「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 50 51 52 53 54 55 56 57 58 .... 429 430 次へ＞- The area of a first region facing the first diffusion layer 115, of the third diffusion layer 14A is larger than the area of a second region facing the first diffusion layer 115, of the second diffusion layer 114B.
第３拡散層１４Ａにおいて、第１拡散層１１５に対向する第１領域の面積は、第２拡散層１１４Ｂにおいて第１拡散層１１５に対向する第２領域の面積より大きい。 - 特許庁 - By a second liquid growth process in other process, a conductivity type of the upper layer of the light emitting layer forming part 4, i.e., a second epitaxial growth layer 5 composed of a P-type GaP layer is subjected to thick liquid growth.
そして、さらに別工程の第２の液相成長工程により発光層形成部４の上層の導電形、すなわちｐ形のＧａＰ層からなる第２のエピタキシャル成長層５を厚く液相成長する。 - 特許庁 - A size of the opening measured on a face of the second insulation layer facing the first insulation layer is made smaller than a size of the opening measured on a face of the first insulation layer facing the second insulation layer.
そして、第１絶縁層に向かう第２絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、第２絶縁層に向かう第１絶縁層の一面で測定される開口部の大きさより小さく形成される。 - 特許庁 - A second wiring layer 14 connected electrically to the conductive ball 30 is formed on the insulating layer 25, whereby the interlayer connection of the first wiring layer 12 and the second wiring layer 14 is established through the conductive ball 30.
絶縁層２５の上には導電性ボール３０に電気的に接続された第２配線層１４が形成され、導電性ボール３０を介して第１配線層１２と第２配線層１４が層間接続されている。 - 特許庁 - Furthermore, the first protective layer 8 and the second protective layer are formed to almost the same film thickness, and the first lubrication layer 9 and the second lubrication layer are formed to almost the same film thickness.
さらには、第１の保護層８の膜厚と第２の保護層の膜厚とを互いにほぼ等しくするとともに、第１の潤滑層９の膜厚と第２の潤滑層の膜厚とを互いにほぼ等しくする。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium or the like of two-layer recording/reproducing type comprising a first recording layer and a second recording layer, capable of obtaining good recording signal characteristics from the second recording layer located to the deeper side and excellent in light fastness.
第１記録層及び第２記録層を有し、奥側に位置する第２記録層からも良好な記録信号特性が得られ、耐光性に優れた片面２層記録再生タイプの光記録媒体等の提供。 - 特許庁 - The first semiconductor layer has a first electric resistance value and covers at least parts of the surface of the insulating layer, and the second semiconductor layer has a second electric resistance value and covers at least parts of the surface of the insulating layer.
該第一半導体層は第一電気抵抗値を具え、少なくとも該絶縁層の部分表面を覆い、該第二半導体層は第二電気抵抗値を具え、少なくとも該絶縁層の部分表面を覆蓋する。 - 特許庁 - The sealing body is constituted by laminating at least a first rubber layer and a second rubber layer, in which fluororubber is compounded, and the first rubber layer and the second rubber layer are subjected to vulcanization bonding, so that gas permeability is low and heat resistance characteristic is superior.
少なくとも第１のゴム層とフッ素ゴムを配合した第２のゴム層とを積層してなり、第１のゴム層と第２のゴム層が加硫接合しているので、ガス透過性が低く、耐熱特性が良好である。 - 特許庁 - A balun includes a first metallic layer 210, a second metallic layer 220, a third metallic layer 230, a first dielectric layer 240 disposed between the second and third metallic layers, and a dielectric substrate 250.
バランは、第一の金属層２１０と、第二の金属層２２０と、第三の金属層２３０と、第二および第三の金属層間に配された第一の誘電体層２４０と、誘電体基板２５０と、を有する。 - 特許庁 - A part of an insulating layer 25 defining a contact region between the second conductive layer 24 and the piezoelectric material layer 23 is interposed between the second pad 24c and the piezoelectric material layer 23 in the thickness direction of the device substrate 10.
