「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 70 71 72 73 74 75 76 77 78 .... 429 430 次へ＞- This LED structure includes a substrate having a surface and a cylindrical photonic crystal, a first doping semiconductor layer, a first electrode, a light emitting layer, a second doping semiconductor layer and a second electrode.
このＬＥＤ構造は、表面と円筒形フォトニック結晶とを有する基板と、第1型ドーピング半導体層と、第１電極と、発光層と、第2型ドーピング半導体層と、第2電極と、を備えている。 - 特許庁 - The power semiconductor device includes a first conductivity type second semiconductor layer 2, and a second conductivity type third semiconductor layer 3 alternately disposed on a first conductivity type first semiconductor layer 1.
電力用半導体装置は、第１導電型の第１半導体層１上に交互に配設された、第１導電型の第２半導体層２と第２導電型の第３半導体層３とを有する。 - 特許庁 - A drift layer is formed having a pillar structure having a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type in pillar shapes alternately and periodically formed on a semiconductor substrate.
半導体基板上に柱状の第１導電型の第１の半導体層と第２導電型の第２の半導体層とが交互に周期的に形成されたピラー構造のドリフト層が形成される。 - 特許庁 - The MOS device comprises a first conduction-type semiconductor layer and second conduction-type first and second source/drain regions, which are formed in the semiconductor layer closely to an upper face of the semiconductor layer.
ＭＯＳデバイスは、第１の伝導型の半導体層と、半導体層の上面に近接して半導体層中に形成された第２の伝導型の第１および第２のソース／ドレイン領域とを含む。 - 特許庁 - After a recording gap layer 22 is formed on a flattened surface of the first magnetic pole 19a and the thin film coil 21, a second magnetic layer 25" including a second magnetic pole is formed on the recording gap layer 22.
第１の磁極１９ａおよび薄膜コイル２１の平坦化面上に記録ギャップ層２２を形成した後、記録ギャップ層２２上に第２の磁極を含む第２の磁性層２５”を形成する。 - 特許庁 - A connection terminal 4-1 connected to the first conductive layer and a connection terminal 4-2 connected to the second conductive layer are formed adjacent to each other in the vicinity of one end of the second conductive layer.
第一導電層に接続される接続端子４−１及び第二導電層に接続される接続端子４−２は、第二導電層の一端部近傍に互いに近づけて形成される。 - 特許庁 - On the inner wall of the damascene trenches, a first magnetic layer, a tunnel insulation film, and a second magnetic layer are deposited in this order and the space in the damascene trenches above the second magnetic layer is filled with a mask material.
記ダマシン溝の内壁に、第１磁性層、トンネル絶縁膜、および第２磁性層をこの順で堆積し、さらに、ダマシン溝内部の第２磁性層上の空間にマスク材料を埋め込む。 - 特許庁 - The configuration further includes a release layer 40 covering the second surface of the adhesive layer 30 and removable so as to expose the second surface of the adhesive layer 30 in order to be put on the own nail.
この構成はさらに、接着剤層３０の第２の表面を覆い、かつ自爪に貼り付けるために接着剤層３０の第２の表面を露出させるように除去可能な、剥離層４０を含む。 - 特許庁 - The reference layer (912 and 912') includes a dielectric layer (914), first and second conductors (20 and 22) separated by the dielectric layer (914), and a ferromagnetic cladding (912a, 912b, 912a', and 912b') on the first and second conductors (20 and 22).
基準層(912、912’)は、誘電体層(914)と、その誘電体層(914)によって分離される第１および第２の導体(20と22)と、その第１および第２の導体(20、22)上の強磁性被覆(912a、912b、912a’、912b’)とを含む。 - 特許庁 - The optical recording medium includes a first substrate, a second substrate and a reflective layer, wherein the second substrate includes the thermochromic dye, and the reflective layer is disposed between the first substrate and the second substrate.
本発明による光記録媒体は、第１基板と、感温変色性染料を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた反射層とを備える。 - 特許庁 - First wiring 31 and second wiring 32 are arranged in parallel to the first and second internal power source lines in the upper layer of a layer where the first and second internal power source lines are arranged.
