「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The third semiconductor layer 18C is formed on and in contact with the second semiconductor layer 18B and has a lattice constant that is smaller than that of the first semiconductor layer 18A and larger than that of the second semiconductor layer 18B.
    第３の半導体層１８Ｃは、２の半導体層１８Ｂの上に接して形成され第１の半導体層１８Ａと比べて格子定数が小さく且つ第２の半導体層１８Ｂと比べて格子定数が大きい。 - 特許庁
  • The second layer, when irradiated with a laser beam, reacts with the first recording layer and a crystal reaction is induced and recording points are formed at the boundary between the first recording layer and the second recording layer.
    第２の記録層は金属イオン溶液で構成され、レーザー光が照射されると、第２の記録層は第１の記録層に反応し、結晶反応が引き起こされ、第１の記録層と第２の記録層の界面に記録ポイントが形成される。 - 特許庁
  • A plurality of trenches are formed at a bonding surface side between a first layer and a second layer of an abrasive pad having a double layer structure, and negative pressure is applied to the trenches, so that recesses for introducing slurry are formed on the surface of the second layer of the abrasive pad.
    ２層構造を持った研磨パッドの第１層の第２層との接着面側に複数の溝を設け、前記溝に負圧を掛けることで研磨パッド第２層の表面にスラリ導入のための凹みを形成するようにした。 - 特許庁
  • Etching is started with the upper surface of the second resin layer 24, and is continued until a protruding part of the first resin layer 22 is exposed from the second resin layer 24 and the upper part of the spacer 18 of the wiring is exposed from the first resin layer 22.
    エッチングを、第２の樹脂層２４の上面に対して開始し、第２の樹脂層２４から第１の樹脂層２２の凸部が露出し、配線のスペーサ１８上の部分が第１の樹脂層２２から露出するまで行う。 - 特許庁
  • Then, in accordance with an opening pattern of a stencil mask to be manufactured, a through hole corresponding to the opening pattern is formed by etching the second silicon oxide layer 2, second silicon layer 4, first silicon oxide layer 6, and first silicon layer 10 in order.
    次に、製造するステンシルマスクの開口パターンに応じて、第２酸化シリコン層２と第２シリコン層４と第１酸化シリコン層６と第１シリコン層１０を順にエッチングして開口パターンに応じた貫通口を形成する。 - 特許庁
  • A first electrode 16 is formed on the opposite side of the first quantum well layer 11 of the energy barrier layer 13 and a second electrode 17 is formed on the opposite side of the second quantum well layer 12 of the third energy barrier layer 15.
    第１のエネルギー障壁層１３の第１の量子井戸層１１と逆側に第１の電極１６を形成し、第３のエネルギー障壁層１５の第２の量子井戸層１２と逆側に第２の電極１７を形成する。 - 特許庁
  • A second metal pad 112 formed on a semiconductor substrate 100 is directly connected through a second inter-layer insulation layer 106, and a third inter-layer insulation layer 110 to a first metal pad 108 and a P-poly pattern 104.
    半導体基板１００に形成された第２メタルパッド１１２が第２層間絶縁層１０６および第３層間絶縁層１１０を介して第１メタルパッド１０８およびＰ−ポリパターン１０４と直接接続される。 - 特許庁
  • The electrodes 14a, 14b are arranged to run the ECF from the second layer 32 through the hole 21 to the first layer 31, and run the ECF from the first layer 31 through the ends to the second layer 32.
    電極１４ａ、１４ｂは、第２の層３２から穴２１を通って第１の層３１にＥＣＦを流動させると共に、第１の層３１から端部を通って第２の層３２にＥＣＦを流動させるように配置されている。 - 特許庁
  • The refractive indexes of the first clad layer 30 and the second clad layer 50 are lower than the refractive index of the core 42, and the refractive index of the side clad 44 is lower than the refractive indexes of the core 42, the first clad layer 30 and the second clad layer 50.