第２導電層２４と圧電材料層２３との接触領域を規定する絶縁層２５の一部が、デバイス基板１０の厚み方向において第２パッド２４ｃと圧電材料層２３との間に介在している。 - 特許庁 - The reinforcing cloth 3 has a first layer 3a which includes a binder and a second layer 3b which either includes no binders or includes less amount of binders than the first layer, and the second layer 3b is arranged at the pad body 2 side.
該補強布３は、バインダーを含む第１層３ａとバインダーを含まないか又は第１層よりもバインダー含有量が少ない第２層３ｂとを有しており、該第２層３ｂがパッド本体２側に配置されている。 - 特許庁 - A width (a) of the mesa contact layer between the grooves is smaller than a width (mesa width W) of the mesa second cladding layer, and a top face of the mesa second cladding layer is exposed over a predetermined length (b) outside edges of the mesa contact layer.
溝間のメサコンタクト層の幅ａはメサ第２クラッド層の幅（メサ幅Ｗ）よりも小さく、かつメサコンタクト層の縁の外側には所定長さ（ｂ）に亘ってメサ第２クラッド層の上面が露出している。 - 特許庁 - A conductor layer 14 and a third ceramic layer 13 containing third crystallized glass having a third softening point higher than the second softening point, are formed between the first ceramic layer 11 and the second ceramic layer 12.
第１セラミック層１１と第２セラミック層１２との間には、導体層１４と、第２軟化点より高い第３軟化点を有する第３結晶化ガラスを含む第３セラミック層１３とが形成されている。 - 特許庁 - Ionomer impregnated into the first catalyst precursor layer, the second catalyst precursor layer, electrolyte precursor film, and the diffusion layer material is sulfonated by performing a water-added decomposition treatment from the second catalyst precursor layer side.
第２の触媒前駆体層側から加水分解処理して、第１の触媒前駆体層、第２の触媒前駆体層、電解質前駆体膜、および拡散層部材内に浸透したアイオノマをスルホン化させる。 - 特許庁 - Accordingly, cracks occurring at the first semiconductor layer 3 can be inhibited at the boundary surface of the first semiconductor layer 3 with the second substrate 4 when causing the growth of the second semiconductor layer 5 on the first semiconductor layer 3.
そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。 - 特許庁 - This electromagnetic wave shielding film comprises a first layer film and a second layer film formed on the surface of a molded plastic product, wherein the first layer film consists of a Cu material, and the second layer film consists of a Sn-Cu-Ni alloy or a Sn-Cu-chromium (Cr) alloy.
プラスチック成形品の表面に形成された第１層被膜および第２層被膜であり、該第１層被膜の材質はCu、第２層被膜の材質は、Sn-Cu-Ni合金またはＳn-Cu-クロム(Cr)合金である。 - 特許庁 - The surface of the thin film coil 10 at the second magnetic layer 14 side is located at the first magnetic layer 8 side rather than the end location at the second magnetic layer 14 side of the gap layer 9 in the medium facing surface ABS.
薄膜コイル１０の第２の磁性層１４側の面は、媒体対向面ＡＢＳにおけるギャップ層９の第２の磁性層１４側の端部の位置よりも、第１の磁性層８側に配置されている。 - 特許庁 - The second roll forms on the surface a second layer being in liquid and/or semi-solidified state, and rotates while accompanied with the second layer, so that the first and second layers are superimposed at the kissing point of both rolls.
第２ロールは、表面に液体状態乃至半凝固状態の第２層を形成し、第２層を伴って回転し、第１層と第２層とを両ロールのキス点において重ね合わせるようになっている。 - 特許庁 - Aside from this, a second clad layer 17 is formed on a second substrate 16 and further, second cores 18a extending in parallel with each other in a direction parallel with the first core 13a are formed on the second clad layer 17.