第１の配線３１および第２の配線３２は、第１および第２の内部電源線が配置された層の上層において、第１および第２の内部電源線に対して平行に配置される。 - 特許庁 - The conductive element comprises a substrate having a first, a second and a third wave surfaces, a first layer formed on the first wave surface, and a second layer formed on the second wave surface.
導電性素子は、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体と、第１の波面上に設けられた第１の層と、第２の波面上に形成された第２の層とを備える。 - 特許庁 - Subsequently, second metal pillars 90 composed of plating metal are formed in second through holes in a micro diameter provided by exposure and development in a second resist layer formed on the upper surface of the first insulating layer 70.
次いで、第１絶縁層７０上面に形成した第２レジスト層に露光・現像処理により設けた微小径の第２貫通孔にめっき金属からなる第２金属柱９０を形成する。 - 特許庁 - Then the conductor 16 is wound around the first layer and the gap of the conductor 16 in the second layer is eliminated by pushing the conductor 16 with the jaw sections 20a and 22a of first and second pushing jaws 20 and 22 by moving the second jaw 22 upward.
次に、第１層の上に導線１６を巻き取り、第２押圧あご２２を上方に移動し、第１および第２押圧あごのあご部２０ａ，２２ａにより、２層目の導線１６間の隙間を詰める。 - 特許庁 - The second semiconductor layer 103B is sandwiched between the insulating layer 104 which belongs to the insulating layers 104, 107 of N layers but does not belong to the second gate insulating film, and the second gate insulating film.
第２半導体層１０３Ｂは、Ｎ層の絶縁層１０４、１０７のうちで第２ゲート絶縁膜に含まれていない絶縁層１０４と第２ゲート絶縁膜とによって挟まれている。 - 特許庁 - The second electrode has a fine line part extending on the second contact layer and a pad part provided at a non-formation region of the second contact layer and electrically connecting with the fine line part.
前記第２電極は、前記第２コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第２コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。 - 特許庁 - The second substrate 12 is comprised of a reflective material 22 and a second electrode layer 14, the reflective material 22 is arranged by aligning positions with the transmission region of the first substrate 11 and covered by the second electrode layer 14.
第２の基板１２は、反射材２２および第２の電極層１４からなり、反射材２２は、第１の基板１１の透過領域と位置を合わせて配設され、第２の電極層１４で被覆される。 - 特許庁 - A touch screen sheet 36 for detecting handwriting input to a display screen is provided above the second display layer 43, and a second image according to the handwriting is displayed on the second display layer 42.
第２表示層４２の上方には、表示画面に入力された筆跡を検出するタッチスクリーンシート３６が設けられており、第２表示層４２にはその筆跡に応じた第２画像が表示される。 - 特許庁 - A second grounding layer 13 on the rear surface of an external circuit board 2 is connected to a second auxiliary grounding layer 14 on the surface of the external circuit board 2 through the intermediary of a second via-hole conductor 19.
外部回路基板２の裏面の第２のグランド層１３は、第２のビアホール導電体１９を介して外部回路基板２の表面の第２の補助グランド層１４に接続されている。 - 特許庁 - The first layer is a blend of (a) a first polyolefin, (b) a second polyolefin, (c) a high frequency susceptible polymer, and (d) a first thermoplastic elastomer, and the second layer is formed of a second thermoplastic elastomer.
この第１層は、（ａ）第１のポリオレフィン、（ｂ）第２のポリオレフィン；（ｃ）高周波感受性ポリマー；および（ｄ）第１の熱可塑性エラストマーのブレンドからなり、第２層は、第２の熱可塑性エラストマーからなる。 - 特許庁 - The data wiring includes a first data line, formed on the first active layer and having a first source electrode part and a second data line, formed on the second active layer and having a second source electrode part.
データ配線は第１アクティブ層上に形成された第１ソース電極部を有する第１データライン、及び第２アクティブ層に形成された第２ソース電極部を有する第２データラインを含む。 - 特許庁 - At a predetermined position of the insulation layer 30, the via conductor 50 for connecting the first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 electrically is provided.