    第１クラッド層３０及び第２クラッド層５０の屈折率は、コア４２の屈折率より低く、かつ、サイドクラッド４４の屈折率は、コア４２、第１クラッド層３０及び第２クラッド層５０の屈折率よりも低い。 - 特許庁
  • The plastic strip comprises at least one layer of polymer (12) and at least one layer of a second material (13), wherein the at least one layer of polymer and the at least one layer of the second material are in the form of sandwich.
    プラスチック製ストリップは、ポリマー（１２）の少なくとも１つの層及び第２の材料（１３）の少なくとも１つの層を有し、少なくとも１つのポリマー層及び少なくとも１つの第２材料層は、サンドイッチの形態をしている。 - 特許庁
  • The second electroformed layer is laminated on the flat surface of the first electroformed layer, and the second electroformed layer is also formed on an inner wall of a through hole made in the flat surface of the first electroformed layer.
    第２の電鋳層が第１の電鋳層の一平面に積層して形成され、且つ第２の電鋳層が第１の電鋳層の一平面に設けられた貫通穴の内壁上にも形成されていることを特徴としている。 - 特許庁
  • The first layer 1 has a first real wiring 4 connected to a wiring 5 of the second wiring layer 2 via a through-hole 8 of the through-hole layer 3, and a first imaginary wiring 6-3 not connected to the wiring of the second layer 2.
    第１配線層１は、スルーホール層３のスルーホール８を介して第２配線層２の配線５に接続する第１実配線４と、第２配線層２の配線に接続しない第１虚配線６−３とを備えている。 - 特許庁
  • The power generating module 20 is provided with a first multi-layer substrate 21 at a rear face side, a second multi-layer substrate 22 at a front face side, and a lamination type fuel cell 23 pinched between the first multi-layer substrate 21 and the second multi-layer substrate 22.
    発電モジュール２０は、裏面側の第１の多層基板２１と、正面側の第２の多層基板２２と、第１の多層基板２１と第２の多層基板２２との間に挟持された積層型の燃料電池２３と、を備える。 - 特許庁
  • The first layer has a laminate structure consisting of two or more layers laminated one on another, and the second layer has a single-layer structure consisting of part of the first layer or a laminate structure, the first and the second layers constituting a conductive pattern part.
    第１の層は２以上の層が積層された積層構造を有し、第２の層は第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、第１の層および第２の層は導電パターン部を形成する。 - 特許庁
  • The first reflection layer 11 and the second reflection layer 12 diffuse reflection light in accordance with their own structures, and a diffusing angle of light reflected by the first reflection layer 11 is different from that of light reflected by the second reflection layer 12.
    第１反射層１１および第２反射層１２は、それ自体の構造により反射光を拡散させるものであり、かつ、第１反射層１１と第２反射層１２で反射される光の拡散角が互いに異なっている。 - 特許庁
  • A first plated layer 20a is formed on a surface of an inner end part 4a of a first lead 4, a first plated layer 20a and a second plated layer 20b formed on a surface of the first plated layer 20a are formed on a surface of an inner end part 5a of a second lead 5.
    第１のリード4の内端部4aの表面に第１のメッキ層20aを形成し、第２のリード5の内端部5aの表面に第１のメッキ層20aと、第１のメッキ層20aの表面に形成された第２のメッキ層20bとを形成する。 - 特許庁
  • The tunnel junction is formed by using a first magnetic layer equipped with a hollow portion, a second magnetic layer having magnetic property different from the first magnetic layer, and a tunnel insulating layer interposed between the first and the second magnetic layers.
    中空部を備える第１の磁性層と、この第１の磁性層と異なる磁化特性を有する第２の磁性層と、前記第１および第２の磁性層の間に介在するトンネル絶縁層とによってトンネル接合を形成する。 - 特許庁
  • By adding a GDL (Gas Diffusion Layer) before the presser plate of the second time is press-inserted, a five-layer type MEA of GDL, catalyst electrode layer, PEM, the second catalyst electrode layer, and GDL' is obtained.