またこれとは別個に、第２に基板１６上に第２のクラッド層１７を形成し、さらに第２のクラッド層１７上に第１のコア１３と平行な方向に並行して延びる第２のコア１８ａを形成する。 - 特許庁 - A second resist pattern is formed by exposure using a second multi-gradation photomask, a second conductive layer and a second semiconductor layer are etched, and a thin-film transistor, a pixel electrode, and a connection terminal are formed.
さらに、第２の多階調フォトマスクを用いた露光により第２のレジストパターンを形成し、第２の導電層および第２の半導体層をエッチングし、薄膜トランジスタ、画素電極、および接続端子を形成する。 - 特許庁 - On the parallel hard mask line and the hard mask spacer layer, a second parallel line pattern (second photoresist film) is formed which intersects with the parallel hard mask line and has a second size width for transcription on the hard mask layer (second etching).
平行ハードマスクラインおよびハードマスクスペーサ層上に、平行ハードマスクラインと交差し、かつ第２サイズの幅を有する第２平行ラインパターン（第２フォトレジスト膜）を形成し、これをハードマスク層に転写する（第２エッチング）。 - 特許庁 - The second electrode terminal and the second nonconduction terminal have portions penetrating the second thin film element layer, respective portions exposed to the upper and lower surfaces of the second thin film element layer, respectively.
第２の電極端子と第２の非導通端子は、それぞれ、第２の薄膜素子層を貫通する貫通部と、第２の薄膜素子層の上面、下面にそれぞれ露出する上側露出部及び下側露出部と、を備える。 - 特許庁 - The radiation transmitting the first radiographic layer 12A reaches a second radiographic layer 12B, so that image information is provided by the second radiographic layer 12B.
さらに、この放射線は、第１放射線撮像層１２Ａを透過して第２放射線撮像層１２Ｂまで到達するため、第２放射線撮像層１２Ｂによっても画像情報が得られる。 - 特許庁 - The cured material layer 3 includes a first cured material layer part 3a on the first connection target member 2 side and a second cured material layer part 3b on the second connection target member 4 side.
硬化物層３は、第１の接続対象部２材側に第１の硬化物層部分３ａと、第２の接続対象部材４側に第２の硬化物層部分３ｂとを有する。 - 特許庁 - The PMOS5 has a second substrate layer 17 which is made of SiC and is on the board 1, and the second channel layer 19 which is on the substrate layer 17 and is made of the Si containing a compressive distortion.
ＰＭＯＳ５は、基板１上のＳｉＣからなる第２下地層１７と、この上部のＳｉからなる圧縮歪みを内在する第２チャネル層１９とを備えている。 - 特許庁 - The first laminate 12 and the second laminate 14 are stuck to each other via an adhesive layer 28 so that the first reflective layer 20 and the second reflective layer 26 are opposed to each other.
そして、第１積層体１２及び第２積層体１４が、第１反射層２０と第２反射層２６とが対向するように、接着層２８を介して貼り合わされている。 - 特許庁 - A first insulating layer 31 and a second insulating layer 32 are laminated in order on a glass substrate 21, and the plurality of discharge electrodes 23, 24 are provided on the top of the second insulating layer 32.
ガラス基板２１の上に第１絶縁層３１及び第２絶縁層３２を順に積層し、第２絶縁層３２の上面に複数の放電電極２３，２４を設ける。 - 特許庁 - A second solid electrolyte layer is provided adjacently to the first solid electrolyte layer and, in the second solid electrolyte layer, the reference gas chamber and measuring gas chamber are provided.
第１の固体電解質層と隣り合って第２の固体電解質層が設けられており、この第２の固体電解質層に参照ガス室と測定ガス室が設けられている。 - 特許庁 - Then, the second p-type clad layer 107 is dry-etched until reaching the etching stop layer 106, by using as a mask a stripe-form SiO_2 film 109 formed on the second p-type clad layer 107.
