許庁 - The recording medium has a first upper layer 4, a first lower layer 2, and a first intermediate layer 3 which antiferromagnetically combines both layers, and the first lower layer has a second upper layer 2-3 and a second lower layer 2-1 which are lower than the first upper layer in coercive force; and an intermediate layer 2-2 which antiferromagnetically combines both layers.
記録媒体が第１上部層４、第１下部層２および両層を反強磁性的に結合する第１中間層３を有し、第１下部層は第１上部層より保磁力が低い第２上部層２−３および第２下部層２−１と両層を反強磁性的に結合する第２中間層２−２とを有する。 - 特許庁 - A second radiation source is arranged so as to emit radiation to a second region of the insulating layer and a second electric contact is arranged so as to apply a second bias voltage to the second region.
第２の放射線源は、絶縁層の第２の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第２の電気接点は、第２の領域へ第２のバイアス電圧を印加するように構成される。 - 特許庁 - The multilayered structure is the one which has a substrate layer, which is formed by laminating, onto at least one face of the substrate layer, a first layer consisting of a first material comprising a first inorganic layered compound and, adjacently to the first layer, a second layer consisting of a second material comprising a second inorganic layered compound and a second resin, and which satisfies the following conditions (1)-(3).
基材層を有し、該基材層の少なくとも一方に第１の無機層状化合物を含む第１の材料からなる第１の層、および該第１の層と隣接して、第２の無機層状化合物および第２の樹脂を含む第２の材料からなる第２の層が積層されてなり、以下の条件（１）〜（３）を満たす多層構造体。 - 特許庁 - The printed circuit board 40 is formed of one resin layer 41 having first and second principal surfaces 41a and 41b, a first electrode layer 42 provided on the first principal surface 41a, a second electrode layer 43 provided on the second principal surface 41b, and a connection electrode which connects the first electrode layer 42 and the second electrode layer 43.
プリント配線基板４０は、第１及び第２の主面４１ａ、４１ｂを有する一つの樹脂層４１と、第１の主面４１ａの上に設けられた第１の電極層４２と、第２の主面４１ｂの上に設けられた第２の電極層４３と、第１の電極層４２と第２の電極層４３とを接続する接続電極とからなる。 - 特許庁 - This semiconductor device is provided with a first insulation layer formed on a semiconductor element, a second insulation layer formed on the first insulation layer, a first external connection terminal arranged at the flat part of the second insulation layer and a second external connection terminal arranged at the inclined part of the second insulation layer.
本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子の上に形成した第一の絶縁層と、該第一の絶縁層の上に形成した第二の絶縁層と、該第二の絶縁層の平坦部に配置した第一の外部接続端子と、該第二の絶縁層の傾斜部に配置した第二の外部接続端子とを備えたものである。 - 特許庁 - A method for forming a light emitting diode includes steps of: forming a first stack; forming a second reaction layer on the first stack; forming a second stack; forming a first reaction layer on the second stack; and holding together the first reaction layer and the second reaction layer by means of a transparent adhesive layer.
本発明の発光ダイオードを形成する方法は、第１のスタックを形成する段階と、第１のスタック上に第２の反応層を形成する段階と、第２のスタックを形成する段階と、第２のスタック上に第１の反応層を形成する段階と、透明接着層によって第１の反応層と第２の反応層を共に保持する段階を含む。 - 特許庁 - The method for producing an ink-jet printhead comprises the steps of forming a first patterning layer 20 on the surface of a first substrate 10, forming a second patterning layer 28 on the surface of a second substrate 100, bringing the surface of the first layer into intimate contact with the surface of the second substrate to join them, and removing the second substrate 100 from the second patterning layer 28.
インクジェットプリントヘッドを作製する方法は、第１基板１０の表面上に第１パターニング層２０を形成すること、第２基板１００の表面上に第２パターニング層２８を形成すること、第１および第２層を面と面を密着して接合させること、および、第２パターニング層２８から第２基板１００を除去することを含む。 - 特許庁 - The magnetoresistive element comprises: a first ferromagnetic tunnel junction element where a first fixed layer, a first tunnel insulating film and a first free layer are laminated; and a second ferromagnetic tunnel junction element where a second fixed layer, a second tunnel insulating film and a second free layer are laminated, the second ferromagnetic tunnel junction element being connected to the first ferromagnetic tunnel junction element in series.
