「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 51 52 53 54 55 56 57 58 59 .... 429 430 次へ＞- In a second etching step, under cuts are formed in the dielectric layer by removing the hard mask layer, then a second conductive layer 106b is formed on a structure consisting of holes 108 and undercuts 109.
第２エッチング工程ではハードマスク層を除去して誘電体層にアンダーカットを形成し、ホール１０８とアンダーカット１０９の構造上に第２導電層１０６ｂを形成する。 - 特許庁 - The first wiring portion 31 connected to the first electrode layer portion 21 and a second wiring portion 32 connected to the second electrode layer portion 22 are pulled out to an end of the insulating layer portion 11.
第一電極層部２１に接続する第一配線部３１、および第二電極層部２２に接続する第二配線部３２は、いずれも絶縁層部１１の端部に引き出されている。 - 特許庁 - A first gate insulating layer is divided into the lower layer 60 and the upper layer 61 when cleaning and removing a resist used for forming the second source/drain regions 12, 13, 18, 19 of the second transistor.
第２のトランジスタの第２のソースドレイン領域１２，１３，１８，１９を形成するために用いられたレジストを洗浄除去するときに、下層６０と上層６１とに区別された。 - 特許庁 - Further, dicing processing is carried out along scribe lines of the semiconductor wafer after a first rewiring layer 9, a second photosensitive polyimide resin layer 10, and a second rewiring layer 13 are formed.
続いて、第１の再配線層９、第２の感光性ポリイミド樹脂層１０、第２の再配線層１３を形成した後に、半導体ウェーハのスクライブラインに沿ってダイシング処理を行なう。 - 特許庁 - A vessel 30 contains a first liquid layer 32 containing a first liquid, and a second liquid layer 34 containing a second liquid layer forming the liquid-liquid interface with the first liquid.
容器３０は、第１の液体を含む第１の液体層３２と、第１の液体と液液界面を形成する第２の液体を含む第２の液体層３４とを収容する。 - 特許庁 - The resistor 5 is provided with: a first layer 7 having a second glass component; and a second layer 6 having a third glass component and the conductor components formed on the first layer 7.
抵抗体５は、第２ガラス成分を有する第１層７と、該第１層７上に形成された、第３ガラス成分および導体成分を有する第２層６とを備えている。 - 特許庁 - A first conductivity first semiconductor layer is provided on one side of a first conductivity semiconductor substrate, and a second conductivity second semiconductor layer 13 is provided on the first semiconductor layer.
第１導電型の半導体基板の片面に第１導電型の第１の半導体層が設けられ、その上に第２導電型の第２の半導体層１３が設けられている。 - 特許庁 - Within a logic circuit forming region, a second gate electrode layer 10 is formed on a second gate insulation layer 9 having a film thickness differing from the first gate insulation layer 3.
ロジック回路形成領域内には第１のゲート絶縁層３と異なる膜厚を有する第２のゲート絶縁層９上に第２のゲート電極層１０が形成されている。 - 特許庁 - The first light guide layer 72 is made to have an all light transmission ratio which is higher than that of the second light guide layer 74 and a haze smaller than that of the second light guide layer 74.
第１の導光層７２は、第２の導光層７４よりも全光線透過率が高く、且つ第２の導光層７４よりもヘイズが小さくなるようにされている。 - 特許庁 - A metal layer 107-1, a diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and a diffusion layer 108 of the second conductive type are formed in a surface portion of the well 106 of the second conductive type.
第２導電型のウェル１０６の表面部には、金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８が形成されている。 - 特許庁 - While a spindle motor 14 is rotated to perform focus control to the drawing layer with the second beam and to perform tracking control to the data recording layer with the first beam, drawing is performed to the drawing layer with the second beam.
スピンドルモータ１４を回転し、第２のビームで描画層にフォーカス制御し、第１のビームでデータ記録層にトラッキング制御した状態で、第２のビームで描画層に描画を行う。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a resin molded product, which eliminates the terminal processing operation of a second layer when manufacturing a first layer and the second layer by injection molding.
第１層及び第２層を射出成形によって製造する場合において、第２層の端末処理作業を廃止することができる樹脂成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A layer 11 of a second refractive index is formed on a base material 10 of a first refractive index and a photoresist layer 12 of a third refractive index is formed on the layer 11 of the second refractive index.
