「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The spin valve head provided with a pinned magnetic layer formed by stacking a first pinned magnetic layer 41, a nonmagnetic layer 15, and a second pinned magnetic layer 142 in this order is characterized in that, an insulating specular layer 22 is stackedly formed between the first pinned magnetic layer 141 and the second pinned magnetic layer 142.
    第１のピン磁性層１４１、非磁性層１５、第２のピン磁性層１４２をこの順に積層したピン磁性層を備えるスピンバルブヘッドにおいて、前記第１のピン磁性層１４１と前記第２のピン磁性層１４２の間に絶縁体スペキュラー層２２が積層して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
  • This multi-layer pulp mold hollow molding product is obtained by forming a mixed layer 16 having a composition continuously changing from the compounding composition of a first pulp layer 15 to that of a second pulp layer 17 between the first pulp layer 15 and the second pulp layer 17 having the compounding composition different from that of the first pulp layer 15.
    第１のパルプ層１５と、該第１のパルプ層１５と配合組成の異なる第２のパルプ層１７との間に、第１のパルプ層１５の配合組成から第２のパルプ層１７の配合組成へと組成が連続的に変化した混合層１６が形成されてなる多層パルプモールド中空成形体１。 - 特許庁
  • A third layer part 36 inclining from a first layer part 34 toward a second layer part 35 is provided between the first layer part 34 and the second layer part 35 of a color filter layer 33, which are different in layer thickness and are formed in a color filter substrate 30 of a transflective liquid crystal display panel 1 having a transmitting area 26 and a reflection area 27.
    透過領域２６と反射領域２７を有する半透過型液晶パネル１のカラーフィルタ基板３０に形成された層厚の異なるカラーフィルタ層３３の第１層部３４と第２層部３５の間に、第１層部３４から第２層部３５へ向かって傾斜する第３層部３６を設ける。 - 特許庁
  • Alternatively, the zeolite membrane has a first layer containing a zeolite crystal and a second layer containing another zeolite crystal of a different kind from that of the first layer and is characterized in that the first layer and the second layer form a layer structure and the thickness of the layer structure is 20 μm or thinner.
    または、ゼオライト結晶を含む第一の層と前記第一の層とは種類が異なるゼオライト結晶を含む第二の層を有するゼオライト膜であって、前記第一の層と前記第二の層は積層構造を形成し、前記積層構造の厚みは２０μｍ以下であることを特徴とするゼオライト膜。 - 特許庁
  • The nonvolatile memory device includes a first conductive layer 101, a second conductive layer 102, a first resistance variation layer 111 provided between the first conductive layer and second conductive layer, and a first side face layer 112 provided on a side face of the first resistance variation layer.
    第１導電層１０１と、第２導電層１０２と、前記第１導電層と前記第２導電層との間に設けられた第１抵抗変化層１１１と、前記第１抵抗変化層の側面に設けられた第１側面層１１２と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。 - 特許庁
  • The capacitor layer forming material of the printed-wiring board having the dielectric layer between a first conductive layer used for forming an upper electrode and a second conductive layer used for forming the lower electrode uses the capacitor layer forming material, using the second conductive layer having a layer structure shown in the followings (1) or (2).
    上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、以下の（１）又は（２）に示す層構成を持つ第２導電層を用いることを特徴としたキャパシタ層形成材等を採用する。 - 特許庁
  • The reproducing magnetic head 10 is configured by sequentially stacking a first pin layer 13 including a vertical magnetization film, an exchange coupling control layer 14, a first free layer 15, a barrier layer 16 made of an insulating material, a second free layer 17, an exchange coupling control layer 18, and a second pin layer 19 including a vertical magnetization film.
    再生磁気ヘッド１０は、垂直磁化膜からなる第１のピン層１３と、交換結合制御層１４と、第１のフリー層１５と、絶縁体からなるバリア層１６と、第２のフリー層１７と、交換結合制御層１８と、垂直磁化膜からなる第２のピン層１９と、が順に積層されている。 - 特許庁
  • A first conductivity type clad layer 103, an active layer 104, second conductivity type clad layers 105 and 107, a second conductivity type intermediate layer 108, and a second conductivity type contact layer 109, are laminated in this order on a first conductivity type semiconductor substrate 101.