磁気抵抗素子は、第１固定層、第１トンネル絶縁膜および第１自由層が積層される第１強磁性トンネル接合素子と、第２固定層、第２トンネル絶縁膜および第２自由層が積層され、第１強磁性トンネル接合素子に直列に接続される第２強磁性トンネル接合素子とを有している。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a second semiconductor layer, including a dopant of second polarity that is formed on the base epitaxial semiconductor layer, and a second junction formed between the base epitaxial semiconductor layer and the second semiconductor layer, with the second junction having an area, in which at least one form width is smaller than about 75 nanometers.
この半導体デバイスは、ベース・エピタキシャル半導体層の上に形成された第２の極性のドーパントを含む第２の半導体層と、ベース・エピタキシャル半導体層および第２の半導体層との間に形成された第２の接合であって、少なくとも１つの横寸法が約７５ナノメートルよりも小さいエリアを持つ第２の接合を備える。 - 特許庁 - The average absolute difference between the refractive index of the first layer 11 and the refractive index of the second layer 12 is 0.05 to 0.5.
また、第１の層１１の屈折率と第２の層１２の屈折率との差の絶対値が０．０５〜０．５である。 - 特許庁 - Both of the second optical compensation layer and the fifth optical compensation layer are coating layers containing liquid crystal material.
第２の光学補償層および第５の光学補償層の両方は液晶材料を含むコーティング層である。 - 特許庁 - A second insulating layer 200 is formed at least over the first insulating layer 120 and the air gap 128.
第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。 - 特許庁 - The second layer is composed of a fiber layer which includes latent crimp fiber and is formed by a card method.
第２層１２は、捲縮した潜在捲縮性繊維を含みかつカード法で形成された繊維層からなる。 - 特許庁 - Layer thickness t of the second coating layer comprising the vapor phase synthesized diamond is set in a range of 0.5-20 μm.
気相合成ダイヤモンドからなる第２のコーティング層１６の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。 - 特許庁 - The second layer is a diffusion layer in contact with the surface area on the first surface side of the silicon substrate.
第２層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第１表面側の表面領域に接する。 - 特許庁 - Protecting layers 18, 20 are stacked on the surfaces of the first recording layer 12 and the second recording layer 14, respectively.
また、第１の記録層１２と第２の記録層１４の表面には、保護層１８，２０が積層されている。 - 特許庁 - This base isolation building A is a three-storied dwelling house having a base insolation device D between the first layer and the second layer.
免震建物Ａは第１層と第２層との間に免震装置Ｄを備えた３層の住宅である。 - 特許庁 - Next, a gap material layer of a second layer is formed and molding glass is fused to face the gap surface, to manufacture the head block.
次に第２層目のギャップ材層を形成しギャップ面対向させモールドガラス溶着しヘッドブロックを製造する。 - 特許庁 - In a third range W3, the first coating layer 13 and the second coating layer 14 cover the glass fiber 10.
第３範囲Ｗ３において、第１被覆層１３および第２被覆層１４がガラスファイバ１０を覆っている。 - 特許庁 - The heat capacity per unit volume of the first layer 21 is set to be larger than that of the second layer 22.
単位体積当たりにおいて第１層２１は第２層２２よりも熱容量が大きく設定されている。 - 特許庁 - To solve the problem that a lead terminal cannot be strongly brazed to a second wiring layer that is electrically connected to a first wiring layer.
第１配線層と電気的に接続された第２配線層にリード端子を強固にロウ付けできない。 - 特許庁 - Moreover, this element is provided with a first electrode 3 so as to catch the second diamond layer 2 and the first diamond layer 1.
また、第２のダイヤモンド層２と第１のダイヤモンド層１を挟むように第１の電極３が設けられている。 - 特許庁 - A second insulating layer 42 is formed on the first insulating layer 41 to cover the wiring pattern W1.
第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成される。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