第１の屈折率の基材１０上に、第２の屈折率の層１１を形成し、第２の屈折率の層１１の上層に、第３の屈折率のフォトレジスト膜１２を形成する。 - 特許庁 - The multilayer light diffusion laminate board comprises: a first resin layer 1; a second resin layer 2 provided on the first resin layer; a microlens film layer 4 provided on the second resin layer; and the plurality of hollows 5 that extends in parallel to each other.
複数層からなる光拡散積層板であって、その構造は第一樹脂層１、該第一樹脂層上に第二樹脂層２、第二樹脂層上にマイクロレンズフィルム層４、及び複数個の互いに平行に延在する中空部５からなる。 - 特許庁 - The thickness shows that the layer includes at least a first layer of the electricigenic microbes directly contacting the anode, and a second layer of the electricigenic microbes directly contacting the first layer to allow the second layer to indirectly contact the anode.
この厚さは、該層に、少なくとも、上記アノードに直接接触するelectricigenic微生物の第１層と、第２層が上記アノードと間接的に接触するように上記第１層へ直接接触するelectricigenic微生物の第２層と、が含まれることを示す。 - 特許庁 - The layer has, for example, a first thermosensitive recording layer and a second thermosensitive recording layer laminated on the first layer, and the second layer contains a polyvinyl alcohol or a modified polyvinyl alcohol and the absorber.
感熱記録層は、例えば、感熱記録層が、第一感熱記録層と該第一感熱記録層上に積層された第二感熱記録層とからなり、第二感熱記録層がポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールおよび紫外線吸収剤を含有する。 - 特許庁 - A transport or a storage apparatus of a fluid, specifically a tube, tank, chute, bottle, and container, is manufactured from the structure wherein the barrier layer (the second layer, or a layer combining the second layer and the third layer) is directly contacted with a fluid to be stored or transported.
バリヤー層（第２層または第２層と第３層とを組合せた層）が貯蔵または輸送される流体と直接接触する上記構造物からなる流体の輸送または貯蔵用装置、特にチューブ、タンク、シュート、ボトルおよび容器。 - 特許庁 - A multilayered film is constituted of a first layer being a transparent vapor-deposited polyester film, a second layer being a nylon film bonded to the first layer by an adhesive and a third layer being a polyethylene film bonded to the second layer by an adhesive.
透明蒸着ポリエステルフィルムである第１層と、第１層と接着剤で接着されたナイロンフィルムである第２層と、第２層と接着剤で接着されたポリエチレンフィルムである第３層とから構成されていることを特徴とする多層フィルム。 - 特許庁 - The laminated sheet 10 includes a first intermediate layer 30 formed on a polyimide substrate 20 and containing no copper, a second intermediate layer 40 formed on the first intermediate layer, and a metal layer 60 formed on the second intermediate layer.
積層板１０を、ポリイミド基板２０上に形成された銅を含まない第１の中間層３０と、前記第１の中間層上に形成された第２の中間層４０と、前記第２の中間層上に形成された金属層６０と、を備える。 - 特許庁 - The re-distributed metal layer may be stuck on (1) a flat layer stuck on the second metal layer from the last through an aperture in a dielectric layer, or (2) an array configured of a via connected to the second metal layer from the last.
再分布メタル層は（１）誘電体層における開口を介して最後から２番目のメタル層の上に付着形成した平坦な層、又は（２）最後から２番目のメタル層へ接続したビアからなるアレイの上に付着形成させることが可能である。 - 特許庁 - The cushioning member 30 includes a first layer 31 arranged at an internal wall side of the hard disk drive device 12, a second layer 32 arranged at the hard disk drive device 12 side, and a third layer 33 arranged between the first layer 31 and the second layer 32.
緩衝部材３０は、ハードディスクドライブ本体１２の内壁側に配置された第１層３１、ハードディスクドライブ本体１２側に配置された第２層３２、第１層３１と第２層３２との間に配置された第３層３３とを備えている。 - 特許庁 - The reflection factor can be secured by the first reflection film 3 since the first reflection layer 3 is protected by the second reflection layer 4, while the first reflection layer 3 can be protected by covering the first reflection layer 3 by the second reflection layer 4.