    第１導電型半導体基板１０１上に、第１導電型クラッド層１０３、活性層１０４、第２導電型クラッド層１０５，１０７、第２導電型中間層１０８および第２導電型コンタクト層１０９をこの順に積層する。 - 特許庁
  • The radio wave transmission cover comprises a design surface 35 and two layers (a first layer 10 and a second layer 20) covering the design surface, and a material containing a first acrylic resin is used as a material of the first layer 10, and a material containing a second acrylic resin is used as a material of the second layer 20.
    電波透過カバーを、意匠面３５と、意匠面を覆う２つの層（第１層１０、第２層２０）とで構成し、第１層１０の材料を第１のアクリル樹脂を含む材料にし、第２層２０の材料を第２のアクリル樹脂を含む材料にする。 - 特許庁
  • Then, a second base layer 13B containing a catalyst material is formed in a neighborhood region of the first plating layer 14A on the substrate 11, and further a second electroless plating treatment is performed with the second base layer 13B and the first plating layer 14A as catalysts.
    こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。 - 特許庁
  • Total thickness X of a fourth upper cladding layer 26 and a second contact layer 27 of the second semiconductor laser 29 is set smaller than the total thickness Y of a second upper cladding layer 16 and a first contact layer 17 of the first semiconductor laser 19.
    第２の半導体レーザ２９の第４の上クラッド層２６と第２のコンタクト層２７を合わせた膜厚Ｘが第１の半導体レーザ１９の第２の上クラッド層１６と第１のコンタクト層１７を合わせた膜厚Ｙよりも薄くなるようにする。 - 特許庁
  • The first light guide layer has a first refractive index n_1 and a first critical angle (θ_C1), the second light guide layer has a second refractive index n_2, and a boundary surface between the first light guide layer and the second light guide layer has a critical angle (θ_C12) of a first interface.
    前記第１導光層は第１屈折率n_１と第１臨界角(θ_Ｃ１)を持っており、前記第２導光層は第２屈折率n_２を持っており、第１導光層と第２導光層との境界面は第１界面の臨界角(θ_Ｃ１２)を持っている。 - 特許庁
  • A first conductivity-type lower clad layer 103, an active layer 104, a second conductivity-type first upper clad layer 105, and a second conductivity-type second upper clad layer 107 having a ridge shape, are formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 101.
    第１導電型の半導体基板１０１上に、第１導電型の下部クラッド層１０３、活性層１０４、第２導電型の第１上部クラッド層１０５、およびリッジ形状を有する第２導電型の第２上部クラッド層１０７が形成される。 - 特許庁
  • Or, the end part of the second layer 12 is backed from the end part of the intermediate film 3 to remove the second layer 12 from a region where the conductive film 5 is formed and a polyvinyl acetal layer having the plasticizer content lower than that in the second layer 12 is arranged on the region.
    あるいは、第２層１２の端部を中間膜３の端部から後退させ、導電膜５が形成された領域上から第２層１２を排除し、この領域上に第２層１２よりも可塑剤の含有率が低いポリビニルアセタールを配置する。 - 特許庁
  • An injection-molded part consists of first and second layers respectively comprising resin materials mutually different in physical values and the second layer is parallelly injected only for a definite time during the injection of the first layer to perform molding so as to wrap the second layer in the first layer.
    互いに物性値の異なる樹脂材料の第１層と第２層とからなり、第１層の射出中の一定時間のみ第２層を並行して射出することにより前記第２層が前記第１層に包まれて成形されることを特徴とする。 - 特許庁
  • The structure (4) has at least a second type of conductivity and a second semiconductor layer (3), which are different from the first semiconductor layer of the first conductivity and the first of conductivity type, and the first layer (2) is interposed in between the second layer (3) and the substrate (1).
    層構造は（４）は、第１の導電率の第１の半導体層と第１の導電率のタイプとは異なる第２の導電率のタイプのと第２の半導体層（３）を少なくとも有しており、第１の層（２）は、第２の層（３）と基板（１）との間にある。 - 特許庁
  • The thermo-mechanical bender portion includes a barrier layer, a first deflector layer constructed of a first electrically resistive material, and a second deflector layer constructed of a second electrically resistive material, wherein the barrier layer is bonded between the first and second deflector layers.
    熱−機械的屈曲体部分は、バリア層、第１電気抵抗性材料で構成される第１デフレクタ層、および、第２電気抵抗性材料で構成される第２デフレクタ層を有しており、バリア層は第１デフレクタ層と第２デフレクタ層との間に接合されている。 - 特許庁
  • The first filter medium layer 12 is bonded with the second filter medium layer 13 by gluing contacting parts between the first fiber 14 and the second fiber 16 with the adhesive 15 by impregnating the adhesive 15 into interstices g1 of the first filter medium layer 12 and interstices g2 of the second filter medium layer 13.