絶縁層３０の所定位置に、第１の配線層２０と第２の配線層２２とを電気的に接続するビア導体５０が設けられている。 - 特許庁 - In the filtration device 57, a filter medium 59 composed of a first layer 59a, a second layer 59b and a third layer 59c in the order of the flow of the raw material dope 36 is arranged.
濾過装置５７に、原料ドープ３６の流下方向に順に、第１層５９ａ、第２層５９ｂ、第３層５９ｃからなる濾材５９を配置する。 - 特許庁 - At the last, the positional relation (lamination ranking) between the upper layer part 106b and the second metal layer 106c of the first metal layer is reversed by a rapid heat treatment.
最後に、熱処理によって、上記の第１金属層の上層部１０６ｂと第２金属層１０６ｃとの位置関係（積層順位）を反転させる。 - 特許庁 - To form a second intermediate layer and a YBCO superconducting layer having a superior characteristic on a first intermediate layer on a board having a superior surface smoothness.
基盤上の表面平滑性に優れた第１中間層の上に第２中間層及び特性の優れたＹＢＣＯ超電導層を形成する。 - 特許庁 - The sealing layer 7 is composed of a first sealing layer 8 in which a filler is not mixed, and a second sealing layer 9 in which a conductive filler 10 is mixed.
封止層７は、フィラーを混入しない第一の封止層８と導電性フィラー１０を混入した第二の封止層９とで構成する。 - 特許庁 - The first cord layer 5 is arranged on a central part in the tire width direction, and the second cord layer 6 is arranged on both sides in the tire width direction of the first cord layer 5.
第１コード層５はタイヤ幅方向の中央部に配置され、第２コード層６は第１コード層５のタイヤ幅方向両側に配置されている。 - 特許庁 - Bonding pads the first conductive layer has are joined to the traces in the two directions, and further connected to the first conductive layer and a second conductive layer through vias.
第一導体層が有するボンディングパッドと二方向のトレースとを接合し、且つバイアにより第一導体層及び第二導体層に連接する。 - 特許庁 - A decorative film is formed from a precursor film wherein a first resin layer 2, a second resin layer 3 with a thickness of 0.3-0.8 μm and a metal layer 4 are laminated.
本発明の装飾フィルムは、第１樹脂層、厚さが０.３〜０.８μｍの第２樹脂層、および金属層を積層した前駆体フィルムから作製される。 - 特許庁 - A character board is characterized by a layered form wherein a first adhesive layer, an organic film, a second adhesive layer and a hard coat layer are sequentially stacked on a substrate.
基板上に、第１の接着層、有機フィルム、第２の接着層およびハードコート層が順次積層されてなる積層形態を特徴とする。 - 特許庁 - The second layer 22 is composed of the same metal as the component metal of the metal oxide of the first layer 21 or the same metal as the component metal of the metal nitride of the first layer 21.
第２の層２２は、第１の層２１の金属酸化物の構成金属と同じ金属、または金属窒化物の構成金属と同じ金属からなる。 - 特許庁 - A first conductive layer 12 is formed, a protective layer 13 is formed on each of parts opposed to the sides of the level difference, and a second conductive layer 14 is formed.
第１の導電層１２を形成し、段差の側面に対向する部分に保護層１３を形成し、第２の導電層１４を形成する。 - 特許庁 - A composite layer comprising a first resin layer 21 and a second resin layer 22 is formed on the surface of a base board 10 on which a conductor 11 is formed.
導電体１１が形成されたベース基板１０の表面に、第１の樹脂層２１と第２の樹脂層２２からなる複合層が形成される。 - 特許庁 - The protective layer 3 comprises a first protective layer 3a made principally of a resin and a second protective layer 3a made principally of a resin lower in a glass transferring temperature than the former resin.
保護層３は、樹脂を主体とする第１保護層３ａと、該樹脂よりもガラス転移温度が低い樹脂を主体とする第２保護層３ｂとからなる。 - 特許庁 - An IC chip 90 is incorporated in a first resin insulating layer 50, and a second resin insulating layer 60 is formed on the first resin insulating layer 50.
第１樹脂絶縁層５０にＩＣチップ９０が内蔵され、第１樹脂絶縁層５０上に第２樹脂絶縁層６０が形成されている。 - 特許庁 - The laminated paper 1 is obtained by laminating a first paper layer 3 and a second paper layer 5 each consisting of paper base material through a moistureproof agent layer 7 having water-disintegration performance.