第１の反射層３が第２の反射層４で保護されるから、第１の反射膜３で反射率を確保し、かつ第２の反射層４で第１の反射層３を覆うことにより第１の反射層４を保護することができる。 - 特許庁 - The security film has at least a first hologram forming layer 3, a first reflection layer 4, a second hologram forming layer 5 and a second reflection layer 6, piled up in this order on one side of a support 1, and the first reflection layer 4 is present partially.
支持体１上の片面に少なくとも、第１ホログラム形成層３、第１反射層４、第２ホログラム形成層５、第２反射層６、を順次積層し、かつ、第１反射層４が部分的に存在していることを特徴とするセキュリティフィルム。 - 特許庁 - In a body 3 of the semiconductor device 1, a semiconductor layer 33 and a second semiconductor layer 34 are laminated and a channel region 36 is formed in the side of the semiconductor layer 33 on an interface between the semiconductor layer 33 and the second semiconductor layer 34.
半導体デバイス１において、本体部３では、半導体層３３と第２の半導体層３４とが積層し、半導体層３３と第２の半導体層３４との間の界面の半導体層３３側にチャネル領域３６が形成される。 - 特許庁 - This organic EL element is formed by laminating at least a positive electrode 2, a first luminescent layer 5, a hole barrier layer 6, a second luminescent layer 7, and a negative electrode 9 in this order, and the first luminescent layer 5 and the second luminescent layer 7 are both made of a hole transporting material.
少なくとも陽極２、第一発光層５、正孔障壁層６、第二発光層７、及び陰極９をこの順に積層してなり、第一発光層５と第二発光層７がともに正孔輸送性材料からなる有機ＥＬ素子。 - 特許庁 - A hybrid power generation element 100 comprises a first insulator layer 10, a support member 11, a first electrode layer 12, a piezoelectric layer 13, a second electrode layer 14, a second insulator layer 15, a magnet 16, and a coil 17.
ハイブリッド発電素子１００は、第１の絶縁体層１０と、支持部材１１と、第１の電極層１２と、圧電体層１３と、第２の電極層１４と、第２の絶縁体層１５と、磁石１６と、コイル１７と、を備えているものである。 - 特許庁 - The radio absorber comprises a first resistance layer 1 having a surface resistance of 3,000-5,000 Ω/square, a first interior material layer 11, a second resistance layer 2 having a surface resistance of 150-250 Ω/square, a second interior layer 12, and a reflective layer 3 laminated in this order from the radio wave incidence side.
電波が入射する側から順に、3000乃至5000Ω／□の表面抵抗値を有する第１抵抗層１と、第１内装材層11と、 150乃至 250Ω／□の表面抵抗値を有する第２抵抗層２と、第２内装材層12と、反射層３と、を備える。 - 特許庁 - Then, a first undercoating layer 27a, a first overcoating layer 27b, a second undercoating layer 28a, a second overcoating layer 28b and a clear layer 29 are successively formed on the surface of the base material 26, and thereafter, are dried and a coated film is formed on the surface of the base material 26.
そして、素材２６の表面に、順次、第１下塗り層２７ａ、第１上塗り層２７ｂ、第２下塗り層２８ａ、第２上塗り層２８ｂおよびクリア層２９を形成したのちに乾燥して、素材２６の表面に塗装膜を形成した。 - 特許庁 - The first magnetic layer is magnetized vertically by exchange combination with the second magnetic layer in at least the part of temperature range of less than TC2 to transfer the magnetization of the third magnetic layer to the first magnetic layer through the second magnetic layer.
Ｔ_C2未満の温度域の少なくとも一部において、第１磁性層が第２磁性層との交換結合により垂直に磁化され、この交換結合により第３磁性層の磁化が第２磁性層を介して第１磁性層へと転写する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of a semiconductor device, before an Au layer 118 is formed, a photoresist layer 8 which covers the region other than the region of a second metal wiring layer 122 formed afterwards is formed on a second insulating film, and the layer 118 is formed on the layer 8 to perform an ion milling.