    前記第１濾材層１２の隙間ｇ１及び第２濾材層１３の隙間ｇ２に接着剤１５を含浸させ、第１繊維１４と第２繊維１６の接触部を接着剤１５により接着して第１濾材層１２と第２濾材層１３を接合する。 - 特許庁
  • A boundary between the second colored layer 62 where the second organic dye is uniformly held and the exposed portion 42A of the first colored layer 42 has a gradation region 65 where the second organic dye decreases as it separates from the second colored layer 62.
    第２の有機染料が均一に保持された第２の着色層６２と第１の着色層４２が露出した部分４２Ａの間の境界に、第２の着色層６２から離れるにつれて第２の有機染料が減るグラデーション領域６５を有する。 - 特許庁
  • An organic light emitting element includes: a substrate; a first electrode; a second electrode; and an organic layer including an emission layer between the first electrode and the second electrode, and includes: a first intermediate layer including a first host and a first dopant; a second intermediate layer including the first dopant; and a third intermediate layer including a second host and the first dopant interposed between the first electrode and the emission layer.
    基板と、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に備えられ、発光層を備える有機層と、を備え、第１電極と発光層との間に第１ホストと第１ドーパントとを備える第１中間層、第１ドーパントを備える第２中間層、及び第２ホストと第１ドーパントとを備える第３中間層が介在された有機発光素子である。 - 特許庁
  • The periphery of the circuit wiring is covered with a second insulating layer 40, and the peripheries of the first and second insulating layers are covered with a shielding layer 50.
    この回路配線の周囲は第２の絶縁層（４０）によって覆われ、更に第１および第２の絶縁層の周囲はシールド層（５０）によって覆われる。 - 特許庁
  • The second portion 15b of the upper magnetic pole layer defines the recording track width.
    上部磁極層の第２の部分１５ｂは、記録トラック幅を規定する。 - 特許庁
  • A second winding C2 in the third layer is made to pass through a groove part 210 formed between the last winding B13 in the second layer and an introduced end part 207.
    第３層目の第２巻線Ｃ２を、第２層目の最終巻線Ｂ１３と導入端部２０７との間に形成される溝部２１０を通す。 - 特許庁
  • The conductive vias 263 are disposed in the second dielectric layer 261.
    上記導電性ビア２６３は、上記第2誘電層２６１内に配設される。 - 特許庁
  • In a second dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the lower layer resist 11 as a mask and in a second ashing step, the lower layer resist 11 is removed.
    第２のドライエッチング工程で、下層レジスト１１をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第２のアッシング工程で、下層レジスト１１を除去する。 - 特許庁
  • First and second doped layers (24 and 27) are provided in the electron supply layer.
    電子供給層内に、第１及び第２のドープ層(24,27)が配置されている。 - 特許庁
  • A second insulating layer 220 is formed over the etching stopper film 200.
    第２絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２００上に形成されている。 - 特許庁
  • This signal detector 12 is provided with an insulating substrate having a first flat conductive layer on a first surface and a second flat conductive layer on a second surface.
    信号検出器（１２）は、第１の面上の第１の平坦な導電層と第２の面上の第２の平坦な導電層とを有する、絶縁基板を含む。 - 特許庁
  • A part of the second hard mask layer 6 is removed inside the groove 7a.
    次に、溝７ａ内において第２のハードマスク層６の一部を除去する。 - 特許庁
  • The first layers 2A and 2B and the second layer 3A are alternately stacked.
    第一の層２Ａ、２Ｂと第二の層３Ａとが交互に積層されている。 - 特許庁
  • The sixth semiconductor layer 10 has a second-conductivity-type impurity with a higher concentration than the second-conductivity-type impurity of the fifth semiconductor layer 9.
    第６の半導体層１０は、第５の半導体層９の第２導電形の不純物濃度より高い濃度の第２導電形不純物を有する。 - 特許庁
  • A liquid raw material varnish 11b of the second layer polymethylsilsesquioxane film, as the second layer low-dielectric-constant interlayer insulating film, is coated on the insulation film 11a.
    絶縁膜１１ａの上に第２層低誘電率層間絶縁膜としての第２層ポリメチルシルセスキオキサン膜の液状原料であるワニス１１ｂを塗布する。 - 特許庁
  • The first and second memory strings are provided on a principal surface of a semiconductor layer.