    また、２回の押え板を押し入れる前、気体拡散層（Ｇａｓ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＧＤＬ）を追加すると、ＧＤＬ＋触媒電極層＋ＰＥＭ＋第２の触媒電極層＋ＧＤＬ’の五層式ＭＥＡが得られる。 - 特許庁
  • A printing head to be used preferably in this imaging system comprises a first electrode layer, a second electrode layer, and a partition structure including a semiconductor disposed between the first electrode layer and the second electrode layer.
    本発明による、画像形成システムで使用するのに適したプリントヘッドは、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層の間に配置されている、半導体を含む隔離構造体と、を備えている。 - 特許庁
  • When the first catalyst layer is arranged on the electrolyte membrane side than the second catalyst layer, an ionomer of the first catalyst layer makes oxygen solubility lower and surface area smaller than those of an ionomer of the second catalyst layer.
    ここで、第１触媒層を、第２触媒層よりも、電解質膜側に配置される触媒層とすると、第１触媒層のアイオノマは、第２触媒層のアイオノマに比べて、酸素溶解度が低くかつ表面積が小さいものとする。 - 特許庁
  • In the internal electrode layer, adhesion strength cannot be ensured between the internal electrode layer and the piezoelectric ceramics layer if the second phase is insufficient and the internal electrode layer does not exhibit its function if the second phase is excessive.
    内部電極層において、第２の相が少なすぎると内部電極層と圧電セラミックス層の接着強度を確保することができず、逆に第２の相が多すぎると内部電極層がその機能を発揮しがたくなる。 - 特許庁
  • A first processing part 50 writes data in a first recording layer capable of rewriting data or a second recording layer capable of writing data once of an optical disk 10 containing at least the first recording layer and the second recording layer.
    第１処理部５０は、データを書換え可能な第１記録層と、データを１回だけ書込み可能な第２記録層とが少なくとも含まれた光ディスク１０のうち、第１記録層あるいは第２記録層にデータを書き込む。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer 14 has a crystal structure that is different from that of the second semiconductor layer 13, and the forbidden band width Eg_1 of the first semiconductor layer 14 and the forbidden band width Eg_2 of the second semiconductor layer 13 satisfy the relation Eg_1<Eg_2.
    第１の半導体層１４と第２の半導体層１３の結晶構造が異なり、第１の半導体層１４の禁制帯幅Ｅｇ_1と第２の半導体層１３の禁制帯幅Ｅｇ_2とが、Ｅｇ_1＜Ｅｇ_2の関係を満たす。 - 特許庁
  • A first layer formed of an alumina quality sintered body and a second layer formed of cemented carbide or cermet are integrally joined, and the ratio of a thickness of the first layer to a thickness of this second layer is set to 0.03-0.50.
    アルミナ質焼結体で形成された第１の層と、超硬合金あるいはサーメットで形成された第２の層とを一体に接合し、この第２の層の厚みに対する第１の層の厚みの比を、０．０３から０．５０とした。 - 特許庁
  • The first thermally treating process for forming the second resist layer is carried out at a lower temperature than the second thermally treating process for forming the first resist layer, or at the same temperature with the second thermally treating process for a shorter time than the second thermally treating process.
    ２層目のレジスト層を形成するための熱処理工程は、１層目のレジスト層を形成するための熱処理工程に比べて、熱処理の温度が低いか、あるいは熱処理の温度が等しく且つ熱処理の時間が短い。 - 特許庁
  • Likewise, a second barrier layer 10 and an upperlayer wiring 11 are formed in the trenches 8 of the second inter-layer insulating films 7 containing second porous low dielectric-constant films 7b through second sidewall protective films 9 formed on the side walls of the trenches 8.
    同様に、多孔質の第２低誘電率膜７ｂを含む第２層間絶縁膜７のトレンチ８内にその側壁に設けられた第２側壁保護膜９を介して第２バリア層１０および上層配線１１が形成される。 - 特許庁
  • The first prism 32 and the second prism 33 are coupled together on both sides of the air layer 35.