Ａｕ層１１８を形成する前に、第２の絶縁膜の上に、後に形成する第２の金属配線１２２の領域以外の領域を覆うフォトレジスト層８を形成し、その上で、Ａｕ層１１８を形成してイオンミリングを行う。 - 特許庁 - Each multilayer panel includes at least the following three layers: (1) a first layer 21 consisting of a metal foil, (2) a second intermediate layer 22 of fiber-glass securely fixed to the first layer 21, and (3) a third metal honeycomb layer 23 securely fixed to the second layer 22.
各多層パネルは、少なくとも次の３層、（１）金属薄片から成る第１の層２１、（２）第１の層２１に固定されたガラス繊維の第２の中間層２２、及び（３）第２の層２２に固定された第３の金属蜂巣層２３を含む。 - 特許庁 - According to one embodiment, an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type comprises: a second base layer of type N; a buffer layer of type N; a first collector layer of type N; a second collector layer of type P; a third collector layer of type P; and a collector electrode.
一つの実施形態によれば、逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、Ｎ型の第二のベース層と、Ｎ型のバッファ層、Ｎ型の第一のコレクタ層、Ｐ型の第二のコレクタ層、Ｐ型の第三のコレクタ層、及びコレクタ電極が設けられる。 - 特許庁 - The semiconductor multilayer substrate comprises at least a second crystal layer of compound semiconductor formed on a supporting substrate, a first insulation layer formed on the second crystal layer, and a first crystal layer of semiconductor silicon formed on the first insulation layer.
少なくとも、支持基板上に、化合物半導体から成る第２結晶層と、該第２結晶層上に形成された第１絶縁層と、該第１絶縁層上に形成された半導体シリコンから成る第１結晶層を有する半導体積層基板。 - 特許庁 - Next, a first upper layer insulating film 37, a first upper layer rewiring 39, a second upper layer insulating film 41, a second upper layer rewiring 43 and a third upper layer insulating film 44 are formed in the form of lamination and subsequently solder balls 46 are formed.
次に、第１の上層絶縁膜３７、第１の上層再配線３９、第２の上層絶縁膜４１、第２の上層再配線４３、第３の上層絶縁膜４４を順次、積層状に形成し、次いで半田ボール４６を形成する。 - 特許庁 - The double-faced tape 20 includes the first adhesive layer 21 adhered to the back face 12, the second adhesive layer 22 adhered to the body 30, and an intermediate layer 23 sandwiched by the first adhesive layer 21 and the second adhesive layer 22.
両面テープ２０は、バック面１２と接着される第１の粘着層２１と、被着体３０と接着される第２の粘着層２２と、第１の粘着層２１および第２の粘着層２２に挟まれた中間層２３とを含んでいる。 - 特許庁 - A first resist layer is removed by plasma exposure and a second resist layer and a third resist layer are respectively removed by peeling-off, thereby forming a first conductive layer and a second conductive layer without requiring an etching process.
プラズマ曝露によって第１レジスト層を除去し、剥離によって第２レジスト層及び第３レジスト層をそれぞれ除去することとしたので、エッチング工程を要することなく第１導電層及び第２導電層を形成することができる。 - 特許庁 - The interior material 10 includes a first layer 11 opposed to a vehicle body; a second layer 12 superposed on the first layer 11 and opposed to the inside of the vehicle; and a plurality of pins 16 for retaining a wire harness 14 between the first layer 11 and the second layer 12.
内装材１０は、車体に対面する第１層１１と、第１層１１に積層され、車内に対面する第２層１２と、第１層１１および第２層１２間にワイヤーハーネス１４を保持する複数のピン１６とを備える。 - 特許庁 - A heat insulation structure includes a heat insulating material 10 arranged as a first layer A inside a casing 9, a heat insulating material 20 arranged as a second layer B inside the first layer, and a heat insulating material 30 arranged as a third layer C inside the second layer.
断熱構造は、ケーシング９の内側の第１層Ａに配置された断熱材１０と、第１層の内側の第２層Ｂに配置された断熱材２０と、第２層の内側の第３層Ｃに配置された断熱材３０とを具備している。 - 特許庁 - The oscillation element is equipped with the resonant tunneling diode constituted by interposing a gain medium constituted by including a first barrier layer, a quantum well layer 11, and a second barrier layer between a first thickness adjustment layer 9 and a second thickness adjustment layer 13.