紙素材からなる第１紙層３と第２紙層５とを、水離解性の防湿剤層７を介して積層することにより、積層紙１を構成する。 - 特許庁 - The second light transparent layer 21 is provided below the first light transparent layer 20 and has a refractive index smaller than that of the first light transparent layer 20.
第２の透光性層２１は、第１の透光性層２０の下方に設けられており、第１の透光性層２０より小さい屈折率を有している。 - 特許庁 - An element-mounting substrate 20 has a double-layered wiring structure with a first wiring layer 40 and a second wiring layer 50 laminated through the insulating layer 60.
素子搭載用基板２０は、第１の配線層４０および第２の配線層５０が絶縁層６０を介して積層された二層配線構造を有する。 - 特許庁 - The first guide layer 17 is formed between the n-type clad layer 15 and the active layer 13, and consists of a second group III-V compound semiconductor.
第１のガイド層１７はｎ型クラッド層１５と活性層１３との間に設けられており、また第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁 - Furthermore, the p-side contact layer 18 has a laminated structure of a first p-side contact layer 18A and a second p-side contact layer 18B with different materials or compositions.
また、ｐ側コンタクト層１８は、材料または組成の異なる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの積層構造を有する。 - 特許庁 - By the anisotropic etching, on the bottom oxide film layer 12, a second n^- layer 13 is exposed on an inner surface of a groove on the lower side of the p layer 14.
この異方性エッチングによって、底部酸化膜層１２の上で、ｐ層１４の下側において第２ｎ^−層１３が溝の内面において露出する。 - 特許庁 - The common contact part 200 comprises a first contact conductive layer 214, a second contact conductive layer 232, and a third pad-like contact conductive layer 260.
共通コンタクト部２００は、第１コンタクト導電層２１４、第２コンタクト導電層２３２、およびパッド状の第３コンタクト導電層２６０を含む。 - 特許庁 - The dielectric layer 144 consists of a non-conductive material, and the first magnetic layer 142 and the second magnetic layer 146 consist of an alloy of CoNiFe.
誘電体層１４４が非導電性材料からなり、第１の磁性層１４２及び第２の磁性層１４６がＣｏＮｉＦｅ合金からなる。 - 特許庁 - An anisotropic conductive film has a two-layer structure of a first resin layer 11, having a tacking force of 200 kPa or more and a second resin layer 12 containing conductive particles.
２００ｋＰａ以上のタック力を有する第１の樹脂層１１と、導電性粒子を含有する第２の樹脂層１２との２層構造とする。 - 特許庁 - A perpendicular magnetic recording media with a partially-oxidized cap layer combines a second oxide layer with a first cap layer to form a singular, partially-oxidized cap.
部分酸化キャップ層を有する垂直磁気記録媒体は、第２酸化物層を第１キャップ層と結合して単一の部分酸化キャップを形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 heterojunctioned with the first semiconductor layer 1.
半導体装置の一態様には、第１の半導体層１と、第１の半導体層１とヘテロ接合した第２の半導体層２と、が設けられている。 - 特許庁 - The non-evaporation type getter for the FED includes a first layer containing titanium, and a second layer laminated on the first layer and containing a zirconium crystal.
ＦＥＤ用の非蒸発型ゲッターは、チタンを含有する第１の層と、第１の層上に積層され、ジルコニウム結晶を含有する第２の層と、を有する。 - 特許庁 - The first layer 2a is composed of a cerium oxide film, and the second layer 2b is composed of a layer made of a mixture of titanium oxide and praseodymium oxide.
第１の層２ａは、酸化セリウム膜で構成されており、第２の層２ｂは、酸化チタンと酸化プラセオジムとの混合物からなる層で構成されている。 - 特許庁 - A second semiconductor layer 50 which includes an active layer made of AlGaAs is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the composition modulation buffer layer 20.
基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＡｓからなる活性層を含む第２の半導体層５０が形成されている。 - 特許庁 - The first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate in a direction separating from the substrate.
前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層は、前記基板から離れる方向に順次的に前記基板に積層されている。 - 特許庁
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