次に、ｐ型第２クラッド層１０７上に形成したストライプ状のＳｉＯ_2膜１０９をマスクとして第２クラッド層１０７をエッチングストップ層１０６に至るまでドライエッチングする。 - 特許庁 - A thickness of the second insulating layer or a total thickness of the second insulating layer and any insulating layer existing below it occupies 30% or more but not more than 98% of the depth of the cavity.
第２絶縁層の厚さ、あるいは第２絶縁層と、そのさらに下方にある任意の絶縁層の厚さの合計は、キャビティの深さの３０％以上、９８％以下を占める。 - 特許庁 - The penetration electrode is formed in a through-hole that penetrates the first clad layer, the current-blocking part, the second clad layer, and the contact layer, and is electrically connected to the second ohmic electrode.
貫通電極は、第１クラッド層、電流ブロック部、第２クラッド層及びコンタクト層を貫通する貫通孔内に形成されていて、第２オーミック電極と電気的に接続されている。 - 特許庁 - The electro-optic device has at least a first conductive layer, a second conductive layer, and an electro-active layer of the reduced organic material disposed between the first and second conductive layers.
電気光学デバイスは、少なくとも、第一の導電層、第二の導電層、並びに第一及び第二の導電層の間に配設された還元有機物質の電子活性層を有している。 - 特許庁 - The first memory layer includes a plurality of first memory devices (28a), the second memory layer includes a plurality of second memory devices (28b), and the photographing layer includes a plurality of photographing devices (26).
第１のメモリ層は、複数の第１のメモリ素子（２８ａ）を備え、第２のメモリ層は、複数の第２のメモリ素子（２８ｂ）を備え、撮像層は、複数の撮像素子（２６）を備えている。 - 特許庁 - On a light-emitting layer 7 composed of a nitride semiconductor, a second clad layer 8 made of p-AlGaN and a second contact layer 9a made of p-GaN are formed in this order.
窒化物系半導体からなる発光層７の上に、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層８およびｐ−ＧａＮからなる第２コンタクト層９ａが順に形成される。 - 特許庁 - The plurality of layout layers 21 include a first layout layer and a second layout layer where a first structure LPX and a second structure LPY that are formed in the same physical layer.
ここで、複数のレイアウト層２１は、同一の物理層に形成される第１構造ＬＰＸと第２構造ＬＰＹがそれぞれ配置される第１レイアウト層と第２レイアウト層を含んでいる。 - 特許庁 - In the cross point type ferroelectric memory 100, the first memory cell array 30 and the second memory cell array 60 are laminated through a first interlayer insulating layer 20 and the second inter-layer insulating layer 50.
クロスポイント型強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ３０と第２メモリセルアレイ６０とが、第１層間絶縁層２０と第２層間絶縁層５０とを介して積層されている。 - 特許庁 - Either the first circuit or the second circuit, which is a thicker one, is a lamination of a clad structure consisting of a first copper layer, a different kind of metal layer, and a second copper layer.
そして、第１回路又は第２回路のいずれか厚い方の回路が、第１銅層／異種金属層／第２銅層の３層が順次積層したクラッド状であることを特徴とする。 - 特許庁 - The first conductive layer is formed before forming the second conductive layer by the liquid-drop spitting method, thereby improving the adhesion and peeling resistance of the second conductive layer.
本発明は、液滴吐出法により第２の導電層を形成する前に、第１の導電層を形成しておくことで、第２の導電層の密着性、耐剥離性を向上させる。 - 特許庁 - A second semiconductor layer 120 of Al_x2Ga_y2In_z2N (x2+y2+z2=1, x2>x1, y2≥0, z2≥0) is arranged on the first semiconductor layer and a gate region is arranged on the second semiconductor layer.
第１の半導体層の上にはＡｌ_ｘ２Ｇａ_ｙ２Ｉｎ_ｚ２Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１、ｘ２＞ｘ１、ｙ２≧０、ｚ２≧０）の第２の半導体層が配され、第２の半導体層の上にはゲート領域が配置される。 - 特許庁 - An I layer 30 and a second conductivity type semiconductor layer 40 are formed in the case of a PIN photodiode, and the second conductivity type semiconductor layer 40 is formed in the case of a PN photodiode.