発振素子は、第1の障壁層と量子井戸層11と第2の障壁層とを含み構成される利得媒質を、第1の厚さ調整層9と第2の厚さ調整層13との間に介在させて構成されている共鳴トンネルダイオードを備える。 - 特許庁 - A third conductive layer 6 formed of a laminate composed of a first aluminum layer 6a and a second carbon layer 6b is formed on the insulating layer 4 and the second conductive layer 5 and is connected to the positive electrode 2a through a conductive adhesive agent 7.
絶縁層４上と第２導電層５上には、アルミニウムからなる第１層６ａとカーボンからなる第２層６ｂとが積層した第３導電層６が形成され、導電性接着剤７を介して正極２ａと接続されている。 - 特許庁 - A conductive connection part 20 for wiring penetrates through the second insulating layer 12 and connects the first conductor portion 15a and the second conductor portion 15b of the second wiring layer 15.
第２絶縁層１２を貫通し、第２配線層１５の第１導体部分１５ａと第２導体部分１５ｂとを接続する配線用導電接続部２０が設けられている。 - 特許庁 - Moreover, a first local wiring 7 for connecting the first gate 3 and second conductive layer 6 and a second local wiring 8 for connecting the second gate 4 and the first conductive layer 5 are also formed.
そして、第１ゲート３と第２導電層６とを接続する第１局所配線７と、第２ゲート４と第１導電層５とを接続する第２局所配線８を形成する。 - 特許庁 - The first optical filter layer 6 covers the first and second filter areas 42a, 43a, and the frame part 4b, and the second optical filter layer 8 covers the second filter area 43a, and the frame part 4b.
第１光学フィルタ層６は、第１、２フィルタ領域４２ａ、４３ａ及び枠部４ｂを覆い、第２光学フィルタ層８は、第２フィルタ領域４３ａ及び枠部４ｂを覆う。 - 特許庁 - The second surface 33 of a wafer material 30a where a device will not be formed is mirror-polished to remove the DZ layer 32 on the second surface side and expose a BMD layer 34 on the second surface side.
ウェーハ素材３０ａのうち、デバイスを形成しない第２面３３に鏡面研磨を行い、第２面側のＤＺ層３２を除去し、第２面側にＢＭＤ層３４を露出させる。 - 特許庁 - The optical recording medium includes a first substrate, a second substrate and a reflective layer, wherein the second substrate includes the photochromic dye, and the reflective layer is disposed between the first substrate and the second substrate.
本発明による光記録媒体は、第１基板と、光発色性染料を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた反射層とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a second wiring layer insulating film formed on the interlayer insulating film, and a plurality of second copper wiring lines 16 buried and formed in the second wiring layer insulating film.
層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。 - 特許庁 - In the case where dye is mixed to the second luminescent layer 5, the second transparent electrode 4 is formed by using a binder resistant to a solvent of the second luminescent layer forming ink and the dye.
第２発光層５に染料を混入する場合には、第２透明電極は第２発光層形成インクの溶剤及び染料に対して耐性のあるバインダーを用いて形成する。 - 特許庁 - A second base layer (7) of a second conductivity type and emitter layers (8) of a first conductivity type are arranged in the main cell (MR), and a buffer layer (9) of a second conductivity type is arranged in the dummy cell (DR).
メインセル（ＭＲ）内に第２導電型の第２ベース層（７）と第１導電型のエミッタ層（８）とが配設され、ダミーセル（ＤＲ）内に第２導電型のバッファ層（９）が配設される。 - 特許庁 - The thin film device comprises: a first thin film element layer (13); a first electrode terminal (16); a first nonconduction terminal (17); a second thin film element layer (23); a second electrode terminal (26); and a second nonconduction terminal (27).
薄膜デバイスは、第１の薄膜素子層(13)と、第１の電極端子(16)と、第１の非導通端子(17)と、第２の薄膜素子層(23)と、第２の電極端子(26)と、第２の非導通端子(27)と、を含む。 - 特許庁 - A second substrate 15 has a second recording layer 13 compliant with the first specifications on one surface, and has a third recording layer 14 compliant with the second specifications on the other surface.
第２の基板１５は、一方の面に、第１の規格に準拠した第２の記録層１３を有し、他方の面に、第２の規格に準拠した第３の記録層１４を有する。 - 特許庁
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