    第１、第２メモリストリングは、半導体層の主面上に設けられる。 - 特許庁
  • A printing layer 12b is formed between the second substrate 12 and the first substrate 11, and the printing layer 12 is visible through the second substrate 12.
    第二基板１２と第一基板１１との間に印刷層１２ｂが設けられ、第二基板１２を透して印刷層１２ｂを目視可能である。 - 特許庁
  • The first metal wiring 11 and the second metal wiring 12 are the same layer.
    第１金属配線１１及び第２金属配線１２は同層である。 - 特許庁
  • The writing structure has a second free layer in which the magnetization direction changes.
    書込み構造体は、磁化方向が変化する第２のフリー層を備える。 - 特許庁
  • After the impurity diffusion layer is formed, the second silicon oxide film is removed.
    不純物拡散層を形成した後、第２シリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁
  • The prism layer is formed to cover the reflecting layer and the second surface, and has a plurality of prism structures that project, in a direction os separating from the second surface.
    プリズム層は反射層及び第二表面を覆って形成され、第二表面から離れる方向に突起する複数のプリズム構造を有する。 - 特許庁
  • Afterwards, a mask material is formed in the opening in the second mask layer so that a hollow section having X diameter is formed in the opening in the second mask layer.
    この後、第２のマスク層内の開孔内にマスク材料を形成することによって第２のマスク層内の開孔内に、Ｘの径の空洞部を形成する。 - 特許庁
  • The first electrode is electrically connected to the first semiconductor layer, and the second electrode is electrically connected to the second semiconductor layer.
    前記第一電極は、前記第一半導体層に電気的に接続され、前記第二電極は、前記第二半導体層に電気的に接続される。 - 特許庁
  • Two isolation grooves are formed in parallel from an upper surface of the contact layer to a bottom of the second second clad layer, and the ridge is formed between both the isolation grooves.
    コンタクト層の上面から第２の第２クラッド層の底まで分離溝が２本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。 - 特許庁
  • (d) The fluid is driven into the bladder 3, and the second rubber layer 54 is pressed to the forming section 9, and the rib section 52 is formed on the second rubber layer 54, and at the same time, is vulcanized.
    (d)ブラダー3内に流動体を圧入して第二ゴム層54を型付部9に押圧し、この第二ゴム層54にリブ部52を形成すると共に加硫する。 - 特許庁
  • The bond layer 1 combines the first member 4 and the second member 5.
    接合層１は、第１の部材４と第２の部材５とを接合している。 - 特許庁
  • The domain wall displacement layer has a domain wall between first and second domains.
    磁壁移動層は、第１領域と第２領域との間に磁壁を有する。 - 特許庁
  • The circuits 107 comprise a second conductive layer and a power semiconductor element, connected to the second conductive layer, which are sealed by a transfer mold package.
    回路部分１０７は、トランスファーモールドパッケージにより封止され、第２の導電層と前記第２の導電層に接続されたパワー半導体素子とからなる。 - 特許庁
  • The protruding electrode 34 is located on the second metal layer 32 and is provided in a position overlapping the primary part 26 of the second insulating layer 24.
    突起電極３４は、第２の金属層３２の上であって、第２の絶縁層２４の第１の部分２６とオーバーラップする位置に設けられている。 - 特許庁
  • The first dielectric layer 60 contains a first dopant, and the (optional) second dielectric layer 65 includes a second dopant different from the first dopant.
    第１の誘電体層６０は第１のドーパントを含み、（随意の）第２の誘電体層６５は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントを含む。 - 特許庁
  • An inter-level via is etched through the second dielectric layer and the second stop layer 30, and the metal is filled into the via and is brought into contact with the metallization.
    レベル間バイアが第２の誘電体層及び第２のストップ層３０を通してエッチングされ、金属がバイア内に充填されて金属化層と接触する。 - 特許庁
  • The first information recording layer 3 is irradiated with light from below the first substrate 1 and the second information recording layer 5 from above the second substrate 4.
    第１情報記録層３は第１の基板１の下から、第２情報記録層５は、第２の基板４の上から光を照射して読み出す。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the web includes selection of a first material for the first layer of the material and selection of a second material for the second layer of the material.
    ウエブを製造する方法は、材料の第１層に第１材料を選択することと、材料の第二層に第２材料を選択することとを含む。 - 特許庁
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