    第１プリズム32と第２プリズム33とは空気層35を挟んで結合されている。 - 特許庁
  • The magnetic bits of the second magnetic layer have island-like shapes which are independent of one another.
    第２磁性層の磁気ビットは、互いに独立的なアイランド形状である。 - 特許庁
  • A second connection metal layer 31 is formed on a surface of the wiring board 2.
    配線基板２の表面には第２の接続金属層３１が形成される。 - 特許庁
  • METHOD OF CONNECTING WIRING LAYER BETWEEN FIRST AND SECOND WIRING SUBSTRATES
    第一配線基材と第二配線基材間における配線層の接続方法 - 特許庁
  • The second metal layer 16 has surface of Au, or the like, not being etched.
    第二のメタル層１６は表面がＡｕの如きエッチングされない金属である。 - 特許庁
  • The second insulating layer includes a fourth opening 16a for exposing the pad portion.
    第二絶縁層がパッド部を露呈させる第四開口部１６ａを有する。 - 特許庁
  • The second heating structure is used to heat the absorption layer.
    前記第二加熱構造体が、前記吸収層を加熱することに用いられる。 - 特許庁
  • The second electrode 14 is formed to cover the dielectric layer 13.
    第２の電極１４は、誘電体層１３を覆うように形成されている。 - 特許庁
  • The second depth is 0.4 when the thickness of the semiconductor layer 12 is defined as 1.0.
    第２深さは、半導体層１２の厚みを１．０としたときに０．４である。 - 特許庁
  • The reflective layer is disposed over at least a portion of the second transparent electrode.
    反射層は第２の透明電極の少なくとも一部の上に配置される。 - 特許庁
  • A second insulating layer having a protrusion pattern is formed in the reflection region D.
    反射部Ｄに凸凹型パターンを有する第２絶縁層が形成される。 - 特許庁
  • The second semiconductor layer 150 includes a blend of polythiophene and an electron acceptor.
    第２の半導体層１５０はポリチオフェンと電子受容体とのブレンドを含む。 - 特許庁
  • A second semiconductor layer 25 is formed to cover a first principal plane 10b.
    第２の半導体層２５を、第１の主面１０ｂを覆うように形成する。 - 特許庁
  • A second line in another layer can couple so as to receive gate signals.
    別の層にある第二の線は、ゲート信号を受信するように結合できる。 - 特許庁
  • Second signal wiring 19 is formed in a power supply wiring layer 11.
    電源配線層１１には、第２の信号配線１９が形成されている。 - 特許庁
  • A second reflection layer 40 is formed on an upper surface of the transparent electrode 36.
    透明電極３６の上面には、第２反射層４０が形成される。 - 特許庁
  • A second etching mask is formed on an external metal layer through digital lithography.
    外金属層上にディジタル・リソグラフィによって第２エッチング・マスクを形成する。 - 特許庁
  • The second semiconductor layer 30 is cleaved to form a pair of resonator end surfaces.
    第２半導体層３０を劈開し一対の共振器端面を形成する。 - 特許庁
  • The second conductive layer 242a is formed covering the whole barrier ribs 23.
    第２導電層２４２ａは隔壁２３全体を覆うように形成されている。 - 特許庁
  • The coating layer 57 forms a joining face 53 to be brought into contact with the second block.
    めっき層５７は、第２ブロックと接触する合わせ面５３を形成する。 - 特許庁
  • In a second embodiment, the P-transition layer is an arbitrary Group III-V semiconductor.
    第２実施形態では、Ｐ型遷移層は、任意のIII-Ｖ族半導体である。 - 特許庁
  • A plenum formed on the second layer supplies thermal transfer gas onto the supporting surface.
    第２の層に形成されたプレナムが、熱移動ガスを支持面に供給する。 - 特許庁
  • Light emitted in the light emitting layer 102 is taken out of the second electrode 103.
    発光層１０２で発した光は第２の電極１０３から取り出される。 - 特許庁
  • Further, the plurality of stems are formed at least on the second layer of material.
    さらに、複数のステムは、材料の少なくとも第２層上に形成される。 - 特許庁
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