ＰＩＮフォトダイオードの場合、Ｉ層３０及び第２導電型の半導体層４０を備え、ＰＮフォトダイオードの場合、第２導電型の半導体層４０を備えている。 - 特許庁 - A process for exposing the resist layer includes a first exposing process for forming a first latent image 61 in the resist layer, and a second exposing process for forming a second latent image in the resist layer.
レジスト層を露光する工程は、レジスト層に第１の潜像６１を形成する第１の露光工程と、レジスト層に第２の潜像を形成する第２の露光工程とを含んでいる。 - 特許庁 - (2) The dummy cell has second layers 43 arranged between the separators 41 and the first layer 42, and each second layer 43 has pins 44 or walls extending in a direction vertical to the first layer.
（２）セパレータ４１と第１の層４２との間に配置された第２の層４３を有し、該第２の層４３は、第１の層に対して垂直方向に延びるピン４４または壁を有する。 - 特許庁 - The second coating film 4 has a first layer in contact with the base material 2 and composed of Ni, and a second layer in contact with the first layer and composed of Ag.
第２の被膜４は、基材２に接触しかつＮｉで構成された第１の層と、当該第１の層に接触しかつＡｇで構成された第２の層とを有するものである。 - 特許庁 - The first gate electrode 133 and the second gate electrode 134 include a first conductive layer 155 having a concave cross-section and a second conductive layer 156 formed on the first conductive layer 155.
第１ゲート電極１３３及び第２ゲート電極１３４は、断面凹形の第１導電層１５５及び該第１導電層１５５の上に形成された第２導電層１５６を含む。 - 特許庁 - The second resist layer is suitably baked to form a symmetrical alignment mark in the second resist layer without or substantially without an offset error from the alignment mark in the first resist layer.
第２のレジスト層を適切にベークすることによって、対称アライメントマークを第２のレジスト層内に、第１のレジスト層内のアライメントマークからのオフセットエラーなく、またはほとんどなく形成する。 - 特許庁 - Light incident from the light transmission slit 7 of a second reflection layer 6 through a group of condenser cylindrical lenses 9 is reflected multiply between a first reflection layer 5 and the second reflection layer 6.
集光シリンドリカルレンズ群９を通り、第２の反射層６の光透過スリット７から入射した光が、第１の反射層５と第２の反射層６との間で多重反射される。 - 特許庁 - The second metal layer is provided on an opposite side of the second semiconductor layer side of the first metal layer, and contains at least any one element of gold, platinum, palladium, rhodium, iridium, ruthenium, and osmium.
第２金属層は、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む。 - 特許庁 - Here, pressure-sensitive adhesive sheets having substrates may be used as the second pressure-sensitive adhesive layer and the second rigid film layer laminated on the heat-contractible film layer side of the self-rolling pressure-sensitive adhesive sheet.
前記自己巻回性粘着シートの熱収縮性フィルム層側に積層する第２粘着剤層及び第２剛性フィルム層として基材付き粘着シートを用いてもよい。 - 特許庁 - A high fusing point metal layer is provided on inner walls of a contact hole for the first diffusion layer and connected with first metal wiring, and the second diffusion layer is directly connected with second metal wiring.
第1の拡散層に対するコンタクトホールの内壁には高融点金属層を設け、第１の金属配線と接続し、第２の拡散層は第２の金属配線と直接接続する。 - 特許庁 - Furthermore, first wiring 25 is provided between the first insulating layer 31 and the glass substrate 21, and second wiring 26 is provided between the first insulating layer 31 and the second insulating layer 32.
さらに、第１配線２５を第１絶縁層３１とガラス基板２１との間に設ける一方、第２配線２６を第１絶縁層３１と第２絶縁層３２との間に設ける。 - 特許庁
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